JPH0518933A - 酸素センサ - Google Patents
酸素センサInfo
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- JPH0518933A JPH0518933A JP3194745A JP19474591A JPH0518933A JP H0518933 A JPH0518933 A JP H0518933A JP 3194745 A JP3194745 A JP 3194745A JP 19474591 A JP19474591 A JP 19474591A JP H0518933 A JPH0518933 A JP H0518933A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 第１電極層３上に積層された固体電解質層２
との間に生じる抵抗を少なくすることができ、これによ
って正確な限界電流を測定することが可能な酸素センサ
を提供することを目的とする。 【構成】 ポーラスセラミック基板１０と第１電極層１
２との間に設けたバッファ層であるセラミック薄膜１１
により、ポーラスセラミック基板１０のポーラスな形状
を緩和させて、該セラミック薄膜１１上に積層される第
１電極層１２の上面を平面に近づける。これによって該
第１電極層１２と、該第１電極層１２上に積層された固
体電解質層１３との間に余計な抵抗が生じず、これによ
ってイオン電流値Ｉの全体的な低下を防止する。
との間に生じる抵抗を少なくすることができ、これによ
って正確な限界電流を測定することが可能な酸素センサ
を提供することを目的とする。 【構成】 ポーラスセラミック基板１０と第１電極層１
２との間に設けたバッファ層であるセラミック薄膜１１
により、ポーラスセラミック基板１０のポーラスな形状
を緩和させて、該セラミック薄膜１１上に積層される第
１電極層１２の上面を平面に近づける。これによって該
第１電極層１２と、該第１電極層１２上に積層された固
体電解質層１３との間に余計な抵抗が生じず、これによ
ってイオン電流値Ｉの全体的な低下を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、限界電流特性が良好な
酸素センサに関する。
酸素センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の酸素センサとして図３に示す構
成のものが従来より知られている。この図に示す酸素セ
ンサは、フォルステライト等のセラミックをポーラス状
に形成したポーラスセラミック基板１上に、イオン導電
体であるＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等の固
体電解質層２と、固体電解質層２の両面にそれぞれ積層
されて、該固体電解質層２に対して所定電圧が印加され
る第１電極層３・第２電極層４とから構成されたセンサ
素子５が設けられたものであり、前記固体電解質層２内
では、電極層３・４に一定のセンサ監視電圧を印加した
状態にしておくと、酸素ポンピング作用により酸素イオ
ンをキャリアとするイオン電流が流れるようになってい
る。そして、ここで生じる酸素ポンピング作用は、前記
ポーラスセラミック基板１のポーラス度によって制限さ
れ、センサ監視電圧を増加させてもイオン電流値が増加
しない一定となる状態（フラットな状態）が得られ、こ
れによって該イオン電流に限界電流を生じさせるなって
いる。すなわち、前記ポーラスセラミック基板１のポー
ラスな部分は、酸素センサにおいて従来より知られてい
る気体拡散孔の機能を果たすものである。なお、前記電
極層３・４は酸素イオンが通過できる程度にポーラスに
形成されている。
成のものが従来より知られている。この図に示す酸素セ
ンサは、フォルステライト等のセラミックをポーラス状
に形成したポーラスセラミック基板１上に、イオン導電
体であるＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等の固
体電解質層２と、固体電解質層２の両面にそれぞれ積層
されて、該固体電解質層２に対して所定電圧が印加され
る第１電極層３・第２電極層４とから構成されたセンサ
素子５が設けられたものであり、前記固体電解質層２内
では、電極層３・４に一定のセンサ監視電圧を印加した
状態にしておくと、酸素ポンピング作用により酸素イオ
ンをキャリアとするイオン電流が流れるようになってい
る。そして、ここで生じる酸素ポンピング作用は、前記
ポーラスセラミック基板１のポーラス度によって制限さ
れ、センサ監視電圧を増加させてもイオン電流値が増加
しない一定となる状態（フラットな状態）が得られ、こ
れによって該イオン電流に限界電流を生じさせるなって
いる。すなわち、前記ポーラスセラミック基板１のポー
ラスな部分は、酸素センサにおいて従来より知られてい
る気体拡散孔の機能を果たすものである。なお、前記電
極層３・４は酸素イオンが通過できる程度にポーラスに
形成されている。
【０００３】ところで、上記のような酸素センサでは、
センサ素子５を、ポーラスセラミック基板１上にスパッ
タリング（気相蒸着）することにより形成するようにし
ている、具体的にはポーラスセラミック基板１上に、ま
ず、電極材料である白金をスパッタリングして第１電極
層３を形成し、この後、該第１電極層３上にイオン導電
体をスパッタリングして固体電解質層２を形成し、最後
に電極材料である白金をスパッタリングして第１電極層
３と対をなす第２電極層４を形成するようにしており、
これによって以下のような不具合が発生していた。すな
わち、第１電極層３を形成する電極材料をポーラスセラ
ミック基板１上にスパッタリングした場合に、該第１電
極層３が、ポーラスセラミック基板１のポーラスな形状
をそのまま反映して、該ポーラスセラミック基板１上に
積層されることになり、これによって該第１電極層３の
上面が、ポーラスセラミック基板１のポーラスな部分を
反映した形状（凸凹な形状）となる。その結果として、
第１電極層３と、該第１電極層３上に積層された固体電
解質層２との間の凹凸（ポーラスセラミック基板１のポ
ーラスな部分を反映した形状）が抵抗となって、イオン
電流値が全体的に低下して正確な限界電流を測定できな
いという問題が生じていた。
センサ素子５を、ポーラスセラミック基板１上にスパッ
タリング（気相蒸着）することにより形成するようにし
ている、具体的にはポーラスセラミック基板１上に、ま
ず、電極材料である白金をスパッタリングして第１電極
層３を形成し、この後、該第１電極層３上にイオン導電
体をスパッタリングして固体電解質層２を形成し、最後
に電極材料である白金をスパッタリングして第１電極層
３と対をなす第２電極層４を形成するようにしており、
これによって以下のような不具合が発生していた。すな
わち、第１電極層３を形成する電極材料をポーラスセラ
ミック基板１上にスパッタリングした場合に、該第１電
極層３が、ポーラスセラミック基板１のポーラスな形状
をそのまま反映して、該ポーラスセラミック基板１上に
積層されることになり、これによって該第１電極層３の
上面が、ポーラスセラミック基板１のポーラスな部分を
反映した形状（凸凹な形状）となる。その結果として、
第１電極層３と、該第１電極層３上に積層された固体電
解質層２との間の凹凸（ポーラスセラミック基板１のポ
ーラスな部分を反映した形状）が抵抗となって、イオン
電流値が全体的に低下して正確な限界電流を測定できな
いという問題が生じていた。
【０００４】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、第１電極層３と、該第１電極層３上に積
層された固体電解質層２との界面に生じる抵抗を少なく
することができ、これによって正確な限界電流を測定す
ることが可能な酸素センサを提供することを目的とす
る。
ものであって、第１電極層３と、該第１電極層３上に積
層された固体電解質層２との界面に生じる抵抗を少なく
することができ、これによって正確な限界電流を測定す
ることが可能な酸素センサを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、全体がポーラス状に形成されたポーラ
スセラミック基板上に、気相蒸着法により第１電極層、
固体電解質層、第２電極層を順次設けるようにした酸素
センサであって、前記ポーラスセラミック基板の上面で
あり、前記ポーラスセラミック基板と第１電極層との間
に、バッファ層が設けられていることを特徴とする。
に、本発明では、全体がポーラス状に形成されたポーラ
スセラミック基板上に、気相蒸着法により第１電極層、
固体電解質層、第２電極層を順次設けるようにした酸素
センサであって、前記ポーラスセラミック基板の上面で
あり、前記ポーラスセラミック基板と第１電極層との間
に、バッファ層が設けられていることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明によれば、ポーラスセラミック基板と第
１電極層との間に介在させたバッファ層により、該ポー
ラスセラミック基板のポーラスな部分の形状が緩和さ
れ、第１電極層の上面を平面に近づけることができる。
これによって該第１電極層と、該第１電極層上に積層さ
れた固体電解質層との界面に抵抗が生じることが防止で
きて、イオン電流値の低下を防止できる。
１電極層との間に介在させたバッファ層により、該ポー
ラスセラミック基板のポーラスな部分の形状が緩和さ
れ、第１電極層の上面を平面に近づけることができる。
これによって該第１電極層と、該第１電極層上に積層さ
れた固体電解質層との界面に抵抗が生じることが防止で
きて、イオン電流値の低下を防止できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係わる酸素センサを図１及び
図２に基づいて説明する。図１において、符号１０で示
すものは、フォルステライト等のセラミック粉末により
全体がポーラス状に形成されたポーラスセラミック基板
である。なお、このポーラスセラミック基板１０の材料
