JP2000200548A - シャドウマスクの製造方法 - Google Patents
シャドウマスクの製造方法Info
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- JP2000200548A JP2000200548A JP11001021A JP102199A JP2000200548A JP 2000200548 A JP2000200548 A JP 2000200548A JP 11001021 A JP11001021 A JP 11001021A JP 102199 A JP102199 A JP 102199A JP 2000200548 A JP2000200548 A JP 2000200548A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ムシリ加工線を用いてムシリ加工してシャドウ
マスク製品仕上げ加工する際ムシリ加工線に沿って波打
や変形等の不具合が生じないシャドウマスクの製造方法
を提供することを目的とする 【解決手段】金属基材11の両面に1次エッチング(ハ
ーフエッチング)で小孔開口パターン12b、大孔開口
パターン及びムシリ加工線をを形成する際ムシリ加工線
(縦)13Yと平行にハーフエッチング領域14を形成
し、金属基材11の小孔開口パターン12b側にエッチ
ング耐蝕樹脂層を形成して2次エッチングして大孔開口
パターン12aを形成した後、エッチング耐蝕樹脂層及
びレジストパターンを剥離処理して、ムシリ加工線
(横)13Xから所定の位置でシート状に断裁して半製
品シャドウマスクを作製し、品質検査した後ムシリ線
(横)13X、ムシリ線(縦)13Yに沿ってムシリ加
工して製品シャドウマスクを得る。
マスク製品仕上げ加工する際ムシリ加工線に沿って波打
や変形等の不具合が生じないシャドウマスクの製造方法
を提供することを目的とする 【解決手段】金属基材11の両面に1次エッチング(ハ
ーフエッチング)で小孔開口パターン12b、大孔開口
パターン及びムシリ加工線をを形成する際ムシリ加工線
(縦)13Yと平行にハーフエッチング領域14を形成
し、金属基材11の小孔開口パターン12b側にエッチ
ング耐蝕樹脂層を形成して2次エッチングして大孔開口
パターン12aを形成した後、エッチング耐蝕樹脂層及
びレジストパターンを剥離処理して、ムシリ加工線
(横)13Xから所定の位置でシート状に断裁して半製
品シャドウマスクを作製し、品質検査した後ムシリ線
(横)13X、ムシリ線(縦)13Yに沿ってムシリ加
工して製品シャドウマスクを得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は長尺帯状の金属基材
を用いてフォトエッチング法にてシャドウマスクを製造
する方法に関し、詳しくはムシリ工法にて製品仕上げ加
工してシャドウマスクを作製するシャドウマスクの製造
方法に関する。
を用いてフォトエッチング法にてシャドウマスクを製造
する方法に関し、詳しくはムシリ工法にて製品仕上げ加
工してシャドウマスクを作製するシャドウマスクの製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的なカラーディスプレー管は電子
銃、シャドウマスク及び赤、緑、青からなる三色のドッ
ト蛍光面から成り立っている。シャドウマスクは蛍光面
の手前に取りつけられた薄い鉄系材料で、電子ビームが
通過する孔が規則正しく多数配列されたものである。一
つの孔が赤、緑、青の蛍光体ドットの一組三個に対応し
ており、電子銃から放出された三本の電子ビームをそれ
ぞれの蛍光体ドットに導く役目を果たしている。
銃、シャドウマスク及び赤、緑、青からなる三色のドッ
ト蛍光面から成り立っている。シャドウマスクは蛍光面
の手前に取りつけられた薄い鉄系材料で、電子ビームが
通過する孔が規則正しく多数配列されたものである。一
つの孔が赤、緑、青の蛍光体ドットの一組三個に対応し
ており、電子銃から放出された三本の電子ビームをそれ
ぞれの蛍光体ドットに導く役目を果たしている。
【0003】図2(a)に従来のムシリ加工線を用いた
半製品シャドウマスクの模式平面図を、図3(b)に図
2(a)の模式平面図をB−B線で切断した模式断面図
をそれぞれ示す。一般的なシャドウマスクの製造方法
は、まず、鉄又は鉄合金よりなる金属基材21の両面に
感光性樹脂(フォトレジスト)を塗布、乾燥して感光層
を形成する。次いで、所定の遮光パターンを有する露光
用マスク(多くの場合、表裏2枚のマスク)を位置合わ
せ、密着して、所定の露光量で感光層にパターン露光を
行い、所定の薬液で現像、硬膜処理等を行い、金属基材
21の両面に小孔パターン、大孔パターン及びムシリ加
工線パターンからなるレジストパターンを形成する。
半製品シャドウマスクの模式平面図を、図3(b)に図
2(a)の模式平面図をB−B線で切断した模式断面図
をそれぞれ示す。一般的なシャドウマスクの製造方法
は、まず、鉄又は鉄合金よりなる金属基材21の両面に
感光性樹脂(フォトレジスト)を塗布、乾燥して感光層
を形成する。次いで、所定の遮光パターンを有する露光
用マスク(多くの場合、表裏2枚のマスク)を位置合わ
せ、密着して、所定の露光量で感光層にパターン露光を
行い、所定の薬液で現像、硬膜処理等を行い、金属基材
21の両面に小孔パターン、大孔パターン及びムシリ加
工線パターンからなるレジストパターンを形成する。
【0004】次に、レジストパターンが形成された金属
基材21の両面から塩化第2鉄液等を用いて1次エッチ
ング(ハーフエッチング)を行い、金属基材21の両面
に所定形状の小孔開口パターン22b、大孔開口パター
ン、ムシリ加工線(横)23X及びムシリ加工線(縦)
23Yを形成する。
基材21の両面から塩化第2鉄液等を用いて1次エッチ
ング(ハーフエッチング)を行い、金属基材21の両面
に所定形状の小孔開口パターン22b、大孔開口パター
ン、ムシリ加工線(横)23X及びムシリ加工線(縦)
23Yを形成する。
【0005】次に、金属基材21の小孔開口パターン2
2b側に所定の樹脂溶液をローラーコーティングやグラ
ビアコーティング、スプレーコーティングなどの方法を
用いて塗布、乾燥・硬化してエッチング耐触樹脂層を形
成する。
2b側に所定の樹脂溶液をローラーコーティングやグラ
ビアコーティング、スプレーコーティングなどの方法を
用いて塗布、乾燥・硬化してエッチング耐触樹脂層を形
成する。
【0006】次に、金属基材21のもう一方の面の大孔
開口パターンを塩化第2鉄液等を用いて金属基材21が
貫通するまで2次エッチングを行い、大孔開口パターン
22aを形成する。
開口パターンを塩化第2鉄液等を用いて金属基材21が
貫通するまで2次エッチングを行い、大孔開口パターン
22aを形成する。
【0007】次に、金属基材21上のエッチング耐触樹
脂層及びレジストパターンをアルカリ水溶液を用いて剥
離処理する。
脂層及びレジストパターンをアルカリ水溶液を用いて剥
離処理する。
【0008】次に、所定サイズに断裁加工して、図2
(a)、(b)に示すような金属基材21に小孔開口パ
ターン22b及び大孔開口パターン22aからなるシャ
ドウマスクパターン領域22、ムシリ加工線(横)23
X及びムシリ加工線(縦)23Yが形成された半製品シ
ャドウマスクを作製し、検査した後所定の押さえ治具を
用いてムシリ加工線(横)23X及びムシリ加工線
(縦)23Yに沿ってムシリ加工してシャドウマスク製
品を得る。
(a)、(b)に示すような金属基材21に小孔開口パ
ターン22b及び大孔開口パターン22aからなるシャ
ドウマスクパターン領域22、ムシリ加工線(横)23
X及びムシリ加工線(縦)23Yが形成された半製品シ
ャドウマスクを作製し、検査した後所定の押さえ治具を
用いてムシリ加工線(横)23X及びムシリ加工線
(縦)23Yに沿ってムシリ加工してシャドウマスク製
品を得る。
【0009】ここで、ムシリ加工について補足説明す
る。従来のシャドウマスク仕上げ加工は図2(a)に示
すような半製品シャドウマスクをムシリ加工線(横)2
3X及びムシリ加工線(縦)23Yに沿ってムシリ加工
してシャドウマスクの製品サイズに仕上げる。図3
(a)に図2(a)の半製品シャドウマスクのムシリ加
工線領域を拡大した模式平面図を、図3(b)に図3
(a)の模式平面図をC−C線で切断した模式断面図
を、図3(c)に図3(a)の模式平面図をD−D線で
切断した模式断面図を、図3(d)に図3(a)の模式
平面図をE−E線で切断した模式断面図を、図3(e)
に図3(a)の模式平面図をF−F線で切断した模式断
面図を、それぞれ示す。
る。従来のシャドウマスク仕上げ加工は図2(a)に示
すような半製品シャドウマスクをムシリ加工線(横)2
3X及びムシリ加工線(縦)23Yに沿ってムシリ加工
してシャドウマスクの製品サイズに仕上げる。図3
(a)に図2(a)の半製品シャドウマスクのムシリ加
工線領域を拡大した模式平面図を、図3(b)に図3
(a)の模式平面図をC−C線で切断した模式断面図
を、図3(c)に図3(a)の模式平面図をD−D線で
切断した模式断面図を、図3(d)に図3(a)の模式
平面図をE−E線で切断した模式断面図を、図3(e)
に図3(a)の模式平面図をF−F線で切断した模式断
面図を、それぞれ示す。
【0010】ムシリ加工線(横)23X及びムシリ加工
線(縦)23Yは図2(a)及び図3(a)、(b)に
示すように所定サイズの表ハーフエッチングパターンと
裏ハーフエッチングパターンが半ピッチずらして配置さ
れている。このムシリ加工線(横)23X及びムシリ加
工線(縦)23Yはシャドウマスクの大孔及び小孔のレ
ジストパターン形成工程で表裏にレジストパターンを形
成し、1次エッチング(ハーフエッチング)工程で、図
3(b)に示すような断面形状を示すムシリ加工線
(横)23X及びムシリ加工線(縦)23Yが形成され
る。
線(縦)23Yは図2(a)及び図3(a)、(b)に
示すように所定サイズの表ハーフエッチングパターンと
裏ハーフエッチングパターンが半ピッチずらして配置さ
れている。このムシリ加工線(横)23X及びムシリ加
工線(縦)23Yはシャドウマスクの大孔及び小孔のレ
ジストパターン形成工程で表裏にレジストパターンを形
成し、1次エッチング(ハーフエッチング)工程で、図
3(b)に示すような断面形状を示すムシリ加工線
(横)23X及びムシリ加工線(縦)23Yが形成され
る。
【0011】ムシリ加工線が形成されたシャドウマスク
はムシリ加工線(横)23Xの外側30mm前後の位置
で個々に断裁し、半製品シャドウマスクを作製して、検
査工程に廻される。検査の終わった半製品シャドウマス
クは大孔パターン22aを上にして押さえ治具を用いて
ムシリ加工線(横)23x及びムシリ加工線(縦)23
Yに沿ってムシリ加工してシャドウマスク製品を得る。
はムシリ加工線(横)23Xの外側30mm前後の位置
で個々に断裁し、半製品シャドウマスクを作製して、検
査工程に廻される。検査の終わった半製品シャドウマス
クは大孔パターン22aを上にして押さえ治具を用いて
ムシリ加工線(横)23x及びムシリ加工線(縦)23
Yに沿ってムシリ加工してシャドウマスク製品を得る。
【0012】このようなムシリ加工線を用いてシャドウ
マスク製品仕上げ加工する場合シャドウマスクの基材で
ある金属基材の板厚が薄型化(0.22→0.1mm)し
てくるとこのムシリ加工の際ムシリ加工線に沿って波打
や変形等の問題が発生する。
マスク製品仕上げ加工する場合シャドウマスクの基材で
ある金属基材の板厚が薄型化(0.22→0.1mm)し
てくるとこのムシリ加工の際ムシリ加工線に沿って波打
や変形等の問題が発生する。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点に鑑みなされたもので、ムシリ加工線を用いてムシリ
加工してシャドウマスク製品仕上げ加工する際ムシリ加
工線に沿って波打や変形等の不具合が生じないシャドウ
マスクの製造方法を提供することを目的とする。
点に鑑みなされたもので、ムシリ加工線を用いてムシリ
加工してシャドウマスク製品仕上げ加工する際ムシリ加
工線に沿って波打や変形等の不具合が生じないシャドウ
マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、まず請求項1においては、金属基材
の両面に所望のレジストパターンを形成し、前記金属基
材の両面から1次エッチング(ハーフエッチング)をし
て前記金属基材の両面に小孔開口パターン及び大孔開口
パターンを形成した後、前記小孔開口パターン側の前記
金属基材の片面にエッチング耐蝕樹脂層を形成し、前記
金属基材のもう一方の面の大孔開口パターンを2次エッ
チングして貫通させた後、前記エッチング耐蝕樹脂層及
び前記レジストパターンを剥離し、個々に断裁して半製
品シャドウマスクを作製し、検査した後ムシリ加工線
(横)及びムシリ加工線(縦)に沿ってムシリ加工して
製品仕上げ加工を行うシャドウマスクの製造方法におい
て、前記小孔開口パターン側のムシリ加工線に沿って帯
状のハーフエッチング領域を設けることを特徴とするシ
ャドウマスクの製造方法としたものである。
