JPH0526808Y2

JPH0526808Y2 -

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Publication number: JPH0526808Y2
Application number: JP1986160766U
Authority: JP
Priority date: 1986-10-20
Filing date: 1986-10-20
Publication date: 1993-07-07
Anticipated expiration: 2001-10-20
Also published as: JPS6365308U

Description

【考案の詳細な説明】（産業上の利用分野）本考案は、第１と第２のゲートを備えたデユア
ルゲートの電界効果トランジスタ（以後FETと
称する）を用いた、VHFバンドおよびUHFバン
ドを受信できるチユナの混合増幅回路に関するも
のである。

（従来の技術）近年、チユーナの性能向上が要請され、特に法
律の規制等によつて妨害排除能力や各種ビート妨
害の排除能力の向上等が義務付けられている。ま
た、１台のチユーナでVHFバンドおよびUHFバ
ンドが受信できることが要望されている。そこ
に、一般的に、第１と第２のゲートを備えたデユ
アルゲートMOSFETを用いてチユーナを構成
し、このFETとVHFバンド受信時に周波数混合
器として動作させるとともに、UHFバンド受信
時に高周波増幅器として動作させている。

第２図に、従来の混合増幅回路の一例の回路図
を示す。

第２図において、１〜４，１４，２８，３５〜
３７はコイル、５〜８はスイツチングダイオー
ド、９はバラクタダイオード、１０，１１，１
３，１５，１６，２４〜２７，３２，３４，３８
〜４０はコンデンサ、１２，１９，２１〜２３，
３３，４１，５１は抵抗、１８はデユアルゲート
のFET、３１はトランジスタ、４３は局部発振
器、４４〜５０は端子である。

まず、複同調回路１７は、１次側のバラクタダ
イオード（図示せず）と同調用のコイル１，３お
よびスイツチングダイオード５から成る１次側の
同調回路と、２次側のバラクタダイオード９と同
調用のコイル２，４およびスイツチングダイオー
ド６から成る２次側の同調回路とで主要部分が構
成されている。そして、複同調回路１７で選択さ
れた高周波信号がスイツチングダイオード７を介
してFET１８の第１ゲートG₁に入力される。こ
のFET１８の第１ゲートG₁と接地との間に抵抗
２１が接続されている。FET１８の第２ゲート
G₂は、端子４６に印加されたバイアス電圧が抵
抗１９と５１で分圧された分圧電圧によりバイア
スされ、また第２ゲートG₂と接地との間にコン
デンサ２４が接続されている。さらに、FET１
８のソースＳと接地との間に抵抗２３とコンデン
サ２５が並列に接続され、ドレインＤにコンデン
サ２６，２７およびコイル２８とで成す中間周波
数（以後IFと称す）に同調するフイルタが接続
され、端子４６から抵抗２２を介してバイアス電
圧が供給されている。そして、局部発振回路４３
からの局部発振信号が、第１のゲートG₁に入力
されてVHFチユーナのミキサ回路２９が構成さ
れている。

次に、トランジスタ３１は、UHFチユーナの
ミキサ回路４２を成すもので、トランジスタ３１
のコレクタにはコイル３５〜３７およびコンデン
サ３４，３８，３９から成るIFに同調する複同
調のIF信号フイルタが接続され、ミキサ回路４
２から出力されるIF信号がスイツチングダイオ
ード８を介してVHFチユーナのミキサ回路２９
のFET１８の第１ゲートG₁に入力される。

ここで、VHFローバンド受信時には、端子４
６と４９に例えば12Vの正電圧が印加され、他の
端子４８と５０を0Vとする。すると、端子４６
に印加された電圧によつてFET１８のドレイン
Ｄおよび第２ゲートG₂がバイアスされる。また、
端子４９に印加された電圧によつてコイル１４と
コイル３，４を介してスイツチングダイオード
５，６が逆バイアスされ、さらに抵抗１２を介し
てスイツチングダイオード７が順バイアスされる
とともにスイツチングダイオード８が逆バイアス
される。そして、FET１８の第１ゲートG₁が抵
抗１２と２１とで分圧された分圧電圧でバイアス
される。かかる回路の状態により、端子４４に入
力されたVHFローバンドの高周波信号が複同調
回路１７で選択され、ミキサ回路２９で周波数変
換されてIF信号として端子４７から出力される。

VHFハイバンド受信時には、端子４６と４８
に例えば12Vの正電圧が印加され、他の端子４９
と５０を0Vとする。すると、端子４６に印加さ
れた電圧によつてVHFローバンド受信時と同様
にFET１８がバイアスされる。また、端子４８
に印加された電圧によつてスイツチングダイオー
ド５，６が順バイアスされ、さらにコイル３，４
および抵抗１２を介してスイツチングダイオード
７が順バイアスされるとともにスイツチングダイ
オード８が逆バイアスされる。そして、FET１
８の第１ゲートG₁が抵抗１２と２１で分圧され
た電圧でバイアスされる。このように、スイツチ
ングダイオード５，６が順バイアスされるのでコ
イル３，４が短絡され、VHFハイバンドに同調
した複同調回路１７に切り換えられる。そして、
端子４４に入力されたVHFハイバンドの高周波
信号が複同調回路１７で選択され、ミキサ回路２
９で周波数変換されてIF信号として端子４７か
ら出力される。このようにVHFバンド受信時に
はFET１８が周波数混合器として働くので、第
１ゲートG₁がミキサ回路に適したバイアス値に
抵抗１２と２１で設定されている。

UHFバンド受信時には、端子４６と５０に例
えば12Vの正電圧が印加され、端子４８と４９を
0Vとする。すると、端子４６に印加された電圧
によつてVHFバンド受信時と同様にFET１８が
バイアスされる。また、端子５０に印加された電
圧によりコイル３５を介してトランジスタ３１が
バイアスされ、抵抗４１を介してスイツチングダ
イオード８が順バイアスされるとともにスイツチ
ングダイオード７が逆バイアスされる。そして、
FET１８の第１ゲートG₁が抵抗４１と２１で分
圧された分圧電圧でバイアスされる。このとき
は、局部発振器４３の動作を停止させる。そし
て、端子４５に入力されたUHFバンドの高周波
信号がトランジスタ３１に入力されて周波数変換
され、IF信号がIF信号フイルタとスイツチング
ダイオード８を介してFET１８の第１ゲートG₁
に入力され、FET１８で増幅されて端子４７か
ら出力される。このようにUHFバンド受信時に
はFET１８が高周波増幅器として働くので、第
１ゲートG₁が抵抗４１と２１の分圧電圧で増幅
に適した好適なバイアス値となるように設定され
ている。

この結果、FET１８の第１ゲートG₁のバイア
ス値はVHFバンド受信時には例えば0.5〜0.6V
に、UHFバンド受信時には例えば0.9〜1.1Vに設
定され、また第２ゲートG₂は固定バイアスで例
えば6Vに設定されている。

（考案が解決しようとする問題点）上記した従来の混合増幅回路にあつては、
FET１８の第１ゲートG₁が、VHFバンド受信時
には周波数混合に適したバイアス値に設定され、
またUHFバンド受信時には周波数増幅に適した
バイアス値に設定されて、FET１８が周波数混
合と高周波増幅とに兼用されている。しかしなが
ら、FET１８の第２ゲートG₂は固定バイアスと
されており、周波数混合を行うVHFバンド受信
時を重視して周波数混合に最適な低めのバイアス
値に設定されている。このため、UHFバンド受
信時におけるFET１８の利得が低く抑えられ、
利得が不十分であり歪特性が悪い等の問題点があ
つた。

本考案の目的は、上記した従来の混合増幅回路
の問題点を解決すべくなされたもので、受信帯の
切り換えに応じてFETの第１と第２のゲートの
バイアスがともに切り換えられ、FETのバイア
スが、VHFバンド受信時には周波数混合器とし
て、UHFバンド受信時には高周波増幅器として、
いずれも最適値に設定されるようにした混合増幅
回路を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）かかる目的を達成するために、本考案の混合増
幅回路は、VHFバンド受信時に周波数混合器と
して、UHFバンド受信時に高周波増幅器として
動作させる電界効果トランジスタを用いた混合増
幅回路において、前記電界効果トランジスタの第
１ゲートを第１の抵抗を介して接地するとともに
第２の抵抗を介して第２ゲートに接続し、この第
１ゲートに高周波信号を入力するとともに受信バ
ンドに応じて異なる電圧を与え、前記第２ゲート
に第３の抵抗を介して前記電圧より高いバイアス
電圧を与えて構成されている。

（作用） FETの第１ゲートを第１の抵抗で接地すると
ともに第２の抵抗を介して第２ゲートに接続し、
この第１ゲートに高周波信号を入力するとともに
受信バンドに応じて異なる電圧を印加し、第２ゲ
ートを第３の抵抗を介して前記電圧より高いバイ
アス電圧を印加したので、第１と第２のゲートの
バイアス値がともに受信バンドに応じて第１のゲ
ートに与えられる電圧により変動する。そこで、
受信バンドに応じて、異なる電圧および第１ない
し第３の抵抗を適宜に設定することで、FETの
第１と第２のゲートにはVHFバンド受信時に周
波数混合器として、UHFバンド受信時に高周波
増幅器としてそれぞれに最適なバイアス値が設定
される。

（実施例）以下、本考案の実施例を第１図を参照して説明
する。第１図は、本考案の混合増幅回路の一実施
例の回路図である。第１図において、第２図と同
一回路素子には同一符号を付けて重複する説明を
省略する。

第１図において、第２図と相違するところは、
FET１８の第１ゲートG₁と第２ゲートG₂の間に
抵抗２０を接続し、第２ゲートG₂と接地間に従
来設けられていた抵抗５１が省かれたことにあ
る。

かかる構成において、端子４６に印加されたバ
イアス電圧が抵抗１９と２０と２１で順次分圧さ
れ、これらの分圧電圧が第１ゲートG₁と第２ゲ
ートG₂にそれぞれ与えられる。また、端子４８，
４９に印加された電圧が抵抗１２を介して第１ゲ
ートG₁に与えられ、端子５０に印加された電圧
が抵抗４１を介して第１ゲートG₁に与えられる。
ここで、端子４８と４９に印加された電圧によつ
て第１ゲートG₁に与えられる電圧と端子５０に
印加された電圧によつて第１ゲートG₁に与えら
れる電圧は相違し、またこれらの第１ゲートG₁
に与えられる電圧よりも端子４６に印加されるバ
イアス電圧は高く設定されている。

そして、第１ゲートG₁と第２ゲートG₂の電圧
は、端子４６のバイアス電圧から流れる電流と、
端子４８〜５０に印加される電圧から流れる電流
とによつて決定される。このため、第１ゲート
G₁と第２ゲートG₂の電圧値は、抵抗１２，１９
〜２１，４１の値および端子４６のバイアス電圧
と端子４８〜５０の電圧の値によつて適宜に設定
できる。

その結果、VHFバンド受信時には周波数変換
器として、UHFバンド受信時には高周波増幅器
として、FET１８の第１ゲートG₁と第２ゲート
G₂をそれぞれ最適なバイアス値に設定できる。

（考案の効果）以上説明したように、本考案の混合増幅回路
は、VHFバンド受信時とUHFバンド受信の切り
換えに伴なつてFETの第１ゲートと第２ゲート
をそれぞれ所望のバイアス値に切り換え設定する
ことができ、周波数混合器および高周波増幅器と
してそれぞれに最適な動作が得られる。特に、
UHFバンド受信時の高周波増幅器として十分な
利得が得られ、歪特性を向上させることができ
る。また、本考案の混合増幅回路は、従来のもの
と部品点数が同じであつて接続構造を相違させた
ものにすぎず、製造コストの上昇がないという優
れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の混合増幅回路の一実施例の
回路図であり、第２図は、従来の混合増幅回路の
一例の回路図である。１２，１９〜２１，４１……抵抗、１８……
FET、G₁……第１ゲート、G₂……第２ゲート、
４６〜５０……端子。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

VHFバンド受信時に周波数混合器として、
UHFバンド受信時に高周波増幅器として動作さ
せる電界効果トランジスタを用いた混合増幅回路
において、前記電界効果トランジスタの第１ゲー
トを第１の抵抗を介して接地するとともに第２の
抵抗を介して第２ゲートに接続し、この第１ゲー
トに高周波信号を入力するとともに受信バンドに
応じて異なる電圧を与え、前記第２ゲートに第３
の抵抗を介して前記電圧より高いバイアス電圧を
与えたことを特徴とする混合増幅回路。