JPH07122699A - ハイブリッドｉｃ及びその組立方法 - Google Patents
ハイブリッドｉｃ及びその組立方法Info
- Publication number
- JPH07122699A JPH07122699A JP26915993A JP26915993A JPH07122699A JP H07122699 A JPH07122699 A JP H07122699A JP 26915993 A JP26915993 A JP 26915993A JP 26915993 A JP26915993 A JP 26915993A JP H07122699 A JPH07122699 A JP H07122699A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- pad
- lead terminal
- ceramic substrate
- hybrid
- Prior art date
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャップと基板の接合状態を良好にし、耐湿
性を高める。 【構成】 セラミック基板１上にキャップ１０を被せた
ハイブリッドＩＣにおいて、セラミック基板１の回路パ
ターン１１上に導電材料からなるパッド１２を設け、こ
のパッド１２と、キャップに貫通して設けたリード端子
１４とを相互に嵌合させた。
性を高める。 【構成】 セラミック基板１上にキャップ１０を被せた
ハイブリッドＩＣにおいて、セラミック基板１の回路パ
ターン１１上に導電材料からなるパッド１２を設け、こ
のパッド１２と、キャップに貫通して設けたリード端子
１４とを相互に嵌合させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一枚のセラミック基
板上に回路パターン、回路部品を集積したハイブリッド
ＩＣとその組立方法に関するものである。
板上に回路パターン、回路部品を集積したハイブリッド
ＩＣとその組立方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の素子では、高温高湿環境下でも
使用できるように、電気部品を密封するためのキャップ
を被せている。従来では、図４に示すように、ハイブリ
ッドＩＣのセラミック基板１上にセラミック製のキャッ
プ２を被せ、接着剤３でキャップ２を基板１に接合する
ことにより耐湿性を持たせている。この場合、信号線、
電源線については、回路パターンの一部をキャップ２外
にまで延ばして、リード端子４と接合することにより確
保している。なお、５はＩＣチップ、６はコンデンサ等
の電気部品である。
使用できるように、電気部品を密封するためのキャップ
を被せている。従来では、図４に示すように、ハイブリ
ッドＩＣのセラミック基板１上にセラミック製のキャッ
プ２を被せ、接着剤３でキャップ２を基板１に接合する
ことにより耐湿性を持たせている。この場合、信号線、
電源線については、回路パターンの一部をキャップ２外
にまで延ばして、リード端子４と接合することにより確
保している。なお、５はＩＣチップ、６はコンデンサ等
の電気部品である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のハイ
ブリッドＩＣでは、セラミック製のキャップの開口縁部
とセラミック基板との間に、リード端子と接合するため
の回路パターンが部分的に存在するため、キャップと基
板の接着層が不均一な状態になりやすく、耐湿性が劣化
することがあった。
ブリッドＩＣでは、セラミック製のキャップの開口縁部
とセラミック基板との間に、リード端子と接合するため
の回路パターンが部分的に存在するため、キャップと基
板の接着層が不均一な状態になりやすく、耐湿性が劣化
することがあった。
【０００４】本発明は、従来の弱点であったリード端子
と接続するために設けていた回路パターンを無くすこと
によって、キャップと基板の接合状態を改善し、耐湿性
を向上させることのできるハイブリッドＩＣとその組立
方法を提供することを目的とする。
と接続するために設けていた回路パターンを無くすこと
によって、キャップと基板の接合状態を改善し、耐湿性
を向上させることのできるハイブリッドＩＣとその組立
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るハ
イブリッドＩＣは、回路パターン上に導電材料からなる
パッドを設け、このパッドと、キャップに貫通して設け
たリード端子とを相互に嵌合させたものである。
イブリッドＩＣは、回路パターン上に導電材料からなる
パッドを設け、このパッドと、キャップに貫通して設け
たリード端子とを相互に嵌合させたものである。
【０００６】請求項２の発明に係るハイブリッドＩＣの
組立方法は、キャップにリード端子を貫通して設けると
共に、回路パターン上に導電材料からなるパッドを設
け、またキャップの開口縁部を少なくとも金属で形成す
ると共に、セラミック基板のキャップの開口縁部が当接
する部分に金属パターンを形成し、キャップをセラミッ
ク基板上に被せてキャップの開口縁部を前記金属パター
ンに当接させ、かつパッドとリード端子とを相互に嵌合
させた後、セラミック基板とキャップの当接部をハンダ
付けまたはロー付けするものである。
組立方法は、キャップにリード端子を貫通して設けると
共に、回路パターン上に導電材料からなるパッドを設
け、またキャップの開口縁部を少なくとも金属で形成す
ると共に、セラミック基板のキャップの開口縁部が当接
する部分に金属パターンを形成し、キャップをセラミッ
ク基板上に被せてキャップの開口縁部を前記金属パター
ンに当接させ、かつパッドとリード端子とを相互に嵌合
させた後、セラミック基板とキャップの当接部をハンダ
付けまたはロー付けするものである。
【０００７】
【作用】請求項１の発明におけるハイブリッドＩＣは、
回路パターン上に設けたパッドと、キャップに貫通した
リード端子とを嵌合したので、セラミック基板上にリー
ド端子と接続するための回路パターンを設ける必要がな
い。
回路パターン上に設けたパッドと、キャップに貫通した
リード端子とを嵌合したので、セラミック基板上にリー
ド端子と接続するための回路パターンを設ける必要がな
い。
【０００８】請求項２の発明におけるハイブリッドＩＣ
の組立方法は、回路パターン上に設けたパッドと、キャ
ップに貫通したリード端子とを嵌合した後、キャップと
基板とをハンダ付けまたはロー付け接合するので、その
接合部が冷却した際の収縮作用によりリード端子とパッ
ドの結合が強固になる。
の組立方法は、回路パターン上に設けたパッドと、キャ
ップに貫通したリード端子とを嵌合した後、キャップと
基板とをハンダ付けまたはロー付け接合するので、その
接合部が冷却した際の収縮作用によりリード端子とパッ
ドの結合が強固になる。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はこの発明の実施例１によるハイ
ブリッドＩＣを示す部分断面図であり、図において、１
はセラミック基板、１０は金属製のキャップ、１１はセ
ラミック基板１上に形成された回路パターン、１２は回
路パターン１１の一部上にハンダ付けされて立設された
金属製のパッド、１３はキャップ１０の上壁１０ａを貫
通した状態でキャップ１０とハンダ付けされた貫通コン
デンサ、１４はその中心のリード端子、１５はセラミッ
ク基板１上のキャップ１０の開口縁部１０ｂが当接する
部分に全周にわたって一様に形成された金属パターン、
１６は金属パターン１５とキャップ１０の開口縁部１０
ｂのハンダ付け部分である。なお、ＩＣチップや電気部
品は図示を省略してある。パッド１２の上端とリード端
子１４の下端は、相互に嵌合できるよう、一方がソケッ
ト形状、他方がピン形状になっている。また、セラミッ
ク基板１上の金属パターンは、蒸着や印刷により形成さ
れている。
ついて説明する。図１はこの発明の実施例１によるハイ
ブリッドＩＣを示す部分断面図であり、図において、１
はセラミック基板、１０は金属製のキャップ、１１はセ
ラミック基板１上に形成された回路パターン、１２は回
路パターン１１の一部上にハンダ付けされて立設された
金属製のパッド、１３はキャップ１０の上壁１０ａを貫
通した状態でキャップ１０とハンダ付けされた貫通コン
デンサ、１４はその中心のリード端子、１５はセラミッ
ク基板１上のキャップ１０の開口縁部１０ｂが当接する
部分に全周にわたって一様に形成された金属パターン、
１６は金属パターン１５とキャップ１０の開口縁部１０
ｂのハンダ付け部分である。なお、ＩＣチップや電気部
品は図示を省略してある。パッド１２の上端とリード端
子１４の下端は、相互に嵌合できるよう、一方がソケッ
ト形状、他方がピン形状になっている。また、セラミッ
ク基板１上の金属パターンは、蒸着や印刷により形成さ
れている。
【００１０】このハイブリッドＩＣは、リード端子１４
をキャップ１０に貫通して設けることにより、セラミッ
ク基板１上の回路パターン１１の一部をキャップ１０外
に延ばす必要を無くしている。従って、キャップ１０の
開口縁部１０ｂが当接する部分が、一様な平滑面となっ
ている。この実施例では、ここに全周にわたって一様に
金属パターン１５が形成されており、接合部が不均一な
状態ではなくなっている。また、回路全体をハンダ付け
によって封止しているので、高い耐湿性を維持すること
ができる。また、リード端子１４として、貫通コンデン
サ１３の中心電極を用いたことにより、金属製のキャッ
プ１０が拾うノイズをカットすることができる。なお、
リード端子１４として貫通コンデンサ１３を用いなくて
も勿論よい。
をキャップ１０に貫通して設けることにより、セラミッ
