JPH0518426B2 - - Google Patents

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JPH0518426B2
JPH0518426B2 JP61299205A JP29920586A JPH0518426B2 JP H0518426 B2 JPH0518426 B2 JP H0518426B2 JP 61299205 A JP61299205 A JP 61299205A JP 29920586 A JP29920586 A JP 29920586A JP H0518426 B2 JPH0518426 B2 JP H0518426B2
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Yoshihide Fujimaki
Akira Hirano
Yasuo Suzuki
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Konica Minolta Inc
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    • GPHYSICS
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    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
ã‚€ 産業䞊の利甚分野 本発明は感光䜓、䟋えば電子写真感光䜓に関す
るものである。 ロ 埓来技術 埓来、可芖光に光感床を有する電子写真甚の感
光䜓は耇写機、プリンタヌ等に広く䜿甚されおい
る。 このような電子写真感光䜓ずしおは、セレン、
酞化亜鉛、硫化カドミりム等の無機光導電性物質
を䞻成分ずする感光局を蚭けた無機感光䜓が広く
䜿甚されおいる。しかしながら、このような無機
感光䜓は耇写機等の電子写真感光䜓ずしお芁求さ
れる光感床、熱安定性、耐湿性、耐久性等の特性
においお必ずしも満足できるものではない。䟋え
ば、セレンは熱や手で觊぀たずきの指王の汚れ等
により結晶化するため、電子写真感光䜓ずしおの
䞊蚘特性が劣化し易い。たた、硫化カドミりムを
甚いた電子写真感光䜓は耐湿床性、耐久性に劣り
酞化亜鉛を甚いた電子写真感光䜓は耐久性に問題
がある。たた、セレン、硫化カドミりムの電子写
真感光䜓は共に毒性を有し、補造䞊、取扱い䞊の
制玄が倧きいずいう欠点がある。 このような無機光導電性物質の問題点を克服す
るために、皮々の有機の光導電性物質を電子写真
感光䜓の感光局に䜿甚するこずが詊みられ、近幎
掻発に研究、開発が行われおいる。䟋えば、特公
昭50−10496号公報には、ポリ−−ビニルカル
バゟヌルず−トリニトロ−−フルオ
レノンずのCT錯䜓電荷移動錯䜓を含有した
感光局を有する有機感光䜓が蚘茉されおいる。し
かし、この感光䜓も感床及び耐久性においお十分
でない。このような欠点を改善するために、感光
局においお、キダリア発生機胜ずキダリア茞送機
胜ずを異なる物質に個別に分担させるこずによ
り、感床が高くお耐久性の倧きい有機感光䜓を開
発する詊みがなされおいる。このようないわば機
胜分離型の電子写真感光䜓においおは、各機胜を
発揮する物質を広い範囲のものから遞択するこず
ができるので、任意の特性を有する電子写真感光
䜓が比范的容易に埗られる。そのため、感床が高
く、耐久性の倧きい有機感光䜓が埗られるこずが
期埅されおいる。 このような機胜分離型の電子写真感光䜓のキダ
リア発生局に有効なキダリア発生物質ずしおは、
埓来数倚くの物質が提案されおいる。無機物質を
甚いる䟋ずしおは、䟋えば特公昭43−16198号公
報に蚘茉されおいるように無定圢セレンが挙げら
れる。この無定圢セレンを含有するキダリア発生
局は有機キダリア茞送物質を含有するキダリア茞
送局ず組み合わされお䜿甚される。しかし、この
無定圢セレンからなるキダリア発生局は、䞊蚘し
たような熱等により結晶化しおその特性が劣化す
るずいう問題点がある。 たた、有機物質を䞊蚘のキダリア発生物質ずし
お甚いる䟋ずしおは、有機染料や有機顔料が挙げ
られる。䟋えば、ビスアゟ化合物を含有する感光
局を有するものずしおは、特開昭47−37543号公
報、特開昭55−22834号公報、特開昭54−79632号
公報、特開昭56−116040号公報等によりすでに知
られおいる。しかしながら、これらの公知のビス
アゟ化合物を短波長若しくは䞭波長域では比范的
良奜な感床を瀺すが、長波長域での感床が䜎く、
高信頌性の期埅される半導䜓レヌザヌ光源を甚い
るレヌザヌプリンタに甚いるこずは困難であ぀
た。 珟圚、半導䜓レヌザヌずしお広範に甚いられお
いるガリりム−アルミニりム−ヒ玠Ga−Al−
As系発光玠子は、発振波長が750nm皋床以䞊
である。このような長波長光に高感床の電子写真
感光䜓を埗るために、埓来数倚くの怜蚎がなされ
おきた。䟋えば、可芖光領域に高感床を有するセ
レン、硫化カドミりム等の感光材料に、新たに長
波長化するための増感剀を添加する方法が考えら
れたが、セレン、硫化カドミりムは䞊蚘したよう
に枩床、湿床等に察する耐環境性が十分でなく、
毒性もあ぀お実甚化には問題がある。たた、倚数
知られおいる有機系光導電材料も、䞊蚘したよう
にその感床が通垞700nm以䞋の可芖光領域に限定
され、これより長波長域に十分な感床を有する材
料は少ない。 これらのうちで、有機系光導電材料の䞀぀であ
るフタロシアニン系化合物は、他のものに比べ感
光域が長波長域に拡倧しおいるこずが知られおい
る。そしお、α型のフタロシアニンが結晶圢の安
定なβ型のフタロシアニンに倉わる過皋で各皮結
晶圢のフタロシアニンが芋出されおいる。これら
の光導電性を瀺すフタロシアニン系化合物ずしお
は、䟋えば特公昭49−4338号公報に蚘茉されおい
る型無金属フタロシアニンは、長波長域に感床
を有し、か぀他の結晶圢の無金属フタロシアニン
ず比べおも優れた特性を有するが、ただ䞍十分で
ある。 たた、フタロシアニン系化合物ずしおは、䟋え
ば特開昭58−182639号公報に蚘茉されおいるτ型
無金属フタロシアニンも知られおいる。このτ型
無金属フタロシアニンは、第図に瀺すよう
に、Cu Kα特性線波長1.541Å以䞋、この
線をCu Kα1.541Åず蚘す。に察するブラ
ツク角床2Ξは7.6床9.2床16.8床17.4床20.4
床20.9床にそれぞれピヌクを有する。たた、赀
倖線吞収スペクトルでは、700〜760cm-1の間に
752±cm-1が最も匷い本の吞収垯、1320〜
1340cm-1の間に本のほが同じ匷さの吞収垯、
3288±cm-1に特城的な吞収垯がある。しかし、
このτ型無金属フタロシアニンは、α型無金属フ
タロシアニンを食塩等の磚砕助剀、゚チレングリ
コヌル等の䞍掻性有機溶剀ずずもに50〜180℃、
奜たしくは60〜130℃で〜20時間湿匏混緎しお
補造するので、その補造方法が耇雑で難しい。そ
のため、τ型フタロシアニンであ぀おか぀䞀定の
結晶圢を有するものを垞に埗るこずはできず、こ
れをキダリア発生物質ずしお甚いたずきの電子写
真感光䜓の特性は安定性が䞍十分である。このた
めこのτ型無金属フタロシアニンは前蚘型無金
属フタロシアニンに比べるず、補造の容易性、結
晶安定性及び電子写真感光䜓のキダリア発生物質
ずしお甚いられたずきの繰り返し䜿甚に察する電
䜍安定性に劣る。 ずころで、有機光導電性物質を甚いる公知の感
光䜓は通垞、負垯電甚ずしお䜿甚されおいる。こ
の理由は、負垯電䜿甚の堎合には、キダリアのう
ちホヌルの移動床が倧きいこずから、ホヌル茞送
性の材料を䜿甚でき、光感床等の点で有利である
のに察し、電子茞送性の材料には優れた特性をも
぀ものがほずんど無く、あるいは発がん性を有す
るので䜿甚できないためである。 しかしながら、このような負垯電䜿甚では、次
の劂き問題があるこずが刀明しおいる。 (1) 負のコロナ攟電時、垯電噚による負垯電時
に、雰囲気䞭のオゟン発生量が倚く、環境条件
が悪化する。このため、感光䜓衚面の材質の劣
化や、垯電により生ずるむオン性物質の感光䜓
衚面ぞの付着が生じ、繰り返し䜿甚時に電䜍䜎
䞋をきたすため、画像䞍良、画像ボケの原因ず
なり、感光䜓の寿呜にも圱響する。たた、コロ
ナ攟電噚の攟電ワむダの汚れ等により、攟電ム
ラが発生しやすいため、画像ムラが生ずるこず
もある。 (2) 負垯電甚感光䜓の珟像には正極性のトナヌが
必芁ずなるが、正極性のトナヌは匷磁性䜓キダ
リア粒子に察する摩擊垯電系列からみお補造が
困難である。 そこで、有機光導電性物質を甚いる感光䜓を正
垯電で䜿甚するこずが提案されおいる。䟋えばキ
ダリア発生局䞊にキダリア茞送局を積局し、キダ
リア茞送局を電子茞送胜の倧きい物質で圢成した
感光䜓は、正垯電甚ずしお䜿甚できる。しかし前
述したように、電子茞送性の材料には優れた特性
を有するものがほずんど無く、あるいは環境的配
慮から䜿甚できないので、䞊述の正垯電甚感光䜓
は実甚的でない。䟋えば、キダリア茞送局に電子
茞送胜をもたせるため、トリニトロフルオレノン
を含有させるこずが行われおいたが、この物質に
は発がん性があるため䞍適圓である。他方、ホヌ
ル茞送胜の倧きいキダリア茞送局䞊にキダリア発
生局を積局した正垯電甚感光䜓が考えられるが、
これでは衚面偎に非垞に薄いキダリア発生局が存
圚するために耐刷性・耐久性、繰り返し䜿甚時の
感床安定性等が悪くなり、実甚的な局構成ではな
い。 たた、正垯電甚感光䜓ずしお、米囜特蚱第
3615414号明现曞には、チアピリリりム塩キダ
リア発生物質をポリカヌボネヌトバむンダヌ
暹脂ず共晶錯䜓を圢成するように含有させたも
のが瀺されおいる。しかしこの公知の感光䜓で
は、メモリヌ珟象が倧きく、ゎヌストも発生し易
いずいう欠点がある。米囜特蚱第3357989号明现
曞にも、フタロシアニンを含有せしめた感光䜓が
瀺されおいるが、フタロシアニンは結晶型によ぀
お特性が倉化しおしたう䞊に、結晶型を厳密に制
埡する必芁があり、曎に短波長感床が䞍足しか぀
メモリヌ珟象も倧きく、可芖光波長域の光源を甚
いる耇写機には䞍適圓である。 䞊蚘の実情から埓来は、有機光導電性物質を甚
いた感光䜓を正垯電䜿甚するこずは実珟性に乏し
く、このためにも぀ぱら負垯電甚ずしお䜿甚され
おきたのである。 ハ 発明の目的 本発明の目的は、半導䜓レヌザヌ光等の比范的
長波長の光に十分な感床を有し、か぀正垯電で動
䜜可胜であり、特にオゟン発生量等が少なくお環
境条件を良奜に保぀こずができ、耐刷性、電䜍安
定性、メモリヌ特性、残留電䜍特性に優れた感光
䜓を提䟛するこずにある。 ニ 発明の構成及びその䜜甚効果 本発明は、キダリア茞送物質及びバむンダヌ物
質を含有するキダリア茞送局ず、キダリア発生物
質及びバむンダヌ物質を含有するキダリア発生局
ずがこの順に積局されおいる感光䜓においお、 Cu Kα 1.541Åの線に察するブラツク角床2Ξ
䜆し、誀差は2Ξ±0.2床が7.7床9.3床16.9
床17.5床22.4床28.8床に䞻芁なピヌクを有
する線結晶回折スペクトルを有し、この線回
折スペクトルの䞊蚘ブラツク角床9.3床のピヌク
に察するブラツク角床16.9床のピヌクの匷床比が
0.8〜1.0であり、か぀、䞊蚘ブラツク角床9.3床の
ピヌクに察するブラツク角床22.4床及び28.8床の
それぞれのピヌクの匷床が0.4以䞊であり、か぀、
700〜760cm-11320±cm-1及び3288±cm-1に
ピヌクを有する赀倖線吞収スペクトルを有し、
700〜760cm-1の吞収垯には本のピヌクがあり、
そのうち752±cm-1が最も匷い無金属フタロシ
アニンが前蚘キダリア発生局に含有され、曎に該
キダリア発生局に、䞋蚘䞀般匏〔〕で衚される
化合物ず䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされる化合物ず
の少なくずも䞀方が含有されおいるこずを特城ず
する感光䜓に係る。 䞀般匏〔〕 䜆し、この䞀般匏䞭、 R1眮換若しくは未眮換のアリヌル基又は
眮換若しくは未眮換の耇玠環基、 R2氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアル
キル基、又は眮換若しくは未眮換のアリヌ
ル基、  氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル
基、眮換アミノ基、アルコキシ基又はシア
ノ基、  又はの敎数を衚わす。 䞀般匏〔〕 䜆し、この䞀般匏䞭、R1R2は前
蚘したものず同じである。 本発明の感光䜓は、キダリア茞送局䞊にキダリ
ア発生局を積局せしめお構成した積局構造のもの
である。尚、䞊蚘「局」は、埌述するようにキダ
リア発生物質䞊蚘無金属フタロシアニン及び
キダリア茞送物質䞀般匏〔〕〔〕で衚わさ
れる化合物を䜵有しおおり、感光䜓が積局構造
の堎合は䞊蚘「局」がキダリア発生局に該圓す
る。 本発明の感光䜓の感光局は、䞊述のような構成
を有しおいるので、特に正垯電で䜿甚するのに奜
適である。 しかも、䞊述の感光䜓は、䞊蚘「局」䞭にキダ
リア発生物質ずしお䞊蚘のブラツク角の䞻芁ピヌ
クを有する無金属フタロシアニンを䜿甚しおいる
ので、感光䜓の繰り返し䜿甚時の電䜍安定性が良
くなり、メモリヌ珟象も少なく、残留電䜍も少な
くか぀安定ずなり、か぀フタロシアニン自䜓の結
晶が安定であり、その補造も容易である。これに
加え、この無金属フタロシアニンが長波長域に高
感床を瀺すこずから、本発明の感光䜓は半導䜓レ
ヌザヌ等に奜適である。 たた、本発明の感光䜓によれば、キダリア発生
物質ずキダリア茞送物質ずをバむンダヌ物質で結
着しおなる「局」を䜿甚しおいるが、この「局」
を厚めに蚭けるこずにより、皮々の利点がある。 即ち、前蚘「局」即ちキダリア発生局を䞊局に
蚭けたために正垯電甚ずしおの構成ずな぀おいる
が、ここではキダリア発生局を厚めに蚭けるこず
によ぀お既述した問題点である耐刷性を十分満足
するこずができる。䟋えば、通垞考えられる厚さ
負垯電䜿甚では0.2ÎŒm皋床よりもず぀ず厚い
0.6〜10ÎŒm奜たしくは〜8ÎŒmの厚さにキダ
リア発生局を蚭けるず、良奜な耐刷性、耐久性及
び繰り返し䜿甚時の感床安定性を埗るこずができ
る。 たた、本発明の感光䜓においお、前蚘「局」の
バむンダヌ物質の含有量を高めれば、感光䜓衚面
の膜匷床が向䞊し、クリヌニング等の工皋におい
お感光䜓衚面の削れを防止でき、耐摩耗性、耐刷
性及び繰り返し䜿甚時の感床安定性を向䞊させる
こずが可胜ずなる。 しかしながら、このような䞊蚘「局」を甚いた
感光䜓においお、「局」を厚めに蚭けるず、キダ
リア発生物質のみを含有させた堎合は、「局」の
膜厚が倧きくなるに埓い、「局」䞭のキダリア発
生物質の濃床は盞察的に䜎䞋し、か぀正負のキダ
リアのキダリア発生䜍眮からの茞送距離が倧きく
なるこずから、結果ずしおキダリアの茞送胜が著
るしく䜎䞋する。たた、「局」䞭のバむンダヌ物
質の量を増やすず、キダリア発生物質の濃床は䜎
䞋し、キダリアの茞送胜は䜎䞋する。このため、
感光局の感床䜎䞋、残留電䜍の䞊昇、メモリヌ珟
象の増倧、繰り返し䜿甚時の感床䜎䞋及び垯電電
䜍の䜎䞋を招くこずずなる。 これに察し、本発明の感光䜓では、前蚘「局」
䞭に特定のキダリア茞送物質を加えおいるので、
䞊述の問題の技術的解決が可胜ずなる。ここで、
特定のキダリア茞送物質ずは、前蚘した䞀般匏
〔〕で衚わされる化合物ヒドラゟン化合物
ず䞀般匏〔〕で衚わされる化合物ヒドラゟン
化合物ずの少なくずも䞀方である。 このように特定のキダリア茞送物質を遞択した
のは、前蚘「局」内郚においお、キダリア発生物
質である前蚘の無金属フタロシアニンから同䞀局
内のキダリア茞送物質ぞのキダリア泚入に遞択性
があるず考えられるからである。 即ち、本発明のキダリア茞送物質を遞択すれ
ば、むオン化ポテンシダルが本発明の無金属フタ
ロシアニンず適合しおいる等の理由で、䞊蚘のキ
ダリア泚入が効率的に行われるので、「局」の膜
厚を倧きくし、たたバむンダヌ物質の濃床を高め
おも、「局」内で発生したキダリアの茞送胜は䜎
䞋するこずなくむしろ向䞊し、埓぀お垞に良奜
な、感床特性、残留電䜍特性、メモリヌ特性、繰
り返し䜿甚時の感床特性及び垯電電䜍特性を享受
するこずができる。 たた、本発明のキダリア茞送物質は、ホヌル茞
送胜に優れおおり、これを前蚘「局」䞭に含有さ
せるこずにより、正垯電䜿甚に奜適な感光䜓を埗
るこずができる。 本発明の感光䜓を構成する前蚘「局」においお
は、粒状のキダリア発生物質ずキダリア茞送物質
ずがバむンダヌ物質で結着されおいる即ち、局
䞭に顔料の圢で分散されおいるのがよい。この
堎合、「局」の耐刷性、耐久性等が良奜ずなり、
メモリヌ珟象も少なく、残留電䜍も安定ずなる。 䞊蚘した「局」の構造から、キダリア茞送物質
ずバむンダヌ物質ずの盞溶性は感光局の特性に圱
響する。その点、本発明のキダリア茞送物質は䞊
蚘の盞溶性に優れおいる。 たた、正垯電䜿甚の際には、負垯電䜿甚の堎合
ず異なり、オゟン発生量を䜎く抑えるこずができ
るが、それでも少量のオゟン発生は避けられな
い。しかし、本発明の電荷茞送物質には、オゟン
吞着による劣化が生じにくく、埓぀お画像ボケや
画像欠陥は発生し難い。 曎に、本発明の電荷茞送物質は、安党で環境的
に奜たしく、化孊的にも安定である。 以䞊述べおきたように、本発明によ぀お、正垯
電䜿甚に奜適な感光䜓の提䟛が可胜ずなる。これ
により正垯電䜿甚の特有の特城が発揮でき、埓来
技術の項で述べた負垯電䜿甚に䌎う問題を解決す
るこずができる。即ち、オゟン発生量を䜎く抑
え、環境条件を良奜なものずするこずができ、こ
れに䌎い攟電電極の汚れによる攟電ムラ等皮々の
問題を回避でき、たた、補造容易な負極性トナヌ
を䜿甚できる。曎に、機胜分離型であるこずか
ら、高感床、高耐久性であ぀お、構成材料の遞択
も容易ずなる。 本発明に䜿われる無金属フタロシアニンは、埓
来の無金属フタロシアニン䟋えば、第図に
瀺したτ型無金属フタロシアニンに無い特城的
な線回折スペクトルを有する。即ち、ブラツク
角床28.8床に特城的なピヌクを有するこずであ
る。䟋えば、本発明に䜿われる無金属フタロシア
ニンが瀺す線回折スペクトルの䟋ずしお、第
図に瀺すようなものが挙げられる。 たた、本発明に䜿われる無金属フタロシアニン
は、第図に瀺すように、700〜760cm-1にピヌク
を有する赀倖線吞収スペクトルを有し、700〜760
cm-1の吞収垯には本のピヌクがあり、そのうち
720±cm-1が最も匷いこずが特城である。 たた、第図の無金属フタロシアニンの可芖、
近赀倖線吞収スペクトルは第図に実線で瀺すよ
うに、770nm以䞊790nm未満に吞収極倧があるこ
ずが望たしく、砎線で瀺すτ型無金属フタロシア
ニンが790〜820nmに吞収極倧を持ち、倚くは玄
810nmに吞収極倧を持぀ものず異なる。 本発明における䞊蚘無金属フタロシアニンを補
造するには、α型無金属フタロシアニンを結晶転
移するに十分な時間撹拌するか、あるいは機械的
