JPS644714B2 - - Google Patents
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- JPS644714B2 JPS644714B2 JP14654282A JP14654282A JPS644714B2 JP S644714 B2 JPS644714 B2 JP S644714B2 JP 14654282 A JP14654282 A JP 14654282A JP 14654282 A JP14654282 A JP 14654282A JP S644714 B2 JPS644714 B2 JP S644714B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
Landscapes
- Noise Elimination (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はテレビジヨン受像機のチユーナ装置に
関するものである。
関するものである。
従来例の構成とその問題点
チユーナ装置としては、すでに第１図に示す回
路が発表されている。第１図において、アンテナ
１より放送波が入力し、その高周波信号は、
VHF帯のみの信号を通過させるバンド・パス・
フイルタ２−１とUHF帯のみの信号を通過させ
るバンド・パス・フイルタ２−２を経て２分配さ
れ高周波切換スイツチ３に入る。高周波切換スイ
ツチ３はスイツチダイオードによつて構成されて
おり、外部切換信号回路４の信号により次のよう
に切換わる。入力信号でバンド・パス・フイル
タ２−１，２−２の出力のうち、バンド・パス・
フイルタ２−１の出力を択一的にAGC回路５に
供給し、入力信号でバンド・パス・フイルタ２
−２の出力はAGC回路５に択一的に供給する。
AGC回路５はピンダイオードによつて構成され、
端子Ｅに印加される外部制御電圧に応じて利得を
可変できる。
路が発表されている。第１図において、アンテナ
１より放送波が入力し、その高周波信号は、
VHF帯のみの信号を通過させるバンド・パス・
フイルタ２−１とUHF帯のみの信号を通過させ
るバンド・パス・フイルタ２−２を経て２分配さ
れ高周波切換スイツチ３に入る。高周波切換スイ
ツチ３はスイツチダイオードによつて構成されて
おり、外部切換信号回路４の信号により次のよう
に切換わる。入力信号でバンド・パス・フイル
タ２−１，２−２の出力のうち、バンド・パス・
フイルタ２−１の出力を択一的にAGC回路５に
供給し、入力信号でバンド・パス・フイルタ２
−２の出力はAGC回路５に択一的に供給する。
AGC回路５はピンダイオードによつて構成され、
端子Ｅに印加される外部制御電圧に応じて利得を
可変できる。
第２図において、Ａは高周波切換スイツチ３の
出力信号が入力される端子で、C1は結合容量で
ある。ここで端子ＥよりトランジスタQ1のベー
スにバイアスを与えると、トランジスタQ1はオ
ン状態になる。端子Ｂに与えられたバイアスは抵
抗R1を通してトランジスタQ1のコレクタに与え
られ、トランジスタQ1のエミツタ電流によりダ
イオードD1のアノードにバイアスが与えられて
ダイオードD1はオン状態となる。トランジスタ
Q1のコレクタ電位は抵抗R2とR3で分割され、こ
の電位が抵抗R4，R5を介してそれぞれダイオー
ドD2，D3に与えられる。ダイオードD2，D3のア
ノード電位は、ダイオードD1のアノード、カソ
ード電位よりも低くなるためオフ状態となり、端
子Ａより入力された信号は、結合容量C1を通り、
ダイオードD1を通過し、結合容量C2を通つて端
子Ｆから出力される。この場合の減衰量は最低と
なる。また、端子Ｅの電位が下がると、トランジ
スタQ1のエミツタ電位が下がつてコレクタ電位
が上昇するため、ダイオードD1は徐々にオフ状
態となり、ダイオードD2，D3は徐々にオン状態
となる。またダイオードD2，D3に流れる信号は、
コンデンサC3，C4により接地されるので、端子
Ａからの入力信号は徐々に減衰して、結合容量
C2を通して端子Ｆより次段に供給される。
出力信号が入力される端子で、C1は結合容量で
ある。ここで端子ＥよりトランジスタQ1のベー
スにバイアスを与えると、トランジスタQ1はオ
ン状態になる。端子Ｂに与えられたバイアスは抵
抗R1を通してトランジスタQ1のコレクタに与え
られ、トランジスタQ1のエミツタ電流によりダ
イオードD1のアノードにバイアスが与えられて
ダイオードD1はオン状態となる。トランジスタ
Q1のコレクタ電位は抵抗R2とR3で分割され、こ
の電位が抵抗R4，R5を介してそれぞれダイオー
ドD2，D3に与えられる。ダイオードD2，D3のア
ノード電位は、ダイオードD1のアノード、カソ
ード電位よりも低くなるためオフ状態となり、端
子Ａより入力された信号は、結合容量C1を通り、
ダイオードD1を通過し、結合容量C2を通つて端
子Ｆから出力される。この場合の減衰量は最低と
なる。また、端子Ｅの電位が下がると、トランジ
スタQ1のエミツタ電位が下がつてコレクタ電位
が上昇するため、ダイオードD1は徐々にオフ状
態となり、ダイオードD2，D3は徐々にオン状態
となる。またダイオードD2，D3に流れる信号は、
コンデンサC3，C4により接地されるので、端子
Ａからの入力信号は徐々に減衰して、結合容量
C2を通して端子Ｆより次段に供給される。
また、第１図において、AGC回路５の出力信
