JPH051947A - 焦電型赤外線センサの製造方法 - Google Patents
焦電型赤外線センサの製造方法Info
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- JPH051947A JPH051947A JP3183245A JP18324591A JPH051947A JP H051947 A JPH051947 A JP H051947A JP 3183245 A JP3183245 A JP 3183245A JP 18324591 A JP18324591 A JP 18324591A JP H051947 A JPH051947 A JP H051947A
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステムピンと基板上の電極との接続信頼性を
向上させる。 【構成】 ステムピン３を、基板１のスルーホール２に
挿通し、基板１の上面に突出したステムピン３の先端部
３ａを曲折させ、該曲折部３ａを基板１上の電極４に接
触させた状態でステムピン３の先端部３ａと電極４とを
はんだ付けする。また、基板１の上面に突出したステム
ピン３の先端部３ａにはんだ７を盛り付けて、ステムピ
ン３と電極４との間の空隙を小さくした後、ステムピン
３に盛り付けられたはんだ７と基板１上の電極４とをは
んだ付けする。また、基板１の上面に突出したステムピ
ン３の先端部３ａにワッシャ８をはめ、ステムピン３の
先端部３ａ，ワッシャ８及び基板１上の電極４を一体に
はんだ付けする。
向上させる。 【構成】 ステムピン３を、基板１のスルーホール２に
挿通し、基板１の上面に突出したステムピン３の先端部
３ａを曲折させ、該曲折部３ａを基板１上の電極４に接
触させた状態でステムピン３の先端部３ａと電極４とを
はんだ付けする。また、基板１の上面に突出したステム
ピン３の先端部３ａにはんだ７を盛り付けて、ステムピ
ン３と電極４との間の空隙を小さくした後、ステムピン
３に盛り付けられたはんだ７と基板１上の電極４とをは
んだ付けする。また、基板１の上面に突出したステムピ
ン３の先端部３ａにワッシャ８をはめ、ステムピン３の
先端部３ａ，ワッシャ８及び基板１上の電極４を一体に
はんだ付けする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、焦電型赤外線センサ
の製造方法に関し、詳しくは、ステムピンと基板上の電
極とを確実に接続することが可能な焦電型赤外線センサ
の製造方法に関する。
の製造方法に関し、詳しくは、ステムピンと基板上の電
極とを確実に接続することが可能な焦電型赤外線センサ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の焦電型赤外線センサを示
す斜視図であり、図８はその回路構成を示す図である。
図７に示すように、この焦電型赤外線センサ２１を製造
するにあたっては、まず、上面に電極２６が形成された
基板２２を、端子２７を有する金属製のステム２８上に
載置し、クリームはんだ（図示せず）を所定の位置に塗
布した後、焦電体２３ａに電極２３ｂを形成した焦電素
子２３、該焦電素子２３と並列に接続される抵抗チップ
（リーク用抵抗）２４及びＦＥＴ２５を基板２２上に配
設し、リフローすることにより、ステムピン２７ａ，抵
抗チップ２４，ＦＥＴ２５を電極２６にはんだ付けす
る。それから、目的の波長を通すシリコン系材料などか
らなる光学フィルタ（窓）２９を取り付けた金属製のキ
ャン３０をステム２８に溶接することにより、各素子が
配設された基板２２をステム２８とキャン３０により形
成される空間内に封止することにより焦電型赤外線セン
サ２１が組み立てられる。
す斜視図であり、図８はその回路構成を示す図である。
図７に示すように、この焦電型赤外線センサ２１を製造
するにあたっては、まず、上面に電極２６が形成された
基板２２を、端子２７を有する金属製のステム２８上に
載置し、クリームはんだ（図示せず）を所定の位置に塗
布した後、焦電体２３ａに電極２３ｂを形成した焦電素
子２３、該焦電素子２３と並列に接続される抵抗チップ
（リーク用抵抗）２４及びＦＥＴ２５を基板２２上に配
設し、リフローすることにより、ステムピン２７ａ，抵
抗チップ２４，ＦＥＴ２５を電極２６にはんだ付けす
る。それから、目的の波長を通すシリコン系材料などか
らなる光学フィルタ（窓）２９を取り付けた金属製のキ
ャン３０をステム２８に溶接することにより、各素子が
配設された基板２２をステム２８とキャン３０により形
成される空間内に封止することにより焦電型赤外線セン
サ２１が組み立てられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の焦電型
赤外線センサ２１においては、クリームはんだを基板２
２上の所定の位置に塗布し、抵抗チップ２４，ＦＥＴ２
５などの素子を配設した後、加熱して、クリームはんだ
を溶融させること（リフローソルダリング）により、抵
抗チップ２４などの素子やステムピン２７ａを基板２２
上の電極２６に接続するようにしているため、抵抗チッ
プ２４及びＦＥＴ２５（の電極）は、電極２６に接触し
ており確実にはんだ付けされるが、ステムピン２７ａと
電極２６とは、図９に示すように、非接触状態であり、
リフローはんだを行った場合、図１０に示すように、ス
テムピン２７ａと電極２６とは、はんだ３１のブリッジ
３１ａにより接続された状態となり、接続不良（オープ
ン不良）や、接続の不安定さに起因する製品の特性不良
を生じるという問題点がある。
赤外線センサ２１においては、クリームはんだを基板２
２上の所定の位置に塗布し、抵抗チップ２４，ＦＥＴ２
５などの素子を配設した後、加熱して、クリームはんだ
を溶融させること（リフローソルダリング）により、抵
抗チップ２４などの素子やステムピン２７ａを基板２２
上の電極２６に接続するようにしているため、抵抗チッ
プ２４及びＦＥＴ２５（の電極）は、電極２６に接触し
ており確実にはんだ付けされるが、ステムピン２７ａと
電極２６とは、図９に示すように、非接触状態であり、
リフローはんだを行った場合、図１０に示すように、ス
テムピン２７ａと電極２６とは、はんだ３１のブリッジ
３１ａにより接続された状態となり、接続不良（オープ
ン不良）や、接続の不安定さに起因する製品の特性不良
を生じるという問題点がある。
【０００４】本願発明は上記問題点を解決するものであ
り、ステムピンと基板上の電極とを確実に接続すること
により、製造工程での歩留りを向上させるとともに、製
品の信頼性を向上させることが可能な焦電型赤外線セン
サの製造方法を提供することを目的とする。
り、ステムピンと基板上の電極とを確実に接続すること
により、製造工程での歩留りを向上させるとともに、製
品の信頼性を向上させることが可能な焦電型赤外線セン
サの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願第１の発明の焦電型赤外線センサの製造方法
は、ステム上に載置され、上面に電極が形成された基板
上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの素子を配設
し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャンで封止し
てなる焦電型赤外線センサの製造方法において、ステム
の上面に設けられ、該ステムの下面に引き出された外部
端子と導通するステムピンを、基板のスルーホールに挿
通し、基板の上面に突出したステムピンの先端部を曲折
させて、基板上の電極に接触させ、その状態でステムピ
ンと電極とをはんだ付けすることにより、ステムピンと
基板上の電極とを電気的に接続することを特徴としてい
る。
に、本願第１の発明の焦電型赤外線センサの製造方法
は、ステム上に載置され、上面に電極が形成された基板
上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの素子を配設
し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャンで封止し
てなる焦電型赤外線センサの製造方法において、ステム
の上面に設けられ、該ステムの下面に引き出された外部
端子と導通するステムピンを、基板のスルーホールに挿
通し、基板の上面に突出したステムピンの先端部を曲折
させて、基板上の電極に接触させ、その状態でステムピ
ンと電極とをはんだ付けすることにより、ステムピンと
基板上の電極とを電気的に接続することを特徴としてい
る。
【０００６】また、本願第２の発明の焦電型赤外線セン
サは、ステム上に載置され、上面に電極が形成された基
板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの素子を配
設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャンで封止
してなる焦電型赤外線センサの製造方法において、ステ
ムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出された外
部端子と導通するステムピンを、基板のスルーホールに
挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先端部には
んだを盛り付けて、ステムピンと基板上の電極との間の
空隙を小さくした後、ステムピンの先端部に設けられた
はんだと基板上の電極とをはんだ付けすることにより、
ステムピンと基板上の電極とを電気的に接続することを
特徴とする。
サは、ステム上に載置され、上面に電極が形成された基
板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの素子を配
設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャンで封止
してなる焦電型赤外線センサの製造方法において、ステ
ムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出された外
部端子と導通するステムピンを、基板のスルーホールに
挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先端部には
んだを盛り付けて、ステムピンと基板上の電極との間の
空隙を小さくした後、ステムピンの先端部に設けられた
はんだと基板上の電極とをはんだ付けすることにより、
ステムピンと基板上の電極とを電気的に接続することを
特徴とする。
【０００７】さらに、本願第３の発明の焦電型赤外線セ
ンサは、ステム上に載置され、上面に電極が形成された
基板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの素子を
配設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャンで封
止してなる焦電型赤外線センサの製造方法において、ス
テムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出された
外部端子と導通するステムピンを、基板のスルーホール
に挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先端部に
ワッシャをはめ、ステムピンの先端部，ワッシャ及び基
板上の電極を一体にはんだ付けすることにより、ステム
ピンと基板上の電極とを電気的に接続することを特徴と
する。
ンサは、ステム上に載置され、上面に電極が形成された
基板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの素子を
配設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャンで封
止してなる焦電型赤外線センサの製造方法において、ス
テムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出された
外部端子と導通するステムピンを、基板のスルーホール
に挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先端部に
ワッシャをはめ、ステムピンの先端部，ワッシャ及び基
板上の電極を一体にはんだ付けすることにより、ステム
ピンと基板上の電極とを電気的に接続することを特徴と
する。
【０００８】
【作用】本願第１の発明の焦電型赤外線センサの製造方
法においては、ステムピンの先端部が曲折し、基板上の
電極に接触した状態で、該曲折部と電極とがはんだ付け
されるため、ステムピンが電極に確実に接続され、接続
信頼性が向上するとともに製造工程での歩留りが向上す
る。
法においては、ステムピンの先端部が曲折し、基板上の
電極に接触した状態で、該曲折部と電極とがはんだ付け
されるため、ステムピンが電極に確実に接続され、接続
信頼性が向上するとともに製造工程での歩留りが向上す
る。
【０００９】また、本願第２の発明の焦電型赤外線セン
サの製造方法においては、ステムピンの先端部にはんだ
が盛り付けられ、ステムピンと基板上の電極との間の空
隙が小さくなるため、ステムピンの先端部に盛り付けら
れたはんだと基板上の電極とをはんだ付けすることによ
り、ステムピンが電極に確実に接続され、接続信頼性が
向上する。
サの製造方法においては、ステムピンの先端部にはんだ
が盛り付けられ、ステムピンと基板上の電極との間の空
隙が小さくなるため、ステムピンの先端部に盛り付けら
れたはんだと基板上の電極とをはんだ付けすることによ
り、ステムピンが電極に確実に接続され、接続信頼性が
向上する。
【００１０】さらに、本願第３の発明の焦電型赤外線セ
ンサの製造方法においては、ステムピンの先端部にワッ
シャがはめられ、ステムピンの先端部，ワッシャ及び基
板上の電極が一体にはんだ付けされるため、ステムピン
と基板上の電極とがワッシャを介して確実に接続され、
接続信頼性が向上するとともに製造工程での歩留りが向
上する。
ンサの製造方法においては、ステムピンの先端部にワッ
シャがはめられ、ステムピンの先端部，ワッシャ及び基
板上の電極が一体にはんだ付けされるため、ステムピン
と基板上の電極とがワッシャを介して確実に接続され、
接続信頼性が向上するとともに製造工程での歩留りが向
上する。
【００１１】
【実施例】以下、本願発明の実施例を図に基づいて説明
する。この実施例にかかる焦電型赤外線センサの構造
は、図７に示した従来の焦電型赤外線センサ２１と同様
であるため、以下の実施例では、発明の特徴部分であ
る、ステムピンを基板上の電極に接続する工程について
図１〜図６を参照しつつ詳しく説明する。
する。この実施例にかかる焦電型赤外線センサの構造
は、図７に示した従来の焦電型赤外線センサ２１と同様
であるため、以下の実施例では、発明の特徴部分であ
る、ステムピンを基板上の電極に接続する工程について
図１〜図６を参照しつつ詳しく説明する。
【００１２】実施例１
図１，図２は本願第１の発明の実施例を示す斜視図であ
る。この実施例の製造方法においては、その上面に電極
４が形成された基板１をステム（図示せず）上に載置
し、基板１のスルーホール２を貫通して、基板１の上面
から突出（図９参照）したステムピン３の先端部３ａを
略直角に曲折させて、曲折部３ａを基板１上に形成され
た電極４に接触させる（図１）。それから、図２に示す
ように、ステムピン３の曲折部３ａと電極４との接触部
にクリームはんだ６を塗布し、リフローすることによ
り、ステムピン３の曲折部３ａと電極４とをはんだ付け
して両者を電気的に接続する。
る。この実施例の製造方法においては、その上面に電極
４が形成された基板１をステム（図示せず）上に載置
し、基板１のスルーホール２を貫通して、基板１の上面
から突出（図９参照）したステムピン３の先端部３ａを
略直角に曲折させて、曲折部３ａを基板１上に形成され
た電極４に接触させる（図１）。それから、図２に示す
ように、ステムピン３の曲折部３ａと電極４との接触部
にクリームはんだ６を塗布し、リフローすることによ
り、ステムピン３の曲折部３ａと電極４とをはんだ付け
して両者を電気的に接続する。
【００１３】このようにして、ステムピン３の先端部３
ａを折り曲げて、電極４に接触させた状態ではんだ付け
することにより、ステムピン３が電極４に確実に接続さ
れ、接続信頼性が向上する。
ａを折り曲げて、電極４に接触させた状態ではんだ付け
することにより、ステムピン３が電極４に確実に接続さ
れ、接続信頼性が向上する。
【００１４】上記実施例では、ステムピン３の先端部を
略直角に曲折させた場合について説明したが、曲折の角
度等の態様は特に制約されるものではなく、ステムピン
３の一部が電極に確実に接触するような種々の態様に曲
折させることが可能である。
略直角に曲折させた場合について説明したが、曲折の角
度等の態様は特に制約されるものではなく、ステムピン
３の一部が電極に確実に接触するような種々の態様に曲
折させることが可能である。
【００１５】実施例２
図３，図４は、本願第２の発明の実施例を示す斜視図で
ある。この実施例の方法においては、その上面に電極４
が形成された基板１をステム（図示せず）上に載置し、
基板１のスルーホール２を貫通して、基板１の上面から
突出（図９参照）したステムピン３の先端部３ａにはん
だ７を盛り付ける（図３）。このようにして、ステムピ
ン３の先端部３ａを太くし、ステムピン３の先端部３ａ
と基板１上の電極４との間の空隙を小さくした後、図４
に示すように、ステムピン３のはんだ７が盛り付けられ
た部分から電極４にかけて、はんだ７の融点より低い温
度でリフローされるクリームはんだ６を塗布し、リフロ
ーすることにより、ステムピン３の先端部３ａに盛り付
けられたはんだ７と電極４とをはんだ（クリームはん
だ）６によりはんだ付けして結合する。
ある。この実施例の方法においては、その上面に電極４
が形成された基板１をステム（図示せず）上に載置し、
基板１のスルーホール２を貫通して、基板１の上面から
突出（図９参照）したステムピン３の先端部３ａにはん
だ７を盛り付ける（図３）。このようにして、ステムピ
ン３の先端部３ａを太くし、ステムピン３の先端部３ａ
と基板１上の電極４との間の空隙を小さくした後、図４
に示すように、ステムピン３のはんだ７が盛り付けられ
た部分から電極４にかけて、はんだ７の融点より低い温
度でリフローされるクリームはんだ６を塗布し、リフロ
ーすることにより、ステムピン３の先端部３ａに盛り付
けられたはんだ７と電極４とをはんだ（クリームはん
だ）６によりはんだ付けして結合する。
【００１６】このようにして、ステムピン３の先端部３
ａにはんだ７を盛り付けることにより、ステムピン３
（の表面のはんだ６）を電極４に接近させた状態でリフ
ローソルダリングすることにより、ステムピン３が電極
４に確実に接続され、接続信頼性が向上する。
ａにはんだ７を盛り付けることにより、ステムピン３
（の表面のはんだ６）を電極４に接近させた状態でリフ
ローソルダリングすることにより、ステムピン３が電極
４に確実に接続され、接続信頼性が向上する。
【００１７】上記実施例では、ステムピン３の先端部３
ａの全体を覆うようにはんだ７を盛り付けて、ステムピ
ン３と電極４との間の空隙を小さくした場合について説
明したが、ステムピン３と電極４との間の空隙が小さく
なるように盛りつけることができる態様でありさえすれ
ば、その態様に特に制約はないので、例えば、はんだ７
を、ステムピン３の電極４と対向する部分の外周部にの
み盛り付けるようにしてもよい。
ａの全体を覆うようにはんだ７を盛り付けて、ステムピ
ン３と電極４との間の空隙を小さくした場合について説
明したが、ステムピン３と電極４との間の空隙が小さく
なるように盛りつけることができる態様でありさえすれ
ば、その態様に特に制約はないので、例えば、はんだ７
を、ステムピン３の電極４と対向する部分の外周部にの
み盛り付けるようにしてもよい。
【００１８】実施例３
図５，図６は、本願第３の発明の実施例を示す斜視図で
ある。この実施例の方法においては、その上面に電極４
が形成された基板１をステム（図示せず）上に載置し、
基板１のスルーホール２を貫通して、基板１の上面から
突出（図９参照）したステムピン３の先端部３ａに、ス
テムピン３の外径よりも直径が少し大きい穴が形成され
たリング状のワッシャ８をはめる（図５）。それから、
ステムピン３の先端部３ａ，ワッシャ８及び基板１上の
電極４にクリームはんだ６を塗布し、リフローして、ス
テムピン３，ワッシャ８，電極４を一体にはんだ付けす
る。
ある。この実施例の方法においては、その上面に電極４
が形成された基板１をステム（図示せず）上に載置し、
基板１のスルーホール２を貫通して、基板１の上面から
突出（図９参照）したステムピン３の先端部３ａに、ス
テムピン３の外径よりも直径が少し大きい穴が形成され
たリング状のワッシャ８をはめる（図５）。それから、
ステムピン３の先端部３ａ，ワッシャ８及び基板１上の
電極４にクリームはんだ６を塗布し、リフローして、ス
テムピン３，ワッシャ８，電極４を一体にはんだ付けす
る。
【００１９】このようにして、ステムピン３の先端部３
ａにワッシャ８をはめ、ステムピン３の先端部３ａ，ワ
ッシャ８及び電極４を一体にはんだ付けすることによ
り、ステムピン３の先端部３ａと電極４とがワッシャ８
を介して確実に接続され、接続信頼性が向上するととも
に製造工程での歩留りが向上する。
ａにワッシャ８をはめ、ステムピン３の先端部３ａ，ワ
ッシャ８及び電極４を一体にはんだ付けすることによ
り、ステムピン３の先端部３ａと電極４とがワッシャ８
を介して確実に接続され、接続信頼性が向上するととも
に製造工程での歩留りが向上する。
【００２０】上記実施例では、リング状のワッシャ８を
用いた場合について説明したが、一部が開環したタイプ
のワッシャを用いることも可能である。なお、ステムピ
ン３と電極４との接続を確実にするためには、ワッシャ
８の穴の直径がステムピン３の外径に対してあまり極端
に大きくないことが好ましい。
用いた場合について説明したが、一部が開環したタイプ
のワッシャを用いることも可能である。なお、ステムピ
ン３と電極４との接続を確実にするためには、ワッシャ
８の穴の直径がステムピン３の外径に対してあまり極端
に大きくないことが好ましい。
【００２１】
【発明の効果】上述のように、本願第１の発明の焦電型
赤外線センサの製造方法は、ステムピンの先端部を折り
曲げて、電極に接触させた状態ではんだ付けするように
しているので、ステムピンが電極に確実に接続され、製
造工程での歩留りが向上するとともに、製品の信頼性が
向上する。
赤外線センサの製造方法は、ステムピンの先端部を折り
曲げて、電極に接触させた状態ではんだ付けするように
しているので、ステムピンが電極に確実に接続され、製
造工程での歩留りが向上するとともに、製品の信頼性が
向上する。
【００２２】また、本願第２の発明の焦電型赤外線セン
サの製造方法は、ステムピンの先端部にはんだを盛り付
け、ステムピンと電極との間の空隙を小さくした後、ス
テムピン（に盛り付けられたはんだ）と電極とをはんだ
付けするようにしているので、ステムピンが電極に確実
に接続され、製造工程における歩留りが向上するととも
に、製品の信頼性が向上する。
サの製造方法は、ステムピンの先端部にはんだを盛り付
け、ステムピンと電極との間の空隙を小さくした後、ス
テムピン（に盛り付けられたはんだ）と電極とをはんだ
付けするようにしているので、ステムピンが電極に確実
に接続され、製造工程における歩留りが向上するととも
に、製品の信頼性が向上する。
【００２３】さらに、本願第３の発明の焦電型赤外線セ
ンサの製造方法は、ステムピンの先端部にワッシャをは
め、ステムピンの先端部，ワッシャ，電極を一体にはん
だ付けするようにしているので、ステムピンと電極とが
確実に接続され、製造工程における歩留りと、製品の信
頼性が向上する。
ンサの製造方法は、ステムピンの先端部にワッシャをは
め、ステムピンの先端部，ワッシャ，電極を一体にはん
だ付けするようにしているので、ステムピンと電極とが
確実に接続され、製造工程における歩留りと、製品の信
頼性が向上する。
【図１】本願第１の発明の一実施例にかかる焦電型赤外
線センサの製造方法を示す斜視図である。
線センサの製造方法を示す斜視図である。
【図２】本願第１の発明の一実施例にかかる焦電型赤外
線センサの製造方法を示す斜視図である。
線センサの製造方法を示す斜視図である。
【図３】本願第２の発明の一実施例にかかる焦電型赤外
線センサの製造方法を示す斜視図である。
線センサの製造方法を示す斜視図である。
【図４】本願第２の発明の一実施例にかかる焦電型赤外
線センサの製造方法を示す斜視図である。
線センサの製造方法を示す斜視図である。
【図５】本願第３の発明の一実施例にかかる焦電型赤外
線センサの製造方法を示す斜視図である。
線センサの製造方法を示す斜視図である。
【図６】本願第３の発明の一実施例にかかる焦電型赤外
線センサの製造方法を示す斜視図である。
線センサの製造方法を示す斜視図である。
【図７】従来例及び本願発明の焦電型赤外線センサの構
造を示す分解斜視図である。
造を示す分解斜視図である。
【図８】従来例及び本願発明の焦電型赤外線センサの回
路構成を示す図である。
路構成を示す図である。
【図９】従来の焦電型赤外線センサの製造方法の一工程
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１０】従来の焦電型赤外線センサの製造方法の一工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
１ 基板
２ スルーホール
３ ステムピン
３ａ ステムピンの先端部
４ 電極
６ クリームはんだ
７ はんだ
８ ワッシャ
Claims (3)
- 【請求項１】 ステム上に載置され、上面に電極が形成
された基板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの
素子を配設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャ
ンで封止してなる焦電型赤外線センサの製造方法におい
て、ステムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出
された外部端子と導通するステムピンを、基板のスルー
ホールに挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先
端部を曲折させて、基板上の電極に接触させ、その状態
でステムピンと電極とをはんだ付けすることにより、ス
テムピンと基板上の電極とを電気的に接続することを特
徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。 - 【請求項２】 ステム上に載置され、上面に電極が形成
された基板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの
素子を配設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャ
ンで封止してなる焦電型赤外線センサの製造方法におい
て、ステムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出
された外部端子と導通するステムピンを、基板のスルー
ホールに挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先
端部にはんだを盛り付けて、ステムピンと基板上の電極
との間の空隙を小さくした後、ステムピンの先端部に設
けられたはんだと基板上の電極とをはんだ付けすること
により、ステムピンと基板上の電極とを電気的に接続す
ることを特徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。 - 【請求項３】 ステム上に載置され、上面に電極が形成
された基板上に、焦電素子、抵抗チップ、ＦＥＴなどの
素子を配設し、該素子を光学フィルタを取り付けたキャ
ンで封止してなる焦電型赤外線センサの製造方法におい
て、ステムの上面に設けられ、該ステムの下面に引き出
された外部端子と導通するステムピンを、基板のスルー
ホールに挿通し、基板の上面に突出したステムピンの先
端部にワッシャをはめ、ステムピンの先端部，ワッシャ
及び基板上の電極を一体にはんだ付けすることにより、
ステムピンと基板上の電極とを電気的に接続することを
特徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183245A JPH051947A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183245A JPH051947A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH051947A true JPH051947A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16132319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183245A Withdrawn JPH051947A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999061870A1 (fr) * | 1998-05-22 | 1999-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un capteur et d'un element de resistance |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3183245A patent/JPH051947A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999061870A1 (fr) * | 1998-05-22 | 1999-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un capteur et d'un element de resistance |
| US6395575B1 (en) | 1998-05-22 | 2002-05-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing sensor and resistor element |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |