JPH05217713A - 抵抗体 - Google Patents
抵抗体Info
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- JPH05217713A JPH05217713A JP4056645A JP5664592A JPH05217713A JP H05217713 A JPH05217713 A JP H05217713A JP 4056645 A JP4056645 A JP 4056645A JP 5664592 A JP5664592 A JP 5664592A JP H05217713 A JPH05217713 A JP H05217713A
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- resistor
- resistance
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値の変化による特性のばらつきを防止で
き、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できるととも
に、電力容量を大きくできるようにした抵抗体を提供す
る。 【構成】 セラミクス焼結体３の内部に少なくとも１つ
の抵抗膜４を埋設して抵抗体１を構成し、かつ上記焼結
体３を、ＺｎＯを主成分とし、これに副成分としてＢ
ｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのうち１つ以上の元素を含有するセ
ラミクス材料で構成する。また、上記副成分の添加量を
0.5 〜20mol ％とする。さらに、上記焼結体３を、複数
のセラミクスシート２をこれの間に上記抵抗膜４を介在
させて積層し、該積層体を抵抗膜４とともに一体焼結し
て形成する。
き、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できるととも
に、電力容量を大きくできるようにした抵抗体を提供す
る。 【構成】 セラミクス焼結体３の内部に少なくとも１つ
の抵抗膜４を埋設して抵抗体１を構成し、かつ上記焼結
体３を、ＺｎＯを主成分とし、これに副成分としてＢ
ｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのうち１つ以上の元素を含有するセ
ラミクス材料で構成する。また、上記副成分の添加量を
0.5 〜20mol ％とする。さらに、上記焼結体３を、複数
のセラミクスシート２をこれの間に上記抵抗膜４を介在
させて積層し、該積層体を抵抗膜４とともに一体焼結し
て形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特性のばらつきを防止
でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できるととも
に、電力容量を大きくできるようにした抵抗体に関す
る。
でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できるととも
に、電力容量を大きくできるようにした抵抗体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、サーメット抵抗体は精度の優
れた抵抗素子として広く知られている。このような抵抗
体は、例えばアルミナ基板の表面に、Ｒｕ酸化物，又は
Ｒｕ化合物からなる抵抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗
膜を形成し、これを800 〜900℃で焼き付ける。そして
上記アルミナ基板の抵抗膜の表面にガラスペーストを塗
布した後、焼き付けてガラス膜を形成し、これにより湿
度等に対する耐環境性を向上するようにしている。
れた抵抗素子として広く知られている。このような抵抗
体は、例えばアルミナ基板の表面に、Ｒｕ酸化物，又は
Ｒｕ化合物からなる抵抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗
膜を形成し、これを800 〜900℃で焼き付ける。そして
上記アルミナ基板の抵抗膜の表面にガラスペーストを塗
布した後、焼き付けてガラス膜を形成し、これにより湿
度等に対する耐環境性を向上するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜をコーティングする
ことから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生じ易
いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホールが
生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中では水
分等が侵入して抵抗特性を悪化させるという問題もあ
る。さらに上記従来の抵抗体では、アルミナ基板，抵抗
膜，及びガラス膜の熱膨張率がそれぞれ異なることか
ら、抵抗膜の基板への密着性が低く、その結果大きな電
力容量が得られず、100mW 程度が限度であった。
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜をコーティングする
ことから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生じ易
いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホールが
生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中では水
分等が侵入して抵抗特性を悪化させるという問題もあ
る。さらに上記従来の抵抗体では、アルミナ基板，抵抗
膜，及びガラス膜の熱膨張率がそれぞれ異なることか
ら、抵抗膜の基板への密着性が低く、その結果大きな電
力容量が得られず、100mW 程度が限度であった。
【０００４】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、抵抗値の変化を防止して特性のばらつきを回
避でき、かつ湿度に対する耐環境性を向上できるととも
に、大きな電力容量が得られる抵抗体を提供することを
目的としている。
たもので、抵抗値の変化を防止して特性のばらつきを回
避でき、かつ湿度に対する耐環境性を向上できるととも
に、大きな電力容量が得られる抵抗体を提供することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで請求項１の発明
は、セラミクス焼結体の内部に少なくとも１つの抵抗膜
を埋設してなり、かつ上記焼結体がＺｎＯを主成分と
し、これに副成分としてＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのうち１
つ以上の元素を含んでいることを特徴としている。ま
た、請求項２の発明は、上記Ｂｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのう
ち１つ以上の元素を合計で0.5 〜20mol ％含有したこと
を特徴とし、請求項３は、上記セラミクス焼結体が、複
数のセラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在さ
せて積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結したも
のであることを特徴としている。
は、セラミクス焼結体の内部に少なくとも１つの抵抗膜
を埋設してなり、かつ上記焼結体がＺｎＯを主成分と
し、これに副成分としてＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのうち１
つ以上の元素を含んでいることを特徴としている。ま
た、請求項２の発明は、上記Ｂｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのう
ち１つ以上の元素を合計で0.5 〜20mol ％含有したこと
を特徴とし、請求項３は、上記セラミクス焼結体が、複
数のセラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在さ
せて積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結したも
のであることを特徴としている。
【０００６】ここで、副成分の添加量は0.5 〜20mol ％
とするのが望ましい。これは、添加量を0.5 mol ％未満
にすると焼結が進まず、抵抗素子として使用できなくな
る場合があり、また20mol ％を越えるとセラミクス焼結
体と抵抗膜とが反応し易く、その結果抵抗値のばらつき
が大きくなったり，電力容量が低下する場合があるから
である。また、上記副成分には、通常のＺｎＯ系セラミ
クスに用いられるＳｂ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ
等が含まれていても良い。
とするのが望ましい。これは、添加量を0.5 mol ％未満
にすると焼結が進まず、抵抗素子として使用できなくな
る場合があり、また20mol ％を越えるとセラミクス焼結
体と抵抗膜とが反応し易く、その結果抵抗値のばらつき
が大きくなったり，電力容量が低下する場合があるから
である。また、上記副成分には、通常のＺｎＯ系セラミ
クスに用いられるＳｂ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ
等が含まれていても良い。
【０００７】
【作用】本発明に係る抵抗体によれば、焼結体の内部に
抵抗膜を埋設し、該抵抗膜の周囲をセラミクスで覆った
ので、従来のガラスコーティングを不要にでき、それだ
け抵抗値の変化による特性のばらつきを回避できる。ま
たピンホールの問題も解消できることから、湿度等に対
する耐環境性を改善でき、この点からも抵抗特性の悪化
を回避できる。さらに、ＺｎＯを主成分とし、これに焼
結を低温化するＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉを所定量添加した
ので、これにより抵抗膜と焼結体との密着性を向上で
き、しかも抵抗膜の周囲は同一の焼結体で囲まれること
から、放熱性を向上でき、かつ熱膨張率の差による歪も
少なくでき、それだけ大きな電力容量を得ることができ
る。
抵抗膜を埋設し、該抵抗膜の周囲をセラミクスで覆った
ので、従来のガラスコーティングを不要にでき、それだ
け抵抗値の変化による特性のばらつきを回避できる。ま
たピンホールの問題も解消できることから、湿度等に対
する耐環境性を改善でき、この点からも抵抗特性の悪化
を回避できる。さらに、ＺｎＯを主成分とし、これに焼
結を低温化するＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉを所定量添加した
ので、これにより抵抗膜と焼結体との密着性を向上で
き、しかも抵抗膜の周囲は同一の焼結体で囲まれること
から、放熱性を向上でき、かつ熱膨張率の差による歪も
少なくでき、それだけ大きな電力容量を得ることができ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、１は本実施例のサ
ーメット抵抗体である。この抵抗体１は略直方体状のセ
ラミクス焼結体３の内部にＲｕ酸化物，又はその化合物
からなる抵抗膜４を埋設した構造のものである。上記抵
抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂは上記焼結体３の左, 右
側面３ａ，３ｂに露出しており、他の端面は焼結体３内
に封入されている。また、上記焼結体３の左, 右側面３
ａ，３ｂにはＡｇ−Ｐｄからなる外部電極５が被覆形成
されており、該外部電極５は上記抵抗膜４の各端面４
ａ，４ｂに接続されている。
る。図１及び図２は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、１は本実施例のサ
ーメット抵抗体である。この抵抗体１は略直方体状のセ
ラミクス焼結体３の内部にＲｕ酸化物，又はその化合物
からなる抵抗膜４を埋設した構造のものである。上記抵
抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂは上記焼結体３の左, 右
側面３ａ，３ｂに露出しており、他の端面は焼結体３内
に封入されている。また、上記焼結体３の左, 右側面３
ａ，３ｂにはＡｇ−Ｐｄからなる外部電極５が被覆形成
されており、該外部電極５は上記抵抗膜４の各端面４
ａ，４ｂに接続されている。
【０００９】また、上記焼結体３は、ＺｎＯを主成分と
し、これに副成分としてＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのうち１
つ以上の元素を0.5 〜20mol ％添加してなる複数のセラ
ミクスシート２を積層して積層体を形成し、該積層体を
一体焼結して形成されたものである。そしてこの場合
に、厚さ方向中央に位置する１枚のセラミクスシート２
の上面に上記抵抗膜４をパターン形成し、この抵抗膜４
が形成されたセラミクスシート２に残りのセラミクスシ
ート２をサンドイッチ状に重ね合わせている。
し、これに副成分としてＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉのうち１
つ以上の元素を0.5 〜20mol ％添加してなる複数のセラ
ミクスシート２を積層して積層体を形成し、該積層体を
一体焼結して形成されたものである。そしてこの場合
に、厚さ方向中央に位置する１枚のセラミクスシート２
の上面に上記抵抗膜４をパターン形成し、この抵抗膜４
が形成されたセラミクスシート２に残りのセラミクスシ
ート２をサンドイッチ状に重ね合わせている。
【００１０】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例の抵抗体１によれば、焼結体３内に抵抗膜
４を埋設したので、この抵抗膜４の周囲はセラミクスで
覆われていることから、従来のガラスコーティングを不
要にでき、それだけ抵抗値の変化による特性のばらつき
を回避できる。またピンホールの問題も解消できること
から、湿度等に対する耐環境性を改善でき、抵抗特性の
悪化を回避できる。
る。本実施例の抵抗体１によれば、焼結体３内に抵抗膜
４を埋設したので、この抵抗膜４の周囲はセラミクスで
覆われていることから、従来のガラスコーティングを不
要にでき、それだけ抵抗値の変化による特性のばらつき
を回避できる。またピンホールの問題も解消できること
から、湿度等に対する耐環境性を改善でき、抵抗特性の
悪化を回避できる。
【００１１】また、上記焼結体３に、ＺｎＯを主成分と
し、これにＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉを0.5 〜20mol ％添加
してなるセラミクス材料を採用したので、焼結温度を低
温化でき、これにより得られた抵抗膜４は焼結体３との
密着性が良く、しかも抵抗膜４の周囲は上記セラミクス
材料で囲まれていることから、放熱性を向上でき、かつ
熱膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ電力容量
を向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では100mW 程
度であったのに対して、本実施例の抵抗体では、従来素
子の体積に比較して小型化を図りながら10倍以上の電力
容量が得られる。
し、これにＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉを0.5 〜20mol ％添加
してなるセラミクス材料を採用したので、焼結温度を低
温化でき、これにより得られた抵抗膜４は焼結体３との
密着性が良く、しかも抵抗膜４の周囲は上記セラミクス
材料で囲まれていることから、放熱性を向上でき、かつ
熱膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ電力容量
を向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では100mW 程
度であったのに対して、本実施例の抵抗体では、従来素
子の体積に比較して小型化を図りながら10倍以上の電力
容量が得られる。
【００１２】さらに、本実施例では、従来のガラスペー
ストを塗布した後、焼き付ける工程を不要にできること
から、その分だけ製造コストを低減できる。さらにまた
抵抗膜の積層化が可能となることから、同一パターン，
同一工程で抵抗値の異なる各種の抵抗膜を自由に設定で
きる。
ストを塗布した後、焼き付ける工程を不要にできること
から、その分だけ製造コストを低減できる。さらにまた
抵抗膜の積層化が可能となることから、同一パターン，
同一工程で抵抗値の異なる各種の抵抗膜を自由に設定で
きる。
【００１３】次に本実施例の抵抗体１の一製造方法につ
いて説明する。まず、ＺｎＯを主成分とし、これにＢ
ｉ，Ｐｂ，Ｂ，ＳｉをそれぞれＢｉ2 Ｏ3 ，Ｐｂ
2 Ｏ3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 酸化物として、これらの添
加量が0.5 〜20mol ％となるよう配合してセラミクス粉
末を形成する。この粉末に純水を加えてボールミルで粉
砕混合してスラリーを形成する。
いて説明する。まず、ＺｎＯを主成分とし、これにＢ
ｉ，Ｐｂ，Ｂ，ＳｉをそれぞれＢｉ2 Ｏ3 ，Ｐｂ
2 Ｏ3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 酸化物として、これらの添
加量が0.5 〜20mol ％となるよう配合してセラミクス粉
末を形成する。この粉末に純水を加えてボールミルで粉
砕混合してスラリーを形成する。
【００１４】次に、上記スラリーを蒸発乾燥させて、75
0 ℃で２時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを６：４の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
0 ℃で２時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを６：４の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
【００１５】上記スラリーをドクタブレード法により、
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート２を多数枚形成する。
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート２を多数枚形成する。
【００１６】次に、ＲｕＯ2 ：Ｒｕ2 Ｐｂ2 Ｏ7 ：Ｒｕ
2 Ｂｉ2 Ｏ7 ＝６：２：２mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクルおよびガラスを加えて抵抗ペーストを形成
する。この抵抗ペーストを上記１枚のセラミクスシート
２の上面に印刷して抵抗膜４を形成する。次いで、上記
抵抗膜４が形成されたセラミクスシート２の上面，及び
下面に複数枚のセラミクスシート２を重ね合わせて積層
し、これに２t/cm2 の圧力を加えて圧着し、これにより
積層体を形成する。
2 Ｂｉ2 Ｏ7 ＝６：２：２mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクルおよびガラスを加えて抵抗ペーストを形成
する。この抵抗ペーストを上記１枚のセラミクスシート
２の上面に印刷して抵抗膜４を形成する。次いで、上記
抵抗膜４が形成されたセラミクスシート２の上面，及び
下面に複数枚のセラミクスシート２を重ね合わせて積層
し、これに２t/cm2 の圧力を加えて圧着し、これにより
積層体を形成する。
【００１７】次に、上記積層体を所定の大きさにカット
し、これを400 ℃に加熱してバインダーを飛散させた
後、930 ℃に昇温加熱して３時間焼成して焼結体３を形
成する。これにより得られた焼結体３をバレル研磨した
後、これの左, 右側面３ａ，３ｂにＡｇ：Ｐｄ＝７：３
wt比からなる電極ペーストを塗布し、これを850 ℃で10
分間焼き付けて外部電極５を形成し、該外部電極５と抵
抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂとを電気的に接続する。
これにより本実施例の抵抗体１が製造される。
し、これを400 ℃に加熱してバインダーを飛散させた
後、930 ℃に昇温加熱して３時間焼成して焼結体３を形
成する。これにより得られた焼結体３をバレル研磨した
後、これの左, 右側面３ａ，３ｂにＡｇ：Ｐｄ＝７：３
wt比からなる電極ペーストを塗布し、これを850 ℃で10
分間焼き付けて外部電極５を形成し、該外部電極５と抵
抗膜４の左, 右端面４ａ，４ｂとを電気的に接続する。
これにより本実施例の抵抗体１が製造される。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に本実施例の抵抗体１の効果を確認する
ために行った試験について説明する。この試験は、表１
に示すように、副成分の添加量を0.1 〜40mol ％の範囲
で変化させて上記製造方法により多数の試料No. １〜N
o. ５５を作成し、この各試料の抵抗値（Ω），３ＣＶ
（３σ／平均×100 ％σは標準偏差) ，及び電力容量
（mW) を測定して行った（表中、＊印は本発明の請求範
囲外を示す）。
ために行った試験について説明する。この試験は、表１
に示すように、副成分の添加量を0.1 〜40mol ％の範囲
で変化させて上記製造方法により多数の試料No. １〜N
o. ５５を作成し、この各試料の抵抗値（Ω），３ＣＶ
（３σ／平均×100 ％σは標準偏差) ，及び電力容量
（mW) を測定して行った（表中、＊印は本発明の請求範
囲外を示す）。
【００２０】
【表２】
【００２１】表２はその結果を示す。同表からも明らか
なように、副成分の添加量が0.5mol％未満の各試料No.
１，９，１７，２５，の場合は、セラミクスの焼結が進
んでおらず抵抗体として使用できない。また、上記添加
量が20mol ％を越える各試料No. ７，８，１５，１６，
２３，２４，３１，３２，５２〜５５の場合は、抵抗値
にばらつきが生じ、しかも電力容量は96〜410mW と低
い。これに対して添加量を0.5 〜20mol ％範囲内とした
各試料No. ２〜６，１０〜１４，１８〜２２，２６〜３
０，３３〜５１の場合は、抵抗値のばらつきが小さく、
しかも電力容量は830 〜1830mWと大幅に向上しているこ
とがわかる。
なように、副成分の添加量が0.5mol％未満の各試料No.
１，９，１７，２５，の場合は、セラミクスの焼結が進
んでおらず抵抗体として使用できない。また、上記添加
量が20mol ％を越える各試料No. ７，８，１５，１６，
２３，２４，３１，３２，５２〜５５の場合は、抵抗値
にばらつきが生じ、しかも電力容量は96〜410mW と低
い。これに対して添加量を0.5 〜20mol ％範囲内とした
各試料No. ２〜６，１０〜１４，１８〜２２，２６〜３
０，３３〜５１の場合は、抵抗値のばらつきが小さく、
しかも電力容量は830 〜1830mWと大幅に向上しているこ
とがわかる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明に係る抵抗体によれ
ば、焼結体の内部に抵抗膜を埋設し、かつ焼結体にＺｎ
Ｏを主成分とし、これにＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉを１〜20
mol ％添加してなるセラミクス材料を採用したので、抵
抗値の変化による特性のばらつきを回避でき、かつ湿度
等に対する耐環境性を向上できる効果があるとともに、
電力容量を向上できる効果がある。
ば、焼結体の内部に抵抗膜を埋設し、かつ焼結体にＺｎ
Ｏを主成分とし、これにＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉを１〜20
mol ％添加してなるセラミクス材料を採用したので、抵
抗値の変化による特性のばらつきを回避でき、かつ湿度
等に対する耐環境性を向上できる効果があるとともに、
電力容量を向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による抵抗体を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図２】上記実施例の抵抗体の製造方法を示す分解斜視
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 抵抗体 ２ セラミクスシート ３ 焼結体 ４ 抵抗膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 広次 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミクス焼結体の内部に少なくとも１
つの抵抗膜を埋設してなり、かつ上記焼結体がＺｎＯを
主成分とし、これに副成分としてＢｉ，Ｐｂ，Ｂ，Ｓｉ
のうち１つ以上の元素を含んでいることを特徴とする抵
抗体。 - 【請求項２】 請求項１において、上記Ｂｉ，Ｐｂ，
Ｂ，Ｓｉのうち１つ以上の元素を合わせて0.5 〜20mol
％含有したことを特徴とする抵抗体。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、上記セラミク
ス焼結体が、複数のセラミクスシートをこれの間に上記
抵抗膜を介在させて積層し、該積層体を抵抗膜とともに
一体焼結したものであることを特徴とする抵抗体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05664592A JP3245933B2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 抵抗体 |
| US08/014,362 US5355112A (en) | 1992-02-07 | 1993-02-05 | Fixed resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05664592A JP3245933B2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217713A true JPH05217713A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3245933B2 JP3245933B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=13033087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05664592A Expired - Fee Related JP3245933B2 (ja) | 1992-02-07 | 1992-02-07 | 抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245933B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8149082B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-04-03 | Koa Corporation | Resistor device |
-
1992
- 1992-02-07 JP JP05664592A patent/JP3245933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8149082B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-04-03 | Koa Corporation | Resistor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3245933B2 (ja) | 2002-01-15 |
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