JPH0519859B2 - - Google Patents
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- JPH0519859B2 JPH0519859B2 JP59128923A JP12892384A JPH0519859B2 JP H0519859 B2 JPH0519859 B2 JP H0519859B2 JP 59128923 A JP59128923 A JP 59128923A JP 12892384 A JP12892384 A JP 12892384A JP H0519859 B2 JPH0519859 B2 JP H0519859B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/10544—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum
- G06K7/10821—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum further details of bar or optical code scanning devices
- G06K7/10841—Particularities of the light-sensitive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フアクシミリ等において原稿の読
取りに用いられる密着型原稿読取装置に関し、特
に多数の受光素子とこれら受光素子を駆動する駆
動用素子とを電気的に接続する導体配線群の敷設
構造の改良に関する。
取りに用いられる密着型原稿読取装置に関し、特
に多数の受光素子とこれら受光素子を駆動する駆
動用素子とを電気的に接続する導体配線群の敷設
構造の改良に関する。
第９図に、上述した原稿読取装置の一般的な等
価回路を、また第１０図に、同装置における受光
部１００の模式的構造をそれぞれ示す。
価回路を、また第１０図に、同装置における受光
部１００の模式的構造をそれぞれ示す。
すなわち、このような原稿読取装置の受光部１
００は、第１０図ａの平面図および同図ｂの断面
図に示すように、ガラス、セラミツク等からなる
絶縁基板BD上に、例えばAl，Cr，Au等の導電
性薄膜からなる分割電極１ｎ１（１１１，１２
１，１３１，１４１，…）と、Se−As−Teまた
はａ−Si等の非晶質、あるいはCdS，CdSe等の
多結晶の半導体薄膜からなる光導電層１０２と、
SnO2やITO等の透明導電性薄膜からなる連続し
た透明電極１０３とを順次堆積して、上記光導電
層１０２を２種の電極すなわち上記分割電極１ｎ
１と透明電極１０３とでサンドイツチ状にはさん
だ構造となつており、これがそれぞれ等価的に
は、第９図に示すようなフオトダイオードPDと
コンデンサＣとの並列回路となる。なおこのコン
デンサＣは、１つの受光素子１１０を例にとつた
場合、同受光素子１１０自身のもつ容量とその導
体配線２１０のもつ容量との合成容量を示してい
るとする。このような受光素子１１０，１２０，
…１ｎ０が原稿を解像するのに必要な密度（例え
ば８ドツト／mm）でこの主走査方向に所定の数だ
け配列されている。
００は、第１０図ａの平面図および同図ｂの断面
図に示すように、ガラス、セラミツク等からなる
絶縁基板BD上に、例えばAl，Cr，Au等の導電
性薄膜からなる分割電極１ｎ１（１１１，１２
１，１３１，１４１，…）と、Se−As−Teまた
はａ−Si等の非晶質、あるいはCdS，CdSe等の
多結晶の半導体薄膜からなる光導電層１０２と、
SnO2やITO等の透明導電性薄膜からなる連続し
た透明電極１０３とを順次堆積して、上記光導電
層１０２を２種の電極すなわち上記分割電極１ｎ
１と透明電極１０３とでサンドイツチ状にはさん
だ構造となつており、これがそれぞれ等価的に
は、第９図に示すようなフオトダイオードPDと
コンデンサＣとの並列回路となる。なおこのコン
デンサＣは、１つの受光素子１１０を例にとつた
場合、同受光素子１１０自身のもつ容量とその導
体配線２１０のもつ容量との合成容量を示してい
るとする。このような受光素子１１０，１２０，
…１ｎ０が原稿を解像するのに必要な密度（例え
ば８ドツト／mm）でこの主走査方向に所定の数だ
け配列されている。
次に、第９図を参照してこの原稿読取装置の動
作を簡単に説明する。
作を簡単に説明する。
第９図において５００はシフトレジスタであ
り、該シフトレジスタ５００の１回目の駆動に基
づいてMOSFET３１０，３２０，…３ｎ０が順
次オン−オフされると、電源PSと受光素子１１
０，１２０，…１ｎ０との間で順次閉ループが形
成され、これによつて上述したコンデンサＣには
それぞれ所定量の電荷が予め蓄積される。これら
コンデンサＣに蓄積された電荷は、原稿の読取り
時にそれぞれ対応するフオトダイオードPDへの
光の入射が有つたか否か、あるいはその光量に応
じて中和または残留するものであり、この後上記
シフトレジスタ５００が２回目の駆動を行ない、
これに基づいて再び上記MOSFET３１０，３２
０，…３ｎ０が順次オン−オフされ上記コンデン
サＣの再充電が行なわれると、信号線６００に
は、各ビツト毎に、上記コンデンサＣの残留電荷
量に応じた電流が流れることになる。この電流が
出力端子OUTから出力されて同原稿読取装置の
読取信号となる。勿論こうした動作は読取対象原
稿の主走査毎に繰り返し実行される。
り、該シフトレジスタ５００の１回目の駆動に基
づいてMOSFET３１０，３２０，…３ｎ０が順
次オン−オフされると、電源PSと受光素子１１
０，１２０，…１ｎ０との間で順次閉ループが形
成され、これによつて上述したコンデンサＣには
それぞれ所定量の電荷が予め蓄積される。これら
コンデンサＣに蓄積された電荷は、原稿の読取り
時にそれぞれ対応するフオトダイオードPDへの
光の入射が有つたか否か、あるいはその光量に応
じて中和または残留するものであり、この後上記
シフトレジスタ５００が２回目の駆動を行ない、
これに基づいて再び上記MOSFET３１０，３２
０，…３ｎ０が順次オン−オフされ上記コンデン
サＣの再充電が行なわれると、信号線６００に
は、各ビツト毎に、上記コンデンサＣの残留電荷
量に応じた電流が流れることになる。この電流が
出力端子OUTから出力されて同原稿読取装置の
読取信号となる。勿論こうした動作は読取対象原
稿の主走査毎に繰り返し実行される。
ところで、この原稿読取装置においては、上記
受光部１００を形成するに際しては、同一の絶縁
基板BD上に、上述した分割電極１ｎ１、光導電
層１０２、および透明電極１０３を、蒸着やスパ
ツタリング、あるいはCVD等の方法を用いてア
レイ状に形成することが可能であるが、上記
MOSFET３１０，３２０，…３ｎ０やシフトレ
ジスタ５００は別個の素子であるため、少なくと
も各受光素子１１０，１２０，…１ｎ０と
MOSFET３１０，３２０，…３ｎ０とを電気的
に接続するためには、上記基板BD上もしくは他
の基板上においてワイヤボンデイング等による接
続を施すことが不可欠である。またこのため、こ
れら受光素子１１０，１２０，…１ｎ０と
MOSFET３１０，３２０，…３ｎ０とをそれぞ
れ接続するための導体配線２１０，２２０，…２
ｎ０も、これら２者間において上記ワイヤボンデ
イング等による接続が可能となるよう引き回す必
要が生じ、この結果、同導体配線２１０，２２
０，…２ｎ０の長さは実際上かなりの長さとな
る。
受光部１００を形成するに際しては、同一の絶縁
基板BD上に、上述した分割電極１ｎ１、光導電
層１０２、および透明電極１０３を、蒸着やスパ
ツタリング、あるいはCVD等の方法を用いてア
レイ状に形成することが可能であるが、上記
MOSFET３１０，３２０，…３ｎ０やシフトレ
ジスタ５００は別個の素子であるため、少なくと
も各受光素子１１０，１２０，…１ｎ０と
MOSFET３１０，３２０，…３ｎ０とを電気的
に接続するためには、上記基板BD上もしくは他
の基板上においてワイヤボンデイング等による接
続を施すことが不可欠である。またこのため、こ
れら受光素子１１０，１２０，…１ｎ０と
MOSFET３１０，３２０，…３ｎ０とをそれぞ
れ接続するための導体配線２１０，２２０，…２
ｎ０も、これら２者間において上記ワイヤボンデ
イング等による接続が可能となるよう引き回す必
要が生じ、この結果、同導体配線２１０，２２
０，…２ｎ０の長さは実際上かなりの長さとな
る。
ここに従来は、密着型原稿読取装置製造上のこ
うした実情に鑑みて、上記導体配線群を敷設する
にあたり、上述した受光素子群とMOSFET等の
駆動素子群とが最短の距離となるよう、かつ各々
が充分に信頼できる導体幅および線間隔を確保で
きるようにすることに最大の重点をおいていた。
ただし、こうしたことを条件に上記導体配線群を
敷設した場合、駆動素子の担当する受光素子の数
が増加したり、あるいは受光素子列の長さが長く
なつたりした際に、上記導体配線群における各々
の線間容量にも相当のバラツキが生じることとな
り、該線間容量のバラツキが上述した各受光素子
による原稿読取りに与える影響も無視できないも
のとなる。
うした実情に鑑みて、上記導体配線群を敷設する
にあたり、上述した受光素子群とMOSFET等の
駆動素子群とが最短の距離となるよう、かつ各々
が充分に信頼できる導体幅および線間隔を確保で
きるようにすることに最大の重点をおいていた。
ただし、こうしたことを条件に上記導体配線群を
敷設した場合、駆動素子の担当する受光素子の数
が増加したり、あるいは受光素子列の長さが長く
なつたりした際に、上記導体配線群における各々
の線間容量にも相当のバラツキが生じることとな
り、該線間容量のバラツキが上述した各受光素子
による原稿読取りに与える影響も無視できないも
のとなる。
すなわち、第１１図は同原稿読取装置の１ビツ
トについての原理図（第９図に示した回路要素と
同一の機能を有する要素には第９図と同一の番号
または符号を付して示している）であるが、一般
に図中の蓄積容量Ｃは導体配線部２００の線間容
量が支配的であり、該導体配線部２００の線間容
量が各ビツト毎に大きくばらついた場合は、各受
光素子の読取信号レベルにもムラが生じて、原稿
の基準白色部に対するような一走査対象ラインが
全白色（または全黒色）であつたような場合であ
つても、同原稿読取装置の読取出力は、例えば第
１２図に示すような不安定なものとなる。このた
め従来の原稿読取装置では、適宜なレベル補正回
路を用いて上述した出力ムラを補正することが不
可欠となつていた。
トについての原理図（第９図に示した回路要素と
同一の機能を有する要素には第９図と同一の番号
または符号を付して示している）であるが、一般
に図中の蓄積容量Ｃは導体配線部２００の線間容
量が支配的であり、該導体配線部２００の線間容
量が各ビツト毎に大きくばらついた場合は、各受
光素子の読取信号レベルにもムラが生じて、原稿
の基準白色部に対するような一走査対象ラインが
全白色（または全黒色）であつたような場合であ
つても、同原稿読取装置の読取出力は、例えば第
１２図に示すような不安定なものとなる。このた
め従来の原稿読取装置では、適宜なレベル補正回
路を用いて上述した出力ムラを補正することが不
可欠となつていた。
この発明は、上述した導体配線群の敷設態様に
起因する原稿読取出力のバラツキの発生を防止し
ようとするものである。
起因する原稿読取出力のバラツキの発生を防止し
ようとするものである。
この発明では、上記導体配線部が一般に薄膜ま
たは厚膜といつたせいぜい数μｍ程度の厚さで敷
設されるため、この線間容量としても対向平面と
しての容量よりも同一平面上に導体が存化するこ
とによる線間容量の方が支配的であることに着目
して、例えば、 各導体線路をその配線位置に応じて異なつた
導体幅とする。
たは厚膜といつたせいぜい数μｍ程度の厚さで敷
設されるため、この線間容量としても対向平面と
しての容量よりも同一平面上に導体が存化するこ
とによる線間容量の方が支配的であることに着目
して、例えば、 各導体線路をその配線位置に応じて異なつた
導体幅とする。
各導体線路の線路長を全て均一とする。
各導体線路にその配線位置に応じた形状およ
び面積を有する容量補正用導体を設ける。
び面積を有する容量補正用導体を設ける。
各導体線路をその配線位置に応じて厚みまた
は面積の異なる非誘電率の高い絶縁体で覆う。
は面積の異なる非誘電率の高い絶縁体で覆う。
などすることにより、上記同一平面上に導体が存
在することによる線間容量が実質的に均一となる
ようにする。
在することによる線間容量が実質的に均一となる
ようにする。
これにより、前述した各受光素子と駆動素子と
の間に生じる蓄積容量は全ビツト共ほぼ同一の容
量となり、各受光素子の読取信号レベルが同蓄積
容量に起因してばらつくようなこともなくなる。
の間に生じる蓄積容量は全ビツト共ほぼ同一の容
量となり、各受光素子の読取信号レベルが同蓄積
容量に起因してばらつくようなこともなくなる。
このように、この発明にかかる原稿読取装置に
よれば、安定した読取出力を得ることができるよ
うになり、また前述したようなレベル補正回路等
を別個に設ける必要もないことから、コスト的に
も有利となる。
よれば、安定した読取出力を得ることができるよ
うになり、また前述したようなレベル補正回路等
を別個に設ける必要もないことから、コスト的に
も有利となる。
第１図に、この発明にかかる原稿読取装置の一
実施例を示す。ただしこの第１図においても、先
の第９図〜第１１図に示した要素と同一の機能を
有する要素には同一の番号を付して示しており、
重複する説明は省略する。
実施例を示す。ただしこの第１図においても、先
の第９図〜第１１図に示した要素と同一の機能を
有する要素には同一の番号を付して示しており、
重複する説明は省略する。
さてこの実施例は、１個の駆動素子３００に例
えば128個の受光素子を担当させて、これを複数
ブロツク並列に配列して構成される原稿読取装置
にこの発明を適用したものであり、特にこの実施
例では、受光部１００の各受光素子と上記駆動素
子３００とをそれぞれ電気的に接続する導体配線
群２００の各線路が、上記受光部１００の解像度
に対応して、例えば４本／mmの等間隔をもつて敷
設されているとして、これら各線路の導体幅をそ
の配線位置により決定される線路長に応じて異な
らせることにより同導体配線群２００の各線間容
量が実質的に均一となるようにしている。
えば128個の受光素子を担当させて、これを複数
ブロツク並列に配列して構成される原稿読取装置
にこの発明を適用したものであり、特にこの実施
例では、受光部１００の各受光素子と上記駆動素
子３００とをそれぞれ電気的に接続する導体配線
群２００の各線路が、上記受光部１００の解像度
に対応して、例えば４本／mmの等間隔をもつて敷
設されているとして、これら各線路の導体幅をそ
の配線位置により決定される線路長に応じて異な
らせることにより同導体配線群２００の各線間容
量が実質的に均一となるようにしている。
具体的には、同第１図に示すように、それぞれ
結果として、最短線路長となる線路２００Ｓの導
体幅は信頼できる上限幅を超えない程度に最も広
く、また最長線路長となる線路２００Ｌの導体幅
は信頼できる下限幅を超えない程度に最も狭く設
定されるものであり、これらの間の各線路の導体
幅は、上記いずれかの線路、あるいはこの中間の
任意の１つの線路を基準として、それぞれ隣接す
る線路導体とで形成される線間容量が均一となる
よう経験的に、あるいは計算により逐次決定して
いくようにする。
結果として、最短線路長となる線路２００Ｓの導
体幅は信頼できる上限幅を超えない程度に最も広
く、また最長線路長となる線路２００Ｌの導体幅
は信頼できる下限幅を超えない程度に最も狭く設
定されるものであり、これらの間の各線路の導体
幅は、上記いずれかの線路、あるいはこの中間の
任意の１つの線路を基準として、それぞれ隣接す
る線路導体とで形成される線間容量が均一となる
よう経験的に、あるいは計算により逐次決定して
いくようにする。
以下、第２図〜第４図を参照して同実施例装置
の製造方法、すなわち導体配線群２００における
各線路の導体幅の決定方法を詳述する。
の製造方法、すなわち導体配線群２００における
各線路の導体幅の決定方法を詳述する。
いま、注目する導体配線が第２図および第３図
に示すように配線２１０および２２０であるとし
て、はじめに、これら配線２１０および２２０間
における線間容量の算出方法について説明する。
に示すように配線２１０および２２０であるとし
て、はじめに、これら配線２１０および２２０間
における線間容量の算出方法について説明する。
第３図に示すように、上記配線２１０および２
２０間の距離をＳ、同配線の導体幅をＷ、絶縁基
板BDの厚さをＤとする。また同基板BDの比誘
電率をεsとする。さらに上記配線２１０および２
２０の導体厚Ｈは前述したように非常に小さい値
であるからこれを無視するとともに、上記基板
BD側の電気力線は全て同基板BD中を通ると仮
定すると、上記配線２１０および２２０間の単位
長さ当りの容量Ｃは次式で与えられる。
２０間の距離をＳ、同配線の導体幅をＷ、絶縁基
板BDの厚さをＤとする。また同基板BDの比誘
電率をεsとする。さらに上記配線２１０および２
２０の導体厚Ｈは前述したように非常に小さい値
であるからこれを無視するとともに、上記基板
BD側の電気力線は全て同基板BD中を通ると仮
定すると、上記配線２１０および２２０間の単位
長さ当りの容量Ｃは次式で与えられる。
Ｃ＝１／7.2π（εsK1′／K1＋K2′／K2） 〔pF／cm〕
…(1) ただし、 （k1′）2＝１−k2 1 k1＝１−√λ／１＋√λまたは１＋√λ／１−√λ，（
０＜k1＜１） √＝sinh（π／２・Ｗ／Ｄ）／sinh（π／２・Ｗ＋Ｓ
／Ｄ） また、 （k2′）2＝１−k2 2 k2＝Ｓ／Ｓ＋2W したがつて、ここで注目する導体配線長を第２