としては、フォルステライトの他にアルミナ、ジルコニ
ア、ステアタイトなどが使用され、あるいはこれら材料
を複数選択したものが使用される。また、このポーラス
セラミック基板１０は、前記セラミック材料に有機バイ
ンダーを混合させ、更にこれを焼結して、前記有機バイ
ンダーを分解することによりポーラス状に形成されるも
のである。
図２に基づいて説明する。図１において、符号１０で示
すものは、フォルステライト等のセラミック粉末により
全体がポーラス状に形成されたポーラスセラミック基板
である。なお、このポーラスセラミック基板１０の材料
としては、フォルステライトの他にアルミナ、ジルコニ
ア、ステアタイトなどが使用され、あるいはこれら材料
を複数選択したものが使用される。また、このポーラス
セラミック基板１０は、前記セラミック材料に有機バイ
ンダーを混合させ、更にこれを焼結して、前記有機バイ
ンダーを分解することによりポーラス状に形成されるも
のである。
【０００８】前記ポーラスセラミック基板１０の上面に
は酸素分子が通過できる程度にポーラスなセラミック薄
膜１１（バッファ層）がスパッタリング（気相蒸着）に
より設けられている。このセラミック薄膜１１は、ポー
ラスセラミック基板１０のポーラスな部分の形状を緩和
させるものである、すなわち、ポーラスセラミック基板
１０のポーラスな部分に入り込むことにより、ポーラス
セラミック基板のポーラスな形状を緩和させて、更にこ
のセラミック薄膜１１上に積層される第１電極層１２
（後述する）の上面を平面に近づけるものである。な
お、前記セラミック薄膜１１は、前記ポーラスセラミッ
ク基板１０と同様に、フォルステライト、アルミナ、ジ
ルコニア、ステアタイト、あるいはこれら材料の混合物
により形成されている。
は酸素分子が通過できる程度にポーラスなセラミック薄
膜１１（バッファ層）がスパッタリング（気相蒸着）に
より設けられている。このセラミック薄膜１１は、ポー
ラスセラミック基板１０のポーラスな部分の形状を緩和
させるものである、すなわち、ポーラスセラミック基板
１０のポーラスな部分に入り込むことにより、ポーラス
セラミック基板のポーラスな形状を緩和させて、更にこ
のセラミック薄膜１１上に積層される第１電極層１２
（後述する）の上面を平面に近づけるものである。な
お、前記セラミック薄膜１１は、前記ポーラスセラミッ
ク基板１０と同様に、フォルステライト、アルミナ、ジ
ルコニア、ステアタイト、あるいはこれら材料の混合物
により形成されている。
【０００９】また、前記セラミック薄膜１１の上面に
は、白金からなる第１電極層１２と、イオン導電体であ
るＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等からなる固
体電解質層１３と、第１電極層１２と同様に、白金から
なる第２電極層１４とから構成されるセンサ素子１５が
設けられている。このセンサ素子１５は、セラミック薄
膜１１の上面に、第１電極層１２、固体電解質層１３、
第２電極層１４が順番にスパッタリング（気相蒸着）さ
れることにより形成されるものである。そして、以上の
ように構成された酸素センサでは、電極層１２・１４に
一定のセンサ監視電圧を印加した状態にしておくと、固
体電解質層１３内において、酸素ポンピング作用により
酸素イオンをキャリアとするイオン電流が流れるととも
に、ポーラスセラミック基板１０のポーラスな部分によ
り、被検出体である検出ガスの取り込みが制限され、こ
れにより前記固体電解質層１３において生じるイオン電
流に、フラットな領域である限界電流が生じ、この限界
電流値から検出ガスの酸素濃度が測定されるようになっ
ている。
は、白金からなる第１電極層１２と、イオン導電体であ
るＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等からなる固
体電解質層１３と、第１電極層１２と同様に、白金から
なる第２電極層１４とから構成されるセンサ素子１５が
設けられている。このセンサ素子１５は、セラミック薄
膜１１の上面に、第１電極層１２、固体電解質層１３、
第２電極層１４が順番にスパッタリング（気相蒸着）さ
れることにより形成されるものである。そして、以上の
ように構成された酸素センサでは、電極層１２・１４に
一定のセンサ監視電圧を印加した状態にしておくと、固
体電解質層１３内において、酸素ポンピング作用により
酸素イオンをキャリアとするイオン電流が流れるととも
に、ポーラスセラミック基板１０のポーラスな部分によ
り、被検出体である検出ガスの取り込みが制限され、こ
れにより前記固体電解質層１３において生じるイオン電
流に、フラットな領域である限界電流が生じ、この限界
電流値から検出ガスの酸素濃度が測定されるようになっ
ている。
【００１０】以上のように構成された本発明に係る酸素
センサＡ（図１参照）と、従来の酸素センサＢ（図３参
照）との限界電流特性をそれぞれ試験した結果を図２を
参照して説明する。なお、試験に用いた酸素センサＡ
は、ポーラスセラミック基板１０が１ｍｍ、セラミック
薄膜１１が０．１μｍ、電極層１２・１４が１μｍ、固
体電解質層１３が２μｍにそれぞれ形成されたものであ
り、また、酸素センサＢは、ポーラスセラミック基板１
が１ｍｍ、電極層３・４が１μｍ、固体電解質層２が２
μｍにそれぞれ形成されたものである。そして、このよ
うな寸法に形成された酸素センサＡ及びＢのイオン電流
（Ｉ）を、印加電圧（Ｖ）をそれぞれ変化させて測定し
たところ、セラミック薄膜１１を有する本発明に係わる
酸素センサＡの方が、セラミック薄膜を有さない従来の
酸素センサＢと比較して、イオン電流値が全体的に高
く、かつ限界電流を示すフラットな領域も明確に現れて
いることが確認された。
センサＡ（図１参照）と、従来の酸素センサＢ（図３参
照）との限界電流特性をそれぞれ試験した結果を図２を
参照して説明する。なお、試験に用いた酸素センサＡ
は、ポーラスセラミック基板１０が１ｍｍ、セラミック
薄膜１１が０．１μｍ、電極層１２・１４が１μｍ、固
体電解質層１３が２μｍにそれぞれ形成されたものであ
り、また、酸素センサＢは、ポーラスセラミック基板１
が１ｍｍ、電極層３・４が１μｍ、固体電解質層２が２
μｍにそれぞれ形成されたものである。そして、このよ
うな寸法に形成された酸素センサＡ及びＢのイオン電流
（Ｉ）を、印加電圧（Ｖ）をそれぞれ変化させて測定し
たところ、セラミック薄膜１１を有する本発明に係わる
酸素センサＡの方が、セラミック薄膜を有さない従来の
酸素センサＢと比較して、イオン電流値が全体的に高
く、かつ限界電流を示すフラットな領域も明確に現れて
いることが確認された。
【００１１】これは、本発明の酸素センサＡは、第１電
極層１２がポーラスセラミック基板１０上に直接設けら
れるものではなく、バッファ層であるセラミック薄膜１
１を介在させて設けられるものであるので、従来の酸素
センサＢのように、該第１電極層３の上面がポーラスセ
ラミック基板１のポーラスな形状をそのまま反映するこ
とはなく、これによって第１電極層１２（３）と固体電
解質層１３（２）との界面部分に余計な抵抗を生じさせ
ることがないからである。すなわち、前記バッファ層で
あるセラミック薄膜１１により、ポーラスセラミック基
板１０のポーラスな形状を緩和させて、第１電極層１２
の上面を平面に近づけることができ、これによって該第
１電極層１２と、該第１電極層１２上に積層された固体
電解質層１３との間においてイオン電流に余計な抵抗が
生じず、これによって本発明に示す酸素センサＡでは、
従来の酸素センサＢのようにイオン電流値（Ｉ）が全体
的に低下することはなく、正確な限界電流を測定するこ
とが可能となるものである。
極層１２がポーラスセラミック基板１０上に直接設けら
れるものではなく、バッファ層であるセラミック薄膜１
１を介在させて設けられるものであるので、従来の酸素
センサＢのように、該第１電極層３の上面がポーラスセ
ラミック基板１のポーラスな形状をそのまま反映するこ
とはなく、これによって第１電極層１２（３）と固体電
解質層１３（２）との界面部分に余計な抵抗を生じさせ
ることがないからである。すなわち、前記バッファ層で
あるセラミック薄膜１１により、ポーラスセラミック基
板１０のポーラスな形状を緩和させて、第１電極層１２
の上面を平面に近づけることができ、これによって該第
１電極層１２と、該第１電極層１２上に積層された固体
電解質層１３との間においてイオン電流に余計な抵抗が
生じず、これによって本発明に示す酸素センサＡでは、
従来の酸素センサＢのようにイオン電流値（Ｉ）が全体
的に低下することはなく、正確な限界電流を測定するこ
とが可能となるものである。
【００１２】なお、本実施例では、セラミック薄膜１
１、電極層１２、固体電解質層１３、電極層１４をスパ
ッタリングにより設けるようにしたが、これに限定され
ず、真空蒸着法といった他の物理的気相蒸着法、あるい
はプラズマ溶射法、爆発溶射法といった化学的気相蒸着
法を用いて、前記セラミックスコーティングを行っても
良い。
１、電極層１２、固体電解質層１３、電極層１４をスパ
ッタリングにより設けるようにしたが、これに限定され
ず、真空蒸着法といった他の物理的気相蒸着法、あるい
はプラズマ溶射法、爆発溶射法といった化学的気相蒸着
法を用いて、前記セラミックスコーティングを行っても
良い。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に示
す酸素センサによれば、ポーラスセラミック基板と第１
電極層との間に介在させたバッファ層により、ポーラス
セラミック基板のポーラスな形状を緩和させて、第１電
極層の上面を平面に近づけることができる。これによ
り、第１電極層と、該第１電極層上に積層された固体電
解質層との間に余計な抵抗が生じることを防止でき、イ
オン電流値の低下を防止して正確な限界電流を測定する
ことができる効果が得られるものである。
す酸素センサによれば、ポーラスセラミック基板と第１
電極層との間に介在させたバッファ層により、ポーラス
セラミック基板のポーラスな形状を緩和させて、第１電
極層の上面を平面に近づけることができる。これによ
