JPH05307745A - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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- JPH05307745A JPH05307745A JP4111191A JP11119192A JPH05307745A JP H05307745 A JPH05307745 A JP H05307745A JP 4111191 A JP4111191 A JP 4111191A JP 11119192 A JP11119192 A JP 11119192A JP H05307745 A JPH05307745 A JP H05307745A
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- JP
- Japan
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- carbon film
- thin film
- hard carbon
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- recording medium
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は炭素源ガスを規定し、プラズマＣＶ
Ｄ法で密度を規定した磁性層上に硬質炭素膜を設けても
ドロップアウトもなく信頼性も高い媒体を得ることを目
的としている。 【構成】 ベンゼン環にアルキル基のついた炭化水素を
用い、一定硬度の硬質炭素膜を一定密度の磁性層上に設
ける。
Ｄ法で密度を規定した磁性層上に硬質炭素膜を設けても
ドロップアウトもなく信頼性も高い媒体を得ることを目
的としている。 【構成】 ベンゼン環にアルキル基のついた炭化水素を
用い、一定硬度の硬質炭素膜を一定密度の磁性層上に設
ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属薄膜を磁気記
録層とする磁気記録媒体に関し、特にデジタルビデオテ
ープレコーダや高精細度ビデオテープレコーダに最適な
磁気記録媒体に関する。
録層とする磁気記録媒体に関し、特にデジタルビデオテ
ープレコーダや高精細度ビデオテープレコーダに最適な
磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気
記録媒体においては、様々な方法により耐食性、スチル
耐久性、走行耐久性を向上する試みが続けられてきた。
たとえば、強磁性金属薄膜上にカルボン酸系やリン酸系
の潤滑剤を設ける方法、さらに強磁性金属薄膜上に非磁
性金属の保護膜を設ける方法、またはシリカのような酸
化物の保護膜を設ける方法がある。
記録媒体においては、様々な方法により耐食性、スチル
耐久性、走行耐久性を向上する試みが続けられてきた。
たとえば、強磁性金属薄膜上にカルボン酸系やリン酸系
の潤滑剤を設ける方法、さらに強磁性金属薄膜上に非磁
性金属の保護膜を設ける方法、またはシリカのような酸
化物の保護膜を設ける方法がある。
【０００３】さらに最近では、特開昭６１ー１４２５２
５号公報、特開昭６１ー２０８６２２号公報のようにカ
ーボン系の保護膜を設けたり、特開昭６２ー２１９３１
４号公報、特開昭６１ー２１０５１８号公報のようにダ
イヤモンド状炭素膜を保護膜として用いている。強磁性
薄膜の保護膜としてダイヤモンド状炭素膜と潤滑剤を用
いると、スチル耐久性、走行耐久性、が著しく向上し
た。また、このダイヤモンド状硬質炭素膜の製造方法に
ついては特開平３ー２２４１３２号公報があり、堆積速
度、１８ｎｍ／ｓまでは達している。しかし、電流が急
激に増大する異常放電が少し発生することと、さらなる
堆積速度の向上が望まれていた。
５号公報、特開昭６１ー２０８６２２号公報のようにカ
ーボン系の保護膜を設けたり、特開昭６２ー２１９３１
４号公報、特開昭６１ー２１０５１８号公報のようにダ
イヤモンド状炭素膜を保護膜として用いている。強磁性
薄膜の保護膜としてダイヤモンド状炭素膜と潤滑剤を用
いると、スチル耐久性、走行耐久性、が著しく向上し
た。また、このダイヤモンド状硬質炭素膜の製造方法に
ついては特開平３ー２２４１３２号公報があり、堆積速
度、１８ｎｍ／ｓまでは達している。しかし、電流が急
激に増大する異常放電が少し発生することと、さらなる
堆積速度の向上が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンド状炭素膜
と潤滑剤を保護膜とする金属薄膜型磁気記録媒体は信頼
性を著しく向上する効果はあるが、このダイヤモンド状
炭素膜を安定にしかも工業的処理スピードで生産するこ
とが残された課題であった。これは、コスト的に有利な
ポリエチレンテレフタレートを基板に使用するため、耐
熱性が低く、硬質炭素膜形成時の異常放電を避けながら
成膜スピードを向上するという矛盾した課題を解決する
ことである。
と潤滑剤を保護膜とする金属薄膜型磁気記録媒体は信頼
性を著しく向上する効果はあるが、このダイヤモンド状
炭素膜を安定にしかも工業的処理スピードで生産するこ
とが残された課題であった。これは、コスト的に有利な
ポリエチレンテレフタレートを基板に使用するため、耐
熱性が低く、硬質炭素膜形成時の異常放電を避けながら
成膜スピードを向上するという矛盾した課題を解決する
ことである。
【０００５】また、薄膜型磁気記録媒体の信頼性を向上
するためには、硬質炭素膜の下に存在する磁性層の密度
が大切な要素である。この磁性層の密度を適度な値に管
理して磁性層側の変形量を管理する事が媒体のスチルラ
イフ、走行耐久性向上のためには重要な課題である。
するためには、硬質炭素膜の下に存在する磁性層の密度
が大切な要素である。この磁性層の密度を適度な値に管
理して磁性層側の変形量を管理する事が媒体のスチルラ
イフ、走行耐久性向上のためには重要な課題である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、プラズマＣＶＤ法において電極に印加する電圧が低
くても、媒体の信頼性を著しく向上する、密度が高く、
硬度も高い炭素膜を形成可能な原料ガスを決定し、その
硬質炭素膜の堆積速度から成膜スピードを決定する。
に、プラズマＣＶＤ法において電極に印加する電圧が低
くても、媒体の信頼性を著しく向上する、密度が高く、
硬度も高い炭素膜を形成可能な原料ガスを決定し、その
硬質炭素膜の堆積速度から成膜スピードを決定する。
【０００７】また、磁性層の密度を３．０から６．０に
管理して、磁性層での変形を適度にコントロールするこ
とにより、硬いダイヤモンド状炭素膜とよく滑る潤滑剤
で薄膜型磁気記録媒体の信頼性を向上する。
管理して、磁性層での変形を適度にコントロールするこ
とにより、硬いダイヤモンド状炭素膜とよく滑る潤滑剤
で薄膜型磁気記録媒体の信頼性を向上する。
【０００８】
【作用】ベンゼン環にアルキル基が導入された炭化水素
で、そのアルキル基の炭素数が１から６までであり、ベ
ンゼン環に導入するアルキル基の数が１から３までであ
るＲ−Ｃ6Ｈ5、Ｒ−Ｃ6Ｈ4ーＲ、Ｒ−Ｃ6Ｈ3ー（Ｒ）2
の炭化水素とアルゴンを原料ガスとして、異常放電もな
く、工業的スピードで密度と硬度の高い硬質炭素膜を形
成し、この硬質炭素膜と潤滑剤を保護膜として用いるこ
とにより、金属薄膜型磁気記録媒体のスチルライフ、走
行耐久性、耐食性、ドロップアウトを飛躍的に向上す
る。
で、そのアルキル基の炭素数が１から６までであり、ベ
ンゼン環に導入するアルキル基の数が１から３までであ
るＲ−Ｃ6Ｈ5、Ｒ−Ｃ6Ｈ4ーＲ、Ｒ−Ｃ6Ｈ3ー（Ｒ）2
の炭化水素とアルゴンを原料ガスとして、異常放電もな
く、工業的スピードで密度と硬度の高い硬質炭素膜を形
成し、この硬質炭素膜と潤滑剤を保護膜として用いるこ
とにより、金属薄膜型磁気記録媒体のスチルライフ、走
行耐久性、耐食性、ドロップアウトを飛躍的に向上す
る。
【０００９】また、金属薄膜型磁気記録媒体の磁気記録
層の密度を３．０から６．０に管理して硬質炭素膜と潤
滑剤の２層の保護膜を設けることにより、上記信頼性が
達成される。
層の密度を３．０から６．０に管理して硬質炭素膜と潤
滑剤の２層の保護膜を設けることにより、上記信頼性が
達成される。
【００１０】磁性層の密度がこれよりも低いと、磁性層
側の変形量が大きくなり、スチルライフ、走行耐久性が
急激に低下する。また、磁性層の密度がこれよりも高い