図に示すようにＬ（cm）とすると、求める線間容
量Ｃは次のようになる。
…(1) ただし、 （k1′）2＝１−k2 1 k1＝１−√λ／１＋√λまたは１＋√λ／１−√λ，（
０＜k1＜１） √＝sinh（π／２・Ｗ／Ｄ）／sinh（π／２・Ｗ＋Ｓ
／Ｄ） また、 （k2′）2＝１−k2 2 k2＝Ｓ／Ｓ＋2W したがつて、ここで注目する導体配線長を第２
図に示すようにＬ（cm）とすると、求める線間容
量Ｃは次のようになる。
Ｃ＝Ｃ×Ｌ
＝１／7.2π（εsK2′／K1＋K2′／K1）Ｌ 〔pF〕…
(2) なお、上記の値K1，K1′，K2，K2′は完全楕円
積分である。
(2) なお、上記の値K1，K1′，K2，K2′は完全楕円
積分である。
こうして線間容量Ｃが求まることから、逆に該
容量Ｃを均一とするための各配線の導体幅Ｗの導
出決定も可能であり、実際の同実施例装置の製造
に際しては、該導体幅Ｗが上述したように同装置
の読取り動作を充分安定ならしめる上限幅を下限
幅とを超えないよう、例えば第４図に示すような
プログラムに基づいて同導体幅Ｗを随時決定して
いく。
容量Ｃを均一とするための各配線の導体幅Ｗの導
出決定も可能であり、実際の同実施例装置の製造
に際しては、該導体幅Ｗが上述したように同装置
の読取り動作を充分安定ならしめる上限幅を下限
幅とを超えないよう、例えば第４図に示すような
プログラムに基づいて同導体幅Ｗを随時決定して
いく。
すなわち、同装置の出力端子（第９図に示した
端子OUTに相当）から所要とするレベルの読取
信号を得るに適した前記蓄積容量Ｃ（第９図また
は第１０図参照）の値（実際には前述したように
導体配線群２００の線間容量が支配的であり、こ
こでは便宜的にこの線間容量の値を同蓄積容量Ｃ
の値とする）を予め決定した後（ステツプ1100）、
注目する配線の導体幅Ｗをとり合えず決めて（ス
テツプ1110）、隣接する導体配線との線間容量
（これを便宜上C′とする）を上記(2)式に基づいて
算出する（ステツプ1130）。この結果、先に定め
た容量Ｃの値とこの算出した容量C′の値とが等し
ければ（ステツプ1140）次の配線についての導体
幅Ｗの決定に移り（ステツプ1150）、この算出し
た容量C′の値が上記予設定した容量Ｃの値と異な
つていれば（ステツプ1140）当該配線の導体幅Ｗ
を変更して（ステツプ1200）これら容量Ｃの値と
容量C′の値とが等しくなるような導体幅となるよ
う該導体幅Ｗの値を再決定する（ステツプ1110）。
なお、これら決定した導体幅Ｗの値が上述した上
限幅と下限幅との範囲に入らなかつた場合は（ス
テツプ1120）、先に設定した容量Ｃの値を変更し
て（ステツプ1300）同導体幅Ｗの決定をやり直
す。
端子OUTに相当）から所要とするレベルの読取
信号を得るに適した前記蓄積容量Ｃ（第９図また
は第１０図参照）の値（実際には前述したように
導体配線群２００の線間容量が支配的であり、こ
こでは便宜的にこの線間容量の値を同蓄積容量Ｃ
の値とする）を予め決定した後（ステツプ1100）、
注目する配線の導体幅Ｗをとり合えず決めて（ス
テツプ1110）、隣接する導体配線との線間容量
（これを便宜上C′とする）を上記(2)式に基づいて
算出する（ステツプ1130）。この結果、先に定め
た容量Ｃの値とこの算出した容量C′の値とが等し
ければ（ステツプ1140）次の配線についての導体
幅Ｗの決定に移り（ステツプ1150）、この算出し
た容量C′の値が上記予設定した容量Ｃの値と異な
つていれば（ステツプ1140）当該配線の導体幅Ｗ
を変更して（ステツプ1200）これら容量Ｃの値と
容量C′の値とが等しくなるような導体幅となるよ
う該導体幅Ｗの値を再決定する（ステツプ1110）。
なお、これら決定した導体幅Ｗの値が上述した上
限幅と下限幅との範囲に入らなかつた場合は（ス
テツプ1120）、先に設定した容量Ｃの値を変更し
て（ステツプ1300）同導体幅Ｗの決定をやり直
す。
このようなプログラムに基づく各配線の導体幅
決定作業を、前記導体配線群２００を構成する全
導体配線について施すことにより、各線間容量す
なわち第９図または第１０図に示した蓄積容量Ｃ
の値は全受光素子について均一な値となり、同装
置の読取出力も、例えば全白や全黒等の同一濃度
画素については第５図に示すような安定したもの
となる。
決定作業を、前記導体配線群２００を構成する全
導体配線について施すことにより、各線間容量す
なわち第９図または第１０図に示した蓄積容量Ｃ
