JPH05332985A - 酸素センサのセンサエレメントとその製造方法 - Google Patents
酸素センサのセンサエレメントとその製造方法Info
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- JPH05332985A JPH05332985A JP4165449A JP16544992A JPH05332985A JP H05332985 A JPH05332985 A JP H05332985A JP 4165449 A JP4165449 A JP 4165449A JP 16544992 A JP16544992 A JP 16544992A JP H05332985 A JPH05332985 A JP H05332985A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再現性の高い多孔性ガス拡散層を備え、安定
した限界電流特性を有すると共に、量産性にも適したプ
レーナ型のセンサエレメントと、その製造方法を提供す
ること。 【構成】 絶縁性基板１０の片面に少なくとも一対以上
の電極２ａ，２ｂを形成し、次いで、ジルコニア化合物
イオン伝導体１を上記電極２ａ，２ｂ及び電極形成側の
絶縁性基板１０上に形成した後、カソード側電極２ａ部
分を覆うようにしてＺｒ‐Ｙ層１２を形成し、次いで、
陽極酸化法により、カソード側電極２ａ部分のＺｒ‐Ｙ
層１２をポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化さ
せ、カソード側電極２ａ上に多孔性ガス拡散層１３を形
成したこと。
した限界電流特性を有すると共に、量産性にも適したプ
レーナ型のセンサエレメントと、その製造方法を提供す
ること。 【構成】 絶縁性基板１０の片面に少なくとも一対以上
の電極２ａ，２ｂを形成し、次いで、ジルコニア化合物
イオン伝導体１を上記電極２ａ，２ｂ及び電極形成側の
絶縁性基板１０上に形成した後、カソード側電極２ａ部
分を覆うようにしてＺｒ‐Ｙ層１２を形成し、次いで、
陽極酸化法により、カソード側電極２ａ部分のＺｒ‐Ｙ
層１２をポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化さ
せ、カソード側電極２ａ上に多孔性ガス拡散層１３を形
成したこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種雰囲気中の酸素濃
度の測定に利用される酸素センサのセンサエレメント
と、その製造方法に関する。
度の測定に利用される酸素センサのセンサエレメント
と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸素センサのセンサエレメントの基本構
成は、図３に示すように、ジルコニア化合物イオン伝導
体１（例えば、安定化ジルコニアよりなる。以下、イオ
ン伝導体という）の表裏対向面に電極２ａ，２ｂを形成
し（例えば、白金ペーストを円盤状にスクリーン印刷し
て焼成する）、イオン伝導体１の電極２ａ側に、ガス拡
散孔３と加熱用ヒータ４を形成した（例えば、抵抗体ペ
ーストをＣ字状にスクリーン印刷して焼成する）キャッ
プ５（例えば、セラミック材、フォルステライト材等よ
りなる）がガス拡散室６を介在して環状の封止材７によ
り封着されている。
成は、図３に示すように、ジルコニア化合物イオン伝導
体１（例えば、安定化ジルコニアよりなる。以下、イオ
ン伝導体という）の表裏対向面に電極２ａ，２ｂを形成
し（例えば、白金ペーストを円盤状にスクリーン印刷し
て焼成する）、イオン伝導体１の電極２ａ側に、ガス拡
散孔３と加熱用ヒータ４を形成した（例えば、抵抗体ペ
ーストをＣ字状にスクリーン印刷して焼成する）キャッ
プ５（例えば、セラミック材、フォルステライト材等よ
りなる）がガス拡散室６を介在して環状の封止材７によ
り封着されている。
【０００３】そして、電極２ａ，２ｂ間及び加熱用ヒー
タ４に電圧を印加することにより（電極２ａをカソード
側、電極２ｂをアノード側とする）、所定の加熱温度
（約３５０℃）において、ガス拡散孔３−ガス拡散室６
−電極２ａ−イオン伝導体１−電極２ｂの酸素ガスの移
行（矢印にて示す）に伴う酸素ポンピング作用による酸
素イオンをキャリアとする電流が電極２ａ，２ｂ間に流
れる。この電流は電圧−電流特性における電圧のある領
域でフラットになり（限界電流という）、この限界電流
と酸素濃度とが１対１の関係にあることから、一定電圧
