JPH01129502A - マイクロ波集積回路の実装構造 - Google Patents
マイクロ波集積回路の実装構造Info
- Publication number
- JPH01129502A JPH01129502A JP62286902A JP28690287A JPH01129502A JP H01129502 A JPH01129502 A JP H01129502A JP 62286902 A JP62286902 A JP 62286902A JP 28690287 A JP28690287 A JP 28690287A JP H01129502 A JPH01129502 A JP H01129502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- carrier
- microwave integrated
- case
- bottom plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012856 packing Methods 0.000 title abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波集積回路をケースに実装する構造の改良に関
し、 マイクロ波集積回路の入出力端子部の接続の整合がとれ
て、高周波特性が良好な実装構造を提供することを目的
とし、 集積回路基板の表面が、キャリア表面より所定量沈む如
く、キャリアの帯形溝内に搭載されたマイクロ波集積回
路と、ケース底板に、該マイクロ波集積回路の集積回路
領域に対応する逃げ凹部、及び該逃げ凹部の両側のそれ
ぞれにストリップ線路を有するケースとを具備し、該キ
ャリアが逆さに実装されて、該マイクロ波集積回路のス
トリップ導体が、該ストリップ線路のストリップ導体の
端末部の表面に、該キャリア表面が該ケース底板の表面
に、それぞれ密着した状態で、該ケースに固着される構
成とする。
し、 マイクロ波集積回路の入出力端子部の接続の整合がとれ
て、高周波特性が良好な実装構造を提供することを目的
とし、 集積回路基板の表面が、キャリア表面より所定量沈む如
く、キャリアの帯形溝内に搭載されたマイクロ波集積回
路と、ケース底板に、該マイクロ波集積回路の集積回路
領域に対応する逃げ凹部、及び該逃げ凹部の両側のそれ
ぞれにストリップ線路を有するケースとを具備し、該キ
ャリアが逆さに実装されて、該マイクロ波集積回路のス
トリップ導体が、該ストリップ線路のストリップ導体の
端末部の表面に、該キャリア表面が該ケース底板の表面
に、それぞれ密着した状態で、該ケースに固着される構
成とする。
本発明は、マイクロ波集積回路をケースに実装する構造
の改良に関する。
の改良に関する。
マイクロ波集積回路は、ケースに収容してシールドとし
、ケース10内に設けたストリップ線路を介して、外部
回路に接続するのが一般である。
、ケース10内に設けたストリップ線路を介して、外部
回路に接続するのが一般である。
この際、マイクロ波集積回路とストリップ線路との接続
部が、不整合とならない実装構造が要望されている。
部が、不整合とならない実装構造が要望されている。
第3図は、従来の実装構造を示す一部破断斜視図である
。
。
第3図において、1は、例えばアルミナセラミックより
なる薄い板状の集積回路基板2の表面に、集積回路3を
設けたマイクロ波集積回路であって、集積回路基板2の
表面の両側縁には、集積回路3の入出力端子部となる、
細幅のスI・リップ導体4を設けである。
なる薄い板状の集積回路基板2の表面に、集積回路3を
設けたマイクロ波集積回路であって、集積回路基板2の
表面の両側縁には、集積回路3の入出力端子部となる、
細幅のスI・リップ導体4を設けである。
また、集積回路基板2の裏面の全面に導体膜を蒸着等し
て接地書体5としている。
て接地書体5としている。
20は、例えば銅系金属よりなり、集積回路基板2と同
形状の角板状のキャリアである。キャリア20の底面側
には、キャリア20をケース底板11に固着する小ねじ
21が螺合するねじ孔(図示せず)を配設しである。
形状の角板状のキャリアである。キャリア20の底面側
には、キャリア20をケース底板11に固着する小ねじ
21が螺合するねじ孔(図示せず)を配設しである。
集積回路基板2の裏面、即ち、接地導体5をキャリア2
0の上面に密着させ半田付は等して、マイクロ波集積回
路1をキャリア20に搭載しである。
0の上面に密着させ半田付は等して、マイクロ波集積回
路1をキャリア20に搭載しである。
10ば、アルミニウム、銅系金属等よりなる上部が開口
した箱形のケースであって、ケース10内に、マイクロ
波集積回路1を実装後、開口面にカバー(図示せず)を
固着して、マイクロ波集積回路1をシールドするように
なっている。
した箱形のケースであって、ケース10内に、マイクロ
波集積回路1を実装後、開口面にカバー(図示せず)を
固着して、マイクロ波集積回路1をシールドするように
なっている。
ケース底板11の所望の個所に、キャリア20を埋設す
る角形凹部12を設け、この角形四部12にキャリア2
0部分を嵌挿し、小ねじ21をケース底板11の裏面側
から、キャリア20のねし孔に螺合して、キャリア20
.即ちマイクロ波集積回路1をケース10に同着してい
る。なおマイクロ波集積回路1は、1つのケース10内
に1つ実装するとは限らず、複数個実装する場合がしば
しばある。
る角形凹部12を設け、この角形四部12にキャリア2
0部分を嵌挿し、小ねじ21をケース底板11の裏面側
から、キャリア20のねし孔に螺合して、キャリア20
.即ちマイクロ波集積回路1をケース10に同着してい
る。なおマイクロ波集積回路1は、1つのケース10内
に1つ実装するとは限らず、複数個実装する場合がしば
しばある。
一方、ケース10の長平方向の側壁の双方に、それぞれ
同軸コネクタ25を装着し、マイクロ波集積回路1と外
部とを接続するようにしである。
同軸コネクタ25を装着し、マイクロ波集積回路1と外
部とを接続するようにしである。
マイクロ波集積回路相互間、及びマイクロ波集積回路1
と同軸コネクタ25との間は、それぞれマイクロストリ
ップ線路15を介して接続している。
と同軸コネクタ25との間は、それぞれマイクロストリ
ップ線路15を介して接続している。
マイクロストリップ線路15は、例えばアルミナセラミ
ックよりなる薄い板状のセラミック基板16の表面に、
−条の細幅のストリップ導体17を設け、セラミック基
板16の裏面の全面に導体膜を蒸着等して接地導体18
としである。
ックよりなる薄い板状のセラミック基板16の表面に、
−条の細幅のストリップ導体17を設け、セラミック基
板16の裏面の全面に導体膜を蒸着等して接地導体18
としである。
このようなマイクロストリップ線路15を、角形凹部1
2相互間、或いは角形四部12と側壁の間のケース底板
11の表面に、セラミック基板16の裏面。
2相互間、或いは角形四部12と側壁の間のケース底板
11の表面に、セラミック基板16の裏面。
即ち接地導体18を密着させ、導電性接着剤等を用いて
密接に固着している。
密接に固着している。
J−、述のように、所望の個所にマイクロス]・リップ
線路15を固着した後に、マイクロ波集積回路1のスト
リップ導体4の端末と、bマイクロストリップ線路15
のストリップ導体17の端末の間隙の上部に、金リボン
19を架橋して熱圧着し、接続している。
線路15を固着した後に、マイクロ波集積回路1のスト
リップ導体4の端末と、bマイクロストリップ線路15
のストリップ導体17の端末の間隙の上部に、金リボン
19を架橋して熱圧着し、接続している。
また、ストリップ導体17の他方の端末は、同軸コネク
タ25の中心導体に、直接半田付けして接続している。
タ25の中心導体に、直接半田付けして接続している。
上述のように従来は、マイクロ波集積回路のストリップ
導体4と、マイクロストリップ線路のストリップ導体1
7とを金リボン19を介して接続している。金リボン1
9の総てを、所望の一定長さで配線することは困難であ
る。したがって、この接続部分のインピーダンスを一定
にすることが困難であった。
導体4と、マイクロストリップ線路のストリップ導体1
7とを金リボン19を介して接続している。金リボン1
9の総てを、所望の一定長さで配線することは困難であ
る。したがって、この接続部分のインピーダンスを一定
にすることが困難であった。
また、角形凹部12を、キャリア20の平面形状に等し
い角形に加工することが困難である。したがって、キャ
リア20の側面と角形四部12の側壁の間に間隙がある
。この間隙があるために、マイクロ波集積回路1の接地
導体5とマイクロストリップ線路15の接地導体18と
の接地距離が長くなり、インピーダンスが不連続となり
定在波がたつ。
い角形に加工することが困難である。したがって、キャ
リア20の側面と角形四部12の側壁の間に間隙がある
。この間隙があるために、マイクロ波集積回路1の接地
導体5とマイクロストリップ線路15の接地導体18と
の接地距離が長くなり、インピーダンスが不連続となり
定在波がたつ。
即ち、従来の実装構造は、マイクロ波集積回路の入出力
端子の接続部に、不整合がおこり、高周波特性が劣ると
いう、問題点があった。
端子の接続部に、不整合がおこり、高周波特性が劣ると
いう、問題点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、マイ
クロ波集積回路の入出力端子部の接続の整合がとれて、
高周波特性が良好な実装構造を提供することを目的とし
ている。
クロ波集積回路の入出力端子部の接続の整合がとれて、
高周波特性が良好な実装構造を提供することを目的とし
ている。
上記の問題点を解決するために本発明は、第1図に例示
したように、集積回路基板2の表面が、キャリア表面3
2より、セラミック基板16の板厚だけ沈むような所定
の深さの奇形溝31を、キャリア30の表面に設け、マ
イクロ波集積回路1を奇形溝31内に搭載する。
したように、集積回路基板2の表面が、キャリア表面3
2より、セラミック基板16の板厚だけ沈むような所定
の深さの奇形溝31を、キャリア30の表面に設け、マ
イクロ波集積回路1を奇形溝31内に搭載する。
マイクロ波集積回路1を実装するケース10の、ケース
底板11の上面の所望の位置に、マイクロ波集積回路1
の集積回路領域に対応する逃げ凹部13を設ける。さら
に逃げ凹部13の両側に、表面側にストリップ導体17
を有するマイクロストリップ線路15を装着する。
底板11の上面の所望の位置に、マイクロ波集積回路1
の集積回路領域に対応する逃げ凹部13を設ける。さら
に逃げ凹部13の両側に、表面側にストリップ導体17
を有するマイクロストリップ線路15を装着する。
そして、キャリア30を逆さにし、マイクロ波集積回路
1の入出力端子部であるストリップ導体4を、マイクロ
ストリップ線路15のストリップ導体17の端部の表面
に、キャリア表面32がケース底板11の表面にそれぞ
れ密着せしめる。その状態で、キャリア30をケース1
0にねし止め固着するものとする。
1の入出力端子部であるストリップ導体4を、マイクロ
ストリップ線路15のストリップ導体17の端部の表面
に、キャリア表面32がケース底板11の表面にそれぞ
れ密着せしめる。その状態で、キャリア30をケース1
0にねし止め固着するものとする。
上記本発明の手段によれば、マイクロ波集積回路1のス
トリップ導体4と、マイクロストリップ線路15のスト
リップ導体17とは、一部がラップして密着している。
トリップ導体4と、マイクロストリップ線路15のスト
リップ導体17とは、一部がラップして密着している。
したがって、この接続部分のインピーダンスは常に一定
である。
である。
キャリアを逆さにして実装して、マイクロ波集積回路1
の両側に設けたキャリア表面32を、それぞれケース底
板11の表面に密着させ、ストリップ導体に近接し、並
行した位置で、双方の接地導体を接続している。
の両側に設けたキャリア表面32を、それぞれケース底
板11の表面に密着させ、ストリップ導体に近接し、並
行した位置で、双方の接地導体を接続している。
したがって、マイクロ波集積回路の入出力部の接続部分
での、インピーダンスの不連続性が解消され、電圧定在
波比が1に近づき、高周波特性が良好となる。
での、インピーダンスの不連続性が解消され、電圧定在
波比が1に近づき、高周波特性が良好となる。
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
お、企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第1図は本発明の実施例の構成図で、(alは断面図、
fblは斜視図、第2図は本発明の実施例の要部斜視図
である。
fblは斜視図、第2図は本発明の実施例の要部斜視図
である。
第1図、第2図において、マイクロ波集積回路1は、例
えばアルミナセラミックよりなる薄い板状の集積回路基
板2の表面に、集積回路3を設け、集積回路3の入出力
端子部となる、ストリップ導体4を、集積回路基板2の
表面の両側縁まで、導出しである。
えばアルミナセラミックよりなる薄い板状の集積回路基
板2の表面に、集積回路3を設け、集積回路3の入出力
端子部となる、ストリップ導体4を、集積回路基板2の
表面の両側縁まで、導出しである。
そして、集積回路基板2の裏面の全面に導体膜を蒸着等
して接地導体5を設けである。
して接地導体5を設けである。
30は、例えば銅系金属よりなり、幅が集積回路基板2
の幅よ皐りも所望に大きい、角板状のキャリアであって
、蒸着手段等により全表面に金膜を形成しである。
の幅よ皐りも所望に大きい、角板状のキャリアであって
、蒸着手段等により全表面に金膜を形成しである。
キャリア30の表面に、幅が集積回路基板2の幅よりも
わずかに大きい奇形溝31を設け、集積回路基板2の裏
面、即ち接地導体5を、奇形溝31の底面に密着させ、
半田付は等してマイクロ波集積回路1をキャリア30に
搭載しである。
わずかに大きい奇形溝31を設け、集積回路基板2の裏
面、即ち接地導体5を、奇形溝31の底面に密着させ、
半田付は等してマイクロ波集積回路1をキャリア30に
搭載しである。
この奇形溝31の深さは、マイクロ波集積回路1をキャ
リア30に搭載した場合に、集積回路基板2の表面とキ
ャリア表面32との間に、後述するセラミック基板16
の板厚(集積回路基板2の板厚にほぼ等しい)に等しい
段差があるような、所定の深さである。
リア30に搭載した場合に、集積回路基板2の表面とキ
ャリア表面32との間に、後述するセラミック基板16
の板厚(集積回路基板2の板厚にほぼ等しい)に等しい
段差があるような、所定の深さである。
なお、キャリア30の表面に奇形溝31を設けた結果、
奇形溝31の両側には、二条の平坦なキャリア表面32
が形成されている。
奇形溝31の両側には、二条の平坦なキャリア表面32
が形成されている。
アルミニウム、銅系金属等よりなるV部が開[1した箱
形のケース10は、ケース10内に、マイクロ波集積回
路1を実装後、開口面にカバー(図示せず)を固着して
、マイクロ波集積回路1をシールドするようになってい
る。
形のケース10は、ケース10内に、マイクロ波集積回
路1を実装後、開口面にカバー(図示せず)を固着して
、マイクロ波集積回路1をシールドするようになってい
る。
マイクロ波集積回路1を実装するケース10の、ケース
底板11の上面の所望の位置に、マイクロ波集積回路1
の集積回路3の領域にほぼ等しい、浅い逃げ凹部13を
設けである。なおこの逃げ凹部13の外側でケース底板
110表面には、小ねじ21を螺着するねし孔を設ける
ものとする。
底板11の上面の所望の位置に、マイクロ波集積回路1
の集積回路3の領域にほぼ等しい、浅い逃げ凹部13を
設けである。なおこの逃げ凹部13の外側でケース底板
110表面には、小ねじ21を螺着するねし孔を設ける
ものとする。
−力、ケース10の長手方向の側壁の双方に、それぞれ
同軸コネクタ25を装着し、マイクロ波集積回路1と外
部とを接続するようにしである。
同軸コネクタ25を装着し、マイクロ波集積回路1と外
部とを接続するようにしである。
マイクロ波集積回路1相互間、及びマイクロ波集積回路
1と同軸コネクタ25とを、それぞれマイクロストリッ
プ線路15を介して接続するために、それぞれの逃げ四
部13間、及び逃げ凹部13と側壁間に、マイクロスト
リップ線路15を設けである。
1と同軸コネクタ25とを、それぞれマイクロストリッ
プ線路15を介して接続するために、それぞれの逃げ四
部13間、及び逃げ凹部13と側壁間に、マイクロスト
リップ線路15を設けである。
マイクロストリップ線路15ば、例えばアルミナセラミ
ックよりなる薄い板状のセラミック基板16の表面に、
−条の細幅のスI・リップ導体17を設け、セラミック
基板16の裏面の全面に導体膜を蒸着等して接地導体1
8としである。
ックよりなる薄い板状のセラミック基板16の表面に、
−条の細幅のスI・リップ導体17を設け、セラミック
基板16の裏面の全面に導体膜を蒸着等して接地導体1
8としである。
このようなマイクロストリップ線路15を、セラミック
基板16の裏面、即ち接地導体18をケース底板11の
表面に密着させ、導電性接着剤等を用いて固着させであ
る。
基板16の裏面、即ち接地導体18をケース底板11の
表面に密着させ、導電性接着剤等を用いて固着させであ
る。
このようなマイクロストリップ線路15を、角形四部1
2相互間、或いは角形凹部12と側壁の間のケース底板
11の表面に、セラミック基板16の裏面。
2相互間、或いは角形凹部12と側壁の間のケース底板
11の表面に、セラミック基板16の裏面。
即ち接地導体18を密着させ、導電性接着剤等を用いて
、ケース底板11の表面に密接に固着させている。
、ケース底板11の表面に密接に固着させている。
また、キャリア表面32には、小ねじ21の頚部を嵌挿
するねじ用孔33を所望に配設しである。
するねじ用孔33を所望に配設しである。
上述のようにマイクロ波集積回路1がキャリア30に搭
載され、且つケース底板11には、それぞれ、所定のマ
イクロストリップ線路15を設けであるので、キャリア
30を逆さにし、キャリア表面32を下側にした状態で
、小ねじ21を用いて、キャリア30をケース10に固
着すると、マイクロ波集積回路1の入出力端子部である
ストリップ導体4は、それぞれのマイクロストリップ線
路15のストリップ導体17の端部の表面に重層して密
着する。
載され、且つケース底板11には、それぞれ、所定のマ
イクロストリップ線路15を設けであるので、キャリア
30を逆さにし、キャリア表面32を下側にした状態で
、小ねじ21を用いて、キャリア30をケース10に固
着すると、マイクロ波集積回路1の入出力端子部である
ストリップ導体4は、それぞれのマイクロストリップ線
路15のストリップ導体17の端部の表面に重層して密
着する。
また、キャリア表面32は、ケース底板11の表面にそ
れぞれ密着して、接地導体が接続する。
れぞれ密着して、接地導体が接続する。
なお、奇形溝31の深さ、集積回路基板2.及びセラミ
ック基板16の板厚の精度上の理由から、キャリア表面
32とケース底板11の間、或いはストリップ導体17
とストリップ導体4の間の、少なくともいずれか一方に
、金箔等を介在させることが望ましい。
ック基板16の板厚の精度上の理由から、キャリア表面
32とケース底板11の間、或いはストリップ導体17
とストリップ導体4の間の、少なくともいずれか一方に
、金箔等を介在させることが望ましい。
本発明は、上述のように構成されているので、マイクロ
波集積回路1の入出力端子部の接続部のインピーダンス
は常に一定であり、且つ、ストリップ導体の直ぐ近傍で
ほぼ同一距離の位置に、ストリップ外部導体が構成され
ていて、インピーダンスの不連続性が解消されている。
波集積回路1の入出力端子部の接続部のインピーダンス
は常に一定であり、且つ、ストリップ導体の直ぐ近傍で
ほぼ同一距離の位置に、ストリップ外部導体が構成され
ていて、インピーダンスの不連続性が解消されている。
即ち、電圧定在波比が1に近づき、高周波特性が良好で
ある。
ある。
なお、奇形溝は直線状に限定されるものでなく、マイク
ロ波集積回路の入出力端子部のストリップ導体の形状に
応じて、L形2丁字形、十字形等にすることは、勿論の
ことである。
ロ波集積回路の入出力端子部のストリップ導体の形状に
応じて、L形2丁字形、十字形等にすることは、勿論の
ことである。
以上説明したように本発明は、キャリアに搭載したマイ
クロ波集積回路を逆さにした状態で、ケースに実装する
ようにしたものであって、マイクロ波集積回路の入出力
端子部の接続の整合がとれて、高周波特性が良好である
という実用上で優れた効果がある。
クロ波集積回路を逆さにした状態で、ケースに実装する
ようにしたものであって、マイクロ波集積回路の入出力
端子部の接続の整合がとれて、高周波特性が良好である
という実用上で優れた効果がある。
第1図は本発明の実施例の構成図で、
(a)は断面図、
fblは斜視図、
第2図は本発明の実施例の要部斜視図、第3図は従来例
の一部破断斜視図である。 図において、 1はマイクロ波集積回路、 2は集積回路基板、 3は集積回路、 4.17はストリップ導体、 5.18は接地導体、 10はケース、 11はケース底板、 13は逃げ凹部、 15はマイクロストリップ線路、 16はセラミック基板、 20、30はキャリア、 31は奇形溝、 32はキャリア表面をそれぞれ示す。 (I)) 木奢明め実党脅1の君臼叫視図 邦 ? 図
の一部破断斜視図である。 図において、 1はマイクロ波集積回路、 2は集積回路基板、 3は集積回路、 4.17はストリップ導体、 5.18は接地導体、 10はケース、 11はケース底板、 13は逃げ凹部、 15はマイクロストリップ線路、 16はセラミック基板、 20、30はキャリア、 31は奇形溝、 32はキャリア表面をそれぞれ示す。 (I)) 木奢明め実党脅1の君臼叫視図 邦 ? 図
Claims (1)
- 集積回路基板(2)の表面が、キャリア表面(32)
より所定量沈む如く、キャリア(30)の帯形溝(31
)内に搭載されたマイクロ波集積回路(1)と、ケース
底板(11)に、該マイクロ波集積回路(1)の集積回
路領域に対応する逃げ凹部(13)、及び該逃げ凹部(
13)の両側のそれぞれにストリップ線路(15)を有
するケース(10)、とを具備し、該キャリア(30)
が逆さに実装されて、該マイクロ波集積回路(1)のス
トリップ導体(4)が、該ストリップ線路(15)のス
トリップ導体(17)の端末部の表面に、該キャリア表
面(32)が該ケース底板(11)の表面に、それぞれ
密着した状態で、該ケース(10)に固着されたことを
特徴とするマイクロ波集積回路の実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62286902A JPH01129502A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | マイクロ波集積回路の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62286902A JPH01129502A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | マイクロ波集積回路の実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01129502A true JPH01129502A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17710478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62286902A Pending JPH01129502A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | マイクロ波集積回路の実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01129502A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01144804A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路モジュール |
US6437654B2 (en) | 1997-11-19 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Substrate-type non-reciprocal circuit element and integrated circuit having multiple ground surface electrodes and co-planar electrical interface |
JP2007158357A (ja) * | 2006-12-27 | 2007-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP62286902A patent/JPH01129502A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01144804A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路モジュール |
US6437654B2 (en) | 1997-11-19 | 2002-08-20 | Nec Corporation | Substrate-type non-reciprocal circuit element and integrated circuit having multiple ground surface electrodes and co-planar electrical interface |
JP2007158357A (ja) * | 2006-12-27 | 2007-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5261826A (en) | Device for contacting shielded conductors | |
GB1238569A (ja) | ||
JPH02280502A (ja) | Vhf集積回路用パッケージ | |
JPH01129502A (ja) | マイクロ波集積回路の実装構造 | |
JPH02234501A (ja) | ストリップ線路と同軸コネクタの接続構造 | |
JP2000243877A (ja) | 半導体装置用パッケージとその実装構造 | |
JP2758321B2 (ja) | 回路基板 | |
US6239400B1 (en) | Method and device for connecting two millimeter elements | |
JPH0515728Y2 (ja) | ||
JPS63220606A (ja) | マイクロ波モジユ−ルの実装構造 | |
JP3600729B2 (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
JP2944155B2 (ja) | 高周波回路基板装置 | |
JPH0614456Y2 (ja) | 3端子コンデンサネットワーク | |
JPS58123202A (ja) | トリプレ−ト線路形マイクロ波回路 | |
JPH066550Y2 (ja) | マイクロ波/ミリ波モジユ−ル構造 | |
JP2814853B2 (ja) | 集積回路のシールド構造 | |
JPH0754881B2 (ja) | マイクロ波ストリツプ線路 | |
KR200157441Y1 (ko) | 점퍼용칩 | |
JPH0211731Y2 (ja) | ||
JPH03162104A (ja) | マイクロ波ユニットの端子接続構造 | |
JPS63220601A (ja) | マイクロ波・ミリ波回路の接地構造 | |
JPS63288098A (ja) | 高周波回路基板 | |
JPS61214383A (ja) | 同軸コネクタ | |
JPH05183310A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06275961A (ja) | 複数micの収容筐体 |