の値は全受光素子について均一な値となり、同装
置の読取出力も、例えば全白や全黒等の同一濃度
画素については第５図に示すような安定したもの
となる。
なお、上記実施例においては、基板の単位幅当
り等しい配線数をもつて敷設される導体配線の各
導体幅をその配線位置に応じて変えることにより
各線間容量が実質的に均一となるようにしたが、
他に例えば、第６図に示すように上記導体幅は変
えずに、各導体線路長が均一となるようにしたり
（受光素子と駆動素子との距離が短い部分の配線
は適宜に蛇行させて調整をとる）、あるいは第７
図に示すように、線間容量調整用のダミーの導体
DMを設けたりして、各線間容量を実質的に均一
としてもよい。これらいずれの場合であつても、
その線間容量の算出に際しては前記(2)式を用いる
ことができる。
り等しい配線数をもつて敷設される導体配線の各
導体幅をその配線位置に応じて変えることにより
各線間容量が実質的に均一となるようにしたが、
他に例えば、第６図に示すように上記導体幅は変
えずに、各導体線路長が均一となるようにしたり
（受光素子と駆動素子との距離が短い部分の配線
は適宜に蛇行させて調整をとる）、あるいは第７
図に示すように、線間容量調整用のダミーの導体
DMを設けたりして、各線間容量を実質的に均一
としてもよい。これらいずれの場合であつても、
その線間容量の算出に際しては前記(2)式を用いる
ことができる。
またさらには、第８図に示すように、従来の態
様で敷設した導体配線群２００（装置自体は第１
図に示したものに対応させて示している）の表面
を比誘電率の高い絶縁体ISで覆い、同配線態様に
応じてその厚みや面積を変えることにより各線間
容量を補正するようにしてもよい。この場合、上
記絶縁体ISの厚みをD′、またこの比誘電率をε′s
とすると、注目する導体配線間の単位長さ当りの
容量Ｃは次式で与えられる（導体間の距離および
導体幅等は先の第３図と同様の設定とする）。
様で敷設した導体配線群２００（装置自体は第１
図に示したものに対応させて示している）の表面
を比誘電率の高い絶縁体ISで覆い、同配線態様に
応じてその厚みや面積を変えることにより各線間
容量を補正するようにしてもよい。この場合、上
記絶縁体ISの厚みをD′、またこの比誘電率をε′s
とすると、注目する導体配線間の単位長さ当りの
容量Ｃは次式で与えられる（導体間の距離および
導体幅等は先の第３図と同様の設定とする）。
Ｃ＝１／7.2π（εsK1′／K1＋εs′K3′／K3） 〔pF
／cm〕 …(3) ただし、上記式のK3，K3′は、 √＝sinh（π／２・Ｗ／D′）／sinh（π／２・Ｗ＋
Ｓ／Ｄ） としてそれぞれ(1)式のK1，K1′と同様の方法で決
定される完全楕円積分である。
／cm〕 …(3) ただし、上記式のK3，K3′は、 √＝sinh（π／２・Ｗ／D′）／sinh（π／２・Ｗ＋
Ｓ／Ｄ） としてそれぞれ(1)式のK1，K1′と同様の方法で決
定される完全楕円積分である。
なお、この第８図に示した実施例の場合、上記
(3)式に基づいて各線間容量が均一となるよう容量
補正を施していくと、結果として、上記被覆する
絶縁体ISの厚さは、線路長の短い導体部分で厚目
となり、逆に線路長の長い導体部分では薄目ある
いは同被覆が不要となる。
(3)式に基づいて各線間容量が均一となるよう容量
補正を施していくと、結果として、上記被覆する
絶縁体ISの厚さは、線路長の短い導体部分で厚目
となり、逆に線路長の長い導体部分では薄目ある
いは同被覆が不要となる。
第１図はこの発明にかかる原稿読取装置の一実
施例についてその導体配線群の敷設構造を示す平
面図、第２図および第３図は上記導体配線群の各
線間容量を算出するために同導体配線群の一部を
模式的に示した略図、第４図は上記導体配線群に
おける各線路の導体幅決定方法を示すフローチヤ
ート、第５図は第１図に示した実施例装置の出力
特性を示す線図、第６図および第７図および第８
図はそれぞれこの発明にかかる原稿読取装置の他
の実施例についてその導体配線群の敷設構造を示
す平面図、第９図はこの発明で対象とする原稿読
取装置の一般的な等価回路を示す回路図、第１０
図は同原稿読取装置の受光部構造を模式的に示す
略図、第１１図は同原稿読取装置の１ビツト分の
原理的等価回路を示す回路図、第１２図は従来の
原稿読取装置の出力特性例を示す線図である。 １００……受光部、２００……導体配線群、３
００……駆動素子、４００……駆動用配線部、５
００……シフトレジスタ、６００……読取信号出
力線、７００……バイアス電圧供給線。
施例についてその導体配線群の敷設構造を示す平
面図、第２図および第３図は上記導体配線群の各
線間容量を算出するために同導体配線群の一部を
模式的に示した略図、第４図は上記導体配線群に
おける各線路の導体幅決定方法を示すフローチヤ
ート、第５図は第１図に示した実施例装置の出力
特性を示す線図、第６図および第７図および第８
図はそれぞれこの発明にかかる原稿読取装置の他
の実施例についてその導体配線群の敷設構造を示
す平面図、第９図はこの発明で対象とする原稿読
取装置の一般的な等価回路を示す回路図、第１０
図は同原稿読取装置の受光部構造を模式的に示す
略図、第１１図は同原稿読取装置の１ビツト分の
原理的等価回路を示す回路図、第１２図は従来の
原稿読取装置の出力特性例を示す線図である。 １００……受光部、２００……導体配線群、３
００……駆動素子、４００……駆動用配線部、５
００……シフトレジスタ、６００……読取信号出
力線、７００……バイアス電圧供給線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の原稿主走査方向に多数配される受光
素子と、これら受光素子を駆動するための駆動素
子と、これら受光素子及び駆動素子を電気的に接
続するための導体配線群とを具えた電荷蓄積型の
原稿読取装置において、 前記導体配線群を、導体線路の配線位置に応じ
て厚みまたは面積の異なる比誘電率の高い絶縁体
で覆い、これによつて同導体配線群の各線間容量
を均一としたことを特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128923A JPS617767A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 原稿読取装置 |
| US06/745,880 US4680477A (en) | 1984-06-22 | 1985-06-18 | Contact type document reading device with uniform line-to-line conductor capacitance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128923A JPS617767A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 原稿読取装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5337589A Division JP2586317B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 原稿読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617767A JPS617767A (ja) | 1986-01-14 |
| JPH0519859B2 true JPH0519859B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=14996719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128923A Granted JPS617767A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 原稿読取装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4680477A (ja) |
| JP (1) | JPS617767A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527557U (ja) * | 1991-09-12 | 1993-04-09 | 西田合金工業株式会社 | 浴槽用一口接続具 |
| KR101505940B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2015-03-25 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판 및 그 구동 제어 방법과 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295656A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| US4839735A (en) * | 1986-12-22 | 1989-06-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid state image sensor having variable charge accumulation time period |
| US4914504A (en) * | 1987-08-10 | 1990-04-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Opto-electronic image sensor arrangement |
| US4902886A (en) * | 1989-01-23 | 1990-02-20 | Hewlett-Packard Company | Noise reduction for photodiode arrays |
| JPH02101665U (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-13 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221562A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS60138959A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS60178663A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 大形イメ−ジセンサ |
| JPS60261244A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光像検出装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617471A (en) * | 1983-12-27 | 1986-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image sensing device |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59128923A patent/JPS617767A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-18 US US06/745,880 patent/US4680477A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58221562A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS60138959A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS60178663A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 大形イメ−ジセンサ |
| JPS60261244A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光像検出装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527557U (ja) * | 1991-09-12 | 1993-04-09 | 西田合金工業株式会社 | 浴槽用一口接続具 |
| KR101505940B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2015-03-25 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 어레이 기판 및 그 구동 제어 방법과 디스플레이 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS617767A (ja) | 1986-01-14 |
| US4680477A (en) | 1987-07-14 |
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