を印加して、そのときの限界電流値より酸素濃度を検出
することができるものである。
タ４に電圧を印加することにより（電極２ａをカソード
側、電極２ｂをアノード側とする）、所定の加熱温度
（約３５０℃）において、ガス拡散孔３−ガス拡散室６
−電極２ａ−イオン伝導体１−電極２ｂの酸素ガスの移
行（矢印にて示す）に伴う酸素ポンピング作用による酸
素イオンをキャリアとする電流が電極２ａ，２ｂ間に流
れる。この電流は電圧−電流特性における電圧のある領
域でフラットになり（限界電流という）、この限界電流
と酸素濃度とが１対１の関係にあることから、一定電圧
を印加して、そのときの限界電流値より酸素濃度を検出
することができるものである。
【０００４】図４は、他の例を示すもので、イオン伝導
体１にガス拡散孔３を設け、電極２ａ，２ｂを環状に形
成したものである。
体１にガス拡散孔３を設け、電極２ａ，２ｂを環状に形
成したものである。
【０００５】図５は、電極２ａ側のイオン伝導体１に塗
布したカーボン等の高沸点材の表面に、セラミック粉等
をブレンドした結晶化ガラスを塗布して焼成し、高沸点
材のガス化によってガス拡散室６を形成したものであ
る。
布したカーボン等の高沸点材の表面に、セラミック粉等
をブレンドした結晶化ガラスを塗布して焼成し、高沸点
材のガス化によってガス拡散室６を形成したものであ
る。
【０００６】図６は、電極２ａ上及びイオン伝導体１上
に直接前記図５と同一の方法を施すことにより、ガス拡
散室６とガスを透過する多孔性ガス拡散層８を同時に形
成し、キャップを省略した薄型のものである。
に直接前記図５と同一の方法を施すことにより、ガス拡
散室６とガスを透過する多孔性ガス拡散層８を同時に形
成し、キャップを省略した薄型のものである。
【０００７】また、前記の電極２ａ，２ｂをイオン伝導
体１の表裏対向面に形成したものに代えて、図７及び図
８に示すように、電極２ａ，２ｂをイオン伝導体１の片
面上に形成したプレーナ型のものも提案されている。即
ち、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、イオン伝導体１の
片面に形成した電極２ａ，２ｂの少なくとも電極２ａ
（カソード側となる）上に、結晶化ガラス等の絶縁性セ
ラミックスに、ジルコニア、ステアタイト、アルミナ、
フォルステライト等を配合してなる多孔質材をスクリー
ン印刷して焼成し、多孔性ガス拡散層９を形成したもの
であり（図７（Ａ）は電極２ａに、図７（Ｂ）は電極２
ａ，２ｂの双方にそれぞれガス拡散層９を形成）、酸素
ガスは矢印のように移行する。
体１の表裏対向面に形成したものに代えて、図７及び図
８に示すように、電極２ａ，２ｂをイオン伝導体１の片
面上に形成したプレーナ型のものも提案されている。即
ち、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、イオン伝導体１の
片面に形成した電極２ａ，２ｂの少なくとも電極２ａ
（カソード側となる）上に、結晶化ガラス等の絶縁性セ
ラミックスに、ジルコニア、ステアタイト、アルミナ、
フォルステライト等を配合してなる多孔質材をスクリー
ン印刷して焼成し、多孔性ガス拡散層９を形成したもの
であり（図７（Ａ）は電極２ａに、図７（Ｂ）は電極２
ａ，２ｂの双方にそれぞれガス拡散層９を形成）、酸素
ガスは矢印のように移行する。
【０００８】図８（Ａ）（Ｂ）は、表面にＳｉＯ2 を有
するシリコン基板（ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板）１０に形成し
た電極２ａ，２ｂの少なくとも電極２ａ（カソード側と
なる）上にスパッタリングによって多孔性ガス拡散層１
１を形成したものであり（図８（Ａ）は電極２ａに、図
８（Ｂ）は電極２ａ，２ｂの双方にそれぞれガス拡散層
１１を形成）、酸素ガスは矢印のように移行する。な
お、上記多孔性ガス拡散層１１は、前記図７の多孔性ガ
ス拡散層９と同一の多孔質材をスクリーン印刷して焼成
したものである。
するシリコン基板（ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板）１０に形成し
た電極２ａ，２ｂの少なくとも電極２ａ（カソード側と
なる）上にスパッタリングによって多孔性ガス拡散層１
１を形成したものであり（図８（Ａ）は電極２ａに、図
８（Ｂ）は電極２ａ，２ｂの双方にそれぞれガス拡散層
１１を形成）、酸素ガスは矢印のように移行する。な
お、上記多孔性ガス拡散層１１は、前記図７の多孔性ガ
ス拡散層９と同一の多孔質材をスクリーン印刷して焼成
したものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記の図３〜図６に示
す従来のセンサエレメントは、イオン伝導体１の表裏対
向面に電極２ａ，２ｂを形成したもので、加工プロセス
が複雑であり、量産性に不向きである。また、表裏対向
面に電極を形成した場合、その酸素ガスのポンピング作
用に伴う酸素イオンをキャリアとする電流特性は、イオ
ン伝導体１の厚さの影響が大きく、よってイオン伝導体
１の厚さの精密なコントロールが要求される。
す従来のセンサエレメントは、イオン伝導体１の表裏対
向面に電極２ａ，２ｂを形成したもので、加工プロセス
が複雑であり、量産性に不向きである。また、表裏対向
面に電極を形成した場合、その酸素ガスのポンピング作
用に伴う酸素イオンをキャリアとする電流特性は、イオ
ン伝導体１の厚さの影響が大きく、よってイオン伝導体
１の厚さの精密なコントロールが要求される。
【００１０】また、前記の図７〜図８に示す従来のセン
サエレメントは、多孔性ガス拡散層９，１１の多孔性に
バラツキが多く、ある一定範囲内のガス拡散レベルを維
持することが困難で、再現性に欠け、安定した限界電流
特性が得られないという不都合な点がみられた。
サエレメントは、多孔性ガス拡散層９，１１の多孔性に
バラツキが多く、ある一定範囲内のガス拡散レベルを維
持することが困難で、再現性に欠け、安定した限界電流
特性が得られないという不都合な点がみられた。
【００１１】本発明は、かかる事情に鑑みなされたもの
で、プレーナ型のセンサエレメントにおいて、再現性の
高い多孔性ガス拡散層を備え、安定した限界電流特性を
有すると共に、量産にも適した酸素センサのセンサエレ
メントと、その製造方法を提供することを目的とする。
で、プレーナ型のセンサエレメントにおいて、再現性の
高い多孔性ガス拡散層を備え、安定した限界電流特性を
有すると共に、量産にも適した酸素センサのセンサエレ
メントと、その製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成するために、酸素センサのセンサエレメントは、絶
縁性基板の片面に形成された少なくとも一対以上複数対
の電極と、該電極及び電極形成側の絶縁性基板上に形成
されたジルコニア化合物イオン伝導体と、前記電極の一
方のカソード側となる電極上面に形成された多孔性の酸
化ジルコニア、又は酸化ジルコニア化合物よりなるガス
拡散層と、からなることを特徴とする。
達成するために、酸素センサのセンサエレメントは、絶
縁性基板の片面に形成された少なくとも一対以上複数対
の電極と、該電極及び電極形成側の絶縁性基板上に形成
されたジルコニア化合物イオン伝導体と、前記電極の一
方のカソード側となる電極上面に形成された多孔性の酸
化ジルコニア、又は酸化ジルコニア化合物よりなるガス
拡散層と、からなることを特徴とする。
【００１３】また、このセンサエレメントの製造方法
は、絶縁性基板の片面に少なくとも一対以上複数対の電
極を形成し、次いで、ジルコニア化合物イオン伝導体を
上記電極及び電極形成側の絶縁性基板上に形成した後、
カソード側電極部分を覆うようにしてＺｒ‐Ｙ層を形成
し、次いで、陽極酸化法により、カソード側電極部分の
Ｚｒ‐Ｙ層をポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化
させ、カソード側電極上に多孔性ガス拡散層を形成した
ことを特徴とする。
は、絶縁性基板の片面に少なくとも一対以上複数対の電
極を形成し、次いで、ジルコニア化合物イオン伝導体を
上記電極及び電極形成側の絶縁性基板上に形成した後、
カソード側電極部分を覆うようにしてＺｒ‐Ｙ層を形成
し、次いで、陽極酸化法により、カソード側電極部分の
Ｚｒ‐Ｙ層をポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化
させ、カソード側電極上に多孔性ガス拡散層を形成した
ことを特徴とする。
【００１４】そして、前記の多孔性ガス拡散層の形成
は、センサエレメントのカソード側電極を「プラス」、
センサエレメント以外のものを対向電極の「マイナス」
として、あるいはセンサエレメントのカソード側電極を
「プラス」、対向電極としてセンサエレメントのアノー
ド側電極を「マイナス」として、陽極酸化を行なうもの
である。
は、センサエレメントのカソード側電極を「プラス」、
センサエレメント以外のものを対向電極の「マイナス」
として、あるいはセンサエレメントのカソード側電極を
