JPH05183065A - 半導体用メタルパッケージ - Google Patents
半導体用メタルパッケージInfo
- Publication number
- JPH05183065A JPH05183065A JP3347141A JP34714191A JPH05183065A JP H05183065 A JPH05183065 A JP H05183065A JP 3347141 A JP3347141 A JP 3347141A JP 34714191 A JP34714191 A JP 34714191A JP H05183065 A JPH05183065 A JP H05183065A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side wall
- long groove
- long
- side walls
- ceramic
- Prior art date
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- Granted
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
した長溝を形成することにより、加工コストを低減し、
且つ設計上の制限を緩和した半導体用メタルパッケージ
を提供することを目的とする。 【構成】半導体デバイスを収納するボックス型ケースの
側壁に長溝を形成し、該長溝にセラミック端子を固着す
る半導体用メタルパッケージにおいて、前記側壁を挟ん
で対向する2つの側壁外面に到達する長溝を形成し、前
記セラミック端子の両端部を該2つの側壁に形成された
長溝端部の内周面にそれぞれ接合させたことを特徴とす
る。
Description
ージ、特に、光素子等の超高速半導体デバイスを収納す
るボックス型のメタルパッケージに関する。
ジの端子構造である。図7(a)は、絶縁ガラス1を介
して金属導体2をパッケージ本体3に取り付けた、いわ
ゆるガラス端子の例である。ガラスの誘電率と厚さ(金
属導体とパッケージ本体間の距離)に応じた特性インピ
ーダンスが得られる。しかし、ガラス1から露出した金
属導体2の部分aで特性インピーダンスのマッチングが
はかれないため、この露出部分にミスマッチングが発生
することがある。
板4に、配線層5を備えると共に、メタライズ層6、7
を形成してパッケージ本体8にろう付け等による取り付
けたいわゆるセラミック端子の例である。パッケージ本
体8の厚さに相当する部分はストリップライン(SL)
構造となり、それ以外の部分はマイクロストリップライ
ン(MSL)構造となるため、セラミック端子の全体に
わたって特性インピーダンスのマッチングを取ることが
でき、特に、光素子等の超高速デバイスを収納するメタ
ルパッケージとして最適である。
パッケージの外観図である。9は枠体状に形成した側壁
の一方の開口部にベース10を一体成形または別体に形
成して接合したボックス型の金属製ケースであり、ケー
ス9の側壁には、セラミック端子11を固着するための
長溝12が形成されている。
従来の半導体用メタルパッケージにあっては、枠体状に
形成された1つの側壁の平面内に長溝を形成するもので
あったため、以下に述べる理由から、加工コストがかさ
むといった問題点があった。長溝は一般に、エンドミル
を用いた切削加工によって作ることができるが、図9に
示すように、長溝のコーナ部分にエンドミルの半径に相
当する曲線形状のRが生じる。このRは小径のエンドミ
ルに交換して加工することによって小さくすることはで
きるものの、R=0、すなわちRをなくしてコーナー形
状を角張らせることは不可能である。
のコーナ形状はきわめて角張っており、これはセラミッ
クの加工上の特色でもある。したがって、長溝を加工す
る際は、セラミック端子のコーナ形状に合わせてできる
だけRを小さくする必要があるから、切削加工の場合に
は、エンドミルの頻繁な交換が必要になり加工コストが
大幅にアップする。
抜いて形成することもできるが、プレス金型(雌型、雄
型)が必要であり、また、雌型(凹型)が切削加工で作
られるために、この雌型のコーナ精度によって長溝のコ
ーナ形状が決まるから、同様に加工コストのアップが避
けられない。しかも、プレス加工の場合には、雌型内部
に雄型(凸型)を入れて打ち抜く必要があるため、図9
に示すように、長溝の端部とケース内壁との間に距離D
を持たせなければならず、セラミック端子の端子数増大
などに対する設計上の制限になる。
つの側壁にわたって連続した長溝を形成することによ
り、加工コストを低減し、且つ設計上の制限を緩和した
半導体用メタルパッケージを提供することを目的とす
る。
成するために、半導体デバイスを収納するボックス型ケ
ースの側壁に長溝を形成し、該長溝にセラミック端子を
固着する半導体用メタルパッケージにおいて、前記側壁
を挟んで対向する2つの側壁外面に到達する長溝を形成
し、前記セラミック端子の両端部を該2つの側壁に形成
された長溝端部の内周面にそれぞれ接合させたことを特
徴とする。
る。したがって、プレス金型やエンドミルの交換を不要
にでき、加工コストを低減できるとともに、設計上の制
限を緩和できる。
する。図1〜図6は本発明に係る半導体用メタルパッケ
ージの一実施例を示す図である。図1〜図3において、
20は枠体状に形成した側壁の一方の開口部にベース2
1を取り付けたボックス型の金属製ケースである。ケー
ス20は上面が開放しており、その内部に図示しない光
素子等の超高速半導体デバイスが搭載(収納)され、キ
ャップによって気密に封止されるようになっている。2
0a〜20dはそれぞれが、ケース20の上面開口部と
ベース21の底面を除く4つの側壁であり、内壁同士が
対向する2つの側壁20aと20bには各々長溝22、
23が形成されている。
連続するとともに、その側壁20aの両側の側壁20
c、20dの外面まで連続し、また、同様に、長溝23
は、側壁20bの端から端までを連続するとともに、そ
の側壁20bの両側の側壁20c、20dの外面まで連
続している。すなわち、長溝22(または23)の長辺
の長さは、側壁20a(または20b)の端から端まで
の長さに、側壁20c、20dのそれぞれの厚さTを加
えた値で与えられる。
れてろう付け等により接合されるセラミック端子であ
る。ここで、図4のセラミック端子24の各矢視に対応
する図を、図5(a)〜(e)に示す。図5(a)はA
−A’矢視図、図5(b)はB−B’矢視図、図5
(c)はC−C’矢視図、図5(d)はD−D’矢視
図、図5(e)はE−E’矢視図である。
用いた基板25に、配線層26を備えると共に、メタラ
イズ層27を形成して構成する。配線層26はそのほぼ
中央部分が基板25に挟まれており、また、メタライズ
層27は、長溝22(または23)の内周面と接合する
セラミック端子24の上面と下面に形成されるととも
に、側壁20c(または20d)に形成された長溝の内
周面と接合する両端部の側面の一部にもそれぞれ形成さ
れている。セラミック端子24の両端部分は補強のため
のリブであり、このリブが、図3に示すように、ケース
20の側壁20c及び20dに形成された長溝22、2
3の内周面に当接してはめ込まれ、互いに接合するよう
になっている。
を3つの側壁(20a、20c及び20dまたは20
b、20c及び20d)にわたって形成することがで
き、図3に示すように、側壁20c(または20d)か
ら見た長溝22、23の形状を、溝状にすることができ
る。したがって、溝をだんだんと彫り進めるような加工
方法(ミゾ加工)により、長溝22、23を形成するこ
とができる。
用いた加工方法を採用でき、容易に、セラミック端子を
接合する長溝の内周面のコーナ形状を角張らせることが
できる。その結果、切削加工のようなエンドミルの交換
作業が不要になり、また、プレス加工のような金型の準
備が不要になるから、コストを大幅に低減することがで
きる。
に複数個分の長溝を形成するといった同時加工も簡単に
適用できるため、比較的に生産数の多い場合にも容易に
対処できる。さらに、セラミック端子を長溝の溝状部分
にはめ込んで内周面に当接させるだけで、簡単にセラミ
ック端子の位置出しを行うことができ、且つ、図6に示
すように、セラミック端子の傾きを小さくすることがで
きる。
は、従来どおり、セラミック端子の接合と同時に行うこ
とができる。さらにまた、セラミック端子の保持を、主
として長溝両端部の溝状部分に負担させることができ、
セラミック端子のリブによって保持強度を充分に高める
ことができる。このため、セラミック端子クラックや接
合部からのリークを回避して信頼性の向上を図ることが
できる。
つの側壁にわたって連続した長溝を形成したので、切削
加工やプレス加工に代わってミゾ加工を適用することが
できる。したがって、加工コストを低減でき、且つ設計
上の制限を緩和した半導体用メタルパッケージを提供す
ることができる。
せた状態図である。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体デバイスを収納するボックス型ケー
スの側壁に長溝を形成し、該長溝にセラミック端子を固
着する半導体用メタルパッケージにおいて、前記側壁を
挟んで対向する2つの側壁外面に到達する長溝を形成
し、前記セラミック端子の両端部を該2つの側壁に形成
された長溝端部の内周面にそれぞれ接合させたことを特
徴とする半導体用メタルパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34714191A JP3159494B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体用メタルパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34714191A JP3159494B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体用メタルパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05183065A true JPH05183065A (ja) | 1993-07-23 |
JP3159494B2 JP3159494B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18388191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34714191A Expired - Lifetime JP3159494B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 半導体用メタルパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3159494B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH065724A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置用容器 |
WO2014002921A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34714191A patent/JP3159494B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH065724A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置用容器 |
WO2014002921A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
JP5902813B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-04-13 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
US9585264B2 (en) | 2012-06-26 | 2017-02-28 | Kyocera Corporation | Package for housing semiconductor element and semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3159494B2 (ja) | 2001-04-23 |
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