JPH05312772A - 限界電流式酸素センサの製造方法 - Google Patents
限界電流式酸素センサの製造方法Info
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- JPH05312772A JPH05312772A JP4139819A JP13981992A JPH05312772A JP H05312772 A JPH05312772 A JP H05312772A JP 4139819 A JP4139819 A JP 4139819A JP 13981992 A JP13981992 A JP 13981992A JP H05312772 A JPH05312772 A JP H05312772A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単な工程で再現性よく良好な限界電流特性を
得ることができるプレーナ型の限界電流式酸素センサの
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】シリコン基板１１にシリコン酸化膜１２を形成
した絶縁性基板を用いて、この上にアノード電極１３と
カソード電極１４を形成し、その後全面に、ＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 イオン伝導体２１を形成し、ついで全面にＺｒ
−Ｙ膜２２をスパッタにより形成した後、このＺｒ−Ｙ
膜２２を陽極酸化して、電極１３，１４のエッジ部に多
孔質ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 からなる気体拡散層２３を形成
する。
得ることができるプレーナ型の限界電流式酸素センサの
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】シリコン基板１１にシリコン酸化膜１２を形成
した絶縁性基板を用いて、この上にアノード電極１３と
カソード電極１４を形成し、その後全面に、ＺｒＯ2 −
Ｙ2 Ｏ3 イオン伝導体２１を形成し、ついで全面にＺｒ
−Ｙ膜２２をスパッタにより形成した後、このＺｒ−Ｙ
膜２２を陽極酸化して、電極１３，１４のエッジ部に多
孔質ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 からなる気体拡散層２３を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プレーナ構造の限界電
流式酸素センサの製造方法に関する。
流式酸素センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の限界電流式酸素センサは、イオン
伝導体の一方の面にアノード電極、他方の面にこれと対
向するカソード電極が形成され、いずれかの部分に気体
拡散孔が形成されて構成されている。その具体的な構造
には厚膜型と薄膜型があるが、いずれもイオン伝導体の
両面に電極を形成するために、(a) 加工プロセスが複雑
であり、大量生産に向かない、(b) イオン電流特性がイ
オン伝導体の厚みに依存するため、きびしい厚み制御が
要求される、といった難点があった。
伝導体の一方の面にアノード電極、他方の面にこれと対
向するカソード電極が形成され、いずれかの部分に気体
拡散孔が形成されて構成されている。その具体的な構造
には厚膜型と薄膜型があるが、いずれもイオン伝導体の
両面に電極を形成するために、(a) 加工プロセスが複雑
であり、大量生産に向かない、(b) イオン電流特性がイ
オン伝導体の厚みに依存するため、きびしい厚み制御が
要求される、といった難点があった。
【０００３】これに対して近年、図５(a) 〜(d) に示す
ように、基板の一方の面にアノード電極とカソード電極
を形成するプレーナ型の酸素センサが考案されている。
図５(a) (b) は、イオン伝導体である基板５１上にアノ
ード電極５２とカソード電極５３を形成して、その少な
くとも一方の電極を覆うように多孔質の気体拡散層５４
を形成したものである。図５(c) (d) は、絶縁性基板６
１を用いてこの上にイオン伝導体膜６２を形成し、その
上に、図５(a) (b) と同様にアノード電極５２，カソー
ド電極５３、および気体拡散層５４を形成したものであ
る。これらのプレーナ構造の酸素センサにおける気体拡
散層５４は、拡散層材料を印刷して焼成することによ
り、或いはスパッタすることにより得られる。
ように、基板の一方の面にアノード電極とカソード電極
を形成するプレーナ型の酸素センサが考案されている。
図５(a) (b) は、イオン伝導体である基板５１上にアノ
ード電極５２とカソード電極５３を形成して、その少な