を解決するために、まず請求項1においては、金属基材
の両面に所望のレジストパターンを形成し、前記金属基
材の両面から1次エッチング(ハーフエッチング)をし
て前記金属基材の両面に小孔開口パターン及び大孔開口
パターンを形成した後、前記小孔開口パターン側の前記
金属基材の片面にエッチング耐蝕樹脂層を形成し、前記
金属基材のもう一方の面の大孔開口パターンを2次エッ
チングして貫通させた後、前記エッチング耐蝕樹脂層及
び前記レジストパターンを剥離し、個々に断裁して半製
品シャドウマスクを作製し、検査した後ムシリ加工線
(横)及びムシリ加工線(縦)に沿ってムシリ加工して
製品仕上げ加工を行うシャドウマスクの製造方法におい
て、前記小孔開口パターン側のムシリ加工線に沿って帯
状のハーフエッチング領域を設けることを特徴とするシ
ャドウマスクの製造方法としたものである。
【0015】また、請求項2においては、前記帯状のハ
ーフエッチング領域はシャドウマスクパターン領域の縦
方向とほぼ同じ長さで設けられていることを特徴とする
請求項1に記載のシャドウマスクの製造方法としたもの
である。
ーフエッチング領域はシャドウマスクパターン領域の縦
方向とほぼ同じ長さで設けられていることを特徴とする
請求項1に記載のシャドウマスクの製造方法としたもの
である。
【0016】
【発明の実施の形態】図1(a)に本発明のハーフエッ
チング領域を設けた半製品シャドウマスクの模式平面図
を、図1(b)に図1(a)の模式平面図をA−A線で
切断した模式断面図をそれぞれ示す。本発明は、ムシリ
加工にて製品仕上げ加工を行うシャドウマスクの製造方
法であって、ムシリ加工線(縦)23Yと平行にハーフ
エッチング領域14を設けることにより、ムシリ加工中
に発生するムシリ加工線近傍に発生する波打、変形等を
防止したものである。
チング領域を設けた半製品シャドウマスクの模式平面図
を、図1(b)に図1(a)の模式平面図をA−A線で
切断した模式断面図をそれぞれ示す。本発明は、ムシリ
加工にて製品仕上げ加工を行うシャドウマスクの製造方
法であって、ムシリ加工線(縦)23Yと平行にハーフ
エッチング領域14を設けることにより、ムシリ加工中
に発生するムシリ加工線近傍に発生する波打、変形等を
防止したものである。
【0017】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
る。
【0018】まず、板厚0.1mmのFe−Ni合金よ
りなる金属基材11の両面にポリビニールアルコールと
重クロム酸アンモニウムからなる感光性樹脂溶液をコー
ティングして感光層を形成した。
りなる金属基材11の両面にポリビニールアルコールと
重クロム酸アンモニウムからなる感光性樹脂溶液をコー
ティングして感光層を形成した。
【0019】次に、所定のパターンを有する露光マスク
で感光層に密着露光し、現像、硬膜処理して金属基材1
1の両面に小孔パターン、大孔パターン、ムシリ加工線
パターン及びハーフエッチング領域パターンからなるレ
ジストパターンを形成した。
で感光層に密着露光し、現像、硬膜処理して金属基材1
1の両面に小孔パターン、大孔パターン、ムシリ加工線
パターン及びハーフエッチング領域パターンからなるレ
ジストパターンを形成した。
【0020】次に、レジストパターンが形成された金属
基材11の両面から60℃に加熱された塩化第2鉄から
なるエッチング液を用いて3kg/cm2の圧力でスプ
レーエッチング(1次エッチング)を行い金属基材11
の両面に小孔開口パターン12b、大孔開口パターン、
ムシリ加工線(横)13X、ムシリ加工線(縦)13Y
及び幅11mm、深さ50μmからなるハーフエッチン
グ領域14を形成した。ハーフエッチング領域14の幅
は少なくとも5mm程必要である。その幅が5mmより
少ないと期待する効果が得られ難い。最大幅はシャドウ
マスクを形成した金属板の余白にも関係するが、あまり
広い幅にすることは意味がない。
基材11の両面から60℃に加熱された塩化第2鉄から
なるエッチング液を用いて3kg/cm2の圧力でスプ
レーエッチング(1次エッチング)を行い金属基材11
の両面に小孔開口パターン12b、大孔開口パターン、
ムシリ加工線(横)13X、ムシリ加工線(縦)13Y
及び幅11mm、深さ50μmからなるハーフエッチン
グ領域14を形成した。ハーフエッチング領域14の幅
は少なくとも5mm程必要である。その幅が5mmより
