JPS5936609U - 混合回路 - Google Patents

混合回路

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JPS5936609U
JPS5936609U JP13166482U JP13166482U JPS5936609U JP S5936609 U JPS5936609 U JP S5936609U JP 13166482 U JP13166482 U JP 13166482U JP 13166482 U JP13166482 U JP 13166482U JP S5936609 U JPS5936609 U JP S5936609U
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JP
Japan
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gate electrode
mixed circuit
field effect
circuit
effect transistor
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JP13166482U
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JPS6340897Y2 (ja
Inventor
芝田　文明
Original Assignee
株式会社東芝
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の混合回路を使用したＵＨＦ帯チューナを
示す回路図、第２図は混合回路の混変調特性、雑音指数
、変換利得を示す特性図、第３図はこの考案に係る混合
回路の一実施例を使用したＵＨＦチューナを示す回路図
、第４図は第３図の効果を説明する為に示す第１図の混
合回路付近の高周波に対する等価回路図、第５図はこの
考案の他の実施例を示す回路図、第６図は二重ゲートＭ
Ｏ３形ＦＥＴの入出力特性を示す特性図である。 １１・・・入力端子、１２・・・帯域通過フィルタ、１
３．１２１，１２２，１８１・・・コイル、１５・・・
２重ゲートＭＯ３形ＦＥＴ、１６・・・局部発振回路、
１７・・・注入コンデンサ、１８・・・出力同調回路、
１９・・・出力端子、２５・・・コンデンサ、３１〜３
４・・・抵抗、３５．３６・・・浮遊容量、Ｇ、、’　
Ｇ２・・・ゲート電極、Ｄ・・・ドレイン電極、Ｓ・・
・ソース電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ２重ゲートＭＯ５形電界効果トランジスタを有し、該電
    界効果トランジスタの一方のゲート電極を交流的に接地
    し、他方のゲート電極に高周波信号及び局部発振信号を
    加えるとともに該他方のゲート電極のバイアスを直流的
    に零としたことを特徴とする混合回路。
JP13166482U 1982-08-31 1982-08-31 混合回路 Granted JPS5936609U (ja)

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JP13166482U JPS5936609U (ja) 1982-08-31 1982-08-31 混合回路

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JP13166482U JPS5936609U (ja) 1982-08-31 1982-08-31 混合回路

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JPS5936609U true JPS5936609U (ja) 1984-03-07
JPS6340897Y2 JPS6340897Y2 (ja) 1988-10-26

Family

ID=30297587

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365308U (ja) * 1986-10-20 1988-04-30

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50104509U (ja) * 1974-02-02 1975-08-28

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50104509U (ja) * 1974-02-02 1975-08-28

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365308U (ja) * 1986-10-20 1988-04-30

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JPS6340897Y2 (ja) 1988-10-26

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