と、磁性層側がほとんど変形せず、これもスチルライフ
が低下する。
側の変形量が大きくなり、スチルライフ、走行耐久性が
急激に低下する。また、磁性層の密度がこれよりも高い
と、磁性層側がほとんど変形せず、これもスチルライフ
が低下する。
【００１１】
【実施例】（図１）は金属薄膜型磁気記録媒体の断面略
図であり、この構成について説明する。１は含フッソカ
ルボン酸を主とする潤滑剤層であり、厚みは３０Ａから
５０Ａである。含フッソカルボン酸だけ、あるいは含フ
ッソカルボン酸エステルとの混合でもよい。例としては
Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨやＣ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯ
ＯＣ8Ｈ17があげられる。
図であり、この構成について説明する。１は含フッソカ
ルボン酸を主とする潤滑剤層であり、厚みは３０Ａから
５０Ａである。含フッソカルボン酸だけ、あるいは含フ
ッソカルボン酸エステルとの混合でもよい。例としては
Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨやＣ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯ
ＯＣ8Ｈ17があげられる。
【００１２】２は硬質炭素膜で、膜のビッカース硬度が
１０００から５０００と高く、磁気記録媒体のダメージ
を潤滑剤と共に防いでいる。厚みは１００Ａから２００
Ａが信頼性と出力とのバランス上最適である。
１０００から５０００と高く、磁気記録媒体のダメージ
を潤滑剤と共に防いでいる。厚みは１００Ａから２００
Ａが信頼性と出力とのバランス上最適である。
【００１３】３は強磁性金属薄膜であり、材料的にはＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ等が使用可能であ
る。その厚みは１５００Ａから３０００Ａが一般的であ
る。
ｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ等が使用可能であ
る。その厚みは１５００Ａから３０００Ａが一般的であ
る。
【００１４】４は非磁性基板であり、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、
ポリイミド等のフイルムが可能である。コスト的な観点
から、ポリエチレンテレフタレートが有利である。基板
の磁性面側表面は１００Ａから３００Ａの突起形成処理
が施されているものが信頼性と出力を両立するうえで最
適である。
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、
ポリイミド等のフイルムが可能である。コスト的な観点
から、ポリエチレンテレフタレートが有利である。基板
の磁性面側表面は１００Ａから３００Ａの突起形成処理
が施されているものが信頼性と出力を両立するうえで最
適である。
【００１５】５はバックコート層で、材料的にはポリウ
レタン、ニトロセルロース、ポリエステルとカーボン、
炭酸カルシュウム等を含んでいる。厚みは５０００Ａで
ある。
レタン、ニトロセルロース、ポリエステルとカーボン、
炭酸カルシュウム等を含んでいる。厚みは５０００Ａで
ある。
【００１６】（図２）は本発明の磁気記録媒体用硬質炭
素膜の製造装置の一例である。６は真空槽であり１０ー4
Torrから１０ー3Torrに管理されている。これは７の排気
口からホンプで排気して管理する。
素膜の製造装置の一例である。６は真空槽であり１０ー4
Torrから１０ー3Torrに管理されている。これは７の排気
口からホンプで排気して管理する。
【００１７】８は硬質炭素膜を製造するための放電管で
あり、交流と直流が電極に印加される。ガスはベンゼン
環に炭素数が１から６までのアルキル基が１個から３個
導入された炭化水素とアルゴンを使用する。キャン９と
の隙間は０．５ｍｍから０．３ｍｍに管理され、これに
よって放電管内と真空槽との差圧を確保する。材質はエ
ンプラが実用的である。
あり、交流と直流が電極に印加される。ガスはベンゼン
環に炭素数が１から６までのアルキル基が１個から３個