「プラス」、対向電極としてセンサエレメントのアノー
ド側電極を「マイナス」として、陽極酸化を行なうもの
である。
【００１５】
【作用】カソード側電極部分を覆うＺｒ‐Ｙ層を陽極酸
化することにより、カソード電極に接していたＺｒ‐Ｙ
層を中心にポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化
し、結果的にジルコニア化合物イオン伝導体と良好な接
合体をもった多孔性ガス拡散層が得られる。
化することにより、カソード電極に接していたＺｒ‐Ｙ
層を中心にポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化
し、結果的にジルコニア化合物イオン伝導体と良好な接
合体をもった多孔性ガス拡散層が得られる。
【００１６】
【実施例】本発明に係る酸素センサのセンサエレメント
の製造方法について図面を参照して説明する。なお、従
来例と同一部品には同一符号を付し、加熱用ヒータにつ
いては説明を省略する。
の製造方法について図面を参照して説明する。なお、従
来例と同一部品には同一符号を付し、加熱用ヒータにつ
いては説明を省略する。
【００１７】図１（Ａ）に示すように、Ｓｉ板（例え
ば、０．２mm厚）の表面にＳｉＯ2 膜（例えば、１００
０オングストロング厚）を形成した絶縁性基板１０（例
えば、５mm角×０．２mm厚）上に、少なくとも一対以上
複数対の電極２ａ，２ｂ（例えば、白金ペーストをスク
リーン印刷して焼成、１００μｍ幅で１００μｍ間隔、
４０００オングストロング厚）を形成する（実施例では
２対のものを示す）。
ば、０．２mm厚）の表面にＳｉＯ2 膜（例えば、１００
０オングストロング厚）を形成した絶縁性基板１０（例
えば、５mm角×０．２mm厚）上に、少なくとも一対以上
複数対の電極２ａ，２ｂ（例えば、白金ペーストをスク
リーン印刷して焼成、１００μｍ幅で１００μｍ間隔、
４０００オングストロング厚）を形成する（実施例では
２対のものを示す）。
【００１８】次いで、電極２ａ，２ｂ及び絶縁性基板１
０の表面にジルコニア化合物イオン伝導体１をスパッタ
リングにより焼成する（例えば、ＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3
又はＺｒＯ2 ‐３Ｙ2 Ｏ3 、３０００オングストロング
厚）。
０の表面にジルコニア化合物イオン伝導体１をスパッタ
リングにより焼成する（例えば、ＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3
又はＺｒＯ2 ‐３Ｙ2 Ｏ3 、３０００オングストロング
厚）。
【００１９】次に、図１（Ｂ）に示すように、カソード
側電極となる電極２ａの部分を覆うようにスパッタリン
グによりＺｒ‐Ｙ層１２を形成する（例えば、２００μ
ｍ幅、４０００オングストロング厚）。
側電極となる電極２ａの部分を覆うようにスパッタリン
グによりＺｒ‐Ｙ層１２を形成する（例えば、２００μ
ｍ幅、４０００オングストロング厚）。
【００２０】次に、前記のセンサエレメントを電解槽
（例えば、Ｈ3 ＰＯ4 溶液を収容）中に入れ、陽極酸化
を行う。この際、センサエレメントのカソード側電極２
ａを「プラス」、対向電極としてセンサエレメント以外
の例えばステンレス鋼、白金、銅等の金属板を「マイナ
ス」として陽極酸化を行う手法と、センサエレメントの
カソード側電極２ａを「プラス」、対向電極としてセン
サエレメントのアノード側電極２ｂを「マイナス」とし
て陽極酸化を行う手法が採用される。
（例えば、Ｈ3 ＰＯ4 溶液を収容）中に入れ、陽極酸化
を行う。この際、センサエレメントのカソード側電極２
ａを「プラス」、対向電極としてセンサエレメント以外
の例えばステンレス鋼、白金、銅等の金属板を「マイナ
ス」として陽極酸化を行う手法と、センサエレメントの
カソード側電極２ａを「プラス」、対向電極としてセン
サエレメントのアノード側電極２ｂを「マイナス」とし
て陽極酸化を行う手法が採用される。
【００２１】陽極酸化により、図１（Ｃ）に示すよう
に、カソード側電極２ａ部分の両側を中心に、Ｚｒ‐Ｙ
層１２がポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化し、
多孔性ガス拡散層１３が焼成される。この多孔性ガス拡
散層１３は、Ｚｒ‐Ｙ層からポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ
2 Ｏ3 層に変化したので、ジルコニア化合物イオン伝導
