JPH07101213B2 - 酸素センサにおける固体電解質層の形成方法 - Google Patents
酸素センサにおける固体電解質層の形成方法Info
- Publication number
- JPH07101213B2 JPH07101213B2 JP3234055A JP23405591A JPH07101213B2 JP H07101213 B2 JPH07101213 B2 JP H07101213B2 JP 3234055 A JP3234055 A JP 3234055A JP 23405591 A JP23405591 A JP 23405591A JP H07101213 B2 JPH07101213 B2 JP H07101213B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid electrolyte
- electrolyte layer
- layer
- zro
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、限界電流特性が良好な
酸素センサに関する。
酸素センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の酸素センサＢとして図３に示す
構成のものが従来より知られている。この図に示す酸素
センサは、フォルステライト等のセラミックをポーラス
状に形成したポーラスセラミック基板１上に、イオン導
電体であるＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等の
固体電解質層２と、固体電解質層２の両面にそれぞれ積
層されて、該固体電解質層２に対して所定電圧が印加さ
れる第１電極層３・第２電極層４とから構成されたセン
サ素子５が設けられたものであり、前記固体電解質層２
内では、電極層３・４に一定のセンサ監視電圧を印加し
た状態にしておくと、酸素ポンピング作用により酸素イ
オンをキャリアとするイオン電流が流れるようになって
いる。そして、ここで生じる酸素ポンピング作用は、前
記ポーラスセラミック基板１のポーラス度によって制限
され、センサ監視電圧を増加させてもイオン電流値が増
加しないで一定となる状態（プラトー状態）が得られ、
これによって該イオン電流に限界電流を生じさせるよう
になっている。すなわち、前記ポーラスセラミック基板
１のポーラスな部分は、酸素センサにおいて従来より知
られている気体制限拡散孔の機能を果たすものである。
なお、前記電極層３・４は酸素イオンが通過できる程度
にポーラスに形成されている。
構成のものが従来より知られている。この図に示す酸素
センサは、フォルステライト等のセラミックをポーラス
状に形成したポーラスセラミック基板１上に、イオン導
電体であるＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等の
固体電解質層２と、固体電解質層２の両面にそれぞれ積
層されて、該固体電解質層２に対して所定電圧が印加さ
れる第１電極層３・第２電極層４とから構成されたセン
サ素子５が設けられたものであり、前記固体電解質層２
内では、電極層３・４に一定のセンサ監視電圧を印加し
た状態にしておくと、酸素ポンピング作用により酸素イ
オンをキャリアとするイオン電流が流れるようになって
いる。そして、ここで生じる酸素ポンピング作用は、前
記ポーラスセラミック基板１のポーラス度によって制限
され、センサ監視電圧を増加させてもイオン電流値が増
加しないで一定となる状態（プラトー状態）が得られ、
これによって該イオン電流に限界電流を生じさせるよう
になっている。すなわち、前記ポーラスセラミック基板
１のポーラスな部分は、酸素センサにおいて従来より知
られている気体制限拡散孔の機能を果たすものである。
なお、前記電極層３・４は酸素イオンが通過できる程度
にポーラスに形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な酸素センサでは、センサ素子５の固体電解質層２を、
イオン導伝体の粉末をプレス成型、焼成し、この後、機
械的にカット、ラッピングすることによって作製するよ
うにしている。しかしながら、このようにして作成され
た固体電解質層２は、限界とされる膜厚が非常に小さ
く、約７０μｍ程度以下の厚さに形成することは困難で
あった。また、他の製法としては、グリーンシートを用
いた固体電解質層２の製造方法があるが、このような製
造方法では、３０μｍ程度の薄膜化が限界であり、かつ
高密度化にも限界があり、これによって特にイオン導伝
性の高い固体電解質を得ることはできないという問題を
有していた。また、前記固体電解質層２を更に薄く、例
えば数マイクロ、数オングストロームの厚さで設けるた
めに、該固体電解質層２をスパッタリング等の気相蒸着
法により形成することが行われているが、ターゲット材
が、例えばジルコニア・イットリアといった複数の成分
である場合には、真空圧の調整、基板温度の調整等によ
っては、固体電解質層２を、Ｚｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８m
ol％Ｙ2Ｏ3）といった最適な成分に調整することはでき
ず、最適な成分の固体電解質層２を得るという点におい
て、新しい技術の提案が期待されていた。
な酸素センサでは、センサ素子５の固体電解質層２を、
イオン導伝体の粉末をプレス成型、焼成し、この後、機
械的にカット、ラッピングすることによって作製するよ
うにしている。しかしながら、このようにして作成され
た固体電解質層２は、限界とされる膜厚が非常に小さ
く、約７０μｍ程度以下の厚さに形成することは困難で
あった。また、他の製法としては、グリーンシートを用
いた固体電解質層２の製造方法があるが、このような製
造方法では、３０μｍ程度の薄膜化が限界であり、かつ
高密度化にも限界があり、これによって特にイオン導伝
性の高い固体電解質を得ることはできないという問題を
有していた。また、前記固体電解質層２を更に薄く、例
えば数マイクロ、数オングストロームの厚さで設けるた
めに、該固体電解質層２をスパッタリング等の気相蒸着
法により形成することが行われているが、ターゲット材
が、例えばジルコニア・イットリアといった複数の成分
である場合には、真空圧の調整、基板温度の調整等によ
っては、固体電解質層２を、Ｚｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８m
ol％Ｙ2Ｏ3）といった最適な成分に調整することはでき
ず、最適な成分の固体電解質層２を得るという点におい
て、新しい技術の提案が期待されていた。
【０００４】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、スパッタリング等の気相蒸着法により、
最適な成分の固体電解質層を得ることができ、これによ
り該固体電解質層において高いイオン伝導性を得ること
が可能な酸素センサの提供を目的とする。
ものであって、スパッタリング等の気相蒸着法により、
最適な成分の固体電解質層を得ることができ、これによ
り該固体電解質層において高いイオン伝導性を得ること
が可能な酸素センサの提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、多孔質な基板上に、電極層が両面に積層
された固体電解質層を設け、該固体電解質内に多孔質な
基板を通じて制限的に取り込まれた試料ガス中の酸素濃
度を、該固体電解質の酸素ポンピング作用によって生じ
るイオン電流により測定可能な酸素センサにおける固体
電解質層の形成方法であって、ＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 を含
み、かつこれらＺｒＯ2及びＹ2Ｏ3の成分比が異なる複
数のターゲット材を用いて、気相蒸着法により、第１電
極層上に固体電解質層をそれぞれ形成した後、前記気相
蒸着法により得られた固体電解質層の成分と、前記ター
ゲット材との成分との関係に基づき、該固体電解質層を
最適な成分比とする成分比のターゲット材を選択し、該
ターゲット材によって固体電解質層を得ることを特徴と
する。
に本発明では、多孔質な基板上に、電極層が両面に積層
された固体電解質層を設け、該固体電解質内に多孔質な
基板を通じて制限的に取り込まれた試料ガス中の酸素濃
度を、該固体電解質の酸素ポンピング作用によって生じ
るイオン電流により測定可能な酸素センサにおける固体
電解質層の形成方法であって、ＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 を含
み、かつこれらＺｒＯ2及びＹ2Ｏ3の成分比が異なる複
数のターゲット材を用いて、気相蒸着法により、第１電
極層上に固体電解質層をそれぞれ形成した後、前記気相
蒸着法により得られた固体電解質層の成分と、前記ター
ゲット材との成分との関係に基づき、該固体電解質層を
最適な成分比とする成分比のターゲット材を選択し、該
ターゲット材によって固体電解質層を得ることを特徴と
する。
【０００６】
【作用】本発明では、ＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 を含み、かつ
これらＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 の成分比が異なる複数のター
ゲット材を用いて、気相蒸着法により、第１電極層上に
固体電解質層をそれぞれ形成し、その後、気相蒸着法に
より得られた固体電解質層の成分と、ターゲット材との
成分との関係に基づき、該固体電解質層を最適な成分比
とする成分比のターゲット材を選択し、該ターゲット材
によって固体電解質層を得るようにしている。すなわ
ち、本発明では、固体電解質層を最適な成分比とする成
分比のターゲット材を容易に選択することができ、該タ
ーゲット材を用いて、例えばＺｒＯ 2 ー８mol％Ｙ 2 Ｏ 3 の
最適成分比の固体電解質層を容易に得て、高いイオン伝
導性を有する酸素センサを作製することが可能となる。
これらＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 の成分比が異なる複数のター
ゲット材を用いて、気相蒸着法により、第１電極層上に
固体電解質層をそれぞれ形成し、その後、気相蒸着法に
より得られた固体電解質層の成分と、ターゲット材との
成分との関係に基づき、該固体電解質層を最適な成分比
とする成分比のターゲット材を選択し、該ターゲット材
によって固体電解質層を得るようにしている。すなわ
ち、本発明では、固体電解質層を最適な成分比とする成
分比のターゲット材を容易に選択することができ、該タ
ーゲット材を用いて、例えばＺｒＯ 2 ー８mol％Ｙ 2 Ｏ 3 の
最適成分比の固体電解質層を容易に得て、高いイオン伝
導性を有する酸素センサを作製することが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係わる酸素センサＡを図１及
び図２に基づいて説明する。図１において、符号１０で
示すものは、フォルステライト等のセラミック粉末によ
り全体がポーラス状に形成されたポーラスセラミック基
板である。なお、このポーラスセラミック基板１０の材
料としては、フォルステライトの他にアルミナ、ジルコ
ニア、ステアタイトなどが使用され、あるいはこれら材
料を複数配合したものが使用される。また、このポーラ
スセラミック基板１０は、前記セラミック材料に有機バ
インダーを混合させ、更にこれを焼結して、前記有機バ
インダーを分解することによりポーラス状に形成される
ものである。
び図２に基づいて説明する。図１において、符号１０で
示すものは、フォルステライト等のセラミック粉末によ
り全体がポーラス状に形成されたポーラスセラミック基
板である。なお、このポーラスセラミック基板１０の材
料としては、フォルステライトの他にアルミナ、ジルコ
ニア、ステアタイトなどが使用され、あるいはこれら材
料を複数配合したものが使用される。また、このポーラ
スセラミック基板１０は、前記セラミック材料に有機バ
インダーを混合させ、更にこれを焼結して、前記有機バ
インダーを分解することによりポーラス状に形成される
ものである。
【０００８】また、前記ポーラスセラミック基板１０の
上面には、白金からなる第１電極層１１と、イオン導電
体であるＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等から
なる固体電解質層１２と、第１電極層１１と同様に、白
金からなる第２電極層１３とから構成されるセンサ素子
１４が設けられている。このセンサ素子１４は、前記ポ
ーラスセラミック基板１０の上面に、第１電極層１１、
固体電解質層１２、第２電極層１３が順番にスパッタリ
ング（気相蒸着）されることにより形成されるものであ
る。そして、以上のように構成された酸素センサでは、
電極層１１・１３に一定のセンサ監視電圧を印加した状
態にしておくと、固体電解質層１２内において、酸素ポ
ンピング作用により酸素イオンをキャリアとするイオン
電流が流れるとともに、ポーラスセラミック基板１０の
ポーラスな部分により、被検出体である検出ガスの取り
込みが制限され、これにより前記固体電解質層１２にお
いて生じるイオン電流に、フラットな領域である限界電
流が生じ、この限界電流値から検出ガスの酸素濃度が測
定されるようになっている。
上面には、白金からなる第１電極層１１と、イオン導電
体であるＺｒ−８Ｙ（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）等から
なる固体電解質層１２と、第１電極層１１と同様に、白
金からなる第２電極層１３とから構成されるセンサ素子
１４が設けられている。このセンサ素子１４は、前記ポ
ーラスセラミック基板１０の上面に、第１電極層１１、
固体電解質層１２、第２電極層１３が順番にスパッタリ
ング（気相蒸着）されることにより形成されるものであ
る。そして、以上のように構成された酸素センサでは、
電極層１１・１３に一定のセンサ監視電圧を印加した状
態にしておくと、固体電解質層１２内において、酸素ポ
ンピング作用により酸素イオンをキャリアとするイオン
電流が流れるとともに、ポーラスセラミック基板１０の
ポーラスな部分により、被検出体である検出ガスの取り
込みが制限され、これにより前記固体電解質層１２にお
いて生じるイオン電流に、フラットな領域である限界電
流が生じ、この限界電流値から検出ガスの酸素濃度が測
定されるようになっている。
【０００９】以下に、スパッタリング装置を使用した固
体電解質層１２の製造方法について説明する。なお、該
スパッタリング装置では、 電力を５０Ｗ、ターゲット
電圧を１２Ｖ、電極間距離を１０ｃｍ、ターゲット径を
１００ｍｍ、真空圧を１０ -3 Torr、基板温度を４００℃
に設定することにより以下の実験を行った。 （１） ターゲット材に、ジルコニア・イットリアのモ
ル比が１：０．１０（ＺｒＯ2ー１０mol％Ｙ2Ｏ3）の成
分のものを使用した場合には、ポーラスセラミック基板
１０上の第１電極層１１上には、ジルコニア・イットリ
アのモル比が１：０．１２（ＺｒＯ2ー１２mol％Ｙ
2Ｏ3）の固体電解質層１２が形成された。なお、前記ス
パッタリングにより得られた薄膜の成分分析は、ＥＳＣ
Ａ（Ｘ線光電子分析法）、ＥＰＭＡ（エレクトロン・プ
ローブ・マイクロ・アナリシス）により行った。
体電解質層１２の製造方法について説明する。なお、該
スパッタリング装置では、 電力を５０Ｗ、ターゲット
電圧を１２Ｖ、電極間距離を１０ｃｍ、ターゲット径を
１００ｍｍ、真空圧を１０ -3 Torr、基板温度を４００℃
に設定することにより以下の実験を行った。 （１） ターゲット材に、ジルコニア・イットリアのモ
ル比が１：０．１０（ＺｒＯ2ー１０mol％Ｙ2Ｏ3）の成
分のものを使用した場合には、ポーラスセラミック基板
１０上の第１電極層１１上には、ジルコニア・イットリ
アのモル比が１：０．１２（ＺｒＯ2ー１２mol％Ｙ
2Ｏ3）の固体電解質層１２が形成された。なお、前記ス
パッタリングにより得られた薄膜の成分分析は、ＥＳＣ
Ａ（Ｘ線光電子分析法）、ＥＰＭＡ（エレクトロン・プ
ローブ・マイクロ・アナリシス）により行った。
【００１０】（２） ターゲット材に、ジルコニア・イ
ットリアのモル比が１：０．０５（ＺｒＯ2ー５mol％Ｙ
2Ｏ3）の成分のものを使用した場合には、ポーラスセラ
ミック基板１０上の第１電極層１１上には、ジルコニア
・イットリアのモル比が１：０．０７（ＺｒＯ2ー７mol
％Ｙ2Ｏ3）の固体電解質層１２が形成された。
ットリアのモル比が１：０．０５（ＺｒＯ2ー５mol％Ｙ
2Ｏ3）の成分のものを使用した場合には、ポーラスセラ
ミック基板１０上の第１電極層１１上には、ジルコニア
・イットリアのモル比が１：０．０７（ＺｒＯ2ー７mol
％Ｙ2Ｏ3）の固体電解質層１２が形成された。
【００１１】そして、以上のような実験を、ジルコニア
・イットリアのモル比の異なる複数のターゲット材につ
いて行ない、その結果を図２のグラフにまとめた。そし
て、図２のグラフを参照して判るように、モル比が１：
０.０８（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）の固体電解質層１
２を得るためには、ターゲット材に、ジルコニア・イッ
トリアのモル比が１：０.０６（ＺｒＯ 2 ー６mol％Ｙ 2 Ｏ
3 ）付近の成分のものを使用すれば良いことが確認され
た。なお、ここで得られたターゲット材の成分比はグラ
フでは１対１の関係に示されるが、実際には、特定の成
分比のターゲット材を使用して、スパッタリングにより
複数の固体電解質層をそれぞれ形成した場合に、得られ
る固体電解質層の成分比は実験状態の微妙な変化によっ
て必ずしも定常値を示さず一定の幅を有するものとな
る。従って、モル比が１：０.０８（ＺｒＯ 2 ー８mol％
Ｙ 2 Ｏ 3 ）の固体電解質層１２を得るためのターゲット材
の成分比には、実際には幅があることが実験により確認
されている（具体的には、ジルコニア・イットリアのモ
ル比が、１：０.０５〜１：０．１０（ＺｒＯ 2 ー５mol
％Ｙ 2 Ｏ 3 〜ＺｒＯ 2 ー１０mol％Ｙ 2 Ｏ 3 ）のターゲット材
が最適とされる）。また、上述したジルコニア・イット
リアのモル比が１：０.０６（ＺｒＯ 2 ー６mol％Ｙ
2 Ｏ 3 ） 付近のターゲット材が、特許請求の範囲に示す
「固体電解質層を最適な成分比とする成分比のターゲッ
ト材」に相当する。また、図２の実験結果により、ター
ゲット材と、このターゲット材から得られた固体電解質
層１２との成分比を比較して判るように、イットリアに
ついて、固体電解質層１２の成分比の方が、ターゲット
材の成分比より大きくなっているが、これは、イットリ
アがジルコニアに比較してスパッタ速度が速いことによ
るものと考えられる。
・イットリアのモル比の異なる複数のターゲット材につ
いて行ない、その結果を図２のグラフにまとめた。そし
て、図２のグラフを参照して判るように、モル比が１：
０.０８（ＺｒＯ2ー８mol％Ｙ2Ｏ3）の固体電解質層１
２を得るためには、ターゲット材に、ジルコニア・イッ
トリアのモル比が１：０.０６（ＺｒＯ 2 ー６mol％Ｙ 2 Ｏ
3 ）付近の成分のものを使用すれば良いことが確認され
た。なお、ここで得られたターゲット材の成分比はグラ
フでは１対１の関係に示されるが、実際には、特定の成
分比のターゲット材を使用して、スパッタリングにより
複数の固体電解質層をそれぞれ形成した場合に、得られ
る固体電解質層の成分比は実験状態の微妙な変化によっ
て必ずしも定常値を示さず一定の幅を有するものとな
る。従って、モル比が１：０.０８（ＺｒＯ 2 ー８mol％
Ｙ 2 Ｏ 3 ）の固体電解質層１２を得るためのターゲット材
の成分比には、実際には幅があることが実験により確認
されている（具体的には、ジルコニア・イットリアのモ
ル比が、１：０.０５〜１：０．１０（ＺｒＯ 2 ー５mol
％Ｙ 2 Ｏ 3 〜ＺｒＯ 2 ー１０mol％Ｙ 2 Ｏ 3 ）のターゲット材
が最適とされる）。また、上述したジルコニア・イット
リアのモル比が１：０.０６（ＺｒＯ 2 ー６mol％Ｙ
2 Ｏ 3 ） 付近のターゲット材が、特許請求の範囲に示す
「固体電解質層を最適な成分比とする成分比のターゲッ
ト材」に相当する。また、図２の実験結果により、ター
ゲット材と、このターゲット材から得られた固体電解質
層１２との成分比を比較して判るように、イットリアに
ついて、固体電解質層１２の成分比の方が、ターゲット
材の成分比より大きくなっているが、これは、イットリ
アがジルコニアに比較してスパッタ速度が速いことによ
るものと考えられる。
【００１２】なお、本実施例では、電極層１１、固体電
解質層１２、電極層１３をスパッタリングにより設ける
ようにしたが、これに限定されず、真空蒸着法、プラズ
マ溶射法、爆発溶射法といった各種の方法を用いて、前
記セラミックスコーティングを行っても良い。
解質層１２、電極層１３をスパッタリングにより設ける
ようにしたが、これに限定されず、真空蒸着法、プラズ
マ溶射法、爆発溶射法といった各種の方法を用いて、前
記セラミックスコーティングを行っても良い。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明に示さ
れる酸素センサにおける固体電解質層の形成方法では、
ＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 を含み、かつこれらＺｒＯ 2 及びＹ 2
Ｏ 3 の成分比が異なる複数のターゲット材を用いて、気
相蒸着法により、第１電極層上に固体電解質層をそれぞ
れ形成し、その後、気相蒸着法により得られた固体電解
質層の成分と、ターゲット材との成分との関係に基づ
き、該固体電解質層を最適な成分比とする成分比のター
ゲット材を選択し、該ターゲット材によって固体電解質
層を得るようにしている。すなわち、本発明では、固体
電解質層を最適な成分比とする成分比のターゲット材を
容易に選択することができ、該ターゲット材を用いて、
例えばＺｒＯ 2 ー８mol％Ｙ 2 Ｏ 3 の最適成分比の固体電解
質層を容易に得て、高いイオン伝導性を有する酸素セン
サを作製することが可能となる。
れる酸素センサにおける固体電解質層の形成方法では、
ＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 を含み、かつこれらＺｒＯ 2 及びＹ 2
Ｏ 3 の成分比が異なる複数のターゲット材を用いて、気
相蒸着法により、第１電極層上に固体電解質層をそれぞ
れ形成し、その後、気相蒸着法により得られた固体電解
質層の成分と、ターゲット材との成分との関係に基づ
き、該固体電解質層を最適な成分比とする成分比のター
ゲット材を選択し、該ターゲット材によって固体電解質
層を得るようにしている。すなわち、本発明では、固体
電解質層を最適な成分比とする成分比のターゲット材を
容易に選択することができ、該ターゲット材を用いて、
例えばＺｒＯ 2 ー８mol％Ｙ 2 Ｏ 3 の最適成分比の固体電解
質層を容易に得て、高いイオン伝導性を有する酸素セン
サを作製することが可能となる。
【図１】 本発明の酸素センサを示す正断面図。
【図２】 ターゲット材と、このターゲット材から得ら
れた固体電解質層との成分比を示すグラフ。
れた固体電解質層との成分比を示すグラフ。
【図３】 従来の酸素センサを示す正断面図。
１０……ポーラスセラミック基板、１１……第１電極
層、１２…固体電解質層、１３…第２電極層、１４……
センサ素子。
層、１２…固体電解質層、１３…第２電極層、１４……
センサ素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 功成 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉電 線株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−144063（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−259459（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 多孔質な基板上に、電極層が両面に積層
された固体電解質層を設け、該固体電解質内に多孔質な
基板を通じて制限的に取り込まれた試料ガス中の酸素濃
度を、該固体電解質の酸素ポンピング作用によって生じ
るイオン電流により測定可能な酸素センサにおける固体
電解質層の形成方法であって、 ＺｒＯ 2 及びＹ 2 Ｏ 3 を含み、 かつこれらＺｒＯ2及びＹ2
Ｏ3の成分比が異なる複数のターゲット材を用いて、気
相蒸着法により、第１電極層上に固体電解質層をそれぞ
れ形成した後、前記気相蒸着法により得られた固体電解
質層の成分と、前記ターゲット材との成分との関係に基
づき、該固体電解質層を最適な成分比とする成分比のタ
ーゲット材を選択し、該ターゲット材によって固体電解
質層を得ることを特徴とする酸素センサにおける固体電
解質層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234055A JPH07101213B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 酸素センサにおける固体電解質層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3234055A JPH07101213B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 酸素センサにおける固体電解質層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0552803A JPH0552803A (ja) | 1993-03-02 |
| JPH07101213B2 true JPH07101213B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16964874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3234055A Expired - Fee Related JPH07101213B2 (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | 酸素センサにおける固体電解質層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101213B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144063A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Sharp Corp | 限界電流式酸素センサ |
| JPS63259459A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Toshiba Corp | 限界電流式ガスセンサ |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP3234055A patent/JPH07101213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0552803A (ja) | 1993-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3287096B2 (ja) | イオン導電体を用いたガスセンサおよびその製造方法 | |
| US4142024A (en) | Electrolyte-cathode assembly for a fuel cell | |
| KR102237782B1 (ko) | 센서 제조 방법, 센서 및 센서 사용방법 | |
| JPS6126022B2 (ja) | ||
| JP3656882B2 (ja) | 電気化学的素子の製造方法 | |
| JPH07101213B2 (ja) | 酸素センサにおける固体電解質層の形成方法 | |
| JP3244249B2 (ja) | センサー用電極 | |
| JP2000292409A5 (ja) | ||
| JP2805811B2 (ja) | 燃焼制御用センサ | |
| JPH0743342A (ja) | 限界電流式酸素センサ | |
| JPH0816666B2 (ja) | 酸素センサ | |
| US20220120708A1 (en) | Sensor and manufacturing method thereof | |
| JPH05312772A (ja) | 限界電流式酸素センサの製造方法 | |
| CN117295942A (zh) | 固体电解质接合体、电化学元件和极限电流式气体传感器 | |
| JP2521875B2 (ja) | イオン伝導体デバイスの製造方法 | |
| JP4994661B2 (ja) | プロトン導電性膜、その製造方法、水素透過構造体及び燃料電池 | |
| JP2000002687A (ja) | 固体電解質用電極およびその製造方法 | |
| JPH0514912U (ja) | 酸素センサ | |
| JPH06242067A (ja) | 限界電流式酸素センサ及びその製造方法 | |
| JPH05157726A (ja) | 酸素センサ | |
| JP2015032449A (ja) | 固体酸化物形燃料電池用電解質及び固体酸化物形燃料電池 | |
| JPH0599893A (ja) | 酸素センサ | |
| JP2514582B2 (ja) | 限界電流式酸素センサの製造方法 | |
| JPH05332985A (ja) | 酸素センサのセンサエレメントとその製造方法 | |
| JP2000329729A (ja) | 複合固体電解質デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960416 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |