JPH0521864Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は半導体PR工程において、半導体ウエ
ハ（以下ウエハと略す）にスピンナー法によつて
レジスト膜を形成する装置に関し、特にレジスト
塗布部の構造に関する。

［従来の技術］ 従来、この種のレジスト塗布装置は、排気口を
有するスピンナーカツプの上部がスピンナーカツ
プカバーにて覆われそのスピンナーカツプカバー
の開口部中心にウエハチヤツクおよびレジスト滴
下用のノズルが設置される。さらにウエハチヤツ
クはモーターの軸に接続されて、ウエハを真空吸
着しながら回転する。

ウエハはウエハチヤツクのステージに載せら
れ、真空吸着される。

次にレジストがウエハに滴下され、その後、ウ
エハチヤツクが回転しウエハ上のレジストがウエ
ハ上面全体に拡がり、レジスト膜が形成される。

［考案が解決しようとする問題点］ 上述した従来のレジスト塗布装置は、ウエハチ
ヤツクの回転によりレジストが拡がる際に、飛散
するレジストのミストをスピンナーカツプの排気
口による排気力のみで排出する構造となつている
ので、完全にはレジストのミストを排出できず、
スピンナーカツプおよびカバーの内壁からレジス
トのミストが跳ね返り、ウエハの上面および裏面
に付着し、レジスト膜が不均一となり露光工程時
にピンホール、アライメント不良を発生させると
いう欠点がある。

また、特開昭57−71666号公報には、ウエハの
上方から側方に向けてガス流を形成する構成のも
のが開示されている。しかしながら、飛散ミスト
の振舞いは、特開昭57−71666号公報に開示され
たように上方から側方へのガス流にのつて、排気
口に流出するといつたような単純なものではな
く、実際には、ミストが廻り込んでウエハの裏面
に付着するという問題がある。このことがアライ
メント不良等の原因となる。

本考案の目的は前記問題点を解消し、レジスト
膜の均一化を図り、しかもピンホール、アライメ
ント不良等の発生を防止するレジスト塗布装置を
提供することにある。

［考案の従来技術に対する相違点］ 上述した従来のレジスト塗布装置に対し、本考
案はウエハチヤツク回転時、ウエハの上部からチ
ツ素ガスをウエハの外周部にブローと、ウエハか
ら飛散するレジストのミストを強制的に排気口へ
排出し、さらに、ウエハチヤツクの下部からチツ
素ガスを導入し、ウエハ裏面に吹き付けることに
よつて、ウエハ裏面の周辺部に外周方向へチツ素
ガスの流れを作り、レジストのミストのウエハ裏
面への付着を防止するという独創的内容を有す
る。

［問題点を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本考案に係るレジス
ト塗布装置は、ガス導入口の対と、ガス分散板
と、整流板と、排気口とを有し、スピナーカツプ
内でウエハチヤツク上のウエハにレジストを滴下
させた後に、ウエハチヤツクの回転によりウエハ
に遠心力を与え、レジストを塗布するレジスト塗
布装置であつて、 対をなす一方のガス導入口は、ウエハチヤツク
の上方に下向きに設置され、他方のガス導入口
は、ウエハチヤツクの下方に上向きに設置され、
上方のガス導入口からのガス流と下方のガス導入
口からのガス流との圧力比は、ウエハ周辺部での
ブローに対応して調整されているものであり、 ガス分散板は、ウエハチヤツク上方のガス導入
口からのガス流をウエハチヤツク上のウエハ周辺
部に案内誘導するものであり、 整流板は、ウエハチヤツク下方のガス導入口か
らのガスをウエハチヤツク上のウエハ裏面に沿つ
て外周方向に向かうガス流に形成するものであ
り、 排気口は、スピナーカツプの下部に設けられ、
ガス導入口からのガス流によりブローされたレジ
ストミストをスピナーカツプ外に強制排気するも
のである。

［実施例］ 次に本考案について図面を参照して説明する。

（実施例 １） 第１図は本考案の第１の実施例を示す図であ
る。第２図はスピナーカツプカバーの平面図であ
る。

第１図および第２図において、１はスピナーカ
ツプカバーであり、該スピナーカツプカバー１は
位置調整可能なチツ素ガス分散板２と第１チツ素
ガス導入口３、およびチツ素ガス分散板２（第２
図）の位置調整用長穴４を有するスピナーカツプ
カバーである。５はチツ素ガス分散板２をスピナ
ーカツプカバー１に固定する支持具で、ナツト６
により固定される。７はレジストの蒸気およびミ
ストを排気する排気口８と第２チツ素ガス導入口
９および第１整流板１０を有するスピンナーカツ
プである。１１は、スピンナーカツプ７へ送るチ
ツ素ガスの圧力を制御するレギユレータである。
１２はウエハチヤツクで、スピンナーカツプ７の
中心に設置してある。１３はレジスト滴下用のノ
ズルで、スピンナーカツプ７の側面から導入さ
れ、ノズル１３の先端はウエハチヤツク１２の中
心の上部に位置する。１４はモーターで、ウエハ
チヤツク１２に接続されている。１５は電源、１
６はスイツチである。１７は第１チツ素ガス導入
口３および第２チツ素ガス導入口９へのチツ素ガ
ス導入をオン・オフする電磁弁であり、IN側は
チツ素ガス供給部に接続されている。スイツチ１
６はモーター１４および電磁弁１７の起動スイツ
チとなつている。１８はウエハの真空吸着配管、
１９はウエハであり、ウエハ１９は真空吸着配管
１８によつてウエハチヤツク１２に吸着される。

レジスト塗布作業において、まずウエハ１９は
ウエハチヤツク１２に載せられ、真空吸着配管１
８によつて吸着される。次にレジスト滴下用のノ
ズル１３によりウエハ１９上にレジストが滴下さ
れる。ここで、スイツチ１６を投入することによ
つてモーター１４が動作し、ウエハチヤツク１２
が回転する。同時に電磁弁１７が開放し、チツ素
ガスがスピンナーカツプカバー１の第１チツ素ガ
ス導入口３よりスピンナーカツプ７内に導入され
る。このチツ素ガスは、チツ素ガス分散板２によ
つてウエハ１９の周辺部にブローされる。

このチツ素ガスブローの位置はウエハ１９の径
により変化させなければならないが、本実施例で
はナツト６をゆるめチツ素ガス分散板２の支持具
５を長穴４内で移動させることによつて、チツ素
ガス分散板２とウエハ１９の間隔を調整し、ブロ
ーの位置を変化させている。

排気口８からは常時排気がなされ、ウエハ１９
上から飛散するレジストのミストは、第１整流板
１０に整流されてチツ素ガスとともに排気口８か
ら強制的に排出される。また、スピンナーカツプ
７の第２チツ素ガス導入口９からもチツ素ガスが
導入され、第１整流板１０によつてウエハ１９の
裏面にブローされる。このチツ素ガスブローによ
つてウエハ１９の裏面に付着しようとするレジス
トのミストを除去している。このときのチツ素ガ
ス圧力は、レギユレータ１１によつて、スピンナ
ーカツプカバー１から導入されるチツ素ガス圧力
より低くし、ウエハ１９の周辺部にブローされる
チツ素ガスの流れを妨げないようにしている。

レジスト膜形成後、スイツチ１６を切り、モー
ター１４を停止させる。同時に電磁弁１７が閉じ
られチツ素ガスの導入も停止される。

（実施例 ２） 第３図は本考案の第２の実施例を示す図であ
る。２０はスピンナーカツプカバー１の外周に設
置した円形のチツ素ガスブロー開口部で、２１は
第３チツ素ガス導入口、２２は第２整流板であ
る。この実施例では、円形のチツ素ガスブロー開
口部２０からブローされるチツ素ガスを、第２整
流板２２によつてスピンナーカツプ７の内壁とほ
ぼ平行にブローしている。したがつて、ウエハチ
ヤツク１２の回転初期に飛散する質量の大きいレ
ジストのかたまりであつても、スピンナーカツプ
７の内壁に付着させることなく排出可能であり、
かつ、チツ素ガス分散板２によつてブローされる
チツ素ガスによつてウエハ周辺部のレジストのミ
ストが素速く排気される。以上により実施例２で
は、スピンナーカツプ７の内壁へのレジスト付着
を防止でき、スピンナーカツプ７内を清浄に保つ
ことができるという利点がある。