体１との接合性も良好となる。
に、カソード側電極２ａ部分の両側を中心に、Ｚｒ‐Ｙ
層１２がポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層に変化し、
多孔性ガス拡散層１３が焼成される。この多孔性ガス拡
散層１３は、Ｚｒ‐Ｙ層からポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ
2 Ｏ3 層に変化したので、ジルコニア化合物イオン伝導
体１との接合性も良好となる。
【００２２】而して、本発明の前記製造方法は、図２に
示すように、ＳｉＯ2 ／Ｓｉの絶縁性基板１０に複数対
の電極２ａ，２ｂをクシ型に形成したものにも適用する
ことができ、製造後、所要の電極数に応じてカットすれ
ばよく、生産性が向上する。
示すように、ＳｉＯ2 ／Ｓｉの絶縁性基板１０に複数対
の電極２ａ，２ｂをクシ型に形成したものにも適用する
ことができ、製造後、所要の電極数に応じてカットすれ
ばよく、生産性が向上する。
【００２３】前記の製造方法によって得たセンサエレメ
ントの５０個を抽出して、同一条件で限界電流特性を試
験したところ、８０〜８８μＡの狭い範囲に収まり、再
現性の高いことが確認された。
ントの５０個を抽出して、同一条件で限界電流特性を試
験したところ、８０〜８８μＡの狭い範囲に収まり、再
現性の高いことが確認された。
【００２４】
【発明の効果】本発明は次の効果を有する。 (a) カソード電極上にＺｒ‐Ｙ層を形成した後、陽極
酸化をするので、ポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層の
多孔性ガス拡散層を容易に形成することができる。 (b) 陽極酸化法の電流・電圧を固定条件にすることに
より、再現性の高い多孔性ガス拡散層が得られ、安定し
た限界電流特性を有する信頼性の高い酸素センサが得ら
れる。 (c) Ｚｒ‐Ｙ層のポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層
への変化が連続的であるので、ジルコニア化合物イオン
伝導体との接合性も良好で、耐久性の優れた酸素センサ
が得られる。 (d) 製造が簡単で、量産性に適する。
酸化をするので、ポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層の
多孔性ガス拡散層を容易に形成することができる。 (b) 陽極酸化法の電流・電圧を固定条件にすることに
より、再現性の高い多孔性ガス拡散層が得られ、安定し
た限界電流特性を有する信頼性の高い酸素センサが得ら
れる。 (c) Ｚｒ‐Ｙ層のポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層
への変化が連続的であるので、ジルコニア化合物イオン
伝導体との接合性も良好で、耐久性の優れた酸素センサ
が得られる。 (d) 製造が簡単で、量産性に適する。
【図１】本発明の製造方法の一実施例を示す説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の製造方法を実施しうる他の電極配置図
である。
である。
【図３】従来の酸素センサのセンサエレメントの縦断面
図である。
図である。
【図４】従来の他の酸素センサのセンサエレメントの縦
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の他の酸素センサのセンサエレメントの縦
断面図である。
断面図である。
【図６】従来の他の酸素センサのセンサエレメントの縦
断面図である。
断面図である。
【図７】従来のプレーナ型の酸素センサのセンサエレメ
ントの縦断面図である。
ントの縦断面図である。
【図８】従来の他のプレーナ型の酸素センサのセンサエ
レメントの縦断面図である。
レメントの縦断面図である。
１ ジルコニア化合物イオン伝導体 ２ａ カソード電極 ２ｂ アノード電極 １０ 絶縁性基板 １２ Ｚｒ‐Ｙ層 １３ 多孔性ガス拡散層（ＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ3 層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 嘉則 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板の片面に形成された少なくと
も一対以上複数対の電極と、該電極及び電極形成側の絶
縁性基板上に形成されたジルコニア化合物イオン伝導体
と、前記電極の一方のカソード側となる電極上面に形成
された多孔性の酸化ジルコニア、又は酸化ジルコニア化
合物よりなるガス拡散層と、からなることを特徴とする
酸素センサのセンサエメレント。 - 【請求項２】 絶縁性基板の片面に少なくとも一対以上
複数対の電極を形成し、次いで、ジルコニア化合物イオ
ン伝導体を上記電極及び電極形成側の絶縁性基板上に形
成した後、カソード側電極部分を覆うようにしてＺｒ‐
Ｙ層を形成し、次いで、陽極酸化法により、カソード側
電極部分のＺｒ‐Ｙ層をポーラスなＺｒＯ2 ‐８Ｙ2 Ｏ
3 層に変化させ、カソード側電極上に多孔性ガス拡散層
を形成したことを特徴とする酸素センサのセンサエレメ
ントの製造方法。 - 【請求項３】 センサエレメントのカソード側電極を
「プラス」、センサエレメント以外のものを対向電極の
「マイナス」として、陽極酸化を行ない、多孔性ガス拡
散層を形成した請求項２記載の酸素センサのセンサエレ
メントの製造方法。 - 【請求項４】 センサエレメントのカソード側電極を
「プラス」、対向電極としてセンサエレメントのアノー
ド側電極を「マイナス」として、陽極酸化を行い、多孔
性ガス拡散層を形成した請求項２記載の酸素センサのセ
ンサエレメントの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165449A JPH05332985A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 酸素センサのセンサエレメントとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165449A JPH05332985A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 酸素センサのセンサエレメントとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05332985A true JPH05332985A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15812638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4165449A Pending JPH05332985A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 酸素センサのセンサエレメントとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05332985A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7361258B2 (en) | 1998-05-18 | 2008-04-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Sensor element and gas sensor |
| WO2015056674A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 日本電気硝子株式会社 | 無機多孔質膜及び無機多孔質膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP4165449A patent/JPH05332985A/ja active Pending
Cited By (5)
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| WO2015056674A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 日本電気硝子株式会社 | 無機多孔質膜及び無機多孔質膜の製造方法 |
| WO2015056673A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 日本電気硝子株式会社 | 排気ガスセンサー及び排気ガスセンサーの製造方法 |
| JPWO2015056673A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-03-09 | 日本電気硝子株式会社 | 排気ガスセンサー及び排気ガスセンサーの製造方法 |
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