JPH07122699A - ハイブリッドic及びその組立方法 - Google Patents
ハイブリッドic及びその組立方法Info
- Publication number
- JPH07122699A JPH07122699A JP26915993A JP26915993A JPH07122699A JP H07122699 A JPH07122699 A JP H07122699A JP 26915993 A JP26915993 A JP 26915993A JP 26915993 A JP26915993 A JP 26915993A JP H07122699 A JPH07122699 A JP H07122699A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- pad
- lead terminal
- ceramic substrate
- hybrid
- Prior art date
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャップと基板の接合状態を良好にし、耐湿
性を高める。 【構成】 セラミック基板1上にキャップ10を被せた
ハイブリッドICにおいて、セラミック基板1の回路パ
ターン11上に導電材料からなるパッド12を設け、こ
のパッド12と、キャップに貫通して設けたリード端子
14とを相互に嵌合させた。
性を高める。 【構成】 セラミック基板1上にキャップ10を被せた
ハイブリッドICにおいて、セラミック基板1の回路パ
ターン11上に導電材料からなるパッド12を設け、こ
のパッド12と、キャップに貫通して設けたリード端子
14とを相互に嵌合させた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、一枚のセラミック基
板上に回路パターン、回路部品を集積したハイブリッド
ICとその組立方法に関するものである。
板上に回路パターン、回路部品を集積したハイブリッド
ICとその組立方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の素子では、高温高湿環境下でも
使用できるように、電気部品を密封するためのキャップ
を被せている。従来では、図4に示すように、ハイブリ
ッドICのセラミック基板1上にセラミック製のキャッ
プ2を被せ、接着剤3でキャップ2を基板1に接合する
ことにより耐湿性を持たせている。この場合、信号線、
電源線については、回路パターンの一部をキャップ2外
にまで延ばして、リード端子4と接合することにより確
保している。なお、5はICチップ、6はコンデンサ等
の電気部品である。
使用できるように、電気部品を密封するためのキャップ
を被せている。従来では、図4に示すように、ハイブリ
ッドICのセラミック基板1上にセラミック製のキャッ
プ2を被せ、接着剤3でキャップ2を基板1に接合する
ことにより耐湿性を持たせている。この場合、信号線、
電源線については、回路パターンの一部をキャップ2外
にまで延ばして、リード端子4と接合することにより確
保している。なお、5はICチップ、6はコンデンサ等
の電気部品である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のハイ
ブリッドICでは、セラミック製のキャップの開口縁部
とセラミック基板との間に、リード端子と接合するため
の回路パターンが部分的に存在するため、キャップと基
板の接着層が不均一な状態になりやすく、耐湿性が劣化
することがあった。
ブリッドICでは、セラミック製のキャップの開口縁部
とセラミック基板との間に、リード端子と接合するため
の回路パターンが部分的に存在するため、キャップと基
板の接着層が不均一な状態になりやすく、耐湿性が劣化
することがあった。
【0004】本発明は、従来の弱点であったリード端子
と接続するために設けていた回路パターンを無くすこと
によって、キャップと基板の接合状態を改善し、耐湿性
を向上させることのできるハイブリッドICとその組立
方法を提供することを目的とする。
と接続するために設けていた回路パターンを無くすこと
によって、キャップと基板の接合状態を改善し、耐湿性
を向上させることのできるハイブリッドICとその組立
方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るハ
イブリッドICは、回路パターン上に導電材料からなる
パッドを設け、このパッドと、キャップに貫通して設け
たリード端子とを相互に嵌合させたものである。
イブリッドICは、回路パターン上に導電材料からなる
パッドを設け、このパッドと、キャップに貫通して設け
たリード端子とを相互に嵌合させたものである。
【0006】請求項2の発明に係るハイブリッドICの
組立方法は、キャップにリード端子を貫通して設けると
共に、回路パターン上に導電材料からなるパッドを設
け、またキャップの開口縁部を少なくとも金属で形成す
ると共に、セラミック基板のキャップの開口縁部が当接
する部分に金属パターンを形成し、キャップをセラミッ
ク基板上に被せてキャップの開口縁部を前記金属パター
ンに当接させ、かつパッドとリード端子とを相互に嵌合
させた後、セラミック基板とキャップの当接部をハンダ
付けまたはロー付けするものである。
組立方法は、キャップにリード端子を貫通して設けると
共に、回路パターン上に導電材料からなるパッドを設
け、またキャップの開口縁部を少なくとも金属で形成す
ると共に、セラミック基板のキャップの開口縁部が当接
する部分に金属パターンを形成し、キャップをセラミッ
ク基板上に被せてキャップの開口縁部を前記金属パター
ンに当接させ、かつパッドとリード端子とを相互に嵌合
させた後、セラミック基板とキャップの当接部をハンダ
付けまたはロー付けするものである。
【0007】
【作用】請求項1の発明におけるハイブリッドICは、
回路パターン上に設けたパッドと、キャップに貫通した
リード端子とを嵌合したので、セラミック基板上にリー
ド端子と接続するための回路パターンを設ける必要がな
い。
回路パターン上に設けたパッドと、キャップに貫通した
リード端子とを嵌合したので、セラミック基板上にリー
ド端子と接続するための回路パターンを設ける必要がな
い。
【0008】請求項2の発明におけるハイブリッドIC
の組立方法は、回路パターン上に設けたパッドと、キャ
ップに貫通したリード端子とを嵌合した後、キャップと
基板とをハンダ付けまたはロー付け接合するので、その
接合部が冷却した際の収縮作用によりリード端子とパッ
ドの結合が強固になる。
の組立方法は、回路パターン上に設けたパッドと、キャ
ップに貫通したリード端子とを嵌合した後、キャップと
基板とをハンダ付けまたはロー付け接合するので、その
接合部が冷却した際の収縮作用によりリード端子とパッ
ドの結合が強固になる。
【0009】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1はこの発明の実施例1によるハイ
ブリッドICを示す部分断面図であり、図において、1
はセラミック基板、10は金属製のキャップ、11はセ
ラミック基板1上に形成された回路パターン、12は回
路パターン11の一部上にハンダ付けされて立設された
金属製のパッド、13はキャップ10の上壁10aを貫
通した状態でキャップ10とハンダ付けされた貫通コン
デンサ、14はその中心のリード端子、15はセラミッ
ク基板1上のキャップ10の開口縁部10bが当接する
部分に全周にわたって一様に形成された金属パターン、
16は金属パターン15とキャップ10の開口縁部10
bのハンダ付け部分である。なお、ICチップや電気部
品は図示を省略してある。パッド12の上端とリード端
子14の下端は、相互に嵌合できるよう、一方がソケッ
ト形状、他方がピン形状になっている。また、セラミッ
ク基板1上の金属パターンは、蒸着や印刷により形成さ
れている。
ついて説明する。図1はこの発明の実施例1によるハイ
ブリッドICを示す部分断面図であり、図において、1
はセラミック基板、10は金属製のキャップ、11はセ
ラミック基板1上に形成された回路パターン、12は回
路パターン11の一部上にハンダ付けされて立設された
金属製のパッド、13はキャップ10の上壁10aを貫
通した状態でキャップ10とハンダ付けされた貫通コン
デンサ、14はその中心のリード端子、15はセラミッ
ク基板1上のキャップ10の開口縁部10bが当接する
部分に全周にわたって一様に形成された金属パターン、
16は金属パターン15とキャップ10の開口縁部10
bのハンダ付け部分である。なお、ICチップや電気部
品は図示を省略してある。パッド12の上端とリード端
子14の下端は、相互に嵌合できるよう、一方がソケッ
ト形状、他方がピン形状になっている。また、セラミッ
ク基板1上の金属パターンは、蒸着や印刷により形成さ
れている。
【0010】このハイブリッドICは、リード端子14
をキャップ10に貫通して設けることにより、セラミッ
ク基板1上の回路パターン11の一部をキャップ10外
に延ばす必要を無くしている。従って、キャップ10の
開口縁部10bが当接する部分が、一様な平滑面となっ
ている。この実施例では、ここに全周にわたって一様に
金属パターン15が形成されており、接合部が不均一な
状態ではなくなっている。また、回路全体をハンダ付け
によって封止しているので、高い耐湿性を維持すること
ができる。また、リード端子14として、貫通コンデン
サ13の中心電極を用いたことにより、金属製のキャッ
プ10が拾うノイズをカットすることができる。なお、
リード端子14として貫通コンデンサ13を用いなくて
も勿論よい。
をキャップ10に貫通して設けることにより、セラミッ
ク基板1上の回路パターン11の一部をキャップ10外
に延ばす必要を無くしている。従って、キャップ10の
開口縁部10bが当接する部分が、一様な平滑面となっ
ている。この実施例では、ここに全周にわたって一様に
金属パターン15が形成されており、接合部が不均一な
状態ではなくなっている。また、回路全体をハンダ付け
によって封止しているので、高い耐湿性を維持すること
ができる。また、リード端子14として、貫通コンデン
サ13の中心電極を用いたことにより、金属製のキャッ
プ10が拾うノイズをカットすることができる。なお、
リード端子14として貫通コンデンサ13を用いなくて
も勿論よい。
【0011】この実施例のハイブリッドICを組立てる
には、まず、パッド12を回路パターン11上にハンダ
付けすると共に、貫通コンデンサ13をキャップ10に
ハンダ付けする。この状態で、キャップ10をセラミッ
ク基板1上に被せて、キャップ10の開口縁部10bを
セラミック基板1上の金属パターン15に当接させ、そ
れによりパッド12とリード端子14とを相互に嵌合さ
せる。その後、セラミック基板1とキャップ10の当接
部をハンダ付けまたはロー付けし、キャップ10で封止
されたハイブリッドICを得る。
には、まず、パッド12を回路パターン11上にハンダ
付けすると共に、貫通コンデンサ13をキャップ10に
ハンダ付けする。この状態で、キャップ10をセラミッ
ク基板1上に被せて、キャップ10の開口縁部10bを
セラミック基板1上の金属パターン15に当接させ、そ
れによりパッド12とリード端子14とを相互に嵌合さ
せる。その後、セラミック基板1とキャップ10の当接
部をハンダ付けまたはロー付けし、キャップ10で封止
されたハイブリッドICを得る。
【0012】このようにハンダ付けまたはロー付けによ
りキャップ10をセラミック基板1に接合したことによ
り、ハンダまたはローが固まる際の収縮作用によって、
キャップ10がセラミック基板1側に引き寄せられ、そ
れによりリード端子14とパッド12との結合が強固に
なり、接続不良を起こすことがなくなる。
りキャップ10をセラミック基板1に接合したことによ
り、ハンダまたはローが固まる際の収縮作用によって、
キャップ10がセラミック基板1側に引き寄せられ、そ
れによりリード端子14とパッド12との結合が強固に
なり、接続不良を起こすことがなくなる。
【0013】実施例2.図2はこの発明の実施例2によ
るハイブリッドICの部分断面図、図3は図2のIII 部
の詳細断面図である。この実施例のハイブリッドICで
は、金属製ではなくセラミック製のキャップ20が用い
られており、その開口縁部20bに金属パターン25が
形成されている。そして、キャップ20側の金属パター
ン25と、セラミック基板1側の金属パターン15とが
ハンダ付けあるいはロー付けにより接合されている。ま
た、貫通コンデンサは用いられておらず、リード端子1
4が、キャップ20の貫通孔22の周縁に形成した金属
パターン24に直接ハンダ付けされている。24aはハ
ンダ付け部分である。また、リード端子14の下端が尖
っており、パッド12に食い込んでいる。それ以外の点
は実施例1と共通であり、同符号を付してある。
るハイブリッドICの部分断面図、図3は図2のIII 部
の詳細断面図である。この実施例のハイブリッドICで
は、金属製ではなくセラミック製のキャップ20が用い
られており、その開口縁部20bに金属パターン25が
形成されている。そして、キャップ20側の金属パター
ン25と、セラミック基板1側の金属パターン15とが
ハンダ付けあるいはロー付けにより接合されている。ま
た、貫通コンデンサは用いられておらず、リード端子1
4が、キャップ20の貫通孔22の周縁に形成した金属
パターン24に直接ハンダ付けされている。24aはハ
ンダ付け部分である。また、リード端子14の下端が尖
っており、パッド12に食い込んでいる。それ以外の点
は実施例1と共通であり、同符号を付してある。
【0014】この実施例のハイブリッドICも実施例1
と同じ手順で組立てる。それにより耐湿性が高く、かつ
電気接続の信頼性の高いハイブリッドICを得ることが
できる。
と同じ手順で組立てる。それにより耐湿性が高く、かつ
電気接続の信頼性の高いハイブリッドICを得ることが
できる。
【0015】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、キャップにリード端子を貫通して設け、このリード
端子の先端を回路パターン上に設けたパッドに嵌合させ
たので、セラミック基板上に、リード端子と接続するた
めの回路パターンを設ける必要がなくなる。従って、キ
ャップの開口縁部と当接するセラミック基板の表面を一
様な平滑面とすることができ、接着剤あるいはハンダ等
で接合しても、接合部の状態を良好に保つことができ
て、耐湿性の劣化を防止することができる。
ば、キャップにリード端子を貫通して設け、このリード
端子の先端を回路パターン上に設けたパッドに嵌合させ
たので、セラミック基板上に、リード端子と接続するた
めの回路パターンを設ける必要がなくなる。従って、キ
ャップの開口縁部と当接するセラミック基板の表面を一
様な平滑面とすることができ、接着剤あるいはハンダ等
で接合しても、接合部の状態を良好に保つことができ
て、耐湿性の劣化を防止することができる。
【0016】請求項2の発明によれば、回路パターン上
に設けたパッドと、キャップに貫通したリード端子とを
嵌合した後、キャップと基板とをハンダ付けまたはロー
付け接合するので、その接合部が冷却した際の収縮作用
により、リード端子とパッドの結合が強固になり、接続
不良を起こすことがなくなる。
に設けたパッドと、キャップに貫通したリード端子とを
嵌合した後、キャップと基板とをハンダ付けまたはロー
付け接合するので、その接合部が冷却した際の収縮作用
により、リード端子とパッドの結合が強固になり、接続
不良を起こすことがなくなる。
【図1】この発明の実施例1によるハイブリッドICを
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図2】この発明の実施例2によるハイブリッドICを
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図3】図2のIII 部の詳細断面図である。
【図4】従来のハイブリッドICを示す断面図である。
1 セラミック基板 10,20 キャップ 10b,20b 開口縁部 11 回路パターン 12 パッド 14 リード端子 15 金属パターン 16 ハンダ付け部分
Claims (2)
- 【請求項1】 回路パターンを形成したセラミック基板
上に電気部品を配設すると共に、この電気部品を、前記
セラミック基板上に被せたキャップにより密封したハイ
ブリッドICにおいて、前記回路パターン上に導電材料
からなるパッドを設け、このパッドと、前記キャップに
貫通して設けたリード端子とを相互に嵌合させたことを
特徴とするハイブリッドIC。 - 【請求項2】 回路パターンを形成したセラミック基板
上に電気部品を配設すると共に、この電気部品を、前記
セラミック基板上に被せたキャップにより密封したハイ
ブリッドICの製造方法において、前記キャップにリー
ド端子を貫通して設けると共に、前記回路パターン上に
導電材料からなるパッドを設け、また前記キャップの開
口縁部を少なくとも金属で形成すると共に、前記セラミ
ック基板の前記キャップの開口縁部が当接する部分に金
属パターンを形成し、前記キャップをセラミック基板上
に被せてキャップの開口縁部を前記金属パターンに当接
させ、かつ前記パッドとリード端子とを相互に嵌合させ
た後、前記セラミック基板とキャップの当接部をハンダ
付けまたはロー付けすることを特徴とするハイブリッド
ICの組立方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26915993A JPH07122699A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | ハイブリッドic及びその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26915993A JPH07122699A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | ハイブリッドic及びその組立方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07122699A true JPH07122699A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17468503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26915993A Pending JPH07122699A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | ハイブリッドic及びその組立方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07122699A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015026724A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP26915993A patent/JPH07122699A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015026724A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
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