号は、VHF帯域からUHF帯域までを増幅する増
幅器６を介して広帯域の第１ミクサ回路７に入力
され、ローカル発振器８よりの出力信号と混合
し、第１の映像中間周波数fI1に変換する。ここ
で増幅器６の出力信号周波数をfR、ローカル発振
器８の出力信号周波数をfLとすると、fL＝fR＋fI1
で、上側のローカル信号を使用する。この場合、
第１の映像中間周波数fI1を900MHz帯に選ぶ。第
１ミクサ回路７出力は映像中間周波数の１チヤン
ネル分のみを通すIF（中間周波数）フイルタ９を
介してIF増幅器１０に入力される。IF増幅器１
０の出力は、第２ミクサ回路１１に入力され、前
記第１の映像中間周波数fI1よりも変換する第２
の映像中間周波数fI2だけ下にある固定発振器１
２の出力と混合し、端子Ｊより変換された第２の
映像中間周波数fI2の信号をとりだす。つまり、
固定発振器１２の出力信号周波数をfdとするとfI2
＝fI1−fdとなる。
号は、VHF帯域からUHF帯域までを増幅する増
幅器６を介して広帯域の第１ミクサ回路７に入力
され、ローカル発振器８よりの出力信号と混合
し、第１の映像中間周波数fI1に変換する。ここ
で増幅器６の出力信号周波数をfR、ローカル発振
器８の出力信号周波数をfLとすると、fL＝fR＋fI1
で、上側のローカル信号を使用する。この場合、
第１の映像中間周波数fI1を900MHz帯に選ぶ。第
１ミクサ回路７出力は映像中間周波数の１チヤン
ネル分のみを通すIF（中間周波数）フイルタ９を
介してIF増幅器１０に入力される。IF増幅器１
０の出力は、第２ミクサ回路１１に入力され、前
記第１の映像中間周波数fI1よりも変換する第２
の映像中間周波数fI2だけ下にある固定発振器１
２の出力と混合し、端子Ｊより変換された第２の
映像中間周波数fI2の信号をとりだす。つまり、
固定発振器１２の出力信号周波数をfdとするとfI2
＝fI1−fdとなる。
しかしながら、第１図の回路では以下のような
欠点があつた。
欠点があつた。
２倍の高調波による妨害
例えば、日本チヤンネルの１チヤンネルの映
像周波数（91.25MHz）の２倍の周波数
（182.5MHz）は、映像周波数が183.25MHzであ
る６チヤンネルの帯域内に混入し妨害となる。
これは、第１図のバンド・パス・フイルタ２−
１，２−２のフイルタが、広帯域のバンド・パ
ス・フイルタであるので、増幅器６で２倍の高
調波が同じバンド内に発生して妨害となる。
像周波数（91.25MHz）の２倍の周波数
（182.5MHz）は、映像周波数が183.25MHzであ
る６チヤンネルの帯域内に混入し妨害となる。
これは、第１図のバンド・パス・フイルタ２−
１，２−２のフイルタが、広帯域のバンド・パ
ス・フイルタであるので、増幅器６で２倍の高
調波が同じバンド内に発生して妨害となる。
NFの劣化
高周波切換スイツチ３及びAGC回路５によ
るロスのために、NFが劣化する。これは増幅
器６の前にロスの大きい高周波切換スイツチ３
やAGC回路５を置いたためである。
るロスのために、NFが劣化する。これは増幅
器６の前にロスの大きい高周波切換スイツチ３
やAGC回路５を置いたためである。
高周波切換スイツチにおけるUHF帯でのス
イツチダイオードオフ時のセパレーシヨン不足 UHF帯オフ時でもスイツチダイオードの特
性上十分の利得が減衰せず、VHF帯の信号と
共にUHF帯の信号AGC回路５に入力する。こ
れではバンド・パス・フイルタ２−１，２−２
のフイルタの効果を損うことになる。
イツチダイオードオフ時のセパレーシヨン不足 UHF帯オフ時でもスイツチダイオードの特
性上十分の利得が減衰せず、VHF帯の信号と
共にUHF帯の信号AGC回路５に入力する。こ
れではバンド・パス・フイルタ２−１，２−２
のフイルタの効果を損うことになる。
発明の目的
本発明は高周波増幅回路で発生する２倍の高調
波による妨害を軽減でき、更にNFの劣化ならび
にUHF帯のスイツチダイオードオフ時の十分な
セパレーションが得られるものを提供することを
目的とする。
波による妨害を軽減でき、更にNFの劣化ならび
にUHF帯のスイツチダイオードオフ時の十分な
セパレーションが得られるものを提供することを
目的とする。
発明の構成
本発明は、２倍の高周波を同一帯域内に含まな
いＮ個（但し、Ｎ≧２）のバンド・パス・フイル
タと、このバンド・パス・フイルタを介して帯域
ごとに区分されたアンテナからの各高周波信号を
それぞれ各別に増幅するＮ個の帯域専用増幅器
と、外部切換信号回路からの選択指示に応じてＮ
個の帯域専用増幅器のうちの１つの出力を選択し
て出力するマルチプレクサと、このマルチプレク
サを介して選択された高周波信号を一定レベルに
まで増幅する増幅手段と、発振周波数を変更でき
る可変ローカル発振器を有し、増幅手段を介した
高周波信号を選局して、第１の映像中間周波数に
変換する第１の周波数変換手段と、発振周波数が
固定の固定発振器を有し、前記第１の周波数変換
手段から出力される第１の映像中間周波数信号と
混合して第２の映像中間周波数に変換しチユーナ
出力とする第２の周波数変換手段とを設け、前記
Ｎ個の帯域専用増幅器およびマルチプレクサは、
Ｎ個の各バンド・パス・フイルタの出力端にゲー
トが接続された各増幅用FETと、この増幅用
FETの出力端にアノードが接続され、カソード
が共通に接続されて前記増幅手段の入力端に接続