歪力䟋えば混緎をも぀おミリングするこずに
より第図の無金属フタロシアニンを埗、぀いで
この無金属フタロシアニンをテトラハむドロフラ
ン等の非極性溶剀による分散凊理等の溶剀凊理を
するこずにより第図の無金属フタロシアニンが
埗られる。撹拌、あるいは混緎をも぀おミリング
するには、通垞顔料の分散や乳化、混合等に甚い
られおいる分散メデむア、䟋えばガラスビヌズ、
スチヌルビヌズ、アルミナボヌル、フリント石等
が甚いられる。しかし、分散メデむアは必ずしも
必芁ずするものでない。磚砕助剀も甚いられ、こ
の磚砕助剀ずしおは通垞顔料甚に䜿甚されおいる
ものが甚いられおもよく、䟋えば食塩、重炭酞゜
ヌダ、がう硝等が挙げられる。しかし、この磚砕
助剀も必ずしも必芁ずしない。 第図に瀺す無金属フタロシアニンは、Cu
Kα1.541Åの線に察するブラツク角床䜆
し、誀差は2Ξ±0.2床7.5床9.1床16.7床
17.3床22.3床にピヌクを有し、たた、その赀倖
線回折スペクトルは、第図のように746cm-1
700〜750cm-1の間に぀のピヌク、1318cm-1
1330cm-1の匷床の等しいピヌクがある。 撹拌、混緎、磚砕時に溶媒を必芁ずする堎合に
はこれらが行われおいるずきの枩床においお液状
のものがよく、このようなものには、䟋えばアル
コヌル系溶媒、即ちグリセリン、゚チレングリコ
ヌル、ゞ゚チレングリコヌル若しくはポリ゚チレ
ングリコヌル系溶剀、゚チレングリコヌルモノメ
チル゚ヌテル、゚チレングリコヌルモノ゚チル゚
ヌテル等のセロ゜ルブ系溶剀、ケトン系溶剀、゚
ステルケトン系溶剀等の矀から遞ばれた皮類以
䞊の溶剀を遞択するこずが奜たしい。 䞊蚘結晶転移工皋においお䜿甚される装眮ずし
お代衚的なものを挙げるず、䞀般的な撹拌装眮、
䟋えばホモミキサヌ、デむスパヌザヌ、アゞタ
ヌ、スタヌラヌ、あるいはニヌダ、バンバリヌミ
キサヌ、ボヌルミル、サンドミル、アトラむタヌ
等がある。 䞊蚘のようにしお補造される本発明の無金属フ
タロシアニンの性質の優れた点は、その補造法が
必ずしも磚砕助剀を必芁ずせず、そのためその陀
去も必芁がないようにでき、たた枩床コントロヌ
ルも厳密なものでなくおもよく、䟋えば宀枩でも
よい等容易であるこずであり、この点はτ型フタ
ロシアニンの補造法が磚砕助剀を必芁ずし、厳密
な枩床コントロヌルを必芁ずするものずは異な
る。たた、本発明の無金属フタロシアニンは極め
お結晶圢が安定であり、アセトン、テトラヒドロ
フラン、トル゚ン、酢酞゚チル、−ゞクロ
ロ゚タン等の有機溶剀に浞挬したり、䟋えば200
℃の雰囲気䞋に50時間以䞊攟眮する等の耐熱詊隓
を行぀たり、たたミリング等の機械的歪力を加え
おも他の結晶圢ぞの転移が起こり難く、これは埓
来のτ型よりは勿論優れおいるこの点は第図
のフタロシアニンが特に良奜である。このこず
は、本発明の無金属フタロシアニンの補造をその
品質のぶれを少なくしお行えるこずを可胜にし、
䞊蚘のこずずずもに曎にその補造を容易にするず
ずもに、電子写真感光䜓に甚いたずきの繰り返し
䜿甚のずきの電䜍安定性等の特性を向䞊できる。 本発明に甚いる䞊蚘無金属フタロシアニンは次
の構造匏からな぀おおり、その熱力孊的状態で䞻
ずしお第図のものず第図のものずに分けられ
る。 次に、本発明においおキダリア茞送物質ずしお
䜿甚する前蚘䞀般匏〔〕のヒドラゟン化合物を
䟋瀺するず、次の構造匏を有するものを挙げるこ
ずができるが、むろんこれらに限定されるもので
はない。䜆し、ヒドラゟン化合物は次の䞀般匏に
代えお瀺しおいる。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 たた、前蚘䞀般匏〔〕のヒドラゟン化合物を
䟋瀺するず、次の構造匏で瀺されるものを挙げら
れるが、むろんこれらに限定されるものではな
い。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 本発明においお、前述した無金属フタロシアニ
ンず共に、他のキダリア発生物質の䞀皮又は二皮
以䞊を䜵甚しおも差し支えない。䜵甚できるキダ
リア発生物質ずしおは、䟋えばα型、β型、γ
型、τ型、τ′型、η型、η′型の無金属フタロシア
ニンが挙げられる。たた、䞊蚘以倖のフタロシア
ニン顔料、アゟ顔料、アントラキノン顔料、ペリ
レン顔料、倚環キノン顔料、スクアリツク酞メチ
ン顔料等が挙げられる。 アゟ顔料ずしおは、䟋えば以䞋のものが挙げら
れる。 − −−Ar1−CHCH−Ar2−− − −−Ar1−CHCH−Ar2−CHCH−
Ar3−− − −−Ar1−−Ar2−− − −−Ar1−−Ar2−−Ar3−
− 〔䜆し、䞊蚘各䞀般匏䞭、 Ar1Ar2及びAr3それぞれ、眮換若しくは未
眮換の炭玠環匏芳銙族環基、 R3R4R5及びR6それぞれ、電子吞匕性基
又は氎玠原子であ぀お、R3〜R6の少なくず
も぀はシアノ基等の電子吞匕性基、 
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】たたは
【匏】 は、ヒドロキシ基、
【匏】又は− NHSO2−R10 〈䜆し、R8及びR9はそれぞれ、氎玠原子又は
眮換若しくは未眮換のアルキル基、R10は眮換若
しくは未眮換のアルキル基又は眮換若しくは未眮
換のアリヌル基〉、 は、氎玠原子、ハロゲン原子、眮換若しくは
未眮換のアルキル基、アルコキシ基、カルボキシ
ル基、スルホ基、眮換若しくは未眮換のカルバモ
むル基又は眮換若しくは未眮換のスルフアモむル
基䜆し、が以䞊のずきは、互いに異なる基
であ぀おもよい。、 は、眮換若しくは未眮換の炭玠環匏芳銙族環
又は眮換若しくは未眮換の耇玠環匏芳銙族環を構
成するに必芁な原子矀、 R7は、氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアミ
ノ基、眮換若しくは未眮換のカルバモむル基、カ
ルボキシル基又はその゚ステル基、 Ar4は、眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 は、又はの敎数、 は、〜の敎数である。〕 たた、次の䞀般匏〔〕矀の倚環キノン顔料も
キダリア発生物質ずしお䜿甚できる。 䞀般匏〔〕 䜆し、この䞀般匏䞭、X′はハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、アシル基又はカルボキシル
基を衚わし、は〜の敎数、は〜の敎
数を衚わす。 本発明においおは、前蚘「局」䞭においお、前
蚘したヒドラゟン化合物ず共に、次の䞀般匏
〔〕のピラゟリン化合物も䜿甚可胜である。 䞀般匏〔〕 〈䜆し、この䞀般匏䞭、  又は、 R11R12及びR13眮換若しくは未眮換のアリ
ヌル基、 R14及びR15氎玠原子、炭玠原子数〜の
アルキル基、又は眮換若しくは未眮換のアリ
ヌル基若しくはアラルキル基䜆し、R14及
びR15は共に氎玠原子であるこずはなく、
がのずきはR14は氎玠原子ではない。〉 たた、キダリア茞送物質ずしお、䞋蚘䞀般匏
〔〕〔〕のヒドラゟン化合物も䜵甚可胜であ
る。 䞀般匏〔〕 〈䜆し、この䞀般匏䞭、 R16メチル基、゚チル基、−ヒドロキシ゚
チル基又は−クロル゚チル基、 R17メチル基、゚チル基、ベンゞル基又はフ
゚ニル基、 R18メチル基、゚チル基、ベンゞル基又はフ
゚ニル基を瀺す。〉 䞀般匏〔〕 〈䜆し、この䞀般匏䞭、 R19は眮換若しくは非眮換のナフチル基R20
は眮換若しくは非眮換のアルキル基、アラルキル
基又はアリヌル基R21は氎玠原子、アルキル基
又はアルコキシ基R22及びR23は眮換若しくは
非眮換のアルキル基、アラルキル基又はアリヌル
基からなる互いに同䞀の若しくは異なる基を瀺
す。〉 なお、本発明においお、キダリア茞送物質ずし
お、前蚘のヒドラゟン化合物ず共に、偎鎖に瞮合
芳銙環又は耇玠環を有する高分子有機半導䜓を䜿
甚すれば、この高分子有機半導䜓が玫倖線吞収に
よ぀お光キダリアを生成する性質を有しおいお、
光増感に効果的に寄䞎する。このため、攟電曲線
の裟切れがよくなり、特に䜎電界領域での感床が
向䞊する。この結果、導電性又は絶瞁性䞀成分珟
像プロセスにおいお、珟像段階でバむアス電圧を
印加しなくおもカブリのない良奜なコピヌ画像を
埗るこずができる。䞀成分珟像プロセスにおい
お、バむアス電圧を印加するず、いわゆるフリン
ゞ珟像によ぀お画像端郚の鮮明床が䜎䞋し、滲み
を生じるが、䞊蚘高分子有機半導䜓によ぀おそう
した問題は少なくなる。たた、䞊蚘高分子有機半
導䜓は玫倖線領域の吞光床が高くお倧郚分の玫倖
光を吞収し、玫倖光に察しお䞀皮のフむルタヌ効
果を有するので、前蚘ヒドラゟン化合物の劣化を
防止する䜜甚があり、感光局の玫倖光安定性、耐
久性を向䞊させるこずができる。 䞊蚘のような高分子有機半導䜓ずしおは、䟋え
ば次に䟋瀺するものを挙げるこずができるが、む
ろんこれらに限定されるものではない。 䞊蚘した高分子有機半導䜓のうちポリ−−ビ
ニルカルバゟヌル又はその誘導䜓が効果が倧であ
り、奜たしく甚いられる。かかるポリ−−ビニ
ルカルバゟヌル誘導䜓ずは、その繰り返し単䜍に
おける党郚又は䞀郚のカルバゟヌル環が皮々の眮
換基、䟋えばアルキル基、ニトロ基、アミノ基、
ヒドロキシ基又はハロゲン原子によ぀お眮換され
たものである。 たた、積局構造を有する感光䜓においお、キダ
リア茞送局に甚いるキダリア茞送物質は、前述の
ヒドラゟン化合物であ぀およいが、キダリア発生
局ず異なり、必ずしもこれを䞻成分ずするもので
なくおよい。 即ち、オキサゟヌル誘導䜓、オキサゞアゟヌル
誘導䜓、チアゟヌル誘導䜓、チアゞアゟヌル誘導
䜓、トリアゟヌル誘導䜓、むミダゟヌル誘導䜓、
むミダゟロン誘導䜓、むミダゟリゞン誘導䜓、ビ
スむミダゟリゞン誘導䜓、スチリル化合物、ヒド
ラゟン化合物、ピラゟリン誘導䜓、オキサゟロン
誘導䜓、ベンゟチアゟヌル誘導䜓、ベンズむミダ
ゟヌル誘導䜓、キナゟリン誘導䜓、ベンゟフラン
誘導䜓、アクリゞン誘導䜓、プナゞン誘導䜓、
アミノスチルベン誘導䜓、ポリ−−ビニルカル
バゟヌル、ポリ−−ビニルピレン、ポリ−−
ビニルアントラセン、トリアリヌルアミン誘導
䜓、プニレンゞアミン誘導䜓、スチルベン誘導
䜓、カルバゟヌル誘導䜓等から遞ばれた䞀皮又は
二皮以䞊であ぀およい。 本発明に基づく感光䜓、䟋えば電子写真感光䜓
の構成は、皮々の圢態をずり埗る。 第図〜第図に䞀般的な構成を䟋瀺する。第
図の感光䜓は、積局構造のものであ぀お、導電
性支持䜓䞊に、キダリア茞送物質がバむンダヌ
物質䞭に分散されたキダリア茞送局を蚭け、こ
の局の䞊に、前述の無金属フタロシアニンず前
述のヒドラゟン化合物ずをバむンダヌ物質䞭に䞻
成分ずしお含有するキダリア発生局を圢成し
お、感光局を構成しおある。第図の感光䜓は
単盞構造のものであ぀お、導電性支持䜓䞊に、
䞊蚘の無金属フタロシアニンず、䞊蚘のヒドラゟ
ン化合物ずをバむンダヌ物質䞭に䞻成分ずしお含
有する局を圢成しお、単局型の感光局ずした
ものである。 第図第図の感光䜓は、それぞれ第図
第図の局構成においお、感光局ず導電性支持
䜓ずの間に䞭間局を蚭け、導電性支持䜓の
フリヌ゚レクトロンの泚入を効果的に防止するよ
うにしたものである。䞭間局ずしおは、䞊蚘の
バむンダヌ暹脂ずしお説明したような高分子重合
䜓、ポリビニルアルコヌル、゚チルセルロヌス、
カルボキシメチルセルロヌス等の有機高分子物質
又は酞化アルミニりム等より成るものが甚いられ
る。 第図〜第図においお、耐刷性向䞊等のため
に曎に衚面に保護局膜を圢成しおよく、䟋え
ば合成暹脂被膜をコヌテむングしおよい。 䞊蚘構成の感光局を圢成する堎合におけるキダ
リア発生局又は局は、次の劂き方法によ぀お
蚭けるこずができる。 (ã‚€) キダリア発生物質を適圓な溶剀に溶解した溶
液あるいはこれにバむンダヌを加えお混合溶解
した溶液を塗垃する方法。 (ロ) キダリア発生物質をボヌルミル、ホモミキサ
ヌ等によ぀お分散媒䞭で埮现粒子ずし、必芁に
応じおバむンダヌを加えお混合分散しお埗られ
る分散液を塗垃する方法。 これらの方法においお超音波の䜜甚䞋に粒子を
分散させるず、均䞀分散が可胜になる。 キダリア発生局の圢成に䜿甚される溶剀あるい
は分散媒ずしおは、−ブチルアミン、ゞ゚チル
アミン、゚チレンゞアミン、む゜プロパノヌルア
ミン、トリ゚タノヌルアミン、トリ゚チレンゞア
ミン、−ゞメチルホルムアミド、アセト
ン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンれン、トル゚ン、キシレン、クロロホルム、
−ゞクロロ゚タン、ゞクロロメタン、テト
ラヒドロフラン、ゞオキサン、メタノヌル、゚タ
ノヌル、む゜プロパノヌル、酢酞゚チル、酢酞ブ
チル、ゞメチルスルホキシド等を挙げるこずがで
きる。感光局の圢成にバむンダヌを甚いる堎合
に、このバむンダヌずしおは任意のものを甚いる
こずができるが、特に疎氎性でか぀誘導率が高い
電気絶瞁性のフむルム圢成胜を有する高分子重合
䜓が奜たしい。こうした重合䜓ずしおは、䟋えば
次のものを挙げるこずができるが、勿論これらに
限定されるものではない。  ポリカヌボネヌト  ポリ゚ステル  メタクリル暹脂  アクリル暹脂  ポリ塩化ビニル  ポリ塩化ビニリデン  ポリスチレン  ポリビニルアセテヌト  スチレン−ブタゞ゚ン共重合䜓  塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓  塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共
重合䜓  シリコン暹脂  シリコン−アルキツド暹脂  プノヌル−ホルムアルデヒド暹脂  スチレン−アルキツド暹脂  ポリ−−ビニルカルバゟヌル  ポリビニルブチラヌル これらのバむンダヌは、単独あるいは皮以䞊
の混合物ずしお甚いるこずができる。 本発明に基づく感光䜓を構成する「局」第
図第図のキダリア発生局及び第図第
図の単盞構造の感光局のいずれをも含むにお
いおは、キダリア発生物質をバむンダヌ物質に察
し、キダリア発生物質バむンダヌ物質〜
150即ち、バむンダヌ物質100重量郚に察し
〜150重量郚、望たしくは10〜100重量郚ず特定
の範囲で含有せしめれば、残留電䜍及び受容電䜍
䜎䞋の少ない正垯電甚感光䜓を提䟛できる。䞊蚘
範囲を倖れお、キダリア発生物質が少ないず光感
床が悪くお残留電䜍が増え、たた倚いず受容電䜍
の䜎䞋が倚くなり、メモリヌも増え易い。たた、
䞊蚘「局」䞭のキダリア茞送物質の含有量も重芁
であり、キダリア茞送物質バむンダヌ物質20
〜200即ち、バむンダヌ物質100重量郚に察し
20〜200重量郚、望たしくは50〜120重量郚ずす
るのがよく、この範囲によ぀お残留電䜍が少なく
か぀光感床が良奜ずなり、キダリア茞送物質の溶
媒溶解性も良奜に保持される。この範囲を倖れ
お、キダリア茞送物質が少ないず残留電䜍や光感
床が劣化し易く、画像䞍良、癜斑点、ボケ等が生
じ易く、たた倚いず溶媒溶解性が悪くなり易く、
膜匷床が小ずなる傟向がある。このキダリア茞送
物質の含有量範囲は、第図第図のキダリア
茞送局でも同様であ぀およい。 たた、䞊蚘「局」における䞊蚘キダリア発生物
質ず䞊蚘キダリア茞送物質ずの割合は、䞡物質の
それぞれの機胜を有効に発揮させる䞊で、キダリ
ア発生物質キダリア茞送物質は重量比で
0.2〜10ずするのが望たしく、
0.5〜が曎によい。この範囲よりキ
ダリア発生物質の割合が小さいず光感床䞍足ずな
り、たたその割合が倧きいずキダリア茞送胜が䜎
䞋するためやはり感床䞍足ずなる。 䞊蚘「局」がキダリア発生局である堎合、キダ
リア発生局の厚さは0.6〜10ÎŒmであるこずが奜
たしく、〜8ÎŒmであれば曎に奜たしい。この厚
さが0.6ÎŒm未満の堎合には、繰り返し䜿甚時にキ
ダリア発生局衚面が珟象及びクリヌニング等の䜿
甚態様により機械的ダメヌゞを受け、局の䞀郚が
削れたり、画像䞊には黒スゞずな぀お衚われおし
たうこずがある。たた、0.6ÎŒm未満では华぀お感
床䞍足ずなり易い。䜆し、キダリア発生局の膜厚
が10ÎŒmを超えるず、熱励起キダリアの発生数が
増加し、環境枩床の䞊昇に䌎ない受容電䜍が䜎䞋
し、メモリヌ珟象が増え、画像䞊の濃床䜎䞋が生
じ易い。曎に、キダリア発生物質の吞収端より長
波長の光を照射した堎合には、光キダリアは電荷
発生局䞭の最䞋郚近くでも発生する。この堎合に
は、電子は局䞭を衚面たで移動しなければなら
ず、䞀般に十分な茞送胜が埗がたくなる傟向があ
る。埓぀お、繰り返し䜿甚時には残留電䜍の䞊昇
が起こり易くなる。 たた、䞊蚘「局」が単局構造の感光局である堎
合、感光局の厚さは10〜50ÎŒmであるこずが奜た
しく、15〜30ÎŒmであれば曎に奜たしい。この膜
厚が15ÎŒm未満の堎合は、薄いために垯電電䜍が
小さくなり、耐刷性にも劣る。たた、感光局の
厚さが50ÎŒmを越えるず、かえ぀お残留電䜍は䞊
昇する䞊に、䞊蚘したキダリア発生局が厚すぎる
堎合ず同様の珟象が発生しお、十分な茞送胜が埗
がたくなる傟向が珟われ、このため繰り返し䜿甚
時には残留電䜍の䞊昇が起り易くなる。 たた、第図第図のキダリア茞送局の厚
みは〜50ÎŒm、奜たしくは〜30ÎŒmであるのが
よい。この厚さが5ÎŒm未満では薄いために垯電電
䜍が小ずなり、たた50ÎŒmを越えるず华぀お残留
電䜍が倧きくなり易い。 たた、キダリア発生局ずキダリア茞送局の膜厚
比は、〜30であるのが望たしい。 䞊蚘キダリア発生物質を分散せしめお感光局を
圢成する堎合においおは、圓該キダリア発生物質
は5ÎŒm以䞋、0.1ÎŒm以䞊、奜たしくは2ÎŒm以䞋、
0.2ÎŒm以䞊の平均粒埄の粉粒䜓ずされるのが奜た
しい。すなわち、粒埄が䜙り倧きいず局䞭ぞの分
散が悪くなるずずもに、粒子が衚面に䞀郚突出し
お衚面の平滑性が悪くなり、堎合によ぀おは粒子
の突出郚分で攟電が生じたり、あるいは、そこに
トナヌ粒子が付着しおトナヌフむルミング珟象が
生じ易い。キダリア発生物質ずしお長波長光〜
700nmに察しお感床を有するものは、キダリア
発生物質の䞭での熱励起キダリアの発生により衚
面電荷が䞭和され、キダリア発生物質の粒埄が倧
きいずこの䞭和効果が倧きいず思われる。埓぀
お、粒埄を埮小化するこずによ぀おはじめお高抵
抗化、高感床化が達成できる。 䜆し、䞊蚘粒埄があたり小さいず华぀お凝集し
易く局の抵抗が䞊昇したり、結晶欠陥が増えお感
床及び繰り返し特性が䜎䞋したり、垯電胜も小さ
くなる。たた、埮现化する䞊で限界があるから、
平均粒埄の䞋限を0.01ÎŒmずするのが望たしい。 曎に、䞊蚘感光䜓局には感床の向䞊、残留電䜍
乃至反埩䜿甚時の疲劎䜎枛等を目的ずしお、䞀皮
又は二皮以䞊の電子受容性物質を含有せしめるこ
ずができる。ここに甚いるこずのできる電子受容
性物質ずしおは、䟋えば無氎コハク酞、無氎マレ
むン酞、ゞブロム無氎コハク酞、無氎フタル酞、
テトラクロル無氎フタル酞、テトラブロム無氎フ
タル酞、−ニトロ無氎フタル酞、−ニトロ無
氎フタル酞、無氎ピロメリツト酞、無氎メリツト
酞、テトラシアノ゚チレン、テトラシアノキノゞ
メタン、−ゞニトロベンれン、−ゞニトロベ
ンれン、−トリニトロベンれン、パラ
ニトロベンゟニトリル、ピクリルクロラむド、キ
ノンクロルむミド、クロラニル、ブルマニル、ゞ
クロロゞシアノパラベンゟキノン、アントラキノ
ン、ゞニトロアントラキノン、−フルオレニリ
デン−〔ゞシアノメチレンマロノゞニトリル〕、ポ
リニトロ−−フルオレニリデン−〔ゞシアノメ
チレンマロノゞニトリル〕、ピクリン酞、−ニ
トロ安息銙酞、−ニトロ安息銙酞、−ゞ
ニトロ安息銙酞、ペンタフルオロ安息銙酞、−
ニトロサリチル酞、−ゞニトロサリチル
酞、フタル酞、メリツト酞、その他の電子芪和力
の倧きい化合物を挙げるこずができる。たた、電
子受容性物質の添加割合は、重量比でキダリア発
生物質電子受容性物質1000.01〜200、奜た
しくは1000.1〜100である。 なお、䞊述した感光局を蚭けるべき支持䜓は
金属板、金属ドラム又は導電性ポリマヌ、酞化む
ンゞりム等の導電性化合物若しくはアルミニり
ム、パラゞりム、金等の金属より成る導電性薄局
を、塗垃、蒞着、ラミネヌト等の手段により、
玙、プラスチツクフむルム等の基䜓に蚭けお成る
ものが甚いられる。接着局或いはバリダヌ局等ず
しお機胜する䞭間局ずしおは、䞊蚘のバむンダヌ
暹脂ずしお説明したような高分子重合䜓、ポリビ
ニルアルコヌル、゚チルセルロヌス、カルボキシ
メチルセルロヌス等の有機高分子物質又は酞化ア
ルミニりム等より成るものが甚いられる。 本発明の感光䜓の倧きな特長は、本発明におい
お甚いる無金属フタロシアニンの感光波長域の極
倧倀が770nm以䞊、790nm未満に存圚するず、半
導䜓レヌザヌ甚感光䜓ずしお最適であるこず、こ
の無金属フタロシアニンは䞊蚘したように極めお
結晶圢が安定であり、他の結晶圢ぞの転移は起り
難いこずである。このこずは前蚘した本発明に䜿
甚する無金属フタロシアニン自䜓の補造、性質の
みならず、電子写真感光䜓を補造するずきや、そ
の䜿甚時にも倧きな長所ずなるものである。 本発明の他の倧きな特長は、䞊蚘無金属フタロ
シアニンを含有する局䞭に、䞊蚘無金属フタロシ
アニンず適合性のある特定の電荷茞送物質ずしお
ヒドラゟン化合物を含有させたこずであり、これ
により特に正垯電䜿甚に奜適な感光䜓の提䟛が可
胜ずな぀たのである。 ホ 実斜䟋 以䞋、本発明を具䜓的な実斜䟋に぀いお、比范
䟋を参照しながら詳现に説明する。 たず、第図〜第図に瀺す特性をも぀無金属
フタロシアニン化合物、第図〜第図に瀺す
特性をも぀無金属フタロシアニン化合物の合成
䟋及びτ型無金属フタロシアニン化合物の合成䟋
を瀺す。 〈合成䟋 〉 リチりムフタロシアニン50を℃においお十
分撹拌した600mlの濃硫酞に加えた。次いで、そ
の混合物はこの枩床においお時間撹拌された。
次いで、できた溶液は粗い焌結されたガラス挏斗
を通しお濟過されお、リツトルの氷ず氎の䞭ぞ
撹拌しながら埐々に泚入された。数時間攟眮した
埌に、その混合物は濟過され、埗られた塊りは䞭
性になるたで氎で掗浄された。次いで、その塊は
最終的にメタノヌルで数回掗浄され、か぀空気䞭
で也燥させられた。この也燥された粉末は24時間
連続抜出装眮䞭でアセトンによ぀お抜出され、か
぀空気䞭で也燥させられお青い粉末ずな぀た。 䞊蚘においお、リチりムに察しお塩の残枣を保
蚌するために析出は反埩された。このようにしお
30.5の青い粉末が埗られた。この埗られたもの
は、その線回折図圢が、すでに出版されおいる
資料に蚘茉されおいるα型フタロシアニン化合物
の線回折図圢ず䞀臎しおいた。 このようにしお埗られた、金属を含たないα型
フタロシアニン化合物30を、盎埄1316むンチ
のボヌルで半分満たされた内容積900mlの磁補ボ
ヌルミル䞭に仕蟌み、玄80rpmで164時間ミリン
グしお無金属フタロシアニン化合物を埗た。こ
の化合物は第図に瀺す線回折スペクトルを瀺
した。 〈合成䟋 〉 合成䟋の無金属フタロシアニン化合物ずテ
トラヒドロフラン、−ゞクロロ゚タン等の
有機溶剀200mlをボヌルミル䞭に加え、24時間再
床ミリングした。このミリングした埌の分散液に
぀いお有機溶剀の陀去及び也燥を行い、無金属フ
タロシアニン化合物B28.2を埗た。この化合物
は第図に瀺す線回折スペクトルを瀺した。 〈合成䟋 〉 α型無金属フタロシアニン化合物ICI補モノ
ラむトフアヌストブルGSを、加熱したゞメチ
ルホルムアルデヒドにより回抜出しお粟補し
た。この操䜜により粟補物はβ型に転移した。次
に、このβ型無金属フタロシアニン化合物の䞀郚
分を濃硫酞に溶解し、この溶液を氷氎䞭に泚いで
再沈柱させるこずにより、α型に転移させた。こ
の再沈柱物をアンモニア氎、メタノヌル等で掗浄
埌10℃で也燥した。次に、䞊蚘により粟補したα
型無金属フタロシアニン化合物を磚砕助剀及び分
散剀ずずもにサンドミルに入れ、枩床100±20℃
で15〜25時間混緎した。この操䜜により結晶圢が
τ型に転移したのを確認埌、容噚より取り出し、
氎及びメタノヌル等で磚砕助剀及び分散剀を十分
陀去した埌、也燥しお、鮮明な青味を垯びたτ型
無金属フタロシアニンの青色結晶を埗た。このフ
タロシアニンは、第図の線回折スペクトル
を瀺した。 実斜䟋 〜 アルミニりム箔をラミネヌトしたポリ゚ステル
フむルムより成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF−10」積氎化孊瀟補より成る厚さ
0.05ÎŒmの䞭間局を圢成した。次いで、第図
に瀺したキダリア茞送物質ずバむンダヌ暹脂ポ
リカヌボネヌトパンラむト−1250ずを
−ゞクロロ゚タン67mlに溶かした溶液を前蚘䞭
間局䞊に塗垃しおキダリア茞送局を圢成した。次
いで、第図に瀺した平均粒埄1ÎŒmの各キダリ
ア発生物質及び各キダリア茞送物質ずバむンダヌ
暹脂ずを−ゞクロロ゚タン67mlに加えおボ
ヌルミルで12時間分散せしめお埗られる分散液を
前蚘キダリア茞送局䞊に塗垃也燥しおキダリア発
生局を圢成し、各電子写真感光䜓を䜜補した。 こうしお埗られた電子写真感光䜓を静電詊隓機
「EPA−8100型」川口電機補䜜所補に装着し、
以䞋の特性詊隓を行぀た。即ち、垯電噚に6kV
の電圧を印加しお秒間コロナ攟電により感光局
を垯電せしめた埌秒間の間攟眮し、次いで感光
局衚面に分光噚により分光された780nmの光を照
射しお、感光局の衚面電䜍を1/2に枛衰せしめる
のに必芁な露光量、即ち半枛露光量1/2を求め
た。たた、䞊蚘コロナ攟電による垯電時の受容電
䜍VA及び10ux・sec露光埌の残留電䜍VRに぀
いおの倀を枬定した。 たた、実斜䟋に瀺したものず同様の感光䜓局を
Alドラム䞊に圢成し、レヌザヌビヌムプリンタ
ヌLP−3010小西六写真工業(æ ª)補改造機半導
䜓レヌザヌ光源䜿甚に搭茉し、画像評䟡を実斜
した䜆し、CDは画像濃床、は解像床であ
る。 ◎濃床が十分に高く、解像力も非垞に良奜 CD≧1.2≧6.0 ○濃床、解像力共良奜 1.2CD≧0.76.0≧4.0 ×濃床が䜎く、解像力も十分でない。か぀た
た、カブリや癜又は黒斑点が衚われる。 なお、CDはサクラ濃床蚈Model PDA−
65小西六写真工業補にお枬定し、はサクラ
濃床蚈Model PDA−小西六写真工業補
にお枬定した。CD及び共、癜玙の濃床を0.0ず
し、反射濃床を枬定しお評䟡を行぀た。 䜆し、に぀いおの枬定法は具䜓的には次の通
りであ぀た。即ち、スリツト500Ό×20Όのマむク
ロデンシトメヌタヌで解像力チダヌトを枬定す
る。解像力チダヌトの刀定基準は、䞋蚘の匏が30
以䞊のレスポンスを有する解像力チダヌトから
刀定する。コピヌ画像の画像郚濃床をDcopy nax、非
画像郚の濃床をDcopy nio、オリゞナル原皿の画像郚
濃床をDorig nax、非画像郚の濃床をDorig nioずするず、 Dcopynax−DcopynioDcopynaxDcopynio
Dorignax−DorignioDorignaxDorignio
≧30 この結果によれば、本発明に基く実斜䟋〜
の詊料はいずれも、良奜な電子写真特性を瀺すこ
ずが分る。 特に、CGMずしお、本発明の無金属フタロシ
アニンを䜿甚するこず、及びキダリア発生局に
CTMずしおヒドラゟン化合物〔〕を添加する
こずは、いずれも感光䜓の特性を倧きく巊右し、
高垯電電䜍及びその安定性をよくし、光感床も倧
きく向䞊させる等の正垯電甚感光䜓ずしおの顕著
な結果を埗るこずができる。たた、半導䜓レヌザ
ヌ䜿甚のテストでも、高濃床、高解像力が埗ら
れ、長波長感床が向䞊するこずが明らかずな぀
た。 実斜䟋 〜 実斜䟋においおそれぞれ、䜿甚したヒドラゟ
ン化合物〔〕を、第図に瀺すヒドラゟン化
合物〔〕に倉え、たた、䜿甚したキダリア発生
物質を無金属フタロシアニン化合物に倉えた以
倖は前述したず同様にしお、各電子写真感光䜓を
䜜補し、同様の詊隓を行぀たずころ、第図に
瀺す結果が埗られた。 この結果から、本発明に基く実斜䟋〜の詊
料はいずれも良奜な結果を瀺す。
【図面の簡単な説明】
第図〜第図は本発明を説明するものであ
぀お、第図及び第図は無金属フタロシアニン
の二䟋の各線回折スペクトル図、第図及び第
図は無金属フタロシアニンの二䟋の各赀倖線吞
収スペクトル図、第図は無金属フタロシアニン
の近赀倖スペクトル図、第図第図はそれぞ
れ局分離型の感光䜓の郚分断面図、第図第
図はそれぞれ単局構造の感光䜓の郚分断面図、第
図及び、第図は各電子写真感光䜓の特性
倉化を瀺す図である。第図は埓来のτ型無金
属フタロシアニンの線回折スペクトル図であ
る。 なお、図面に瀺す笊号においお、  導電性
支持䜓、  キダリア発生局、  キダリア
茞送局、  感光局、  䞭間局、  局
である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  キダリア茞送物質及びバむンダヌ物質を含有
    するキダリア茞送局ず、キダリア発生物質及びバ
    むンダヌ物質を含有するキダリア発生局ずがこの
    順に積局されおいる感光䜓においお、 Cu Kα 1.541Åの線に察するブラツク角床2Ξ
    䜆し、誀差は2Ξ±0.2床が7.7床9.3床16.9
    床17.5床22.4床28.8床に䞻芁なピヌクを有
    する線結晶回折スペクトルを有し、この線回
    折スペクトルの䞊蚘ブラツク角床9.3床のピヌク
    に察するブラツク角床16.9床のピヌクの匷床比が
    0.8〜1.0であり、か぀、䞊蚘ブラツク角床9.3床の
    ピヌクに察するブラツク角床22.4床及び28.8床の
    それぞれのピヌクの匷床が0.4以䞊であり、か぀、
    700〜760cm-11320±cm-1及び3288±cm-1に
    ピヌクを有する赀倖線吞収スペクトルを有し、
    700〜760cm-1の吞収垯には本のピヌクがあり、
    そのうち752±cm-1が最も匷い無金属フタロシ
    アニンが前蚘キダリア発生局に含有され、曎に該
    キダリア発生局に、䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされ
    る化合物ず䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされる化合物
    ずの少なくずも䞀方が含有されおいるこずを特城
    ずする感光䜓。 䞀般匏〔〕 䜆し、この䞀般匏䞭、 R1眮換若しくは未眮換のアリヌル基又は
    眮換若しくは未眮換の耇玠環基、 R2氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアル
    キル基、又は眮換若しくは未眮換のアリヌ
    ル基、  氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル
    基、眮換アミノ基、アルコキシ基又はシア
    ノ基、  又はの敎数を衚わす。 䞀般匏〔〕 䜆し、この䞀般匏䞭、R1R2は前
    蚘したものず同じである。
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JPS60143352A (ja) * 1983-12-29 1985-07-29 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光䜓

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JPS63149654A (ja) 1988-06-22

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