少ないと期待する効果が得られ難い。最大幅はシャドウ
マスクを形成した金属板の余白にも関係するが、あまり
広い幅にすることは意味がない。
【0021】次に、金属基材11の小孔開口パターン1
2b側に樹脂溶液をロールコーターを用いて塗布し、乾
燥・硬化して30μm厚のエッチング耐蝕樹脂層を形成
した。
2b側に樹脂溶液をロールコーターを用いて塗布し、乾
燥・硬化して30μm厚のエッチング耐蝕樹脂層を形成
した。
【0022】次に、金属基材11の大孔開口パターン側
から60℃に加熱された塩化第2鉄からなるエッチング
液を用いて3kg/cm2の圧力でスプレーエッチング
(2次エッチング)を行い大孔開口パターン12aを形
成した。
から60℃に加熱された塩化第2鉄からなるエッチング
液を用いて3kg/cm2の圧力でスプレーエッチング
(2次エッチング)を行い大孔開口パターン12aを形
成した。
【0023】次に、エッチング耐蝕樹脂層、レジストパ
ターンをアルカリ水溶液を用いて剥離処理し、金属基材
11に小孔開口パターン12b、大孔開口パターン12
a及びムシリ加工線(横)13X、ムシリ加工線(縦)
13Y及びハーフエッチング領域14が形成されたシャ
ドウマスクを作製した。
ターンをアルカリ水溶液を用いて剥離処理し、金属基材
11に小孔開口パターン12b、大孔開口パターン12
a及びムシリ加工線(横)13X、ムシリ加工線(縦)
13Y及びハーフエッチング領域14が形成されたシャ
ドウマスクを作製した。
【0024】次に、ムシリ加工線(横)13Xから30
mmの位置でシート状に断裁し、図1(a)に示すシー
ト状の中間製品シャドウマスクを作製した。
mmの位置でシート状に断裁し、図1(a)に示すシー
ト状の中間製品シャドウマスクを作製した。
【0025】次に、シート状の中間製品シャドウマスク
を検査した後押さえ治具にてムシリ加工線(横)13X
及びムシリ加工線(縦)13Yの内側を押さえて、ムシ
リ加工線(横)13X及びムシリ加工線(縦)13Yに
沿ってムシリ加工して製品シャドウマスクを作製した。
を検査した後押さえ治具にてムシリ加工線(横)13X
及びムシリ加工線(縦)13Yの内側を押さえて、ムシ
リ加工線(横)13X及びムシリ加工線(縦)13Yに
沿ってムシリ加工して製品シャドウマスクを作製した。
【0026】
【発明の効果】ムシリ加工線に本発明のハーフエッチン
グ領域を設けてムシリ加工することにより、ムシリ加工
後のムシリ加工線近傍に波打、変形等は一切見られず、
高品質のシャドウマスクを得ることができる。
グ領域を設けてムシリ加工することにより、ムシリ加工
後のムシリ加工線近傍に波打、変形等は一切見られず、
高品質のシャドウマスクを得ることができる。
【図1】(a)は、本発明のハーフエッチング領域を設
けた半製品シャドウマスクの模式平面図である。(b)
は、図1(a)の模式平面図をA−A線で切断した模式
断面図である。
けた半製品シャドウマスクの模式平面図である。(b)
は、図1(a)の模式平面図をA−A線で切断した模式
断面図である。
【図2】(a)は、従来のムシリ加工線を用いた半製品
シャドウマスクの模式平面図である。(b)は、図2
(a)の模式平面図をB−B線で切断した模式断面図で
ある。
シャドウマスクの模式平面図である。(b)は、図2
(a)の模式平面図をB−B線で切断した模式断面図で
ある。
【図3】(a)は、図2(a)の模式平面図のムシリ加
工線領域を拡大した模式平面図である。(b)は、図3
(a)の模式平面図をC−C線で切断した模式断面図で
ある。(c)は、図3(a)の模式平面図をD−D線で
切断した模式断面図である。(d)は、図3(a)の模
式平面図をE−E線で切断した模式断面図である。
(e)は、図3(a)の模式平面図をF−F線で切断し
た模式断面図である。
工線領域を拡大した模式平面図である。(b)は、図3
(a)の模式平面図をC−C線で切断した模式断面図で
ある。(c)は、図3(a)の模式平面図をD−D線で
切断した模式断面図である。(d)は、図3(a)の模
式平面図をE−E線で切断した模式断面図である。
(e)は、図3(a)の模式平面図をF−F線で切断し
た模式断面図である。
11、21……金属基材 12、22……シャドウマスクパターン領域 12a、22a……大孔開口パターン 12b、22b……小孔開口パターン 13X、23X……ムシリ加工線(横) 13Y、23Y……ムシリ加工線(縦) 14……ハーフエッチング領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇 克次郎 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 5C027 HH14 5C031 EE03 EE15 EH05 EH08
Claims (2)
- 【請求項1】金属基材の両面に所望のレジストパターン
を形成し、前記金属基材の両面から1次エッチング(ハ
ーフエッチング)をして前記金属基材の両面に小孔開口
パターン及び大孔開口パターンを形成した後、前記小孔
開口パターン側の前記金属基材の片面にエッチング耐蝕
樹脂層を形成し、前記金属基材のもう一方の面の大孔開
口パターンを2次エッチングして貫通させた後、前記エ
ッチング耐蝕樹脂層及び前記レジストパターンを剥離
し、個々に断裁して半製品シャドウマスクを作製し、検
査した後ムシリ加工線(縦)及びムシリ加工線(横)に
沿ってムシリ加工して製品仕上げ加工を行うシャドウマ
スクの製造方法において、 前記小孔開口パターン側のムシリ加工線(縦)に沿って
帯状のハーフエッチング領域を設けることを特徴とする
シャドウマスクの製造方法。 - 【請求項2】前記帯状のハーフエッチング領域はシャド
ウマスクパターン領域の縦方向とほぼ同じ長さで設けら
れていることを特徴とする請求項1に記載のシャドウマ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11001021A JP2000200548A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | シャドウマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11001021A JP2000200548A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | シャドウマスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000200548A true JP2000200548A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11489927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11001021A Pending JP2000200548A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | シャドウマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000200548A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100350622B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2002-08-30 | 엘지전자주식회사 | 컬러 음극선관 |
KR20160062281A (ko) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법 |
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1999
- 1999-01-06 JP JP11001021A patent/JP2000200548A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100350622B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2002-08-30 | 엘지전자주식회사 | 컬러 음극선관 |
KR20160062281A (ko) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법 |
KR102316680B1 (ko) * | 2014-11-24 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법 |
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