されるＮ個のスイツチダイオードを備えてなり、
前記Ｎ個のバンド・パス・フイルタに接続された
Ｎ系列の増幅用FETおよびスイツチダイオード
のいずれか一系列にバイアスを与えてこれを動作
状態とするように構成したことを特徴とするもの
である。
いＮ個（但し、Ｎ≧２）のバンド・パス・フイル
タと、このバンド・パス・フイルタを介して帯域
ごとに区分されたアンテナからの各高周波信号を
それぞれ各別に増幅するＮ個の帯域専用増幅器
と、外部切換信号回路からの選択指示に応じてＮ
個の帯域専用増幅器のうちの１つの出力を選択し
て出力するマルチプレクサと、このマルチプレク
サを介して選択された高周波信号を一定レベルに
まで増幅する増幅手段と、発振周波数を変更でき
る可変ローカル発振器を有し、増幅手段を介した
高周波信号を選局して、第１の映像中間周波数に
変換する第１の周波数変換手段と、発振周波数が
固定の固定発振器を有し、前記第１の周波数変換
手段から出力される第１の映像中間周波数信号と
混合して第２の映像中間周波数に変換しチユーナ
出力とする第２の周波数変換手段とを設け、前記
Ｎ個の帯域専用増幅器およびマルチプレクサは、
Ｎ個の各バンド・パス・フイルタの出力端にゲー
トが接続された各増幅用FETと、この増幅用
FETの出力端にアノードが接続され、カソード
が共通に接続されて前記増幅手段の入力端に接続
されるＮ個のスイツチダイオードを備えてなり、
前記Ｎ個のバンド・パス・フイルタに接続された
Ｎ系列の増幅用FETおよびスイツチダイオード
のいずれか一系列にバイアスを与えてこれを動作
状態とするように構成したことを特徴とするもの
である。
実施例の説明
以下本発明の実施例を第３図〜第１１図に基づ
いて説明する。なお、第１図と同様の作用を成す
ものには同一符号をつけてその説明を省く。
いて説明する。なお、第１図と同様の作用を成す
ものには同一符号をつけてその説明を省く。
第３図は第１の実施例を示し、アンテナ１から
AGC回路５に達するまでの回路構成が第１図と
は異なる。２−１′〜２−N′は通過帯域周波数が
異なると共に２倍の高調波が同一帯域に含まれな
いＮ個のバンド・パス・フイルタで、アンテナ１
から到来した信号が、この各バンド・パス・フイ
ルタ２−１′〜２−N′でＮ分配される。１３−１
〜１３−Ｎはそれぞれバンド・パス・フイルタ２
−１′〜２−N′の出力信号を増幅する帯域専用増
幅器である増幅器、３′は外部切換信号回路４′の
出力信号４−１〜４−Ｎに応じて増幅器１３−１
〜１３−Ｎのうちの１つの出力信号を選択して
AGC回路５の入力に供給する高周波切換スイツ
チ（マルチプレクサ）であり、増幅器１３−１〜
１３−Ｎとマルチプレクサ３′はＮ個の各バン
ド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′の出力端に
ゲートが接続された各増幅用FETと、この増幅
用FETの出力端にアノードが接続され、カソー
ドが共通に接続されてAGC回路５の入力端に接
続されるＮ個のスイツチダイオードを備えて構成
されている。また、増幅器１３−１〜１３−Ｎの
電源回路は外部切換回路４′の出力信号４−１〜
４−Ｎによつて、高周波切換スイツチ３′が選択
したものだけに通電され、すなわち、Ｎ個のバン
ド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′に接続され
た上記Ｎ系列の増幅用FETおよびスイツチダイ
オードのいずれか一系列にバイアスを与えること
により、AGC回路５には選択された帯域の信号
のみが入力されるよう構成されている。
AGC回路５に達するまでの回路構成が第１図と
は異なる。２−１′〜２−N′は通過帯域周波数が
異なると共に２倍の高調波が同一帯域に含まれな
いＮ個のバンド・パス・フイルタで、アンテナ１
から到来した信号が、この各バンド・パス・フイ
ルタ２−１′〜２−N′でＮ分配される。１３−１
〜１３−Ｎはそれぞれバンド・パス・フイルタ２
−１′〜２−N′の出力信号を増幅する帯域専用増
幅器である増幅器、３′は外部切換信号回路４′の
出力信号４−１〜４−Ｎに応じて増幅器１３−１
〜１３−Ｎのうちの１つの出力信号を選択して
AGC回路５の入力に供給する高周波切換スイツ
チ（マルチプレクサ）であり、増幅器１３−１〜
１３−Ｎとマルチプレクサ３′はＮ個の各バン
ド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′の出力端に
ゲートが接続された各増幅用FETと、この増幅
用FETの出力端にアノードが接続され、カソー
ドが共通に接続されてAGC回路５の入力端に接
続されるＮ個のスイツチダイオードを備えて構成
されている。また、増幅器１３−１〜１３−Ｎの
電源回路は外部切換回路４′の出力信号４−１〜
４−Ｎによつて、高周波切換スイツチ３′が選択
したものだけに通電され、すなわち、Ｎ個のバン
ド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′に接続され
た上記Ｎ系列の増幅用FETおよびスイツチダイ
オードのいずれか一系列にバイアスを与えること
により、AGC回路５には選択された帯域の信号
のみが入力されるよう構成されている。
第４図は高周波切換スイツチ３′までの具体的
な回路図を示す。
な回路図を示す。
第４図において、端子Ｖ，Ｕには第３図のアン
テナ１からの信号が入力される。FL，FH，FUは
バンド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′に相当
するもので、それぞれVHFのローチヤンネル用
バンド・パス・フイルタ、VHFのハイチヤンネ
ル用バンド・パス・フイルタ、UHFのチヤンネ
ル用バンド・パス・フイルタである。それぞれの
フイルタFL，FH，FUを通過した信号は、それぞ
れ増幅器３−１〜３−Ｎに相当する増幅器を構成
するガリウムヒ素FETのQ1，Q2，Q3で増幅され
る。この時、第４図の端子BL，BH，BUにバイア
スを与えることにより、それぞれのFETのQ1，
Q2，Q3がオン状態となり、同時にそれぞれの
FETに接続されたダイオードDsw1，Dsw2，
Dsw3がオン状態になる。
テナ１からの信号が入力される。FL，FH，FUは
バンド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′に相当
するもので、それぞれVHFのローチヤンネル用
バンド・パス・フイルタ、VHFのハイチヤンネ
ル用バンド・パス・フイルタ、UHFのチヤンネ
ル用バンド・パス・フイルタである。それぞれの
フイルタFL，FH，FUを通過した信号は、それぞ
れ増幅器３−１〜３−Ｎに相当する増幅器を構成
するガリウムヒ素FETのQ1，Q2，Q3で増幅され
る。この時、第４図の端子BL，BH，BUにバイア
スを与えることにより、それぞれのFETのQ1，
Q2，Q3がオン状態となり、同時にそれぞれの
FETに接続されたダイオードDsw1，Dsw2，
Dsw3がオン状態になる。
なお、FETのQ1〜Q3の電源とダイオード
Dsw1，Dsw2，Dsw3との両方で系路の切り換え
を行う理由は、ダイオードDsw1〜Dsw3を用いず
にQ1〜Q3の各ドレインを結合容量を介して結合
すると、オフ状態にあるFETのドレインインピ
ーダンスにより経路のSWRが悪くなり、信号の
ロスが大きくなつたり、入力フイルタ特性が得ら
れないという欠点があるためである。
Dsw1，Dsw2，Dsw3との両方で系路の切り換え
を行う理由は、ダイオードDsw1〜Dsw3を用いず
にQ1〜Q3の各ドレインを結合容量を介して結合
すると、オフ状態にあるFETのドレインインピ
ーダンスにより経路のSWRが悪くなり、信号の
ロスが大きくなつたり、入力フイルタ特性が得ら
れないという欠点があるためである。
このように構成したため、端子BL，BH，BUの
どれか一つにバイアスを与えることで、VHFの
ローチヤンネル、VHFのハイチヤンネル、UHF
チヤンネルの切換えが行われる。ここで端子BL，
BH，BUは第３図の４−１〜４−Ｎに相当する。
またダイオードDsw1，Dsw2，Dsw3は高周波切
換スイツチ３′内部のスイツチ３−１′〜３−
N′に相当する。
どれか一つにバイアスを与えることで、VHFの
ローチヤンネル、VHFのハイチヤンネル、UHF
チヤンネルの切換えが行われる。ここで端子BL，
BH，BUは第３図の４−１〜４−Ｎに相当する。
またダイオードDsw1，Dsw2，Dsw3は高周波切
換スイツチ３′内部のスイツチ３−１′〜３−
N′に相当する。
このようにして選択された信号が、結合コンデ
ンサC5を通過して端子Ｋより出力される。端子
Ｋより出力された信号は第３図のAGC回路５に
入力される。
ンサC5を通過して端子Ｋより出力される。端子
Ｋより出力された信号は第３図のAGC回路５に
入力される。
第５図は第４図における抵抗R6，R7，R8およ
び容量C6，C7，C8を取り除いた回路である。こ
れにより回路が簡単になり、切換信号ラインも少
なくすることができる。
び容量C6，C7，C8を取り除いた回路である。こ
れにより回路が簡単になり、切換信号ラインも少
なくすることができる。
第３図のブロツク図で示した回路を用いること
により、下記のように第１図で示した回路での欠
点を軽減することができる。
により、下記のように第１図で示した回路での欠
点を軽減することができる。
まず、２倍の高調波による妨害については、入
力段のバンド・パス・フイルタ２−１′〜２−
N′に第４図及び第５図で示すようなFL，FH，FU
のフイルタを用いることで、それぞれVHFロー
チヤンネル、VHFハイチヤンネル、UHFチヤン
ネルに分割することができ、これによつて２倍の
高調波成分が同一バンド内に発生することを防ぐ
ことができるので、妨害を排除できる。
力段のバンド・パス・フイルタ２−１′〜２−
N′に第４図及び第５図で示すようなFL，FH，FU
のフイルタを用いることで、それぞれVHFロー
チヤンネル、VHFハイチヤンネル、UHFチヤン
ネルに分割することができ、これによつて２倍の
高調波成分が同一バンド内に発生することを防ぐ
ことができるので、妨害を排除できる。
次にNFの劣化については、高周波切換スイツ
チ回路やAGC回路によるNFの劣化を防ぐため
に、増幅器１３−１〜１３−Ｎを高周波切換スイ
ツチ３′の前段に設置したため、NFの劣化を軽
減できる。
チ回路やAGC回路によるNFの劣化を防ぐため
に、増幅器１３−１〜１３−Ｎを高周波切換スイ
ツチ３′の前段に設置したため、NFの劣化を軽
減できる。
次にUHF帯域でのスイツチダイオードオフ時
のセパレーシヨン不足については、第４図のよう
にUHF帯のダイオードDsw3をオフ状態にするた
め、端子BUの電圧をカツトすると、FETのQ3も
オフ状態となり、セパレーシヨンを十分得ること
ができる。このように、第３図の回路を使用する
ことにより、２倍の高調波による妨害を防ぎ、
NFの劣化を軽減でき、UHF帯のスイツチダイオ
ードオフ時のセパレーシヨンを得ることができ
る。
のセパレーシヨン不足については、第４図のよう
にUHF帯のダイオードDsw3をオフ状態にするた
め、端子BUの電圧をカツトすると、FETのQ3も
オフ状態となり、セパレーシヨンを十分得ること
ができる。このように、第３図の回路を使用する
ことにより、２倍の高調波による妨害を防ぎ、
NFの劣化を軽減でき、UHF帯のスイツチダイオ
ードオフ時のセパレーシヨンを得ることができ
る。
第６図は第３図の他の実施例を示し、第１ミク
サ回路７から端子Ｊに達するまでの回路構成が第
１図と同じであつて、第３図とは、AGC回路５
および増幅器６に代つてAGC付増幅素子６′を用
いた所などが異なる。
サ回路７から端子Ｊに達するまでの回路構成が第
１図と同じであつて、第３図とは、AGC回路５
および増幅器６に代つてAGC付増幅素子６′を用
いた所などが異なる。
第６図において、アンテナ１から入つた入力信
号はバンド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′で
２倍の高調波が同一帯域内に含まれないように分
割されて、その出力はそれぞれ増幅器１３−１〜
１３−Ｎに入る。この時出力信号４−１〜４−Ｎ
によつて増幅器１３−１〜１３−Ｎのうちのどれ
か一つだけに電源が与えられ、それと同時に、電
源が与えられた増幅器を高周波切換スイツチ３′
が選択し、AGC付増幅素子６′の入力端子に信号
が入力される。AGCデイレイ回路１４は、信号
Ｘによつて、まず増幅素子６′にAGC信号を供給
し、これに遅れて増幅器１３−１〜１３−Ｎに
AGC信号を供給する。これは利得減衰時のNFの
劣化を軽減するためである。つまり、高周波切換
スイツチ３′の前段にＮ個の帯域専用増幅器１３
−１〜１３−Ｎがなければ、高周波切換スイツチ
３′による信号の通過ロスがNFの劣化をまねく
こととなる。その意味からも、増幅器１３−１〜
１３−ＮはNF劣化の補償機能を有しているわけ
であるが、本実施例のように、増幅手段が帯域専
用増幅器１３−１〜１３−ＮとAGC付増幅素子
６′の二段構成からなる場合、その後段側のAGC
付増幅素子６′から利得制御を行つた方が、前段
側の帯域専用増幅器１３−１〜１３−Ｎの利得の
下げることなく利得を変化させることができ、
NFの劣化が小さくなる。このような従属接続さ
れた増幅手段において、NFを良好なまま利得変
化させる手法として、後段から利得制御すること
は良く知られた技術である。このAGCのデイレ
イ回路１４の具体例を第７図に示す。
号はバンド・パス・フイルタ２−１′〜２−N′で
２倍の高調波が同一帯域内に含まれないように分
割されて、その出力はそれぞれ増幅器１３−１〜
１３−Ｎに入る。この時出力信号４−１〜４−Ｎ
によつて増幅器１３−１〜１３−Ｎのうちのどれ
か一つだけに電源が与えられ、それと同時に、電
源が与えられた増幅器を高周波切換スイツチ３′
が選択し、AGC付増幅素子６′の入力端子に信号
が入力される。AGCデイレイ回路１４は、信号
Ｘによつて、まず増幅素子６′にAGC信号を供給
し、これに遅れて増幅器１３−１〜１３−Ｎに
AGC信号を供給する。これは利得減衰時のNFの
劣化を軽減するためである。つまり、高周波切換
スイツチ３′の前段にＮ個の帯域専用増幅器１３
−１〜１３−Ｎがなければ、高周波切換スイツチ
３′による信号の通過ロスがNFの劣化をまねく
こととなる。その意味からも、増幅器１３−１〜
１３−ＮはNF劣化の補償機能を有しているわけ
であるが、本実施例のように、増幅手段が帯域専
用増幅器１３−１〜１３−ＮとAGC付増幅素子
６′の二段構成からなる場合、その後段側のAGC
付増幅素子６′から利得制御を行つた方が、前段
側の帯域専用増幅器１３−１〜１３−Ｎの利得の
下げることなく利得を変化させることができ、
NFの劣化が小さくなる。このような従属接続さ
れた増幅手段において、NFを良好なまま利得変
化させる手法として、後段から利得制御すること
は良く知られた技術である。このAGCのデイレ
イ回路１４の具体例を第７図に示す。
第７図においてAGC回路からの信号を端子Ｍ
から入力し、抵抗R9とR10で分割されて端子Ｎと
Ｐから出力される。ここで端子Ｎを前段の増幅器
１３−１〜１３−Ｎに接続し、端子Ｐを後段の増
幅素子６′に接続することで、前述のようにまず
増幅素子６′にAGCが働き、遅れて増幅器１３−
１〜１３−ＮにAGCが働く。
から入力し、抵抗R9とR10で分割されて端子Ｎと
Ｐから出力される。ここで端子Ｎを前段の増幅器
１３−１〜１３−Ｎに接続し、端子Ｐを後段の増
幅素子６′に接続することで、前述のようにまず
増幅素子６′にAGCが働き、遅れて増幅器１３−
１〜１３−ＮにAGCが働く。
第８図は第６図の増幅素子６′までの具体的な
回路を示す。なお、端子Ｖ，Ｕの入力よりバン
ド・パス・フイルタFL，FH，FUの出力までは、
第４図と同様の構成であるから説明を省略する。
回路を示す。なお、端子Ｖ，Ｕの入力よりバン
ド・パス・フイルタFL，FH，FUの出力までは、
第４図と同様の構成であるから説明を省略する。
第８図において、端子AGC1からの利得制御電
位を、抵抗R11，R12，R13を介して、それぞれ
FETのQ1，Q2，Q3の第１ゲートに印加して利得
を可変させる。同様に、端子AGC2からの利得制
御電位を、抵抗R14を介して、FETのQ4の第１ゲ
ートに印加し、Q4の利得を可変させる。その他
の動作については、第４図と第５図の回路と同様
である。
位を、抵抗R11，R12，R13を介して、それぞれ
FETのQ1，Q2，Q3の第１ゲートに印加して利得
を可変させる。同様に、端子AGC2からの利得制
御電位を、抵抗R14を介して、FETのQ4の第１ゲ
ートに印加し、Q4の利得を可変させる。その他
の動作については、第４図と第５図の回路と同様
である。
第６図の回路は、第３図の回路と同様の理由で
２倍の高調波による妨害を排除でき、NFの劣化
を軽減でき、UHF帯のスイツチダイオードOFF
時のセパレーシヨンを十分得ることができる。
２倍の高調波による妨害を排除でき、NFの劣化
を軽減でき、UHF帯のスイツチダイオードOFF
時のセパレーシヨンを十分得ることができる。
第９図は第６図の他の実施例を示し、増幅器１
３−１〜１３−Ｎから端子Ｊまでの構成は第６図
と同様であるため、その説明を省く。
３−１〜１３−Ｎから端子Ｊまでの構成は第６図
と同様であるため、その説明を省く。
第９図においては、バンド・パス・フイルタ２
−１′〜２−N′の代りにチユーナブルフイルタ１
５を用いたものである。チユーナブルフイルタ１
５は２倍の高調波が同一帯域内に含まれておらず
同調周波数可変のＮ個のフイルタ２−１″〜２−
N″と、この各フイルタ２−１″〜２−N″に同調
周波数指定信号を与える選択回路１６とから成
り、前記各フイルタ２−１″〜２−N″のそれぞれ
の出力が増幅器１３−１〜１３−Ｎの入力に接続
されている。第１０図は第９図チユーナブルフイ
ルタ１５の具体的な回路を示す。
−１′〜２−N′の代りにチユーナブルフイルタ１
５を用いたものである。チユーナブルフイルタ１
５は２倍の高調波が同一帯域内に含まれておらず
同調周波数可変のＮ個のフイルタ２−１″〜２−
N″と、この各フイルタ２−１″〜２−N″に同調
周波数指定信号を与える選択回路１６とから成
り、前記各フイルタ２−１″〜２−N″のそれぞれ
の出力が増幅器１３−１〜１３−Ｎの入力に接続
されている。第１０図は第９図チユーナブルフイ
ルタ１５の具体的な回路を示す。
第１０図において、アンテナ１から入つた高周
波信号は端子VinとUinに入る。端子Vinに入つ
た高周波信号は、結合容量C9を通過した後、コ
イルL1，L2，L3と抵抗R15、及び可変容量ダイオ
ードD4の容量と容量C10によつて形成される並列
共振回路の共振周波数に同調して、その共振周波
数を中心とする高周波信号が結合容量C11を通過
して端子Voutに出力される。込、端子BTRに与え
る電位を変化させることにより、可変容量ダイオ
ードD4の容量が変化して、先に述べた共振回路
の共振周波数が変化する。したがつて、端子BTR
に与える電位によつてフイルタの中心周波数を可
変できる。ここでは端子BTRに与える電位を徐々
に高くしていくと、共振周波数も徐々に高くな
る。この時、フイルタの帯域は該共振回路の比帯
域が常に等しいため徐々に広くなつていく。この
ため、端子Bsに電位を与え、ダイオードD5をON
状態にして、コイルL2をシヨートすると、コイ
ルのタツプ比が変化して共振回路のＱを上げるこ
とができる。しかし、この時、共振回路の共振周
波数が大きく変化するという欠点がある。そこで
この欠点を軽減するための回路を示したのが第１
１図である。
波信号は端子VinとUinに入る。端子Vinに入つ
た高周波信号は、結合容量C9を通過した後、コ
イルL1，L2，L3と抵抗R15、及び可変容量ダイオ
ードD4の容量と容量C10によつて形成される並列
共振回路の共振周波数に同調して、その共振周波
数を中心とする高周波信号が結合容量C11を通過
して端子Voutに出力される。込、端子BTRに与え
る電位を変化させることにより、可変容量ダイオ
ードD4の容量が変化して、先に述べた共振回路
の共振周波数が変化する。したがつて、端子BTR
に与える電位によつてフイルタの中心周波数を可
変できる。ここでは端子BTRに与える電位を徐々
に高くしていくと、共振周波数も徐々に高くな
る。この時、フイルタの帯域は該共振回路の比帯
域が常に等しいため徐々に広くなつていく。この
ため、端子Bsに電位を与え、ダイオードD5をON
状態にして、コイルL2をシヨートすると、コイ
ルのタツプ比が変化して共振回路のＱを上げるこ
とができる。しかし、この時、共振回路の共振周
波数が大きく変化するという欠点がある。そこで
この欠点を軽減するための回路を示したのが第１
１図である。
第１１図において、端子Vinから入つた高周波
信号は、コイルL1，L2，L3，L4，L5，L6と、容
量C10と可変容量ダイオードD4の容量成分によつ
て形成される並列共振回路の共振周波数に同調し
て、その共振周波数を中心とする高周波信号が結
合容量C11を通過して端子Voutに出力される。第
１０図の回路と同様に、端子BTRに与える電位を
変化させることにより、フイルタの中心周波数を
可変できる。共振周波数が高くなると帯域が広く
なるが、端子Bsに電位を与えてダイオードD5，
D6をオン状態にするとコイルL3，L6がシヨート
されてコイルのタツプ比が変化し、共振回路のＱ
が高くなる。この時、第１０図の回路では直列の
コイルL2をシヨートしたために、共振周波数が