導入された炭化水素とアルゴンを使用する。キャン９と
の隙間は０．５ｍｍから０．３ｍｍに管理され、これに
よって放電管内と真空槽との差圧を確保する。材質はエ
ンプラが実用的である。
【００１８】１０は電流を流すための通電ローラであ
り、表面抵抗値で１０3から１０5に管理するとポリエチ
レンテレフタレートを基板に用いても電流の集中による
基板の熱負けによるピンホールは発生しない。
り、表面抵抗値で１０3から１０5に管理するとポリエチ
レンテレフタレートを基板に用いても電流の集中による
基板の熱負けによるピンホールは発生しない。
【００１９】以下製造条件も含めて図面を参考にしなが
ら詳しく説明する。５００mm幅のポリエチレンテレフタ
レート表面に、ＳＴＭ分析で高さが３００Ａ、直径が２
０００Ａの突起が１mm2あたり１０5から１０9個形成さ
れた非磁性基板４上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導
入しながら、Ｃｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を１８
００Ａの厚みで形成する。この時、Ｃｏ蒸気の入射角の
コントロールにより、金属薄膜層の密度が２．０，２．
９，３．０，４．０，５．０，６．０，６．２，７．０
のサンプル１、２、３、４、５、６、７、８をそれぞれ
準備した。密度の低いサンプルは、高入射成分を多く
し、導入する酸素量も多くした。一方、密度の高いサン
プルは、低入射成分を多くし、また導入する酸素量も少
なくした。その後リバースロールコータによりポリウレ
タン、ニトロセルロース、カーボンブラックより構成さ
れた固形分３０％のメチルエチルケトン／トルエン／ア
ノン溶液を乾燥後のバックコート５の厚みが５０００Ａ
になるようにそれぞれのサンプルに塗布した。
ら詳しく説明する。５００mm幅のポリエチレンテレフタ
レート表面に、ＳＴＭ分析で高さが３００Ａ、直径が２
０００Ａの突起が１mm2あたり１０5から１０9個形成さ
れた非磁性基板４上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導
入しながら、Ｃｏ−Ｏからなる強磁性金属薄膜３を１８
００Ａの厚みで形成する。この時、Ｃｏ蒸気の入射角の
コントロールにより、金属薄膜層の密度が２．０，２．
９，３．０，４．０，５．０，６．０，６．２，７．０
のサンプル１、２、３、４、５、６、７、８をそれぞれ
準備した。密度の低いサンプルは、高入射成分を多く
し、導入する酸素量も多くした。一方、密度の高いサン
プルは、低入射成分を多くし、また導入する酸素量も少
なくした。その後リバースロールコータによりポリウレ
タン、ニトロセルロース、カーボンブラックより構成さ
れた固形分３０％のメチルエチルケトン／トルエン／ア
ノン溶液を乾燥後のバックコート５の厚みが５０００Ａ
になるようにそれぞれのサンプルに塗布した。
【００２０】（図２）に示した硬質炭素膜形成装置によ
ってサンプル４上に硬質炭素膜２を１２０Ａ形成した。
その条件は、長さが４００ｍｍの放電管８内の電極に直
流と２０ＫＨｚの交流を重畳印加した。直流はプラス８
００Ｖに管理し、交流は実効値で１０００Ｖに管理し
た。放電管８内の内圧はアルゴンが０．０３Ｔｏｒｒ，
炭化水素ガスの内圧は０．２０Ｔｏｒｒとした。この条
件で炭化水素ガスだけを変更して硬質炭素膜２を形成し
た。メタンを用いた場合をサンプル９、プロパンを用い
た場合をサンプル１０、ベンゼンを用いた場合をサンプ
ル１１、トルエンを用いた場合をサンプル１２、Ｐ−キ
シレンを用いた場合をサンプル１３、トリメチルベンゼ
ンを用いた場合をサンプル１４、クメンを用いた場合を
サンプル１５、４ーｔ−ブチルトルエンを用いた場合を
サンプル１６とした。なお、メタン、プロパン以外は液
体を加熱導入することで放電管８内に導入した。さらな
る炭化水素の例としては、エチルベンゼン、ｔ−アミル
ベンゼン、プロピルベンゼンのようにベンゼン環に炭素
数が１から６までのアルキル基が１個から３個まで導入
された物質であればすべて含まれる。特にベンゼン環に
導入されたアルキル基が分岐タイプであるほど、硬質炭
素膜の硬度は低い電圧でも高くなった。その結果、長時
間放電中にグロー放電から電流が急激に増えるアーク放
電へ移行する異常放電は起こらなくなった。
ってサンプル４上に硬質炭素膜２を１２０Ａ形成した。
その条件は、長さが４００ｍｍの放電管８内の電極に直
流と２０ＫＨｚの交流を重畳印加した。直流はプラス８
００Ｖに管理し、交流は実効値で１０００Ｖに管理し
た。放電管８内の内圧はアルゴンが０．０３Ｔｏｒｒ，
炭化水素ガスの内圧は０．２０Ｔｏｒｒとした。この条
件で炭化水素ガスだけを変更して硬質炭素膜２を形成し
た。メタンを用いた場合をサンプル９、プロパンを用い
た場合をサンプル１０、ベンゼンを用いた場合をサンプ
ル１１、トルエンを用いた場合をサンプル１２、Ｐ−キ
シレンを用いた場合をサンプル１３、トリメチルベンゼ
ンを用いた場合をサンプル１４、クメンを用いた場合を
サンプル１５、４ーｔ−ブチルトルエンを用いた場合を
サンプル１６とした。なお、メタン、プロパン以外は液
体を加熱導入することで放電管８内に導入した。さらな
る炭化水素の例としては、エチルベンゼン、ｔ−アミル
ベンゼン、プロピルベンゼンのようにベンゼン環に炭素
数が１から６までのアルキル基が１個から３個まで導入
された物質であればすべて含まれる。特にベンゼン環に
導入されたアルキル基が分岐タイプであるほど、硬質炭
素膜の硬度は低い電圧でも高くなった。その結果、長時
間放電中にグロー放電から電流が急激に増えるアーク放
電へ移行する異常放電は起こらなくなった。
【００２１】これらサンプル上へ含フッソ潤滑剤、Ｃ5
Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨを塗布、乾燥後の厚みが３０
Ａになるようにコーターで塗布し、その後８ｍｍ幅にス
リットして測定用テープとした。
Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨを塗布、乾燥後の厚みが３０
Ａになるようにコーターで塗布し、その後８ｍｍ幅にス
リットして測定用テープとした。
【００２２】これらサンプル９からサンプル１６までの
硬質炭素膜２の堆積速度を（図３）に示した。このよう
に、炭化水素ガスとしてベンゼン環に炭素数が１から６
までのアルキル基が１個から３個導入された炭化水素を
用いたサンプル１２からサンプル１６は２０ｎｍ／ｓ以
上の硬質炭素膜堆積速度を達成し、工業的スピードで硬
質炭素膜を生産可能であった。
硬質炭素膜２の堆積速度を（図３）に示した。このよう
に、炭化水素ガスとしてベンゼン環に炭素数が１から６
までのアルキル基が１個から３個導入された炭化水素を
用いたサンプル１２からサンプル１６は２０ｎｍ／ｓ以
上の硬質炭素膜堆積速度を達成し、工業的スピードで硬
質炭素膜を生産可能であった。
【００２３】また、（図４）にはこれらサンプル９から
サンプル１６までの堆積速度と８ｍｍＶＴＲによる２３
Ｃ−１０％環境でのスチルライフをまとめた。この結果
からも、ベンゼン環に炭素数が１から６までのアルキル
基を１個から３個まで導入した炭化水素を用いた硬質炭
素膜はメタンを用いたものと同等以上のスチルライフを
示した。
サンプル１６までの堆積速度と８ｍｍＶＴＲによる２３
Ｃ−１０％環境でのスチルライフをまとめた。この結果
からも、ベンゼン環に炭素数が１から６までのアルキル
基を１個から３個まで導入した炭化水素を用いた硬質炭
素膜はメタンを用いたものと同等以上のスチルライフを
示した。
【００２４】さらに、（図５）にサンプル９からサンプ
ル１６までの硬質炭素膜の製造安定性、つまりグロー放
電がアーク放電に移る異常放電回数を示した。ここで
も、ベンゼン環に炭素数が１から６までのアルキル基を
１個から３個まで導入した炭化水素を原料ガスとしたサ
ンプル１２からサンプル１６は放電の安定性が格段に向
上した。その結果磁気記録媒体の生産性が飛躍的に向上
し、また媒体としては硬質炭素膜を設けることによるド
ロップアウトの増加を防ぐことが可能となった。
ル１６までの硬質炭素膜の製造安定性、つまりグロー放
電がアーク放電に移る異常放電回数を示した。ここで
も、ベンゼン環に炭素数が１から６までのアルキル基を
１個から３個まで導入した炭化水素を原料ガスとしたサ
ンプル１２からサンプル１６は放電の安定性が格段に向
上した。その結果磁気記録媒体の生産性が飛躍的に向上
し、また媒体としては硬質炭素膜を設けることによるド
ロップアウトの増加を防ぐことが可能となった。
【００２５】さらに、サンプル５上に（図２）に示した
硬質炭素膜形成装置により放電管８内の電極に印加する
電圧を変化させて硬質炭素膜２を１２０Ａ形成した。そ
の時の条件は、アルゴンを０．０７Ｔｏｒｒ，トルエン
を０．２０Ｔｏｒｒとした。各サンプルについて印加し
た電圧と形成された炭素膜２のビッカース硬度、スチル
ライフを（表１）にまとめた。なお、ビッカース硬度は
シリコンウエハー上に１．０ミクロンメータの厚み炭素
膜を形成し、ジャパンハイテック（株）のマイクロビッ
カース硬度計で調べた。スチルライフは含フッソ潤滑
剤、Ｃ5Ｆ11ＣＨ2）10ＣＯＯＨを３０Ａの厚みで硬質炭
素膜上に設けた後、２３Ｃー１０％環境で８ｍｍＶＴＲ
で測定した。
硬質炭素膜形成装置により放電管８内の電極に印加する
電圧を変化させて硬質炭素膜２を１２０Ａ形成した。そ
の時の条件は、アルゴンを０．０７Ｔｏｒｒ，トルエン
を０．２０Ｔｏｒｒとした。各サンプルについて印加し
た電圧と形成された炭素膜２のビッカース硬度、スチル
ライフを（表１）にまとめた。なお、ビッカース硬度は
シリコンウエハー上に１．０ミクロンメータの厚み炭素
膜を形成し、ジャパンハイテック（株）のマイクロビッ
カース硬度計で調べた。スチルライフは含フッソ潤滑
剤、Ｃ5Ｆ11ＣＨ2）10ＣＯＯＨを３０Ａの厚みで硬質炭
素膜上に設けた後、２３Ｃー１０％環境で８ｍｍＶＴＲ
で測定した。
【００２６】
【表１】
【００２７】この結果をまとめて（図６）に示した。こ
のように、直流は３００Ｖから２０００Ｖ，交流は３０
０Ｖから３０００Ｖが最適な電圧範囲であった。これよ
りも電圧が高くなるとアーク放電になって異常放電にな
りやすく、これよりも電圧が低いと炭素膜の硬度が不足
した。高電圧側でスチルライフが低下傾向になるのは硬
質炭素膜内部の歪が増加するためと思われる。
のように、直流は３００Ｖから２０００Ｖ，交流は３０
０Ｖから３０００Ｖが最適な電圧範囲であった。これよ
りも電圧が高くなるとアーク放電になって異常放電にな
りやすく、これよりも電圧が低いと炭素膜の硬度が不足
した。高電圧側でスチルライフが低下傾向になるのは硬
質炭素膜内部の歪が増加するためと思われる。
【００２８】さらに、サンプル１、２、３、４、５、
６、７、８についても（図２）の硬質炭素膜形成装置で
硬質炭素膜２を１３０Ａ形成した。その条件は、パラキ
シレン０．２０Ｔｏｒｒ，アルゴン０．０７Ｔｏｒｒ
で、直流がプラス８００Ｖ、２０ＫＨｚの交流が実効値
で８００Ｖとした。さらに、同様の潤滑剤を設けた後８
ｍｍ幅にスリットし、磁性層の密度がテープの信頼性に
与える影響を調べるために８ｍｍＶＴＲでスチルライフ
を調べた。なお、測定環境は２３Ｃ−１０％環境であ
る。その結果を（図７）に示した。（図７）の結果から
磁性層の密度も金属薄膜型磁気記録媒体の信頼性に大き
な影響を与え、磁性層の密度が３．０から６．０のサン
プルのスチルライフが長く、かつ安定していた。密度が
３．０より低下すると磁性層の変形が大きくなり、磁性
層が壊れてスチルライフが低下した。また、磁性層の密
度が６．０を越えると磁性層側の変形がほとんどなく、
面圧が高くなるためスチルライフが低下した。
６、７、８についても（図２）の硬質炭素膜形成装置で
硬質炭素膜２を１３０Ａ形成した。その条件は、パラキ
シレン０．２０Ｔｏｒｒ，アルゴン０．０７Ｔｏｒｒ
で、直流がプラス８００Ｖ、２０ＫＨｚの交流が実効値
で８００Ｖとした。さらに、同様の潤滑剤を設けた後８
ｍｍ幅にスリットし、磁性層の密度がテープの信頼性に
与える影響を調べるために８ｍｍＶＴＲでスチルライフ
を調べた。なお、測定環境は２３Ｃ−１０％環境であ
る。その結果を（図７）に示した。（図７）の結果から
磁性層の密度も金属薄膜型磁気記録媒体の信頼性に大き
な影響を与え、磁性層の密度が３．０から６．０のサン
プルのスチルライフが長く、かつ安定していた。密度が
３．０より低下すると磁性層の変形が大きくなり、磁性
層が壊れてスチルライフが低下した。また、磁性層の密
度が６．０を越えると磁性層側の変形がほとんどなく、
面圧が高くなるためスチルライフが低下した。
【００２９】以上の実施例はＣｏ−Ｏの磁性層を例にあ
げて説明したが、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯでもＣｏ−Ｃｒでも結
果は同じであった。
げて説明したが、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯでもＣｏ−Ｃｒでも結
果は同じであった。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明により、構造を規定
したベンゼン環に炭素数が１から６までのアルキル基を
１個から３個まで導入した炭化水素、Ｒ−Ｃ6Ｈ5、Ｒ−
Ｃ6Ｈ4ーＲ、Ｒ−Ｃ6Ｈ3ー（Ｒ）2とアルゴンを原料と
して、はじめて規定された硬度の硬質炭素膜を工業的ス
ピードで異常放電もなく、安定に製造することが可能と
なり、同時に薄膜型磁気記録媒体のスチルライフも確保
することが可能となった。さらに、異常放電が皆無にな
るので硬質炭素膜を設けることによる磁気記録媒体のド
ロップアウトの増加がなくなった。本発明の工業的意味
は大きい。
したベンゼン環に炭素数が１から６までのアルキル基を
１個から３個まで導入した炭化水素、Ｒ−Ｃ6Ｈ5、Ｒ−
Ｃ6Ｈ4ーＲ、Ｒ−Ｃ6Ｈ3ー（Ｒ）2とアルゴンを原料と
して、はじめて規定された硬度の硬質炭素膜を工業的ス
ピードで異常放電もなく、安定に製造することが可能と
なり、同時に薄膜型磁気記録媒体のスチルライフも確保
することが可能となった。さらに、異常放電が皆無にな
るので硬質炭素膜を設けることによる磁気記録媒体のド
ロップアウトの増加がなくなった。本発明の工業的意味
は大きい。
【００３１】また、この硬質炭素膜を設けた金属薄膜型
磁気記録媒体はデジタルＶＴＲ用に出力、信頼性共に最
適である。
磁気記録媒体はデジタルＶＴＲ用に出力、信頼性共に最
適である。
【００３２】さらに、磁性層の密度を一定の範囲に管理
することによって上記媒体の信頼性が確立される。
することによって上記媒体の信頼性が確立される。
【図１】本発明の実施例である金属薄膜型磁気記録媒体
の断面略図
の断面略図
【図２】本発明の実施例である硬質炭素膜形成装置の略
図
図
【図３】従来例と本発明との硬質炭素膜堆積速度を比較
して示した図
して示した図
【図４】従来例と本発明との硬質炭素膜の堆積速度とテ
ープのスチルライフを比較して示した図
ープのスチルライフを比較して示した図
【図５】従来例と本発明との硬質炭素膜製造中の異常放
電発生回数と堆積速度のグラフ
電発生回数と堆積速度のグラフ
【図６】本発明の硬質炭素膜のビッカース硬度とテープ
のスチルライフのグラフ
のスチルライフのグラフ
【図７】金属薄膜型磁気記録媒体の磁性層の密度とテー
プのスチルライフとのグラフ
プのスチルライフとのグラフ
１ 潤滑剤層 ２ 硬質炭素膜 ３ 金属薄膜型磁性層 ４ ポリエチレンテレフタレート ５ バックコート ６ 真空槽 ７ 排気口 ８ 硬質炭素膜製造用放電管 ９ キャン １０ 通電用ローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植田 英之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大地 幸和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性基板の一方の面に強磁性金属薄膜を
設け、この強磁性金属薄膜上にマイクロビッカース硬度
が１０００から５０００であり、かつベンゼン環にアル
キル基が導入された炭化水素で、そのアルキル基の炭素
数が１から６までであり、ベンゼン環に導入するアルキ
ル基の数が１から３までであるＲ−Ｃ6Ｈ5，Ｒ−Ｃ6Ｈ4
−Ｒ，Ｒ−Ｃ6Ｈ3−（Ｒ）2の炭化水素とアルゴンから
のプラズマＣＶＤ法で形成された硬質炭素膜を設けたこ
とを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項２】強磁性金属薄膜層の密度が３．０から６．
０である請求項１記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4111191A JP3008666B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
| DE69315616T DE69315616T2 (de) | 1992-04-30 | 1993-04-27 | Magnetischer Aufzeichnungsträger mit dünnem Metallfilm |
| EP93106777A EP0569771B1 (en) | 1992-04-30 | 1993-04-27 | Metal thin film type magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4111191A JP3008666B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05307745A true JPH05307745A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3008666B2 JP3008666B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=14554810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4111191A Expired - Fee Related JP3008666B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0569771B1 (ja) |
| JP (1) | JP3008666B2 (ja) |
| DE (1) | DE69315616T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464667A (en) * | 1994-08-16 | 1995-11-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Jet plasma process and apparatus |
| US6203898B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-03-20 | 3M Innovatave Properties Company | Article comprising a substrate having a silicone coating |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210518A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61289530A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-19 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0721858B2 (ja) * | 1989-12-11 | 1995-03-08 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP4111191A patent/JP3008666B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-27 EP EP93106777A patent/EP0569771B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-27 DE DE69315616T patent/DE69315616T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0569771B1 (en) | 1997-12-10 |
| DE69315616T2 (de) | 1998-04-30 |
| EP0569771A1 (en) | 1993-11-18 |
| DE69315616D1 (de) | 1998-01-22 |
| JP3008666B2 (ja) | 2000-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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