JPH05232488A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH05232488A JPH05232488A JP3243192A JP3243192A JPH05232488A JP H05232488 A JPH05232488 A JP H05232488A JP 3243192 A JP3243192 A JP 3243192A JP 3243192 A JP3243192 A JP 3243192A JP H05232488 A JPH05232488 A JP H05232488A
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- Japan
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- conductive film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｉｎ2 Ｏ2 とＳｎＯ2 の化合物をスパッタ法
により堆積する方法に関し，低抵抗，透明かつ密着性が
良い透明導電膜を堆積することを目的とする。 【構成】 Ａｒ及び酸素の混合ガス雰囲気中でするスパ
ッタ法により，絶縁基板１上にＩｎ2 Ｏ2 とＳｎＯ2 と
の化合物からなる透明導電膜２を堆積する透明導電膜の
製造方法において，該透明導電膜２は上層２ｂ及び下層
２ａの２層からなり，該透明導電膜２の該上層２ｂを堆
積するときの該雰囲気は，該透明導電膜２の該下層２ａ
を堆積したときよりも酸素濃度が低いことを特徴として
構成する。
により堆積する方法に関し，低抵抗，透明かつ密着性が
良い透明導電膜を堆積することを目的とする。 【構成】 Ａｒ及び酸素の混合ガス雰囲気中でするスパ
ッタ法により，絶縁基板１上にＩｎ2 Ｏ2 とＳｎＯ2 と
の化合物からなる透明導電膜２を堆積する透明導電膜の
製造方法において，該透明導電膜２は上層２ｂ及び下層
２ａの２層からなり，該透明導電膜２の該上層２ｂを堆
積するときの該雰囲気は，該透明導電膜２の該下層２ａ
を堆積したときよりも酸素濃度が低いことを特徴として
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，Ｉｎ2 Ｏ2 とＳｎＯ2
との化合物（以下ＩＴＯという。）からなる透明導電膜
をスパッタ法により堆積する方法に関する。
との化合物（以下ＩＴＯという。）からなる透明導電膜
をスパッタ法により堆積する方法に関する。
【０００２】液晶ディスプレイに使用される透明電極
は，現在では主として，低い比抵抗と高い透明度を有す
る透明導電膜となるスパッタ法により製造されたＩＴＯ
膜を用いて製作されている。
は，現在では主として，低い比抵抗と高い透明度を有す
る透明導電膜となるスパッタ法により製造されたＩＴＯ
膜を用いて製作されている。
【０００３】しかし，高い階調表示をするためには，透
明電極の抵抗を小さくしなければならない。このため，
透明度を維持しつつかつ低抵抗の透明導電膜を堆積する
技術が必要とされている。
明電極の抵抗を小さくしなければならない。このため，
透明度を維持しつつかつ低抵抗の透明導電膜を堆積する
技術が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】従来，液晶ディスプレイの透明電極に透
明導電膜として用いられるＩＴＯ膜は，絶縁基板表面
に，例えばガラス板，窒化シリコン膜上にＡｒと酸素と
の混合ガス雰囲気中でスパッタにより堆積される。
明導電膜として用いられるＩＴＯ膜は，絶縁基板表面
に，例えばガラス板，窒化シリコン膜上にＡｒと酸素と
の混合ガス雰囲気中でスパッタにより堆積される。
【０００５】そのＩＴＯ膜の堆積中，雰囲気の組成は一
定に保持される。従って，ＩＴＯ膜の透明度，比抵抗は
堆積中一定であるから，厚さ方向について均一な透明導
電膜が堆積される。
定に保持される。従って，ＩＴＯ膜の透明度，比抵抗は
堆積中一定であるから，厚さ方向について均一な透明導
電膜が堆積される。
【０００６】しかし，雰囲気中の酸素濃度が多いと，透
明導電膜の透明度及び下地との密着性は向上する一方，
比抵抗は増加する。逆に，雰囲気中の酸素濃度が少ない
と，透明導電膜の透明度及び密着性は劣化する一方，比
抵抗は減少する。
明導電膜の透明度及び下地との密着性は向上する一方，
比抵抗は増加する。逆に，雰囲気中の酸素濃度が少ない
と，透明導電膜の透明度及び密着性は劣化する一方，比
抵抗は減少する。
【０００７】従って，比抵抗を減少するためには透明度
及び密着性の劣化を許容せねばならない。
及び密着性の劣化を許容せねばならない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように，一定酸
素濃度の雰囲気中でスパッタ法により透明導電膜を堆積
する従来の方法では，透明導電膜の透明度及び下地との
密着性と比抵抗とが負の相関関係にあるため，比抵抗を
低くすると透明度及び密着性が劣化するという問題があ
った。
素濃度の雰囲気中でスパッタ法により透明導電膜を堆積
する従来の方法では，透明導電膜の透明度及び下地との
密着性と比抵抗とが負の相関関係にあるため，比抵抗を
低くすると透明度及び密着性が劣化するという問題があ
った。
【０００９】本発明は，透明導電膜を，透明度及び密着
性の良好なＩＴＯ膜を下層とし，その上に比抵抗の低い
ＩＴＯ膜を堆積した多層構造とすることにより，抵抗が
ひくく，透明度が高くかつ下地との密着性が良い透明導
電膜を堆積する透明導電膜の製造方法を提供することを
目的とする。
性の良好なＩＴＯ膜を下層とし，その上に比抵抗の低い
ＩＴＯ膜を堆積した多層構造とすることにより，抵抗が
ひくく，透明度が高くかつ下地との密着性が良い透明導
電膜を堆積する透明導電膜の製造方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例説
明図であり，透明導電体が堆積された絶縁基板の断面と
その堆積過程のスパッタ雰囲気を表している。なお，図
１のスパッタ雰囲気を表す図の横軸は雰囲気中の酸素ガ
ス濃度を，縦軸は，堆積されている透明導電体の膜厚を
表している。
明図であり，透明導電体が堆積された絶縁基板の断面と
その堆積過程のスパッタ雰囲気を表している。なお，図
１のスパッタ雰囲気を表す図の横軸は雰囲気中の酸素ガ
ス濃度を，縦軸は，堆積されている透明導電体の膜厚を
表している。
【００１１】上記の課題を解決するために，図１を参照
して，本発明の第一の構成は，Ａｒ及び酸素の混合ガス
雰囲気中でするスパッタ法により，絶縁基板１上にＩｎ
2 Ｏ 2 とＳｎＯ2 との化合物からなる透明導電膜２を堆
積する透明導電膜の製造方法において，該透明導電膜２
は上層２ｂ及び下層２ａの２層からなり，該透明導電膜
２の該上層２ｂを堆積するときの該雰囲気は，該透明導
電膜２の該下層２ａを堆積したときよりも酸素濃度が低
いことを特徴として構成し，及び，第二の構成は，Ａｒ
及び酸素の混合ガス雰囲気中でするスパッタ法により，
絶縁基板１上にＩｎ2 Ｏ2 とＳｎＯ2 との化合物からな
る透明導電膜２を堆積する透明導電膜の製造方法におい
て，該透明導電膜２を堆積するときの該雰囲気の酸素濃
度を，堆積当初から堆積の進行とともに漸次低くするこ
とを特徴として構成する。
して，本発明の第一の構成は，Ａｒ及び酸素の混合ガス
雰囲気中でするスパッタ法により，絶縁基板１上にＩｎ
2 Ｏ 2 とＳｎＯ2 との化合物からなる透明導電膜２を堆
積する透明導電膜の製造方法において，該透明導電膜２
は上層２ｂ及び下層２ａの２層からなり，該透明導電膜
２の該上層２ｂを堆積するときの該雰囲気は，該透明導
電膜２の該下層２ａを堆積したときよりも酸素濃度が低
いことを特徴として構成し，及び，第二の構成は，Ａｒ
及び酸素の混合ガス雰囲気中でするスパッタ法により，
絶縁基板１上にＩｎ2 Ｏ2 とＳｎＯ2 との化合物からな
る透明導電膜２を堆積する透明導電膜の製造方法におい
て，該透明導電膜２を堆積するときの該雰囲気の酸素濃
度を，堆積当初から堆積の進行とともに漸次低くするこ
とを特徴として構成する。
【００１２】
【作用】本発明の第一の構成では，図１を参照して，透
明導電膜２のうち絶縁基板１上に最初に堆積される下層
２ａは，酸素濃度が高い雰囲気中にて（図１中のＡで示
す。）スパッタ法により堆積される。従って，下層２ａ
は，抵抗は高い反面，透明度が高く，かつ下地との密着
性が良い。
明導電膜２のうち絶縁基板１上に最初に堆積される下層
２ａは，酸素濃度が高い雰囲気中にて（図１中のＡで示
す。）スパッタ法により堆積される。従って，下層２ａ
は，抵抗は高い反面，透明度が高く，かつ下地との密着
性が良い。
【００１３】他方，下層２ａに重層して堆積される透明
導電膜２の上層２ｂは，酸素濃度が低い雰囲気中にて
（図１中のＢで示す。）堆積される。従って，上層２ｂ
は，抵抗は低いけれども，透明度は低い。
導電膜２の上層２ｂは，酸素濃度が低い雰囲気中にて
（図１中のＢで示す。）堆積される。従って，上層２ｂ
は，抵抗は低いけれども，透明度は低い。
【００１４】かかる違いに相補的な特性を有する２層を
重ねてなる透明導電膜２は，各層の欠点が補なわれ，各
層のもつ優れた特性を有するのである。即ち，上層２ｂ
の透明度の低下は下層２ａの透明度の向上により補われ
る。
重ねてなる透明導電膜２は，各層の欠点が補なわれ，各
層のもつ優れた特性を有するのである。即ち，上層２ｂ
の透明度の低下は下層２ａの透明度の向上により補われ
る。
【００１５】また，下層２ａの抵抗の上昇は上層２ｂの
低下により補われ，透明導電膜２全層の透明度を一定と
するとき，透明導電膜２のシート抵抗は従来の一層の透
明導電膜より低下するのである。
低下により補われ，透明導電膜２全層の透明度を一定と
するとき，透明導電膜２のシート抵抗は従来の一層の透
明導電膜より低下するのである。
【００１６】従って，低抵抗かつ高透明度の透明導電膜
がスパッタ法により堆積される。さらに，下地の絶縁基
板１と接して堆積される下層２ａは，下地との密着性に
優れるから後の工程において剥がれを生ずることがなく
信頼性が高い。なお，上層２ｂは同一物質上に堆積され
るため，密着性は問題にならない。
がスパッタ法により堆積される。さらに，下地の絶縁基
板１と接して堆積される下層２ａは，下地との密着性に
優れるから後の工程において剥がれを生ずることがなく
信頼性が高い。なお，上層２ｂは同一物質上に堆積され
るため，密着性は問題にならない。
【００１７】本発明の第二の構成は，上記の透明導電膜
の２層構造に代えて，３層以上を有する又は連続的に特
性を変化させた構成である。透明導電膜２の堆積は，当
初は図１中Ａに示す酸素濃度の雰囲気中でなされ，暫時
酸素濃度を低下して図１中Ｂに示す酸素濃度に至る。
の２層構造に代えて，３層以上を有する又は連続的に特
性を変化させた構成である。透明導電膜２の堆積は，当
初は図１中Ａに示す酸素濃度の雰囲気中でなされ，暫時
酸素濃度を低下して図１中Ｂに示す酸素濃度に至る。
【００１８】かかる方法で堆積された透明導電膜２は第
一の構成と同様の理由により，低抵抗かつ高透明度の透
明導電膜となり，また，下地との密着性に優れる。本構
成によれば，透明度と抵抗とに関する透明導電膜の所望
の特性を実現するための構造設計が容易になる。
一の構成と同様の理由により，低抵抗かつ高透明度の透
明導電膜となり，また，下地との密着性に優れる。本構
成によれば，透明度と抵抗とに関する透明導電膜の所望
の特性を実現するための構造設計が容易になる。
【００１９】
【実施例】本発明を，薄膜トランジスタを集積した液晶
表示装置のパネルに適用した例を参照して説明する。
表示装置のパネルに適用した例を参照して説明する。
【００２０】先ず，図１を参照して，ガラス基板１ｂ上
に必要な配線（図示していない。）を形成した後，絶縁
膜１ｂ，例えば窒化シリコン膜又はＳｉＯ2 膜を堆積し
て絶縁基板１とする。
に必要な配線（図示していない。）を形成した後，絶縁
膜１ｂ，例えば窒化シリコン膜又はＳｉＯ2 膜を堆積し
て絶縁基板１とする。
【００２１】次いで，ＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り，厚さが０．０１〜０．１μｍのＩＴＯ膜を下層２ａ
として堆積するこのスパッタは，チャンバへのＡｒと酸
素の流量比を５０：１，基板温度を室温から略２７０℃
としてすることができる。
り，厚さが０．０１〜０．１μｍのＩＴＯ膜を下層２ａ
として堆積するこのスパッタは，チャンバへのＡｒと酸
素の流量比を５０：１，基板温度を室温から略２７０℃
としてすることができる。
【００２２】次いで，チャンバへのＡｒと酸素の流量比
を１００：１〜１０００：１として厚さ０．０１〜０．
１μｍの上層２ｂを堆積する。かかる方法により，従来
の透明導電膜と同等の透明度を有し，シート抵抗が従来
の透明導電膜より低い透明導電膜が堆積された。
を１００：１〜１０００：１として厚さ０．０１〜０．
１μｍの上層２ｂを堆積する。かかる方法により，従来
の透明導電膜と同等の透明度を有し，シート抵抗が従来
の透明導電膜より低い透明導電膜が堆積された。
【００２３】次いで，通常の工程を経て透明電極を有す
る液晶パネルを製造する。
る液晶パネルを製造する。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば，透明度及び密着性の良
好なＩＴＯ膜を下層とし，その抵抗の高さを低抵抗の上
層により補償することができるので，全体として抵抗が
低く，透明度が高くかつ下地との密着性が良い透明導電
膜を堆積することができるので，液晶表示装置の性能向
上に寄与するところが大きい。
好なＩＴＯ膜を下層とし，その抵抗の高さを低抵抗の上
層により補償することができるので，全体として抵抗が
低く，透明度が高くかつ下地との密着性が良い透明導電
膜を堆積することができるので，液晶表示装置の性能向
上に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の実施例説明図
１ 絶縁基板 １ａ ガラス板 １ｂ 絶縁膜 ２ 透明導電膜 ２ａ 下層 ２ｂ 上層
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｒ及び酸素の混合ガス雰囲気中でする
スパッタ法により，絶縁基板（１）上にＩｎ2 Ｏ2 とＳ
ｎＯ2 との化合物からなる透明導電膜（２）を堆積する
透明導電膜の製造方法において，該透明導電膜（２）は
上層（２ｂ）及び下層（２ａ）の２層からなり，該透明
導電膜（２）の該上層（２ｂ）を堆積するときの該雰囲
気は，該透明導電膜（２）の該下層（２ａ）を堆積した
ときよりも酸素濃度が低いことを特徴とする透明導電膜
の製造方法。 - 【請求項２】 Ａｒ及び酸素の混合ガス雰囲気中でする
スパッタ法により，絶縁基板（１）上にＩｎ2 Ｏ2 とＳ
ｎＯ2 との化合物からなる透明導電膜（２）を堆積する
透明導電膜の製造方法において，該透明導電膜（２）を
堆積するときの該雰囲気の酸素濃度を，堆積当初から堆
積の進行とともに漸次低くすることを特徴とする透明導
電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243192A JPH05232488A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243192A JPH05232488A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232488A true JPH05232488A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12358769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243192A Withdrawn JPH05232488A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2238627A2 (en) * | 2008-02-04 | 2010-10-13 | LG Electronics Inc. | Solar cell having multiple transparent conductive layers and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP3243192A patent/JPH05232488A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2238627A2 (en) * | 2008-02-04 | 2010-10-13 | LG Electronics Inc. | Solar cell having multiple transparent conductive layers and manufacturing method thereof |
| JP2011511470A (ja) * | 2008-02-04 | 2011-04-07 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 多層透明導電層を備えた太陽電池及びその製造方法 |
| EP2238627A4 (en) * | 2008-02-04 | 2013-06-19 | Lg Electronics Inc | SOLAR CELL HAVING MULTIPLE TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE |
| US9209326B2 (en) | 2008-02-04 | 2015-12-08 | Lg Electronics Inc. | Solar cell having multiple transparent conductive layers and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |