JPH03234025A - 絶縁薄膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ概　要〕 アクティブマトリクス型表示装置等に使用する絶縁薄膜
の形成方法に関し、 良好な膜質を有し、しかも緻密で下地との密着性および
下地段差のカバレージの良好な絶縁薄膜をＡＬＥ法で形
成することを目的とし、種類の異なる複数種の原料ガス
雰囲気中に試料を交互に複数回曝す原子層エピタキシー
法で前記試料表面に化合物絶縁膜を形成する方法におい
て、前記原料ガス雰囲気が分子２ｉｔＳＲ域の圧力であ
る構成とし、更に、上記雰囲気が原料ガス１〜数１０ｍ
ｍＴｏｒｒの蒸気圧よりなることを特徴とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、絶縁薄膜の形成方法に関する。

アクティブマトリクス型液晶表示装置等の駆動に用いら
れる薄膜トランジスタマトリクスには、ゲート絶縁膜、
層間絶縁膜、或いはチャネル保護膜や外部からのイオン
の侵入を阻止するイオンバリアとしての保護膜、更には
、補助容量の電極間絶縁膜等、多くの絶縁薄膜が用いら
れている。

ゲート絶縁膜および層間絶縁膜は、表示装置の点欠陥や
線欠陥を無くすため、緻密で絶縁耐圧が高く、クランク
やピンホールがなく、且つ、下地との密着性が良く、更
に、下地に対する被覆性が良いこと等が、強く要求され
ている。

また動作半導体層の上層に配設された保護膜は、薄膜ト
ランジスタの特性劣化を防止するため、イオンバリア性
を有し、且つ、緻密でクランクやピンホールがなく、下
地との密着性の良いことが必要である。

このような要求は、単に液晶表示装置駆動用の薄膜トラ
ンジスタマトリクスだけでなく、各種電子デバイスに用
いられる絶縁薄膜に共通する問題である。

〔従来の技術〕

上記絶縁薄膜は、アモルファスシリコン（ａ　−３ｉ）
からなる動作半導体層を使用する液晶表示装置駆動用の
薄膜トランジスタマトリクスでは、通常プラズマ化学気
相成長（Ｐ−ＣＶＤ）法により成膜される。例えば、ゲ
ート絶縁膜を窒化シリコンあるいは窒化シリコンオキシ
ナイトライドを用いることにより、ゲート絶縁膜、動作
半導体層およびチャネル保護絶縁膜を、同一真空槽内で
真空を破ることなく連続的に成膜できる。

従って製造工程は簡単であると言う利点がある反面、絶
縁膜のピンホールを皆無とすることが難しいこと、下地
電極段差のステンブカハレージが充分でないこと、およ
び、ゲート絶縁膜の機械的強度が充分でない等の理由に
より、クラックが生じ易く、十分な絶縁耐圧あるいは絶
縁抵抗を得ることが困難な場合が多い。

このようにＰ−ＣＶＤ法では、緻密性５下地との密着性
およびステンブカバレージの点で、必ずしも満足し得る
縁薄薄膜が得られたとは言いがたかった。

近年に至り、上記Ｐ−ＣＶＤ法に変えて、特公昭５６−
３５１５８号、特公昭６０−２１９５５号にて、試料基
板を所定の原料ガス雰囲気に多数回曝すことにより、原
子層を各１層ずつ堆積する原子層エピタキシー（Ａ　Ｌ
　Ｅ　：　Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｅｐｉｔａｘｙ
　〕法が提唱されている。更に特開平１−１７９４２３
号にて金属アルコラードを用いたＡＬＥ法が、特開平１
−１４３２２１号にてシリコン元素を含む水素化合物あ
るいはそのラジカルを用いるＡＬＥ法等が提唱されてい
る。

例えば、上記特開平１−１７９４２３号公報では、試料
基板を金属アルコラード雰囲気に曝す工程を第１工程と
し、この第１工程に引き続いて試料基板を高周波放電に
曝されて分解・ラジカル化したＨ、Ｏ・ｏ２２層気体雰
囲気に曝す工程を第２工程とし、この２つの工程を１サ
イクルとし、複数サイクル繰り返すことにより、試料基
板上に金属酸化膜を形成する技術が開示されている。

上記ＡＬＥ法は、種類の異なる複数種の原料ガス雰囲気
中に、試料基板を複数サイクルにわたって繰り返し曝し
、所望の原子を含む吸着層を形成し、これに他の元素を
含むガスを反応させることにより、化合物膜を１層ずつ
堆積させて行く。

このＡＬＥ法で形成した膜は、緻密で下地との密着性が
良く、段差のカバレージも良好であると目された。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし上記従来のＡＬＥ法で化合物絶縁膜を形成する場
合は、すべて原料ガス雰囲気の圧力が１Ｔｏｒｒないし
数Ｔｏｒｒという比較的低真空の条件下で実施している
。

気相成長法では反応圧力が高真空になる程、飛来粒子の
直進性が増し、下地に段差が存在する場合には、平坦面
と比較して傾斜面の膜厚が薄くなる。そこで、下地表面
に凹凸がある場合には、段差のカバレージを良好なもの
とするため、成膜時の圧力条件を低真空として直進性を
減殺し、等方性成膜条件とするのが一般的である。

ＡＬＥ法をこのような条件の下で実施すると、原料ガス
分子の平均自由行程が短くなり、原料ガス流は粘性流と
なる。そのため、凝縮性の強い化合物の場合、原料ガス
分子同士が行程途中でぶつかり合ってクラスターを生じ
る。その中には数百モル以上の巨大クラスター分子も多
数含まれ、このクラスターが試料基板表面に付着する。

基板表面の凹凸が激しい場合や、異物粒子が付着してい
る場合、基板上でのクラスターの分解が進まず、膜中に
積層欠陥や異常成長核として残留し、得られた絶縁膜自
身に欠陥を有し、チャネル保護膜の場合には遮蔽性の低
下を引き起こす。

上記積層欠陥や異常成長核が存在すると、その部分は緻
密な膜とはならず、密着性や絶縁性も充分ではなく、更
にこれが段差部に生じた場合にはカバレージも良好なも
のとはならない。

このように従来のＡＬＥ法では、得られた絶縁膜の膜質
は必ずしも満足し得るほど良好なものとは言いがたい。

本発明は、良好な膜質を有し、しかも緻密で下地との密
着性および下地段差のカバレージの良好な絶縁薄膜をＡ
ＬＥ法で形成することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記問題を解消するため、種類の異なる複数種
の原料ガス流を分子流雰囲気とし、この分子流雰囲気中
に試料を交互に複数回曝す原子層デボジンラン法によっ
て、前記試料表面に化合物絶縁膜を形成する。

〔作　用］ 本発明は、従来の原子層エピタキシーの欠点である原料
ガス分子の凝縮による積層欠陥の発生を低減することを
目的として、種々検討した結果なされたものである。

即ち、ＡＬＥ法を実施する反応室内圧力を１０ｍｍＴｏ
ｒｒ以下の高真空とし、原料ガス流が分子流となる条件
として、原料ガス分子の平均自由行程を長くしたことに
より、原料分子同士の衝突が減少し、従って原料ガス流
中で巨大クラスター分子が発生しない。

従って、基板表面にクラスターが付着することはなく、
１回の処理で原料ガス分子が各１原子層ずつ吸着してい
き、積層欠陥や異常成長核が無く、緻密で下地との密着
性がよく、無欠陥・高絶縁性薄膜が形成できる。

しかも、上述したように原料ガス流が分子流を形成する
条件としたにもかかわらず、下地に段差があっても均一
な膜が形成され、下地段差のカバレージがきわめて良好
であった。

その理由は、恐らくは、ＡＬＥ法では基板表面に到達す
る原料分子がいくら多くても、１原子層以上は吸着しな
いので、吸着量の少ない傾斜面や段差エツジ部に１原子
層付着する条件にしておけば、平坦面は当然１原子層付
着することになるためと解される。

また、ＡＬＥ法でアルミナ膜を形成する際に、分子’ａ
’６ｉ域で実施すると、従来の形成温度より低温でも絶
縁性の高い膜が形成できることが確認されており、従来
のＡＬＥ法の常識をはるかに越える成膜が可能である。

なお、上記成膜法の名称としてＡＬＥ法という呼称が一
般化しているので、本明細書においてもこの名称を使用
するが、形成される膜は単結晶とはならないので、むし
ろ原子層デボジシゴン（ＡＬ　Ｄ　：　Ａｔｏｍｉｃ　
Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法と呼ぶのが妥
当である。

〔寞　施　例〕

以下本発明をアクティブマトリクス型液晶表示パネルに
実施した例により詳細に説明す、る。

まず、第１図、第２図および第３図により、薄膜トラン
ジスタマトリクス基板上における薄膜トランジスタのゲ
ート絶縁膜、ハスライン間の層間絶縁膜ならびに保護膜
を形成する例を説明する。

第１図は薄膜トランジスタマトリクス基板の一画素分を
拡大視した平面図、第２図および第３図は第１図の１−
■矢視部およびＩＶ−ＩＶ矢矢視部面面示す。なお、第
１図では第２図、第３図における保護膜を省略して示し
ている。

本実施例では第１図ないし第３図に示すように、例えば
ガラス基板１のような透明絶縁性基板上に、チタン（Ｔ
ｉ）膜ｉｉのような金属膜からなるゲート電極Ｇとゲー
トバスラインＣＢの下層膜を形成する。そして、ゲート
ハスラインの上層膜をアルミニウム（／ｌ）膜１２によ
って形成した後、これらゲート絶縁膜とゲートハスライ
ンをそれぞれ被覆するゲート絶縁膜２と層間絶縁膜８の
下層膜として、ＡＬＥ法でＡｌｚ　Ｏｘ　　（アルミナ
）薄膜２１を形成し、更にその上にＰ−ＣＶＤ法で窒化
シリコン（ＳｉＮ）膜２２を積層する。

ＡＬＥ法による八２□０３ｉ＠２１の形成には、本願発
明者らが特願昭６３−２２７１１８号で提唱したＡＬＥ
法による薄膜形成装置〔以下これを単にＡＬＥ装置と略
称する〕を用いることができる。

上記ＡＬＥ装置は第４図に示す如く、扇状の反応室３０
の中央部を、ガス導入口Ｎｃから導入した不活性ガスで
あるアルゴン（Ａｒ）ガスにより、Ａｒガスバリア３１
を形成しておく。このＡｒガスバリア３１を中心として
左右対称の位置に、組ずつ原料ガス導入口Ｎａ、Ｎｂを
配設し、扇の要の部分に排気用ターボ分子ポンプＶｐの
吸気口を配設しである。上記原料ガス導入口Ｎａ、Ｎｂ
から原料ガスを反応室３０内に流し、上記Ａｒガスバリ
ア３１の両側にｉ［形成領域３２．３３を形成する。

次に、このＡＬＥ装置を用いたＡ２□０．薄膜２１から
なるゲート絶縁膜２および層間絶縁膜８の形成方法を説
明する。なお、この実施例ではゲート絶縁膜と層間絶縁
膜とを同一工程で同時形成する例を示しているが、それ
ぞれ別工程により形成じてもよい。

被処理試料のガラス基板ｌは、２つの薄膜形成領域３２
．３３の間を移動できるような機構上に乗せておく、ま
ず、このガラス基板１を約３００℃に加熱し、ターボ分
子ポンプＶｐにより反応室３０内を約５Ｘ−’Ｔｏｒｒ
の真空度まで排気する。

次いで、オリフィス弁ＶＯを閉じてＡｒガスを約５ＱＱ
ｓｃｃｍ流し、室内圧力が約０．ＯＩＴ。

ｒｒになるように調節する。

次にオリフィス弁■１を開いてＡｒガスを流し、次に、
塩化アルミニウム容器を約１１０°Ｃに加熱して塩化ア
ルミニウム（ＡｆＣｊ！ユ）蒸気を発生させ、原料ガス
導入口Ｎａから塩化アルミニウム蒸気を薄膜形成領域３
２に送り込む。

次に水容器（図示せず）を約２０″Ｃに保温し、オリフ
ィス弁■２を開は水蒸気を流す。Ａｒガスの定常流によ
って作られたＡｒガスバリア３１に遮られて、原料ガス
の塩化アルミニウム蒸気と水蒸気は混合しない。この時
の反応室３０内の真空度は、凡そ０．０ＩＴｏｒｒに維
持しておく。

このようにして作られた定常流を乱さないような速度１
例えば往復３秒の周期で、移動機構を作動して、ガラス
基板ｌを薄膜形成領域３２と３３との間を往復させ、塩
化アルミニウム蒸気雰囲気と水蒸気雰囲気に交互に曝す
。この条件下での１往復では表面の一部だけに１原子層
のＡ２□０゜薄膜が形成され、全表面平均の膜厚として
は１層以下が成膜され、これを約６０００回繰り返して
、全表面にわたって凡そ４０００人の厚さの八２□０、
薄膜２１を形成する。

次いで、これの上にＰ−ＣＶＤ法により厚さ約２００人
の窒化シリコン薄膜２２を形成する。ＳｉＮ膜は次工程
でこの膜上に設けるａ−３ｉ層を正常に成長させると共
に、同一チャンハー内で形成することによって界面状態
を良くする。

本実施例ではこのようにして積層した／Ｍ！、０３薄膜
２１と窒化シリコン薄膜２２をもって、ゲート絶縁膜２
と層間絶縁膜８を構成する。なお層間絶縁膜８はゲート
絶縁膜２と別工程で形成する場合にはＡ　Ｉ！　ｚ　Ｏ
ｘ膜の単一層構造とすることができる。

このあとは通常の製造方法に従って進めてよい。

即ち、薄膜トランジスタの動作半導体層としてａ−３ｉ
層３を、Ｐ−ＣＶＤ法により連続的に成膜する。この膜
は層間絶縁膜８のＳｉＮ膜２膜上２上形成される。

次いで薄膜トランジスタのコンタクト層のｎ゛ａ　−３
ｉ＠４．　　Ｓ　ｉ　Ｏｚ膜よりなるチャネル保護膜６
を形成する。なお、チャネル保護膜６のＳｉＯ□膜は、
ゲートバスラインＣＢ上のａ−５ｉ層３表面にも形成さ
れる。ここで層間絶縁膜８が、Ａ１２ｏｔ薄膜２１．Ｓ
ｉＮ膜２２．ａ−３ｉ層３およびＳｉＯ□膜６によって
完成する。次いでＴｉ膜５のような金属膜を形成して、
ソース電極Ｓ８よびドレイン電極り、ドレインバスライ
ンＤＢを形成し、更に、ソース電極Ｓに接続されるＩＴ
ｏ膜からなる表示電極Ｅを形成する。最後に基板全面に
ＡＬＥ法によりＡ　ｌ　２０３膜の表面保護膜７を形成
して、本実施例による薄膜トランジスタマトリクス基板
が完成する。

なお、表面の保護膜形成工程においては、既に薄膜トラ
ンジスタが形成されているため、温度をあまり高（でき
ない。温度を上げすぎると、薄膜トランジスタの電圧−
電流特性が悪化し、立ち上がり電圧が大きくなる。従来
はこれを回避することを目的として、形成温度を低く抑
えてｐ−ｃｖＤ法でＳｉＮ膜やＳ　ｉ　Ｏｚ膜を成膜し
たが、膜の緻密性が悪く、素子の保護効果が不十分とな
る。

また、前述の特開平１−１７９４２３号のアルコラード
を原料としたＡＬＥ法は、薄膜を低温で形成することが
目的であるが、この方法によっても、低温形成した膜は
緻密性が悪く、充分な保護効果が得られたとは言いがた
い。

そこで本実施例においては、試料基板の加熱温度を約２
００°Ｃに設定して、前述のＡｚ、Ｏ，薄膜２１と同様
の製造方法により、Ａｌ１．Ｏ，薄膜７を形成する。即
ち試料基板を塩化アルミニウム蒸気雰囲気と水蒸気雰囲
気との間に凡そ６０００回往復させることにより、約４
０００人の厚さのＡ　１　ｚ　Ｏ：ｌ薄膜７を形成する
。

以」二のようにして本実施例により作製した薄膜トラン
ジスタマトリクス基板では、ゲート絶縁膜２、層間絶縁
膜８の下層のＡｆ、０３薄膜２１並びに表面保護膜７の
Ａ２□０．膜を、原料ガス流が分子流雰囲気を形成する
条件のＡＬＥ法により成膜したので、緻密で下地との密
着も良く、しかも下地段差のカバレージも良好で、高絶
縁性゛の膜を得ることができた。更に表面保護膜７の形
成温度を低く設定できるので、動作特性に変動のない安
定した薄膜トランジスタを得ることができた。

第５図は、上述したＡＬＥ装置を用いて薄膜を形成する
際の、反応室内圧力と膜の欠陥との関係を、原料ガス流
量に対するバリアガス流量をパラメータとして示す図で
ある。

同図に見られるように、反応室の真空度が高い程膜の欠
陥は減少する。これは、先に述べたように、原料ガス分
子の平均自由行程の大きさが、膜質に強く影響すること
を示す。因みに、反応室内圧力を０．０ＩＴｏｒｒとし
た場合には、室内圧力がＩＴｏ　ｒ　ｒとした場合より
、膜の欠陥数が凡そ３桁改善される。但し、室内圧力が
１　ｍｍＴ　。

ｒｒ以下では成膜レートが大きくなって実用的でなくな
る。従って、本実施例では１〜数１０ｍｍＴｏｒｒの範
囲の室内圧力が望ましい。

更に、原料ガス流量に対するバリアガス流量の比ｒが大
きいほど、膜の欠陥は減少する。これはバリアガス流量
が増大するほど、バリア効果が高まることから、二つの
原料ガスの混合を防止することの重要性を示すものであ
る。

次に本発明の他の実施例を、第６図、第７図および第８
図により説明する。本実施例は、本発明に係るＡＬＥ法
を用いて補助容量を作製する例で、第６図に補助容量を
具備するアクティブマトリクス型液晶表示装置の等価回
路を示し、これの薄膜トランジスタマトリクス基板を実
現するための構造を第７図（ａ）および（ロ）の要部断
面に示す。

アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示品質を向上
するのに、液晶セル容量と並列に補助容量を挿入するこ
とが有効である。

第６図の等価回路に示す方式は、液晶セルＬＣの表示電
極Ｅと、ゲートハスラインＣＢやドレインハスラインＤ
Ｂとは別に設けたアースラインＥＢの延長部とを、絶縁
膜を介して対向させて補助容量Ｃｓを構成した例である
。

補助容量Ｃｓの対向する二つの電極間を絶縁する絶縁膜
９として、第７図（ａ）はゲート絶縁膜２を用い、第７
図ら）はゲート絶縁膜２とは別に、専用の電極間絶縁膜
を形成している。

補助容量Ｃｓを設けるに際しては、大面積パネルに対応
できるようにするため、インターレース駆動が可能であ
ることが必要であり、このため補助容量Ｃｓの一方の電
極は独立に任意の電位Ｖｃに設定できることが要請され
ている。

第７図（ａ）、［有］）はいずれもインターレース駆動
は可能であり、アースラインＥＢの電位を独立に設定可
能であるが、画面サイズが大きくなると、（ａ）の構成
ではアースラインＥＢの抵抗を低くすることに限界があ
る。そこでこれを低抵抗化するためには、独立のアース
ラインを鋼目状に設置しくｂ）の構成を取らざるを得な
い。綱目状アースラインとするときは、第６図には明示
じていないが、表示領域内の多数箇所で隣接するアース
ライン間を接続し、その数だけゲートハスラインとの交
差箇所が増える。そのため、電極間絶縁を必要とする面
積が、（ｂ）では飛躍的に増大する。

また、（ｂｌの構成では、画素の開口率を確保するため
、アースラインＥＢは抵抗率の比較的高いＩＴＯ膜のよ
うな透明電極とする必要がある。ＩＴＯ膜は比較的抵抗
率が高いので、これを用いて低抵抗のラインを形成する
には、ＩＴＯ膜の膜厚を厚くせねばならない。

このような問題を有するので、補助容量の電極間を絶縁
する絶縁膜は、大きい段差を有する下地表面に対するカ
バレージが良好で、しかも欠陥のない緻密な絶縁性の高
い膜であることを要する。

本実施例はこのような要請を満足するものであって、補
助容量Ｃｓの電極間絶縁膜を、本発明に係るＡＬＥ法に
より形成する例である。本実施例においても、上記第４
図に示す薄膜形成装置を用いる。

まず、第８図（ａ）に示すように、ガラス基板１上にＩ
ＴＯ膜を用いて、アースラインＥＢを形成する。

次いで、基板温度約３００°ＣにてＡＬＥ法を実施して
、同図Φ）に示すように約４０００人の厚さのＡ／２．
０３薄膜９１を成膜する。この時の成膜条件は、前述の
実施例と全く同じでよい。

次いで同図（Ｃ）に示すように、厚さ約８００人のＴｉ
膜からなるゲート電極Ｇと、これに接続するゲートバス
ライン（図示せず）を形成し、更に、凡そ１００〜４０
０°Ｃの加熱酸素プラズマ処理を施す。

次いで、厚さ約１０００人のＳｉＯ□と厚さ約２０００
人のＳｉＮ膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。この
ゲート絶縁膜の５ｉＯｚ膜とＳｉＮ膜は、前記Ａｌｔｏ
ｓ膜９１上にも形成され、を種間絶縁膜９の一部の膜９
２となる。

次いで約１５０人の厚さのａ−３ｉ層（動作半導体層）
３．厚さ約１４００人のＳ　ｉＯ２膜またはＳｉＮ膜（
チャネル保護膜）６をＰ−ＣＶＤ法により連続的に成膜
し、更に、ｎ’ａ−Ｓｉ膜（コンタクト層）４．Ｔｉ膜
５からなるソース電極Ｓおよびドレイン電極り並びにＩ
ＴＯ膜からなる表示電極Ｅを形成して、同図（団に示す
如く、本実施例の薄膜トランジスタマトリクス基板が完
成する。

なお、上記加熱酸素プラズマ処理からチャネル保護膜と
しての５ｉｎｔ膜６の形成までの一連の工程は、ロード
ロツタ方式〇ＣＶＤ装置を用いれば、真空を破ることな
く連続的に実行できる。

以上のようにして得られた薄膜トランジスタマトリクス
は、アースラインＥＢを低抵抗化するため、その厚さを
厚くしても、電極間絶縁のためのＡｌ２Ｏ，薄膜９を、
ＡＬＥ法を分子流領域で実行することによって形成する
ので、アースラインＥＢに対するカバレージは充分満足
できるものとなり、しかもＡ２□ｏ３薄膜９は緻密で下
地との密着もよく、高い絶縁性を示す。そのため、電極
の積層構造が飛躍的に増大したにもかかわらず、電橋間
短絡のような欠陥は大幅に減少する。

従って、本実施例によれば、表示品質の良いインターレ
ース駆動可能な大画面のアクティブマトリクスを、高歩
留りで製造可能となる。

なお、本発明に係る絶縁薄膜の形成方法は、補助容量の
構造がどのようなものであっても、その電極間絶縁膜を
形成するのに用いることができる。

例えば第６図（ｂ）の構造では前述したＡＬＥ法による
ゲート絶縁膜２と共に同時形成できる。

以上述べたように本発明に係る絶縁薄膜の形成方法によ
り、薄膜トランジスタマトリクスの各種絶縁’ｉｊｌ膜
を形成することができ、得られた絶縁薄膜は、緻密で下
地との密着性が良く、ピンホールやクラックがなく、膜
質のよい絶縁膜となる。しかも本発明によれば比較的低
温で成膜できるので、それ以前に形成した膜の質を劣化
させることもない。

なお、以上の説明では本発明を逆スタガード型薄膜トラ
ンジスタマトリクスに適用した例を示したが、本発明を
スタガード型薄膜トランジスタマトリクスに通用しても
、同様の効果を得ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明した如く本発明の絶縁薄膜の形成方法によれば
、良好な膜質を有し、且つ、欠陥が少なく、しかも下地
に凹凸に対するカバレージの良好な絶縁膜を、比較的低
温で形成することができる。

この絶縁薄膜の形成方法は、薄膜トランジスタマトリク
スを構成する如何なる絶縁膜の形成工程にも用いること
が可能であり、本発明を用いることにより、薄膜トラン
ジスタマトリクス基板の耐圧特性２表示品質、信頼度お
よび製造歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明を薄膜マトリクス基板上の
薄膜トランジスタ、層間絶縁膜および表面保護膜に実施
した例の説明図、 第４図は薄膜形成装置の斜視図、 第５図は本発明の効果説明図、 第６図は補助容量付きアクティブマトリクス型液晶表示
装置の等価回路を示す図、 第７図は本発明の他の実施例に係る第６図の薄膜トラン
ジスタマトリクス基板の要部断面図、第８図は第７図（
ｂ）の実施例を工程の順に説明する図である。 図において、 ■は透明絶縁性基板（ガラス基板）、 ２はゲート絶縁膜、 ３は動作半導体層（ａ−３ｉ層）、 ４はコンタクト層（ｎ”ａ−５ｉ層）、５は金属膜（Ｔ
ｉ膜）、 ６はチャネル保護膜（ＳｉＯ□膜）、 ７は表面保護膜（ＳｉＯ□膜）、 ８は層間絶縁膜、 ９は電極間絶縁膜（ＡｆｚＯｉ薄膜）、２１ばＡｌｔｏ
ｓ薄膜（ＡＬＥ法で形成した薄膜）、 ２２はＳｉＮ膜（１”ＣＶＤ法テ形成シタ膜）、３０は
反応室、 ３１はＡｒガスバリア、 ３２．３３は薄膜形成領域、 ９１はＡ２□０．薄膜（ＡＬＥ法で形成した薄膜）、 Ｇはゲート電極、 Ｅは表示電極、 ＣＢはゲートバスライン、 ＤＢはドレ“インパスライン、 ＥＢはアースラインを示す。 ４霞ら呵寅プを召４４ｊ１頂トフンシ゛Ｚタマトｑ２ス
耘。平面Ｗ第１図 ８；層！’ｌｉＭ＆編 １＋ｍ　ＩＶ−ｘＶ球１ｆｒＭＪ 第３図 萼Ｔ国内ｒ−ｘｙｓ慢Ｊ輸国 第２閃 簿績形残襞１−斜４ＨＪ 第４図 半発明（Ｈ果討朔図 ＃ｈ”）＞＞”Ｚ；’７１−’）７スＩＪ反ｒｔｒｑｌ
’ｒｔＪＵゴ第７図 了７云イア’　７１−ソ７スｑ液晶表末装置。専埴す回
路ｌ６Ｗｉ 籐 麿

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）種類の異なる複数種の原料ガス雰囲気中に試料を
   交互に複数回曝す原子層エピタキシー法で前記試料表面
   に化合物絶縁膜を形成する方法において、前記原料ガス
   雰囲気が分子流領域の圧力であることを特徴とする絶縁
   薄膜の形成方法。
2. （２）上記雰囲気が原料ガス１〜数１０ｍｍＴｏｒｒの
   蒸気圧よりなることを特徴とする請求項１記載の絶縁薄
   膜の形成方法。
3. （３）前記試料が基板上に予めゲート電極を形成した薄
   膜トランジスタであり、前記化合物絶縁膜が該ゲート電
   極上のゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１記
   載の絶縁薄膜の形成方法。
4. （４）前記試料が基板上に予めゲートバスラインを形成
   した薄膜トランジスタマトリクス基板であり、前記化合
   物絶縁膜が該ゲートバスライン上に形成するドレインバ
   スラインとの層間絶縁膜であることを特徴とする請求項
   １記載の絶縁薄膜の形成方法。
5. （５）前記試料が基板上に予め形成した薄膜トランジス
   タであり、前記化合物絶縁膜が該トランジスタの少なく
   ともチャネル上層部を被覆する保護膜であることを特徴
   とする請求項１記載の絶縁薄膜の形成方法。
6. （６）前記試料が補助容量付き薄膜トランジスタマトリ
   クス基板であり、前記化合物絶縁物が補助容量を構成す
   る電極間絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載の
   絶縁薄膜の形成方法。