り、第１電極層と、該第１電極層上に積層された固体電
解質層との間に余計な抵抗が生じることを防止でき、イ
オン電流値の低下を防止して正確な限界電流を測定する
ことができる効果が得られるものである。
【図１】 本発明の酸素センサを示す正断面図。
【図２】 本発明の酸素センサと従来の酸素センサとの
レスポンスをそれぞれ示すグラフ。
レスポンスをそれぞれ示すグラフ。
【図３】 従来の酸素センサを示す正断面図。
１０……ポーラスセラミック基板、１１……セラミック
薄膜（バッファ層）、１２……第１電極層、１３…固体
電解質層、１４…第２電極層、１５……センサ素子。
薄膜（バッファ層）、１２……第１電極層、１３…固体
電解質層、１４…第２電極層、１５……センサ素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 克明 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (72)発明者 石橋 功成 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 全体がポーラス状に形成されたポーラス
セラミック基板上に、気相蒸着法により第１電極層、固
体電解質層、第２電極層を順次設けるようにした酸素セ
ンサであって、 前記ポーラスセラミック基板の上面であり、前記ポーラ
スセラミック基板と前記第１電極層との間には、バッフ
ァ層が設けられていることを特徴とする酸素センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3194745A JPH0816666B2 (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 酸素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3194745A JPH0816666B2 (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 酸素センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0518933A true JPH0518933A (ja) | 1993-01-26 |
| JPH0816666B2 JPH0816666B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=16329529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3194745A Expired - Fee Related JPH0816666B2 (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 酸素センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816666B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06160337A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Fujikura Ltd | 限界電流式酸素センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02167461A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燃焼制御用センサ |
| JPH02196953A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燃焼制御用センサ |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3194745A patent/JPH0816666B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02167461A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燃焼制御用センサ |
| JPH02196953A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燃焼制御用センサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06160337A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Fujikura Ltd | 限界電流式酸素センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0816666B2 (ja) | 1996-02-21 |
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