JPH0527271B2 - - Google Patents
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- JPH0527271B2 JPH0527271B2 JP58181465A JP18146583A JPH0527271B2 JP H0527271 B2 JPH0527271 B2 JP H0527271B2 JP 58181465 A JP58181465 A JP 58181465A JP 18146583 A JP18146583 A JP 18146583A JP H0527271 B2 JPH0527271 B2 JP H0527271B2
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- semiconductor region
- semiconductor
- type semiconductor
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷転送素子が用いられ、受光によ
り得られる信号電荷が一定の方向に転送されて、
撮像出力信号が生ぜしめられるように構成された
固体撮像素子に関する。
り得られる信号電荷が一定の方向に転送されて、
撮像出力信号が生ぜしめられるように構成された
固体撮像素子に関する。
背景技術とその問題点
電荷結合素子（チヤージ・カツプルド・デイバ
イス、以下CCDと呼ぶ）等の電荷転送素子が用
いられて構成された固体撮像素子には、大別し
て、フレーム転送型とインターライン転送型とが
あり、夫々、その長所を有効に生かすべく使い分
けられている。
イス、以下CCDと呼ぶ）等の電荷転送素子が用
いられて構成された固体撮像素子には、大別し
て、フレーム転送型とインターライン転送型とが
あり、夫々、その長所を有効に生かすべく使い分
けられている。
例えば、インターライン転送型CCD撮像素子
の一例は図面の第１図に示される如く、半導体基
体上の水平列及び垂直列を形成して配された複数
の受光素子部１と受光素子部１の垂直列に沿つて
配された複数列のCCD群で形成された垂直転送
部２とを含んで成る受光・垂直転送部３と、この
受光・垂直転送部３に結合された水平転送部４
と、出力部５とを備えて構成され、受光・垂直転
送部３及び水平転送部４によつて、受光により信
号電荷を発生するとともに得られた信号電荷を垂
直方向及び水平方向に転送する活性領域が形成さ
れる。
の一例は図面の第１図に示される如く、半導体基
体上の水平列及び垂直列を形成して配された複数
の受光素子部１と受光素子部１の垂直列に沿つて
配された複数列のCCD群で形成された垂直転送
部２とを含んで成る受光・垂直転送部３と、この
受光・垂直転送部３に結合された水平転送部４
と、出力部５とを備えて構成され、受光・垂直転
送部３及び水平転送部４によつて、受光により信
号電荷を発生するとともに得られた信号電荷を垂
直方向及び水平方向に転送する活性領域が形成さ
れる。
斯かる撮像素子による撮像動作が行われる場合
には、垂直転送部２及び水平転送部４に所定の垂
直転送駆動信号及び水平転送駆動信号が夫々供給
されて電荷転送動作がなされる。その場合、例え
ば、１フレーム期間内の受光により各受光素子部
１に得られた信号電荷が、垂直転送部２に読み出
され、これが垂直転送部２の電荷転送動作によ
り、各水平ブランキング期間ごとに順次水平転送
部４へ垂直転送されていく。この水平転送部４に
は、信号電荷が受光素子部１の１水平列で得られ
る信号電荷ごとに順次転送され、これが水平転送
部４の電荷転送動作により、各水平映像期間に出
力部５へ水平転送されていき、出力部５から撮像
出力信号が得られるのである。
には、垂直転送部２及び水平転送部４に所定の垂
直転送駆動信号及び水平転送駆動信号が夫々供給
されて電荷転送動作がなされる。その場合、例え
ば、１フレーム期間内の受光により各受光素子部
１に得られた信号電荷が、垂直転送部２に読み出
され、これが垂直転送部２の電荷転送動作によ
り、各水平ブランキング期間ごとに順次水平転送
部４へ垂直転送されていく。この水平転送部４に
は、信号電荷が受光素子部１の１水平列で得られ
る信号電荷ごとに順次転送され、これが水平転送
部４の電荷転送動作により、各水平映像期間に出
力部５へ水平転送されていき、出力部５から撮像
出力信号が得られるのである。
上述の撮像素子の受光・垂直転送部３は、より
詳細には、例えば、第２図Ａに示される如く、受
光素子部１の各垂直列と各垂直転送部２との間に
読出しゲート部６が形成され、各受光素子部１の
周囲には、さらに、チヤンネル・ストツパー７が
形成されている。また、チヤンネル・ストツパー
７に隣接いてオーバーフロー・ドレイン８が配さ
れ、このオーバーフロー・ドレイン８と隣りの垂
直転送部２との間はチヤンネル・ストツパー９で
区別されている。さらに、垂直転送部２上には、
絶縁層を介して、水平方向に延びる垂直転送電極
１０が垂直方向に順次配列されている。垂直転送
電極１０は第１の電極φ1と第２の電極φ2とが交
互に配されて形成されており、第１の電極φ1及
び第２の電極φ2は、夫々、蓄積部電極φ1c及びφ2c
と転送部電極（電位障壁電極）φ1t及びφ2tとで構
成されている。そして、垂直転送部２に於ける電
荷転送動作は、第１の電極φ1及び第２の電極φ2
に、例えば、２相の転送駆動信号が夫々供給され
て、行われ、そのとき、蓄積部電極φ1c及びφ2cの
下方に垂直転送部２に於ける蓄積領域が形成さ
れ、また、転送部電極φ1t及びφ2tの下方に垂直転
送部２に於ける転送領域（電位障壁領域）が形成
されるようにされており、転送領域には、隣接す
る蓄積領域より電位が浅く（低く）なつて電位障
壁を形成するため、例えば、イオン注入領域が設
けられる、あるいは、転送部電極φ1t及びφ2t下の
絶縁層の厚さが大とされる等の処理がなされてい
る。第２図Ｂは第２図ＡのＢ−Ｂの断面を示
し、例えば、Ｐ形の半導体基体１１の一方の表面
側に、上述の受光素子部１、垂直転送部２及びオ
ーバーフフロー・ドレイン８がＮ形半導体領域と
して、また、チヤンネル・ストツパー７及び９が
不純物濃度が高められたＰ形半導体領域として、
夫々、上記各部が形成され、絶縁層１２を介して
垂直転送電極１０を形成する第２の電極φ2が配
されている。この例は、垂直転送電極が読出ゲー
ト電極をも兼ねる場合であり、読出ゲート部６上
にもこの第２の電極φ2（詳細には、その蓄積部電
極φ2c）が配されている。
詳細には、例えば、第２図Ａに示される如く、受
光素子部１の各垂直列と各垂直転送部２との間に
読出しゲート部６が形成され、各受光素子部１の
周囲には、さらに、チヤンネル・ストツパー７が
形成されている。また、チヤンネル・ストツパー
７に隣接いてオーバーフロー・ドレイン８が配さ
れ、このオーバーフロー・ドレイン８と隣りの垂
直転送部２との間はチヤンネル・ストツパー９で
区別されている。さらに、垂直転送部２上には、
絶縁層を介して、水平方向に延びる垂直転送電極
１０が垂直方向に順次配列されている。垂直転送
電極１０は第１の電極φ1と第２の電極φ2とが交
互に配されて形成されており、第１の電極φ1及
び第２の電極φ2は、夫々、蓄積部電極φ1c及びφ2c
と転送部電極（電位障壁電極）φ1t及びφ2tとで構
成されている。そして、垂直転送部２に於ける電
荷転送動作は、第１の電極φ1及び第２の電極φ2
に、例えば、２相の転送駆動信号が夫々供給され
て、行われ、そのとき、蓄積部電極φ1c及びφ2cの
下方に垂直転送部２に於ける蓄積領域が形成さ
れ、また、転送部電極φ1t及びφ2tの下方に垂直転
送部２に於ける転送領域（電位障壁領域）が形成
されるようにされており、転送領域には、隣接す
る蓄積領域より電位が浅く（低く）なつて電位障
壁を形成するため、例えば、イオン注入領域が設
けられる、あるいは、転送部電極φ1t及びφ2t下の
絶縁層の厚さが大とされる等の処理がなされてい
る。第２図Ｂは第２図ＡのＢ−Ｂの断面を示
し、例えば、Ｐ形の半導体基体１１の一方の表面
側に、上述の受光素子部１、垂直転送部２及びオ
ーバーフフロー・ドレイン８がＮ形半導体領域と
して、また、チヤンネル・ストツパー７及び９が
不純物濃度が高められたＰ形半導体領域として、
夫々、上記各部が形成され、絶縁層１２を介して
垂直転送電極１０を形成する第２の電極φ2が配
されている。この例は、垂直転送電極が読出ゲー
ト電極をも兼ねる場合であり、読出ゲート部６上
にもこの第２の電極φ2（詳細には、その蓄積部電
極φ2c）が配されている。
従来の斯かる固体撮像素子に於いては、Ｐ形の
半導体基体１１にされた受光・垂直転送部３と水
平転送部４とから成る活性領域の周囲に、活性領
域を囲み、さらには、活性領域の受光・垂直転送
部３と出力部５との間に延びる、Ｐ形の半導体基
体１１の不純物濃度が高められて得られる高不純
物濃度を有するＰ形半導体領域が形成されて低い
電位をとるチヤンネル・ストツプ領域とされ、活
性領域外で発生した電荷（電子）が活性領域内に
流入しないようにされている。活性領域外で発生
した電荷が活性領域内に流入すると、活性領域内
で得られる信号電荷に混入して転送され、出力部
５から取り出される撮像出力信号中にノイズ成分
を生ぜしめる虞れがあるからである。
半導体基体１１にされた受光・垂直転送部３と水
平転送部４とから成る活性領域の周囲に、活性領
域を囲み、さらには、活性領域の受光・垂直転送
部３と出力部５との間に延びる、Ｐ形の半導体基
体１１の不純物濃度が高められて得られる高不純
物濃度を有するＰ形半導体領域が形成されて低い
電位をとるチヤンネル・ストツプ領域とされ、活
性領域外で発生した電荷（電子）が活性領域内に
流入しないようにされている。活性領域外で発生
した電荷が活性領域内に流入すると、活性領域内
で得られる信号電荷に混入して転送され、出力部
５から取り出される撮像出力信号中にノイズ成分
を生ぜしめる虞れがあるからである。
しかしながら、上述の如くに活性領域の周囲に
形成されるチヤンネル・ストツプ領域は、その表
面積が比較的大になるものとされ、その上に光が
入射すると、入射光はチヤンネル・ストツプ領域
からさらには半導体基体に到達して光電変換によ
り電荷を発生し、斯かる電荷は半導体基体中を拡
散していくが、その一部がＰ形半導体基体から活
性領域に不要電荷として入るものとなつてしま
う。このように、活性領域の周囲のチヤンネル・
ストツプ領域からの入射光にもとずく光電変換に
より発生し、半導体基体から活性領域に入る不要
電荷は、活性領域内を信号電荷に混入して転送さ
れ、その結果、出力部５から取り出される撮像出
力信号中にノイズ成分を生ぜしめるという不都合
を伴うものとなる。
形成されるチヤンネル・ストツプ領域は、その表
面積が比較的大になるものとされ、その上に光が
入射すると、入射光はチヤンネル・ストツプ領域
からさらには半導体基体に到達して光電変換によ
り電荷を発生し、斯かる電荷は半導体基体中を拡
散していくが、その一部がＰ形半導体基体から活
性領域に不要電荷として入るものとなつてしま
う。このように、活性領域の周囲のチヤンネル・
ストツプ領域からの入射光にもとずく光電変換に
より発生し、半導体基体から活性領域に入る不要
電荷は、活性領域内を信号電荷に混入して転送さ
れ、その結果、出力部５から取り出される撮像出
力信号中にノイズ成分を生ぜしめるという不都合
を伴うものとなる。
発明の目的
斯かる点に鑑み本発明は、半導体基体上に、受
光により信号電荷を発生するとともに得られた信
号電荷を所定の方向に転送する活性領域が、その
周囲にチヤンネル・ストツプ領域を伴つて形成さ
れる構成を有し、そのチヤンネル・ストツプ領域
に入射する光にもとずく光電変換により電荷が発
生しても、斯かる電荷が半導体基体中を拡散して
活性領域に不要電荷として入つていくことを防止
できるようにされた固体撮像素子を提供すること
を目的とする。
光により信号電荷を発生するとともに得られた信
号電荷を所定の方向に転送する活性領域が、その
周囲にチヤンネル・ストツプ領域を伴つて形成さ
れる構成を有し、そのチヤンネル・ストツプ領域
に入射する光にもとずく光電変換により電荷が発
生しても、斯かる電荷が半導体基体中を拡散して
活性領域に不要電荷として入つていくことを防止
できるようにされた固体撮像素子を提供すること
を目的とする。
発明の概要
本発明に係る固体撮像素子は、第１の導電形、
例えば、Ｐ形の半導体基体上に、受光により信号
電荷を発生するとともに得られた信号電荷を所定
の電荷転送方向をもつて転送するようにされた活
性領域が、その周囲に第１の導電形をもつ第１及
び第２の半導体領域を２重に伴つて配置され、第
１及び第２の半導体領域の夫々の間に、第１の導
電形とは異なる第２の導電形、例えば、Ｐ形の第
３の半導体領域及びこの第３の半導体領域と同一
の導電形をもち、第３の半導体領域より不純物濃
度が高い第４の半導体領域が、夫々、第１及び第
２の半導体領域に沿うとともに両者が相互隣接す
るものとされて配されて、これら第１、第２、第
３及び第４の半導体領域がチヤンネル・ストツプ
領域を形成するように構成され、第３及び第４の
半導体領域には所定の電圧が印加されるようにな
される。
例えば、Ｐ形の半導体基体上に、受光により信号
電荷を発生するとともに得られた信号電荷を所定
の電荷転送方向をもつて転送するようにされた活
性領域が、その周囲に第１の導電形をもつ第１及
び第２の半導体領域を２重に伴つて配置され、第
１及び第２の半導体領域の夫々の間に、第１の導
電形とは異なる第２の導電形、例えば、Ｐ形の第
３の半導体領域及びこの第３の半導体領域と同一
の導電形をもち、第３の半導体領域より不純物濃
度が高い第４の半導体領域が、夫々、第１及び第
２の半導体領域に沿うとともに両者が相互隣接す
るものとされて配されて、これら第１、第２、第
３及び第４の半導体領域がチヤンネル・ストツプ
領域を形成するように構成され、第３及び第４の
半導体領域には所定の電圧が印加されるようにな
される。
このようにされることにより、活性領域の周囲
に形成されるチヤンネル・ストツプ領域に入射す
る光にもとずく光電変換により電荷が発生して
も、発生した電荷は、比較的高い電位となる第３
の半導体領域に吸引され、さらに、より高い電位
となる第４の半導体領域に集められることになり
従つて、半導体基体中を拡散していくことが防止
されて、半導体基体から活性領域へ流入すること
がほとんどないものとされる。
に形成されるチヤンネル・ストツプ領域に入射す
る光にもとずく光電変換により電荷が発生して
も、発生した電荷は、比較的高い電位となる第３
の半導体領域に吸引され、さらに、より高い電位
となる第４の半導体領域に集められることになり
従つて、半導体基体中を拡散していくことが防止
されて、半導体基体から活性領域へ流入すること
がほとんどないものとされる。
実施例
第３図は本発明に係る固体撮像素子の一例を示
す。この例に於いては、例えばＰ形の半導体基体
上に、受光により信号電荷を発生するとともに得
られた信号電荷を所定の電荷転送方向をもつて転
送するようにされた活性領域２０が配置されてい
る。この活性領域２０は、第１図に示されると同
様の複数の受光素子部１及び垂直転送部２を含ん
で成る受光・垂直転送部３と、水平転送部４とで
形成されており、さらに、この活性領域２０の水
平転送部４の一端に接して、第１図に示されると
同様の出力部５が配されている。そして、活性領
域２０は、その中の各受光素子部１に於ける受光
により信号電荷を発生して、発生された信号電荷
を垂直転送部２によつて水平転送部４へと垂直方
向に転送し、さらに、水平転送部４により隣接す
る出力部５へと水平方向に転送する。
す。この例に於いては、例えばＰ形の半導体基体
上に、受光により信号電荷を発生するとともに得
られた信号電荷を所定の電荷転送方向をもつて転
送するようにされた活性領域２０が配置されてい
る。この活性領域２０は、第１図に示されると同
様の複数の受光素子部１及び垂直転送部２を含ん
で成る受光・垂直転送部３と、水平転送部４とで
形成されており、さらに、この活性領域２０の水
平転送部４の一端に接して、第１図に示されると
同様の出力部５が配されている。そして、活性領
域２０は、その中の各受光素子部１に於ける受光
により信号電荷を発生して、発生された信号電荷
を垂直転送部２によつて水平転送部４へと垂直方
向に転送し、さらに、水平転送部４により隣接す
る出力部５へと水平方向に転送する。
斯かる活性領域２０及び出力部５の周囲には、
これらを隣接包囲する、例えば、Ｐ形の半導体基
体の不純物濃度を高めて得られたＰ形半導体領域
２１が形成され、さらに、その外側をＰ形半導体
領域２１との間に所定の間隔を伴つて包囲する、
同様に、Ｐ形の半導体基体の不純物濃度を高めて
得られたＰ形半導体領域２２が形成されている。
即ち、活性領域２０及び出力部５は、高不純物濃
度を有した２つのＰ形半導体領域２１及び２２に
よつて２重に包囲されているのである。そして、
Ｐ形半導体領域２１と２２との間には、Ｐ形半導
体領域２２の内縁に隣接して一周する半導体基体
とは異なる導電形を半導体領域、この場合には、
Ｎ形半導体領域２３が、比較的大なる面積をもつ
て配され、さらに、このＮ形半導体領域２３の内
縁及びＰ形半導体領域２１の外縁に隣接して一周
する、Ｎ形半導体領域２３より不純物濃度が高め
られた高不純物濃度Ｎ形半導体領域（以下、N+
形半導体領域という）２４が配されている。N+
形半導体領域２４は、活性領域２０及び出力部５
を包囲して一周するとともに、活性領域２０の受
光・垂直転送部３と出力部５とで挾まれた部分に
も延びるものとされている。
これらを隣接包囲する、例えば、Ｐ形の半導体基
体の不純物濃度を高めて得られたＰ形半導体領域
２１が形成され、さらに、その外側をＰ形半導体
領域２１との間に所定の間隔を伴つて包囲する、
同様に、Ｐ形の半導体基体の不純物濃度を高めて
得られたＰ形半導体領域２２が形成されている。
即ち、活性領域２０及び出力部５は、高不純物濃
度を有した２つのＰ形半導体領域２１及び２２に
よつて２重に包囲されているのである。そして、
Ｐ形半導体領域２１と２２との間には、Ｐ形半導
体領域２２の内縁に隣接して一周する半導体基体
とは異なる導電形を半導体領域、この場合には、
Ｎ形半導体領域２３が、比較的大なる面積をもつ
て配され、さらに、このＮ形半導体領域２３の内
縁及びＰ形半導体領域２１の外縁に隣接して一周
する、Ｎ形半導体領域２３より不純物濃度が高め
られた高不純物濃度Ｎ形半導体領域（以下、N+
形半導体領域という）２４が配されている。N+
形半導体領域２４は、活性領域２０及び出力部５
を包囲して一周するとともに、活性領域２０の受
光・垂直転送部３と出力部５とで挾まれた部分に
も延びるものとされている。
第４図Ａは第３図のＡ−Ａの断面を示し、
Ｐ形の半導体基体１１の一方の表面側に、上述の
活性領域２０の外縁部に隣接して、上述のＰ形半
導体領域２１、N+形半導体領域２４、Ｎ形半導
体領域２３及びＰ形半導体領域２２が順次形成さ
れていることがわかる。
Ｐ形の半導体基体１１の一方の表面側に、上述の
活性領域２０の外縁部に隣接して、上述のＰ形半
導体領域２１、N+形半導体領域２４、Ｎ形半導
体領域２３及びＰ形半導体領域２２が順次形成さ
れていることがわかる。
このように配されたＰ形半導体領域２１及び２
２、Ｎ形半導体領域２３及びN+形半導体領域２
４は、全体として、活性領域２０に対するチヤン
ネル・スロツプ領域を形成しており、Ｎ形半導体
領域２３及びN+形半導体領域２４は、動作時に
は所定の電圧が印加されるようになされている。
このため、動作時に於いては、チヤンネル・スト
ツプ領域を形成する各領域２１，２２，２３及び
２４の電位は、第４図Ｂにて、第４図Ａに関連さ
せ、また、縦軸に電位Ｖを下方に行く程大として
示す如く、活性領域２０に接して最内端部に位置
するＰ形半導体領域２１及び最外端部に位置する
Ｐ形半導体領域２２の電位が最も低く、Ｎ形半導
体領域２３の電位はＰ形半導体領域２１及び２２
の電位より高く、N+形半導体領域２４は電位は
さらに高くなるものとされる。
２、Ｎ形半導体領域２３及びN+形半導体領域２
４は、全体として、活性領域２０に対するチヤン
ネル・スロツプ領域を形成しており、Ｎ形半導体
領域２３及びN+形半導体領域２４は、動作時に
は所定の電圧が印加されるようになされている。
このため、動作時に於いては、チヤンネル・スト
ツプ領域を形成する各領域２１，２２，２３及び
２４の電位は、第４図Ｂにて、第４図Ａに関連さ
せ、また、縦軸に電位Ｖを下方に行く程大として
示す如く、活性領域２０に接して最内端部に位置
するＰ形半導体領域２１及び最外端部に位置する
Ｐ形半導体領域２２の電位が最も低く、Ｎ形半導
体領域２３の電位はＰ形半導体領域２１及び２２
の電位より高く、N+形半導体領域２４は電位は
さらに高くなるものとされる。
これにより、Ｐ形半導体領域２１よつて、活性
領域２０に対する直接的なチヤンネル・ストツプ
作用がなされ、また、斯かるチヤンネル・ストツ
プ領域を形成する各領域２１，２２，２３及び２
４に光が入射し、入射光が各領域２１，２２，２
３及び２４からさらにはＰ形の半導体基体１１に
到達して光電変換により電荷（電子）を発生せし
めた場合には、斯かる電荷は、比較的大なる表面
積をもつて広がる電位が高いＮ形半導体領域２３
に効果的に吸引され、さらに、より高い電位をも
つN+形半導体領域２４に集められて、Ｐ形の半
導体基体１１中を拡散していくことがないものと
される。即ち、Ｎ形半導体領域２３が領域２１，
２２，２３及び２４に対する入射光に起因してＰ
形の半導体基体１１中に発生する電荷を吸引する
役割を果たすとともに、N+形半導体領域２４が
Ｎ形半導体領域２３に吸引された電荷を集める役
割を果たすのである。従つて、各領域２１，２
２，２３及び２４からの入射光により発生せしめ
られた電荷（電子）が、Ｐ形の半導体基体１１か
ら活性領域２０に不要電子として入ることが防止
されることになる。
領域２０に対する直接的なチヤンネル・ストツプ
作用がなされ、また、斯かるチヤンネル・ストツ
プ領域を形成する各領域２１，２２，２３及び２
４に光が入射し、入射光が各領域２１，２２，２
３及び２４からさらにはＰ形の半導体基体１１に
到達して光電変換により電荷（電子）を発生せし
めた場合には、斯かる電荷は、比較的大なる表面
積をもつて広がる電位が高いＮ形半導体領域２３
に効果的に吸引され、さらに、より高い電位をも
つN+形半導体領域２４に集められて、Ｐ形の半
導体基体１１中を拡散していくことがないものと
される。即ち、Ｎ形半導体領域２３が領域２１，
２２，２３及び２４に対する入射光に起因してＰ
形の半導体基体１１中に発生する電荷を吸引する
役割を果たすとともに、N+形半導体領域２４が
Ｎ形半導体領域２３に吸引された電荷を集める役
割を果たすのである。従つて、各領域２１，２
２，２３及び２４からの入射光により発生せしめ
られた電荷（電子）が、Ｐ形の半導体基体１１か
ら活性領域２０に不要電子として入ることが防止
されることになる。
なお、本発明に係る固体撮像素子は、その半導
体及び各部分や半導体領域の導電形が上述の例に
限られるものではない。
体及び各部分や半導体領域の導電形が上述の例に
限られるものではない。
発明の効果
以上の説明から明らかな如く、本発明に係る固
体撮像素子によれば、活性領域の周囲に形成され
たチヤンネル・ストツプ領域に光が入射すること
により発生する電荷が、半導体基体中を拡散して
いき活性領域に不要電荷として入り込むことが防
止されるので、チヤンネル・ストツプ領域への入
射光による電荷が信号電荷に対して影響を及ぼさ
ないようにできることになり、常に、ノイズ成分
の少ない良質な撮像出力信号を得ることができ
る。そして、活性領域の周囲に配されたチヤンネ
ル・ストツプ領域への入射光による電荷の半導体
基体中の拡散防止をすべく、斯かる電荷を集中せ
しめるにあたり、チヤンネル・ストツプ領域中
に、比較的大なる面積をもつて広がる、半導体基
体とは異なる導電形をもつ半導体領域と、それに
隣接する、半導体基体とは異なる導電形をもつ高
不純物濃度の半導体領域とが配されるので、チヤ
ンネル・ストツプ領域への入射光による電荷がこ
れら半導体領域に極めて効果的に吸引及び集中せ
しめられ、半導体基体中の拡散防止が確実になさ
れる。
体撮像素子によれば、活性領域の周囲に形成され
たチヤンネル・ストツプ領域に光が入射すること
により発生する電荷が、半導体基体中を拡散して
いき活性領域に不要電荷として入り込むことが防
止されるので、チヤンネル・ストツプ領域への入
射光による電荷が信号電荷に対して影響を及ぼさ
ないようにできることになり、常に、ノイズ成分
の少ない良質な撮像出力信号を得ることができ
る。そして、活性領域の周囲に配されたチヤンネ
ル・ストツプ領域への入射光による電荷の半導体
基体中の拡散防止をすべく、斯かる電荷を集中せ
しめるにあたり、チヤンネル・ストツプ領域中
に、比較的大なる面積をもつて広がる、半導体基
体とは異なる導電形をもつ半導体領域と、それに
隣接する、半導体基体とは異なる導電形をもつ高
不純物濃度の半導体領域とが配されるので、チヤ
ンネル・ストツプ領域への入射光による電荷がこ
れら半導体領域に極めて効果的に吸引及び集中せ
しめられ、半導体基体中の拡散防止が確実になさ
れる。
第１図はインターライン転送型CCD撮像素子
の一例を示す概略構成図、第２図Ａは第１図に示
される撮像素子の部分を示す部分拡大図、第２図
Ｂは第２図ＡのＢ−Ｂに於ける断面図、第３
図は本発明に係る固体撮像素子の一例を示す概略
構成図、第４図Ａは第３図のＡ−Ａに於ける
断面図、第４図Ｂは第３図に示される例の動作の
説明に供される図である。 図中、３は受光・垂直転送部、４は水平転送
部、５は出力部、１１はＰ形の半導体基体、２０
は活性領域、２１及び２２はＰ形半導体領域、２
３はＮ形半導体領域、２４はN+形半導体領域で
ある。
の一例を示す概略構成図、第２図Ａは第１図に示
される撮像素子の部分を示す部分拡大図、第２図
Ｂは第２図ＡのＢ−Ｂに於ける断面図、第３
図は本発明に係る固体撮像素子の一例を示す概略
構成図、第４図Ａは第３図のＡ−Ａに於ける
断面図、第４図Ｂは第３図に示される例の動作の
説明に供される図である。 図中、３は受光・垂直転送部、４は水平転送
部、５は出力部、１１はＰ形の半導体基体、２０
は活性領域、２１及び２２はＰ形半導体領域、２
３はＮ形半導体領域、２４はN+形半導体領域で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の導電形の半導体基体と、該半導体基体
上に形成されて受光により信号電荷を発生すると
ともに得られた信号電荷を所定の電荷転送方向を
もつて転送する活性領域と、上記半導体基体上に
おける上記活性領域の周囲に該活性領域を２重に
包囲して配された第１の導電形の第１及び第２の
半導体領域と、上記半導体基体上における上記第
１及び第２の半導体領域の間に該第１及び第２の
半導体領域の夫々に沿つて配された第２の導電形
の第３の半導体領域と、上記半導体基体上におけ
る上記第１及び第２の半導体領域の間に上記第３
の半導体領域に隣接するとともに該第３の半導体
領域に沿つて配された、上記第３の半導体領域よ
り不純物濃度が高い第２の導電形の第４の半導体
領域とを備え、 上記第１、第２、第３及び第４の半導体領域に
よつてチヤンネル・ストツプ領域が形成され、上
記第３及び第４の半導体領域に所定の電圧が印加
されて、上記第３の半導体領域が上記チヤンネ
ル・ストツプ領域に対する入射光に起因して上記
半導体基体中に発生する電荷を吸引する役割を果
たすとともに、上記第４の半導体領域が上記第３
の半導体領域に吸引された電荷を集める役割を果
たすものとされて成る固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181465A JPS6074475A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181465A JPS6074475A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074475A JPS6074475A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0527271B2 true JPH0527271B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=16101226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181465A Granted JPS6074475A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074475A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114267B2 (ja) * | 1985-12-28 | 1995-12-06 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH0618267B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1994-03-09 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2007173390A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632776A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Ccd image sensor |
| JPS574162A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sony Corp | Manufacture of charge transfer device |
| JPS5726971A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Solidstate image sensor |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP58181465A patent/JPS6074475A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632776A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Ccd image sensor |
| JPS574162A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sony Corp | Manufacture of charge transfer device |
| JPS5726971A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Solidstate image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6074475A (ja) | 1985-04-26 |
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