くとも一方の電極を覆うように多孔質の気体拡散層５４
を形成したものである。図５(c) (d) は、絶縁性基板６
１を用いてこの上にイオン伝導体膜６２を形成し、その
上に、図５(a) (b) と同様にアノード電極５２，カソー
ド電極５３、および気体拡散層５４を形成したものであ
る。これらのプレーナ構造の酸素センサにおける気体拡
散層５４は、拡散層材料を印刷して焼成することによ
り、或いはスパッタすることにより得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来法により
得られるプレーナ構造の限界電流式酸素センサは、素子
特性の再現性が悪いという問題があった。特に、電極に
対する酸素ガス供給量を制限するための気体拡散層の気
体拡散制限特性の再現性が乏しく、一定の気体拡散レベ
ルを維持することが困難であり、従って良好な限界電流
特性を得ることができないという問題があった。本発明
は、この様な点に鑑みなされたもので、簡単な工程でか
つ再現性よく良好な限界電流特性を得ることができるプ
レーナ型の限界電流式酸素センサの製造方法を提供する
ことを目的とする。
得られるプレーナ構造の限界電流式酸素センサは、素子
特性の再現性が悪いという問題があった。特に、電極に
対する酸素ガス供給量を制限するための気体拡散層の気
体拡散制限特性の再現性が乏しく、一定の気体拡散レベ
ルを維持することが困難であり、従って良好な限界電流
特性を得ることができないという問題があった。本発明
は、この様な点に鑑みなされたもので、簡単な工程でか
つ再現性よく良好な限界電流特性を得ることができるプ
レーナ型の限界電流式酸素センサの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の限界電流式酸素
センサの製造方法は、第１に、絶縁性基板の一方の面に
アノード電極とカソード電極を形成し、この上にジルコ
ニア−イットリア（ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ）からなるイオ
ン伝導体膜を形成した後、更にジルコニウム−イットリ
ウム（Ｚｒ−Ｙ）膜を形成し、このＺｒ−Ｙ膜を陽極酸
化して多孔質のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 からなる気体拡散層
を形成することを特徴とする。本発明の限界電流式酸素
センサの製造方法は、第２に、絶縁性基板の一方の面に
アノード電極とカソード電極を形成し、この上にＺｒ−
Ｙ膜を形成した後、このＺｒ−Ｙ膜を陽極酸化して、ア
ノード電極とカソード電極の間隙部にＺｒＯ2−Ｙ2 Ｏ3
からなるイオン伝導体を形成すると同時に、アノード
電極とカソード電極上に多孔質のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 か
らなる気体拡散層を形成することを特徴とする。
センサの製造方法は、第１に、絶縁性基板の一方の面に
アノード電極とカソード電極を形成し、この上にジルコ
ニア−イットリア（ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 ）からなるイオ
ン伝導体膜を形成した後、更にジルコニウム−イットリ
ウム（Ｚｒ−Ｙ）膜を形成し、このＺｒ−Ｙ膜を陽極酸
化して多孔質のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 からなる気体拡散層
を形成することを特徴とする。本発明の限界電流式酸素
センサの製造方法は、第２に、絶縁性基板の一方の面に
アノード電極とカソード電極を形成し、この上にＺｒ−
Ｙ膜を形成した後、このＺｒ−Ｙ膜を陽極酸化して、ア
ノード電極とカソード電極の間隙部にＺｒＯ2−Ｙ2 Ｏ3
からなるイオン伝導体を形成すると同時に、アノード
電極とカソード電極上に多孔質のＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 か
らなる気体拡散層を形成することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明によると、基板上への膜形成と陽極酸化
という簡単な工程でプレーナ型の限界電流式酸素センサ
が得られる。また、気体拡散層となる多孔質のＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 膜は、陽極酸化の条件により多孔質の度合い
（気孔率）を容易に制御することができ、再現性の高い
気体拡散層が得られる。したがって酸素ガスの拡散特性
が安定し、良好な限界電流特性が得られる。特に第１の
方法では、イオン伝導体膜と気体拡散層とは別工程で作
られるが、これらは陽極酸化後の最終組成が同一材料と