第２の実施例において、チツ素ガスブロー開口
部２０の第３チツ素ガス導入口２１から導入され
るものは、気体に限つたものではなく、液体でも
良い。

（実施例 ３） 第４図は本考案の第３の実施例を示す図であ
る。

２３はキシレン、２４はその容器、２５はキシ
レン２３を容器２４から第３チツ素ガス導入口２
１を通してチツ素ガスブロー開口部２０に送るポ
ンプであり、スイツチ１６の投入により動作す
る。

この実施例では第２の実施例においてスピンナ
ーカツプ７の内壁付近をブローするチツ素ガスの
代りに、レジストを溶かすキシレン２３をポンプ
２５によつて流すため、第２実施例におけるスピ
ンナーカツプ７内を清浄に保つ効果がより高めら
れるという利点がある。

［考案の効果］ 以上説明したように本考案は、ウエハを回転さ
せてレジスト膜を形成する際、ウエハ上部からウ
エハの外周部にチツ素ガスブローを行い、レジス
トのミストを強制的に排気口から排出し、かつ、
ウエハ裏面にもチツ素ガスをブローすることによ
つて、スピンナーカツプ内壁から跳ね返つて生じ
るウエハ表面およびウエハ裏面へのレジストのミ
スト付着を防止することができる。さらにウエハ
裏面側でのガス圧力を、ウエハ表面側でのレジス
トミスト除去に必要なガス流に影響を与えないよ
うに調整しているため、ウエハ周辺部でのガス流
の流れを妨げることがなく、レジストミストを確
実に排出口に排気する個とができる。したがつ
て、レジスト膜を均一に形成でき、かつ露光工程
でのピンホールおよびアライメント不良がなくな
るため、歩留りを向上できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の第１の実施例を示す構成図、
第２図はスピンナーカツプカバーを示す平面図、
第３図ａは本考案の第２の実施例を示す構成図、
第３図ｂはチツ素ガスブロー開口部を示す平面
図、第４図は本考案の第３の実施例を示す構成図
である。 １……スピンナーカツプカバー、２……チツ素
ガス分散板、３……第１チツ素ガス導入口、４…
…長穴、５……チツ素ガス分散板の支持具、６…
…ナツト、７……スピンナーカツプ、８……排気
口、９……第２チツ素ガス導入口、１０……第１
整流板、１１……レギユレータ、１２……ウエハ
チヤツク、１３……ノズル、１４……モーター、
１５……電源、１６……スイツチ、１７……電磁
弁、１８……真空吸着配管、１９……ウエハ、２
０……チツ素ガスブロー開口部、２１……第３チ
ツ素ガス導入口、２２……第２整流板、２３……
キシレン、２４……容器、２５……ポンプ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ガス導入口の対と、ガス分散板と、整流板と、
   排気口とを有し、スピナーカツプ内でウエハチヤ
   ツク上のウエハにレジストを滴下させた後に、ウ
   エハチヤツクの回転によりウエハに遠心力を与
   え、レジストを塗布するレジスト塗布装置であつ
   て、 対をなす一方のガス導入口は、ウエハチヤツク
   の上方に下向きに設置され、他方のガス導入口
   は、ウエハチヤツクの下方に上向きに設置され、
   上方のガス導入口からのガス流と下方のガス導入
   口からのガス流との圧力比は、ウエハ周辺部での
   ブローに対応して調整されているものであり、 ガス分散板は、ウエハチヤツク上方のガス導入
   口からのガス流をウエハチヤツク上のウエハ周辺
   部に案内誘導するものであり、 整流板は、ウエハチヤツク下方のガス導入口か
   らのガスをウエハチヤツク上のウエハ裏面に沿つ
   て外周方向に向かうガス流に形成するものであ
   り、 排気口は、スピナーカツプの下部に設けられ、
   ガス導入口からのガス流によりブローされたレジ
   ストミストをスピナーカツプ外に強制排気するも
   のであることを特徴とするレジスト塗布装置。