大きく変化したのに対し、第１１図では並列のコ
イルL3をシヨートすることで、共振周波数の変
化を軽減できる。
信号は、コイルL1，L2，L3，L4，L5，L6と、容
量C10と可変容量ダイオードD4の容量成分によつ
て形成される並列共振回路の共振周波数に同調し
て、その共振周波数を中心とする高周波信号が結
合容量C11を通過して端子Voutに出力される。第
１０図の回路と同様に、端子BTRに与える電位を
変化させることにより、フイルタの中心周波数を
可変できる。共振周波数が高くなると帯域が広く
なるが、端子Bsに電位を与えてダイオードD5，
D6をオン状態にするとコイルL3，L6がシヨート
されてコイルのタツプ比が変化し、共振回路のＱ
が高くなる。この時、第１０図の回路では直列の
コイルL2をシヨートしたために、共振周波数が
大きく変化したのに対し、第１１図では並列のコ
イルL3をシヨートすることで、共振周波数の変
化を軽減できる。
まず、第１０図において、端子Uinから入つた
高周波信号はコイルL7、容量C12、可変容量ダイ
オードD7の容量成分によつて形成される共振回
路による共振周波数に同調してその共振周波数を
中心とする高周波信号が結合容量C13を通過して
端子Uoutから出力される。端子Vout，Uoutから
の出力は、第９図の増幅器１３−１，１３−Ｎに
相当する増幅回路に入力される。
高周波信号はコイルL7、容量C12、可変容量ダイ
オードD7の容量成分によつて形成される共振回
路による共振周波数に同調してその共振周波数を
中心とする高周波信号が結合容量C13を通過して
端子Uoutから出力される。端子Vout，Uoutから
の出力は、第９図の増幅器１３−１，１３−Ｎに
相当する増幅回路に入力される。
第９図の回路は、第３図の回路と同様の理由で
２倍の高調波による妨害を排除でき、NFの劣化
を軽減でき、UHF帯のスイツチダイオードオフ
時のセパレーシヨンを十分得ることができる。
２倍の高調波による妨害を排除でき、NFの劣化
を軽減でき、UHF帯のスイツチダイオードオフ
時のセパレーシヨンを十分得ることができる。
発明の効果
以上の説明のように本発明によれば次のような
効果が得られる。
効果が得られる。
(1) ２倍の高調波が同一の帯域内に含まれない、
入力段バンド・パス・フイルタ、もしくはチユ
ーナブルフイルタを用いることで、高周波増幅
回路で発生する２倍の高調波による妨害を軽減
できる。
入力段バンド・パス・フイルタ、もしくはチユ
ーナブルフイルタを用いることで、高周波増幅
回路で発生する２倍の高調波による妨害を軽減
できる。
(2) NFの影響を与えるスイツチ回路の前段に高
周波増幅回路を設置することで、NFの劣化を
軽減できる。
周波増幅回路を設置することで、NFの劣化を
軽減できる。
(3) 高周波増幅回路の電源のオン、オフをスイツ
チ回路と連動させることにより、UHF帯のス
イツチダイオードOFF時のセパレーシヨンを
十分得ることができる。
チ回路と連動させることにより、UHF帯のス
イツチダイオードOFF時のセパレーシヨンを
十分得ることができる。
(4) スイツチ回路は１組だけでよく安価に構成す
ることができる。
ることができる。
第１図は従来のテレビジヨンチユーナ回路ブロ
ツク図、第２図はピンダイオードによるAGC回
路図、第３図〜第１１図は本発明の実施例を示
し、第３図は本発明のテレビジヨンチユーナ回路
の一実施例のブロツク図、第４図は第３図の要部
具体回路図、第５図は第４図の他の実施例の回路
図、第６図は第３図の他の実施例のブロツク図、
第７図は第６図の要部構成図、第８図は第６図の
要部具体回路図、第９図は第６図の他の実施例の
ブロツク図、第１０図は第９図の要部具体回路
図、第１１図は第１０図の他の実施例の要部回路
図である。 １……アンテナ、２−１′〜２−N′……バン
ド・パス・フイルタ、３′……高周波切換スイツ
チ〔マルチプレクサ〕、４′……外部切換信号回
路、５……AGC回路、６，６′……増幅器、７…
…第１のミクサ回路、８……ローカル発振器、１
３−１〜１３−Ｎ……増幅器〔帯域専用増幅器〕、
１４……AGCデイレイ回路、１５……チユーナ
ブルフイルタ、FL……VHFローチヤンネル用バ
ンド・パス・フイルタ、FH……VHFハイチヤン
ネル用バンド・パス・フイルタ、FU……UHFチ
ヤンネル用バンド・パス・フイルタ、Dsw1〜
Dsw3……スイツチダイオード。
ツク図、第２図はピンダイオードによるAGC回
路図、第３図〜第１１図は本発明の実施例を示
し、第３図は本発明のテレビジヨンチユーナ回路
の一実施例のブロツク図、第４図は第３図の要部
具体回路図、第５図は第４図の他の実施例の回路
図、第６図は第３図の他の実施例のブロツク図、
第７図は第６図の要部構成図、第８図は第６図の
要部具体回路図、第９図は第６図の他の実施例の
ブロツク図、第１０図は第９図の要部具体回路
図、第１１図は第１０図の他の実施例の要部回路
図である。 １……アンテナ、２−１′〜２−N′……バン
ド・パス・フイルタ、３′……高周波切換スイツ
チ〔マルチプレクサ〕、４′……外部切換信号回
路、５……AGC回路、６，６′……増幅器、７…
…第１のミクサ回路、８……ローカル発振器、１
３−１〜１３−Ｎ……増幅器〔帯域専用増幅器〕、
１４……AGCデイレイ回路、１５……チユーナ
ブルフイルタ、FL……VHFローチヤンネル用バ
ンド・パス・フイルタ、FH……VHFハイチヤン
ネル用バンド・パス・フイルタ、FU……UHFチ
ヤンネル用バンド・パス・フイルタ、Dsw1〜
Dsw3……スイツチダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２倍の高調波を同一帯域内に含まないＮ個の
（但し、Ｎ≧２）のバンド・パス・フイルタと、
このバンド・パス・フイルタを介して帯域ごとに
区分されたアンテナからの各高周波信号をそれぞ
れ各別に増幅するＮ個の帯域専用増幅器と、外部
切換信号回路からの選択指示に応じて前記Ｎ個の
帯域専用増幅器のうちの１つの出力を選択して出
力するマルチプレクサと、このマルチプレクサを
介して選択された高周波信号を一定レベルにまで
増幅する増幅手段と、発振周波数を変更できる可
変ローカル発振器を有し、前記増幅手段を介した
高周波信号を選局して第１の映像中間周波数に変
換する第１の周波数変換手段と、発振周波数が固
定の固定発振器を有し、前記第１の周波数変換手
段から出力される第１の映像中間周波数信号と混
合して第２の映像中間周波数に変換しチユーナ出
力とする第２の周波数変換手段とを設け、前記Ｎ
個の帯域専用増幅器およびマルチプレクサは、Ｎ
個の各バンド・パス・フイルタの出力端にゲート
が接続された各増幅用FETと、この各増幅用
FETの出力端にアノードが接続され、カソード
が共通に接続されて前記増幅手段の入力端に接続
されるＮ個のスイツチダイオードを備えてなり、
前記Ｎ個のバンド・パス・フイルタに接続された
Ｎ系列の増幅用FETおよびスイツチダイオード
のいずれか一系列にバイアスを与えてこれを動作
状態とするように構成したテレビジヨンチユーナ
装置。 ２ マルチプレクサの前段に配設されたＮ個の帯
域専用増幅器をそれぞれ外部制御電圧によつて利
得を可変できるよう構成し、かつデイレイ回路に
より前記外部制御電圧はマルチプレクサの後段の
増幅手段の利得制御を開始した後に、Ｎ個の帯域
専用増幅器の利得制御を開始するよう構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のテレ
ビジヨンチユーナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654282A JPS5936429A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | テレビジヨンチユ−ナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14654282A JPS5936429A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | テレビジヨンチユ−ナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936429A JPS5936429A (ja) | 1984-02-28 |
| JPS644714B2 true JPS644714B2 (ja) | 1989-01-26 |
Family
ID=15410004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14654282A Granted JPS5936429A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | テレビジヨンチユ−ナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03169942A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-23 | Natl House Ind Co Ltd | 壁パネルの取付構造 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015023334A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 船井電機株式会社 | 信号処理回路および受信装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131009A (ja) * | 1973-04-17 | 1974-12-16 | ||
| JPS5590142A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Broad-band receiver circuit |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP14654282A patent/JPS5936429A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03169942A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-23 | Natl House Ind Co Ltd | 壁パネルの取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5936429A (ja) | 1984-02-28 |
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