なるため、ストレス等のない接合が得られ、耐熱性，長
期寿命という点で信頼性の高い酸素センサが得られる。
また第２の方法では、イオン伝導体と気体拡散層とが同
じ材料膜により同時に形成されるため、工程が簡単で高
い生産性が得られる。
という簡単な工程でプレーナ型の限界電流式酸素センサ
が得られる。また、気体拡散層となる多孔質のＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 膜は、陽極酸化の条件により多孔質の度合い
（気孔率）を容易に制御することができ、再現性の高い
気体拡散層が得られる。したがって酸素ガスの拡散特性
が安定し、良好な限界電流特性が得られる。特に第１の
方法では、イオン伝導体膜と気体拡散層とは別工程で作
られるが、これらは陽極酸化後の最終組成が同一材料と
なるため、ストレス等のない接合が得られ、耐熱性，長
期寿命という点で信頼性の高い酸素センサが得られる。
また第２の方法では、イオン伝導体と気体拡散層とが同
じ材料膜により同時に形成されるため、工程が簡単で高
い生産性が得られる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施例に
よる限界電流式酸素センサの製造工程を示す断面図であ
る。絶縁性基板としてこの実施例では、図１(a) に示す
ように、シリコン基板１１に約１００nmのシリコン酸化
膜１２を形成したものを用い、この上にＰｔ膜によるア
ノード電極１３とカソード電極１４を形成する。このＰ
ｔ電極の形成法は、Ｐｔペーストを印刷，焼成する方法
でもよいし、スパッタ法でもよい。アノード電極１３と
カソード電極１４の膜厚は４００nmとし、そのパターン
は、図２に示すような櫛形パターンであって、１３対が
横方向に対向するように配列される。その後、図１(b)
に示すように基板全面にスパッタ法により、ＺｒＯ2 −
Ｙ2Ｏ3 からなるイオン伝導体膜２１を形成する。この
時イオン伝導体膜２１の膜厚は３００nmであって、電極
１３，１４より薄く、したがって図１(b) に示すよう
に、電極１３，１４の間に埋め込まれて実際にイオン伝
導体として機能する部分と、電極１３，１４の上に重ね
られた部分とが分離された状態となる。続いて、図１
(c) に示すように、全面にスパッタ法または蒸着法によ
り、Ｚｒ−Ｙ膜２２を４００nmの厚さに形成する。そし
て最後に、Ｈ3 ＰＯ4 水溶液を用いて、アノード電極１
３およびカソード電極１４に正電圧を与えて陽極酸化を
行い、Ｚｒ−Ｙ膜２２の少なくとも一部を、多孔質のＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 からなる気体拡散層２３に変換する。
この陽極酸化は、図３に示すように、Ｈ3 ＰＯ4 水溶液
３３を用い、センサチップ３１のアノード電極とカソー
ド電極に正電圧を与え、対向陰極としてたとえばステン
レス板３２を用いて行う。図１(d) では、Ｚｒ−Ｙ膜２
２のうち、電極１３，１４に直接接触する電極１３，１
４のエッジ部を中心として、気体拡散層２３が形成され
た状態を示している。
説明する。図１(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施例に
よる限界電流式酸素センサの製造工程を示す断面図であ
る。絶縁性基板としてこの実施例では、図１(a) に示す
ように、シリコン基板１１に約１００nmのシリコン酸化
膜１２を形成したものを用い、この上にＰｔ膜によるア
ノード電極１３とカソード電極１４を形成する。このＰ
ｔ電極の形成法は、Ｐｔペーストを印刷，焼成する方法
でもよいし、スパッタ法でもよい。アノード電極１３と
カソード電極１４の膜厚は４００nmとし、そのパターン
は、図２に示すような櫛形パターンであって、１３対が
横方向に対向するように配列される。その後、図１(b)
に示すように基板全面にスパッタ法により、ＺｒＯ2 −
Ｙ2Ｏ3 からなるイオン伝導体膜２１を形成する。この
時イオン伝導体膜２１の膜厚は３００nmであって、電極
１３，１４より薄く、したがって図１(b) に示すよう
に、電極１３，１４の間に埋め込まれて実際にイオン伝
導体として機能する部分と、電極１３，１４の上に重ね
られた部分とが分離された状態となる。続いて、図１
(c) に示すように、全面にスパッタ法または蒸着法によ
り、Ｚｒ−Ｙ膜２２を４００nmの厚さに形成する。そし
て最後に、Ｈ3 ＰＯ4 水溶液を用いて、アノード電極１
３およびカソード電極１４に正電圧を与えて陽極酸化を
行い、Ｚｒ−Ｙ膜２２の少なくとも一部を、多孔質のＺ
ｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 からなる気体拡散層２３に変換する。
この陽極酸化は、図３に示すように、Ｈ3 ＰＯ4 水溶液
３３を用い、センサチップ３１のアノード電極とカソー
ド電極に正電圧を与え、対向陰極としてたとえばステン
レス板３２を用いて行う。図１(d) では、Ｚｒ−Ｙ膜２
２のうち、電極１３，１４に直接接触する電極１３，１
４のエッジ部を中心として、気体拡散層２３が形成され
た状態を示している。
【０００８】この実施例による実際の試作センサチップ
は、図２において、基板寸法がａ＝ｂ＝５［mm］、アノ
ード電極１３とカソード電極１４の対が１３個で、それ
らの対向する範囲がｃ＝３．７５［mm］、また電極の幅
ｄおよび間隔ｅは、ｄ＝１００［μm ］，ｅ＝１００
［μm ］である。イオン伝導体２１の具体的な組成は、
８モル％のＹ2 Ｏ3 を含むＺｒＯ2 −８Ｙ2 Ｏ3 、Ｚｒ
−Ｙ膜２２の具体的な組成は、８モル％のＹを含むＺｒ
−８Ｙ、したがってこれを陽極酸化して得られるＺｒＯ
2 −Ｙ2 Ｏ3 気体拡散層２３の組成も、ＺｒＯ2 −８Ｙ
2 Ｏ3 である。この様な条件で得られた酸素センサの電
流電圧特性を測定した結果、非常にクリアな限界電流値
ＩL が得られた。また同一条件で作製した５０個の酸素
センサについて特性を評価した結果、限界電流値ＩL は
全て９０〜９５μＡの範囲に揃っており、再現性が良好
であることが確認された。素子の各部寸法を、ａ＝ｂ＝
２．５［mm］、ｃ＝１．９［mm］、ｄ＝７５［μm ］、
ｅ＝５０［μm ］とした他、上記実施例と同様の条件で
酸素センサを作製した結果、同様の結果が得られた。
は、図２において、基板寸法がａ＝ｂ＝５［mm］、アノ
ード電極１３とカソード電極１４の対が１３個で、それ
らの対向する範囲がｃ＝３．７５［mm］、また電極の幅
ｄおよび間隔ｅは、ｄ＝１００［μm ］，ｅ＝１００
［μm ］である。イオン伝導体２１の具体的な組成は、
８モル％のＹ2 Ｏ3 を含むＺｒＯ2 −８Ｙ2 Ｏ3 、Ｚｒ
−Ｙ膜２２の具体的な組成は、８モル％のＹを含むＺｒ
−８Ｙ、したがってこれを陽極酸化して得られるＺｒＯ
2 −Ｙ2 Ｏ3 気体拡散層２３の組成も、ＺｒＯ2 −８Ｙ
2 Ｏ3 である。この様な条件で得られた酸素センサの電
流電圧特性を測定した結果、非常にクリアな限界電流値
ＩL が得られた。また同一条件で作製した５０個の酸素
センサについて特性を評価した結果、限界電流値ＩL は
全て９０〜９５μＡの範囲に揃っており、再現性が良好
であることが確認された。素子の各部寸法を、ａ＝ｂ＝
２．５［mm］、ｃ＝１．９［mm］、ｄ＝７５［μm ］、
ｅ＝５０［μm ］とした他、上記実施例と同様の条件で
酸素センサを作製した結果、同様の結果が得られた。
【０００９】図４(a) 〜(c) は、本発明の第２の実施例
による限界電流式酸素センサの製造工程を示す断面図で
ある。絶縁性基板としてこの実施例でも、図４(a) に示
すように、シリコン基板１１に約２００nmのシリコン酸
化膜１２を形成したものを用い、この上にまず、Ｐｔ膜
によるアノード電極１３とカソード電極１４を形成す
る。アノード電極１３とカソード電極１４のパターンは
具体的には、図２に示すような櫛形パターンであって、
１３対が横方向に対向するように配列される。この後、
図４(b) に示すように、全面にＺｒ−Ｙ膜１５をスパッ
タ法または蒸着法により形成する。ついで、Ｚｒ−Ｙ膜
１５を先の実施例と同様にＨ3 ＰＯ4水溶液を用いて陽
極酸化して、図４(c) に示すように、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ
3 多孔質膜１６に変換する。こうして得られたＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 多孔質膜１６が、アノード電極１３とカソー
ド電極１４の間隙部では両電極１３，１４を繋ぐイオン
伝導体となり、またアノード電極１３とカソード電極１
４上の部分が気体拡散層となる。
による限界電流式酸素センサの製造工程を示す断面図で
ある。絶縁性基板としてこの実施例でも、図４(a) に示
すように、シリコン基板１１に約２００nmのシリコン酸
化膜１２を形成したものを用い、この上にまず、Ｐｔ膜
によるアノード電極１３とカソード電極１４を形成す
る。アノード電極１３とカソード電極１４のパターンは
具体的には、図２に示すような櫛形パターンであって、
１３対が横方向に対向するように配列される。この後、
図４(b) に示すように、全面にＺｒ−Ｙ膜１５をスパッ
タ法または蒸着法により形成する。ついで、Ｚｒ−Ｙ膜
１５を先の実施例と同様にＨ3 ＰＯ4水溶液を用いて陽
極酸化して、図４(c) に示すように、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ
3 多孔質膜１６に変換する。こうして得られたＺｒＯ2
−Ｙ2 Ｏ3 多孔質膜１６が、アノード電極１３とカソー
ド電極１４の間隙部では両電極１３，１４を繋ぐイオン
伝導体となり、またアノード電極１３とカソード電極１
４上の部分が気体拡散層となる。
【００１０】この実施例による実際のセンサ試作データ
を説明する。実際のセンサチップは、図２において、基
板寸法がａ＝ｂ＝５［mm］、アノード電極１３とカソー
ド電極１４の対が１３個で、それらの対向する範囲がｃ
＝３．７５［mm］、また電極の幅ｄおよび間隔ｅは、ｄ
＝１００［μm ］，ｅ＝１００［μm ］である。電極膜
厚は約２００nmである。Ｚｒ−Ｙ膜１５の具体的な組成
は、Ｚｒ−８Ｙ、したがってこれを陽極酸化して得られ
るＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 多孔質膜１６の組成は、ＺｒＯ2
−８Ｙ2 Ｏ3 である。Ｚｒ−Ｙ膜１５の膜厚は約５００
nmである。この様な条件で得られた酸素センサの電流電
圧特性を測定した結果、非常にクリアな限界電流値ＩL
が得られた。また同一条件で作製した３０個の酸素セン
サについて特性を評価した結果、限界電流値ＩL は全て
８０〜９０μＡの範囲に収まり、再現性が良好であるこ
とが確認された。
を説明する。実際のセンサチップは、図２において、基
板寸法がａ＝ｂ＝５［mm］、アノード電極１３とカソー
ド電極１４の対が１３個で、それらの対向する範囲がｃ
＝３．７５［mm］、また電極の幅ｄおよび間隔ｅは、ｄ
＝１００［μm ］，ｅ＝１００［μm ］である。電極膜
厚は約２００nmである。Ｚｒ−Ｙ膜１５の具体的な組成
は、Ｚｒ−８Ｙ、したがってこれを陽極酸化して得られ
るＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 多孔質膜１６の組成は、ＺｒＯ2
−８Ｙ2 Ｏ3 である。Ｚｒ−Ｙ膜１５の膜厚は約５００
nmである。この様な条件で得られた酸素センサの電流電
圧特性を測定した結果、非常にクリアな限界電流値ＩL
が得られた。また同一条件で作製した３０個の酸素セン
サについて特性を評価した結果、限界電流値ＩL は全て
８０〜９０μＡの範囲に収まり、再現性が良好であるこ
とが確認された。
【００１１】素子の各部寸法を、ａ＝ｂ＝２．５［m
m］、ｃ＝１．９［mm］、ｄ＝７５［μm ］、ｅ＝５０
［μm ］とした他、上記実施例と同様の条件で酸素セン
サを作製した結果、同様の結果が得られた。
m］、ｃ＝１．９［mm］、ｄ＝７５［μm ］、ｅ＝５０
［μm ］とした他、上記実施例と同様の条件で酸素セン
サを作製した結果、同様の結果が得られた。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
レーナ型の限界電流式酸素センサの気体拡散層を、Ｚｒ
−Ｙ膜を形成しこれを陽極酸化して形成するため、簡単
な工程で再現性に優れた酸素センサを得ることができ
る。
レーナ型の限界電流式酸素センサの気体拡散層を、Ｚｒ
−Ｙ膜を形成しこれを陽極酸化して形成するため、簡単
な工程で再現性に優れた酸素センサを得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例による酸素センサの製造
工程を示す図。
工程を示す図。
【図２】同実施例によるセンサチップのレイアウト図。
【図３】同実施例の陽極酸化工程を示す図。
【図４】本発明の第２の実施例による酸素センサの製造
工程を示す図。
工程を示す図。
【図５】従来のプレーナ型酸素センサを示す図。
１１…シリコン基板、１２…シリコン酸化膜、１３…ア
ノード電極、１４…カソード電極、１５…Ｚｒ−Ｙ膜、
１６…多孔質ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜（イオン伝導体，気
体拡散層）、２１…ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 イオン伝導体、
２２…Ｚｒ−Ｙ膜、２３…多孔質ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 気
体拡散層。
ノード電極、１４…カソード電極、１５…Ｚｒ−Ｙ膜、
１６…多孔質ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 膜（イオン伝導体，気
体拡散層）、２１…ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 イオン伝導体、
２２…Ｚｒ−Ｙ膜、２３…多孔質ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 気
体拡散層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 嘉則 東京都江東区木場１丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板の一方の面にアノード電極とカ
ソード電極を形成する工程と、 前記アノード電極とカソード電極が形成された基板上に
ジルコニア−イットリアからなるイオン伝導体膜を形成
する工程と、 前記イオン伝導体膜が形成された基板上にジルコニウム
−イットリウム膜を形成する工程と、 前記ジルコニウム−イットリウム膜を陽極酸化して多孔
質のジルコニア−イットリアからなる気体拡散層を形成
する工程とを備えたことを特徴とする限界電流式酸素セ
ンサの製造方法。 - 【請求項２】絶縁性基板の一方の面にアノード電極とカ
ソード電極を形成する工程と、 前記アノード電極とカソード電極が形成された基板上に
ジルコニウム−イットリウム膜を形成する工程と、 前記ジルコニウム−イットリウム膜を陽極酸化すること
により、前記アノード電極とカソード電極の間隙部がイ
オン伝導体となり、前記アノード電極とカソード電極の
上部が気体の拡散を制限する気体拡散層となる多孔質の
ジルコニア−イットリア膜に変換する工程とを備えたこ
とを特徴とする限界電流式酸素センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4139819A JPH05312772A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 限界電流式酸素センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4139819A JPH05312772A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 限界電流式酸素センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05312772A true JPH05312772A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=15254203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4139819A Pending JPH05312772A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 限界電流式酸素センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05312772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011089304A1 (de) * | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Continental Automotive Gmbh | Sensor zur Erfassung eines Gasgehalts in einer Umgebung des Sensors |
| US10352894B2 (en) | 2014-05-02 | 2019-07-16 | Rohm Co., Ltd. | Limiting-current type gas sensor and fabrication method of the same, and sensor network system |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP4139819A patent/JPH05312772A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011089304A1 (de) * | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Continental Automotive Gmbh | Sensor zur Erfassung eines Gasgehalts in einer Umgebung des Sensors |
| US10352894B2 (en) | 2014-05-02 | 2019-07-16 | Rohm Co., Ltd. | Limiting-current type gas sensor and fabrication method of the same, and sensor network system |
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