ク基板１上の回路パターン１１の一部をキャップ１０外
に延ばす必要を無くしている。従って、キャップ１０の
開口縁部１０ｂが当接する部分が、一様な平滑面となっ
ている。この実施例では、ここに全周にわたって一様に
金属パターン１５が形成されており、接合部が不均一な
状態ではなくなっている。また、回路全体をハンダ付け
によって封止しているので、高い耐湿性を維持すること
ができる。また、リード端子１４として、貫通コンデン
サ１３の中心電極を用いたことにより、金属製のキャッ
プ１０が拾うノイズをカットすることができる。なお、
リード端子１４として貫通コンデンサ１３を用いなくて
も勿論よい。
【００１１】この実施例のハイブリッドＩＣを組立てる
には、まず、パッド１２を回路パターン１１上にハンダ
付けすると共に、貫通コンデンサ１３をキャップ１０に
ハンダ付けする。この状態で、キャップ１０をセラミッ
ク基板１上に被せて、キャップ１０の開口縁部１０ｂを
セラミック基板１上の金属パターン１５に当接させ、そ
れによりパッド１２とリード端子１４とを相互に嵌合さ
せる。その後、セラミック基板１とキャップ１０の当接
部をハンダ付けまたはロー付けし、キャップ１０で封止
されたハイブリッドＩＣを得る。
には、まず、パッド１２を回路パターン１１上にハンダ
付けすると共に、貫通コンデンサ１３をキャップ１０に
ハンダ付けする。この状態で、キャップ１０をセラミッ
ク基板１上に被せて、キャップ１０の開口縁部１０ｂを
セラミック基板１上の金属パターン１５に当接させ、そ
れによりパッド１２とリード端子１４とを相互に嵌合さ
せる。その後、セラミック基板１とキャップ１０の当接
部をハンダ付けまたはロー付けし、キャップ１０で封止
されたハイブリッドＩＣを得る。
【００１２】このようにハンダ付けまたはロー付けによ
りキャップ１０をセラミック基板１に接合したことによ
り、ハンダまたはローが固まる際の収縮作用によって、
キャップ１０がセラミック基板１側に引き寄せられ、そ
れによりリード端子１４とパッド１２との結合が強固に
なり、接続不良を起こすことがなくなる。
りキャップ１０をセラミック基板１に接合したことによ
り、ハンダまたはローが固まる際の収縮作用によって、
キャップ１０がセラミック基板１側に引き寄せられ、そ
れによりリード端子１４とパッド１２との結合が強固に
なり、接続不良を起こすことがなくなる。
【００１３】実施例２．図２はこの発明の実施例２によ
るハイブリッドＩＣの部分断面図、図３は図２のIII 部
の詳細断面図である。この実施例のハイブリッドＩＣで
は、金属製ではなくセラミック製のキャップ２０が用い
られており、その開口縁部２０ｂに金属パターン２５が
形成されている。そして、キャップ２０側の金属パター
ン２５と、セラミック基板１側の金属パターン１５とが
ハンダ付けあるいはロー付けにより接合されている。ま
た、貫通コンデンサは用いられておらず、リード端子１
４が、キャップ２０の貫通孔２２の周縁に形成した金属
パターン２４に直接ハンダ付けされている。２４ａはハ
ンダ付け部分である。また、リード端子１４の下端が尖
っており、パッド１２に食い込んでいる。それ以外の点
は実施例１と共通であり、同符号を付してある。
るハイブリッドＩＣの部分断面図、図３は図２のIII 部
の詳細断面図である。この実施例のハイブリッドＩＣで
は、金属製ではなくセラミック製のキャップ２０が用い
られており、その開口縁部２０ｂに金属パターン２５が
形成されている。そして、キャップ２０側の金属パター
ン２５と、セラミック基板１側の金属パターン１５とが
ハンダ付けあるいはロー付けにより接合されている。ま
た、貫通コンデンサは用いられておらず、リード端子１
４が、キャップ２０の貫通孔２２の周縁に形成した金属
パターン２４に直接ハンダ付けされている。２４ａはハ
ンダ付け部分である。また、リード端子１４の下端が尖
っており、パッド１２に食い込んでいる。それ以外の点
は実施例１と共通であり、同符号を付してある。
【００１４】この実施例のハイブリッドＩＣも実施例１
と同じ手順で組立てる。それにより耐湿性が高く、かつ
電気接続の信頼性の高いハイブリッドＩＣを得ることが
できる。
と同じ手順で組立てる。それにより耐湿性が高く、かつ
電気接続の信頼性の高いハイブリッドＩＣを得ることが
できる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、キャップにリード端子を貫通して設け、このリード
端子の先端を回路パターン上に設けたパッドに嵌合させ
たので、セラミック基板上に、リード端子と接続するた
めの回路パターンを設ける必要がなくなる。従って、キ
ャップの開口縁部と当接するセラミック基板の表面を一
様な平滑面とすることができ、接着剤あるいはハンダ等
で接合しても、接合部の状態を良好に保つことができ
て、耐湿性の劣化を防止することができる。
ば、キャップにリード端子を貫通して設け、このリード
端子の先端を回路パターン上に設けたパッドに嵌合させ
たので、セラミック基板上に、リード端子と接続するた
めの回路パターンを設ける必要がなくなる。従って、キ
ャップの開口縁部と当接するセラミック基板の表面を一
様な平滑面とすることができ、接着剤あるいはハンダ等
で接合しても、接合部の状態を良好に保つことができ
て、耐湿性の劣化を防止することができる。
【００１６】請求項２の発明によれば、回路パターン上
に設けたパッドと、キャップに貫通したリード端子とを
嵌合した後、キャップと基板とをハンダ付けまたはロー
付け接合するので、その接合部が冷却した際の収縮作用
により、リード端子とパッドの結合が強固になり、接続
不良を起こすことがなくなる。
に設けたパッドと、キャップに貫通したリード端子とを
嵌合した後、キャップと基板とをハンダ付けまたはロー
付け接合するので、その接合部が冷却した際の収縮作用
により、リード端子とパッドの結合が強固になり、接続
不良を起こすことがなくなる。
【図１】この発明の実施例１によるハイブリッドＩＣを
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】この発明の実施例２によるハイブリッドＩＣを
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図３】図２のIII 部の詳細断面図である。
【図４】従来のハイブリッドＩＣを示す断面図である。
１ セラミック基板 １０，２０ キャップ １０ｂ，２０ｂ 開口縁部 １１ 回路パターン １２ パッド １４ リード端子 １５ 金属パターン １６ ハンダ付け部分
Claims (2)
- 【請求項１】 回路パターンを形成したセラミック基板
上に電気部品を配設すると共に、この電気部品を、前記
セラミック基板上に被せたキャップにより密封したハイ
ブリッドＩＣにおいて、前記回路パターン上に導電材料
からなるパッドを設け、このパッドと、前記キャップに
貫通して設けたリード端子とを相互に嵌合させたことを
特徴とするハイブリッドＩＣ。 - 【請求項２】 回路パターンを形成したセラミック基板
上に電気部品を配設すると共に、この電気部品を、前記
セラミック基板上に被せたキャップにより密封したハイ
ブリッドＩＣの製造方法において、前記キャップにリー
ド端子を貫通して設けると共に、前記回路パターン上に
導電材料からなるパッドを設け、また前記キャップの開
口縁部を少なくとも金属で形成すると共に、前記セラミ
ック基板の前記キャップの開口縁部が当接する部分に金
属パターンを形成し、前記キャップをセラミック基板上
に被せてキャップの開口縁部を前記金属パターンに当接
させ、かつ前記パッドとリード端子とを相互に嵌合させ
た後、前記セラミック基板とキャップの当接部をハンダ
付けまたはロー付けすることを特徴とするハイブリッド
ＩＣの組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26915993A JPH07122699A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | ハイブリッドｉｃ及びその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26915993A JPH07122699A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | ハイブリッドｉｃ及びその組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122699A true JPH07122699A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17468503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26915993A Pending JPH07122699A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | ハイブリッドｉｃ及びその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015026724A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP26915993A patent/JPH07122699A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015026724A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
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