JPH01144804A - マイクロ波集積回路モジュール - Google Patents
マイクロ波集積回路モジュールInfo
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- JPH01144804A JPH01144804A JP62305038A JP30503887A JPH01144804A JP H01144804 A JPH01144804 A JP H01144804A JP 62305038 A JP62305038 A JP 62305038A JP 30503887 A JP30503887 A JP 30503887A JP H01144804 A JPH01144804 A JP H01144804A
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- JP
- Japan
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- fet
- integrated circuit
- active element
- circuit module
- transmission line
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波で用いられる半導体集積回路モジュー
ルに関するものである。
ルに関するものである。
従来の技術
近年、半導体及びその関連技術の発展、Ｓ星放送などに
代表される通信技術の発達により、利用される周波数は
ますます高くなる傾向にある。その中でも特に数ＧＨｚ
から数十ＧＨｚにかけての周波数帯で、優れた半導体集
積回路装置の開発が切望されている。
代表される通信技術の発達により、利用される周波数は
ますます高くなる傾向にある。その中でも特に数ＧＨｚ
から数十ＧＨｚにかけての周波数帯で、優れた半導体集
積回路装置の開発が切望されている。
以下図面を参照しながら従来の半導体集積回路装置の一
例について説明する。第２図は従来のマイクロ波半導体
集積回路装置、その中でも能動素子として電解効果トラ
ンジスタ（以下、ＦＥＴと略す）を、伝送線路としてマ
イクロストリップラインを用いたものについて示すもの
である。ここで、ｌは真空蒸着法或いはメツキ法により
形成された金属膜からなるマイクロストリップライン、
２はアルミナなどのセラミック基板、９は金属キャリヤ
５上にソース接地して装着されたＦＥＴ、１３はゲート
（左側）及びドレイン（右側）のボンディングワイヤ、
１４はボンディングワイヤ、１０はインピーダンス変換
用の並列スタブ、１１は前記ＦＥＴにＤＣバイアスを付
加するためのゲ−ト電源端子、１２は同様にドレイン電
源端子をそれぞれ示す。
例について説明する。第２図は従来のマイクロ波半導体
集積回路装置、その中でも能動素子として電解効果トラ
ンジスタ（以下、ＦＥＴと略す）を、伝送線路としてマ
イクロストリップラインを用いたものについて示すもの
である。ここで、ｌは真空蒸着法或いはメツキ法により
形成された金属膜からなるマイクロストリップライン、
２はアルミナなどのセラミック基板、９は金属キャリヤ
５上にソース接地して装着されたＦＥＴ、１３はゲート
（左側）及びドレイン（右側）のボンディングワイヤ、
１４はボンディングワイヤ、１０はインピーダンス変換
用の並列スタブ、１１は前記ＦＥＴにＤＣバイアスを付
加するためのゲ−ト電源端子、１２は同様にドレイン電
源端子をそれぞれ示す。
従来のマイクロ波半導体集積回路装置は上記のように構
成され、ゲート及びドレインからＤＣバイアスを付加す
ることによりＦＥＴを動作させ、マイクロストリップラ
インを用いた回路により、外部回路との整合をとってい
た。すなわち、線路の幅を太くしたり細くしたり、或い
はスタブを設けたりすることによってインピーダンス整
合を行っていた。
成され、ゲート及びドレインからＤＣバイアスを付加す
ることによりＦＥＴを動作させ、マイクロストリップラ
インを用いた回路により、外部回路との整合をとってい
た。すなわち、線路の幅を太くしたり細くしたり、或い
はスタブを設けたりすることによってインピーダンス整
合を行っていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、ＦＥＴ９とマイク
ロストリップライン１の接続はボンディングワイヤ１４
によって行われるため、高周波になるに従いワイヤの長
さが無視できなくなり、上記の整合のための条件にボン
ディングワイヤも考慮に入れる必要が生じる。しかし前
記ワイヤの長さ形状を正確に制御することは非常に困難
である。
ロストリップライン１の接続はボンディングワイヤ１４
によって行われるため、高周波になるに従いワイヤの長
さが無視できなくなり、上記の整合のための条件にボン
ディングワイヤも考慮に入れる必要が生じる。しかし前
記ワイヤの長さ形状を正確に制御することは非常に困難
である。
また、ボンディングワイヤを設けるためには多くの作業
時間を要し歩留りの低下にもなっていた。
時間を要し歩留りの低下にもなっていた。
さらには、信頼性においても問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、上記能動素子（ＦＥＴ）の
ポンディングパッド面を′上記伝送線路（マイクロスト
リップライン）上に対面して接続し、しかも前記能動素
子の裏に形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地
面とを低抵抗の金属を用いて作った治具により接続する
際に、前記治具と前記マイクロ波集積回路モジュールの
パンケージングに用いる金属キャリヤとネジ止めして接
地することによって、整合条件を容易にして高周波特性
を改善し、歩留りを向上させ、しかも信鎖性をも向上さ
せることができるマイクロ波半導体集積回路装置を提供
するものである。
ポンディングパッド面を′上記伝送線路（マイクロスト
リップライン）上に対面して接続し、しかも前記能動素
子の裏に形成した接地面と前記基板の裏に形成した接地
面とを低抵抗の金属を用いて作った治具により接続する
際に、前記治具と前記マイクロ波集積回路モジュールの
パンケージングに用いる金属キャリヤとネジ止めして接
地することによって、整合条件を容易にして高周波特性
を改善し、歩留りを向上させ、しかも信鎖性をも向上さ
せることができるマイクロ波半導体集積回路装置を提供
するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、能動素子のポン
ディングパッド面を伝送線路上に対面して接続し、しか
も前記能動素子の裏に形成した接地面と前記基板の裏に
形成した接地面とを’１７２性ゴムを介して低抵抗の金
属治具により接続し、さらに前記治具を金属キャリヤに
ネジ止めするという構成を備えたものである。
ディングパッド面を伝送線路上に対面して接続し、しか
も前記能動素子の裏に形成した接地面と前記基板の裏に
形成した接地面とを’１７２性ゴムを介して低抵抗の金
属治具により接続し、さらに前記治具を金属キャリヤに
ネジ止めするという構成を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成によって従来のボンディングワイ
ヤを用いた構成と異なり、能動素子のポンディングパッ
ド面を伝送線路上に直接的に接続できる構造のため、従
来の問題点を解決できるものである。
ヤを用いた構成と異なり、能動素子のポンディングパッ
ド面を伝送線路上に直接的に接続できる構造のため、従
来の問題点を解決できるものである。
実施例
以下、本発明の一実施例のマイクロ波集積回路モジュー
ルについて、図面を参照しながら説明する。第１図（ａ
ｌは本発明の一実施例を示す平面図である。この図にお
いて１は真空蒸着法或いはメツキ法により形成された金
属膜（例えば、Ｃｒ−Ａｕなど）からなるマイクロスト
リップライン、２はアルミナなどのセラミック基板、３
はＦＥＴの裏にスルー・ホールを用いて形成した接地面
に接続し接地するという構成を備えた低抵抗の金属治具
、４は上記治具を金属キャリヤに接続するためのネジで
ある。第１図（ｂｌは、第１図（ａｌのＡ−Ａ”で示す
破線で切った部分の断面図である。ここで、５は上記の
基板２や、ＦＥＴ９を実装するために用いる金属キャリ
ヤ、６はＦＥＴの事に形成した接地面と低抵抗金属治具
及びセラミック基板の裏面に形成した接地導体と治具を
接続する導電性ゴム、７はマイクロストリップラインと
Ｆ［ＥＴのポンディングパッドとを接続するために用い
た金属系材料で′作ったバンプ、８は通常マイクロスト
リップラインと同し材料を用いる接地導体である。
ルについて、図面を参照しながら説明する。第１図（ａ
ｌは本発明の一実施例を示す平面図である。この図にお
いて１は真空蒸着法或いはメツキ法により形成された金
属膜（例えば、Ｃｒ−Ａｕなど）からなるマイクロスト
リップライン、２はアルミナなどのセラミック基板、３
はＦＥＴの裏にスルー・ホールを用いて形成した接地面
に接続し接地するという構成を備えた低抵抗の金属治具
、４は上記治具を金属キャリヤに接続するためのネジで
ある。第１図（ｂｌは、第１図（ａｌのＡ−Ａ”で示す
破線で切った部分の断面図である。ここで、５は上記の
基板２や、ＦＥＴ９を実装するために用いる金属キャリ
ヤ、６はＦＥＴの事に形成した接地面と低抵抗金属治具
及びセラミック基板の裏面に形成した接地導体と治具を
接続する導電性ゴム、７はマイクロストリップラインと
Ｆ［ＥＴのポンディングパッドとを接続するために用い
た金属系材料で′作ったバンプ、８は通常マイクロスト
リップラインと同し材料を用いる接地導体である。
以上のように構成されたマイクロ波集積回路モジュール
は従来例として示した第２図と同様に、ゲート及びドレ
インからＤＣバイアスを付加することによりＦＥＴを動
作させている。また、線路の幅を太くしたり細くしたり
、或いはスタブを設けたりすることによってインピーダ
ンス整合を行う点も従来通り適用できる。しかし、本発
明では上記ＦＥＴ９のポンディングパッド面を上記マイ
クロストリップライン１上に対面して接続し、しかも前
記ＦＥＴ表面のソースパッドに穴開けした表と裏の接地
面を４通させるためのスルー・ホールを用いて前記ＦＥ
Ｔ９の裏に形成した接地面に導電性ゴムを介して低抵抗
の金属治具３を接続し接地することによって、ＦＥＴ９
のボンディングパッド面をマイクロストリップラインｌ
上に直接的に接続することが可能であり、回路部での整
合条件を容易にして筒周波特性を改善し、ワイヤボンデ
ィングを行う作業が省かれるために歩留りを向上させ、
しかも信頼性をも向上させるマイクロ波半導体集積回路
装置を提供することができる。
は従来例として示した第２図と同様に、ゲート及びドレ
インからＤＣバイアスを付加することによりＦＥＴを動
作させている。また、線路の幅を太くしたり細くしたり
、或いはスタブを設けたりすることによってインピーダ
ンス整合を行う点も従来通り適用できる。しかし、本発
明では上記ＦＥＴ９のポンディングパッド面を上記マイ
クロストリップライン１上に対面して接続し、しかも前
記ＦＥＴ表面のソースパッドに穴開けした表と裏の接地
面を４通させるためのスルー・ホールを用いて前記ＦＥ
Ｔ９の裏に形成した接地面に導電性ゴムを介して低抵抗
の金属治具３を接続し接地することによって、ＦＥＴ９
のボンディングパッド面をマイクロストリップラインｌ
上に直接的に接続することが可能であり、回路部での整
合条件を容易にして筒周波特性を改善し、ワイヤボンデ
ィングを行う作業が省かれるために歩留りを向上させ、
しかも信頼性をも向上させるマイクロ波半導体集積回路
装置を提供することができる。
実施例の他の構成例として、ＦＥＴのソース接地の取り
方をスルー・ホール以外にも素子の側面を導体で覆うこ
とにより導通させたラソプメ、キの手法なども考えられ
る。さらには、ここでは能動素子としてＦＥＴを用いて
いるが、他にもＨＢＴ（ヘテロ・バイポーラ・トランジ
スタ）やＨＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）など
の能動素子が考えられる。
方をスルー・ホール以外にも素子の側面を導体で覆うこ
とにより導通させたラソプメ、キの手法なども考えられ
る。さらには、ここでは能動素子としてＦＥＴを用いて
いるが、他にもＨＢＴ（ヘテロ・バイポーラ・トランジ
スタ）やＨＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）など
の能動素子が考えられる。
発明の効果
以上のように本発明は、能動素子のボンディングパッド
面を伝送線路上に対面して接続し、しかも前記能動素子
の裏に形成した接地面と、前記基板の裏に形成した接地
面とを低抵抗の金属を用いて作った治具を金属キャリヤ
にネジ止めし接続するという構成を０ｉｆｆえ、能動素
子のボンディングパッド面を伝送線路上に直接的に接続
できる構造のため、回路部での整合条件を容易にして高
周波特性を改善し、ワイヤポンディングを行う作業が省
かれるために歩留りを向上させ、しかも信頼性をも向上
させるマイクロ波半導体集積回路装置を提供することが
できる。
面を伝送線路上に対面して接続し、しかも前記能動素子
の裏に形成した接地面と、前記基板の裏に形成した接地
面とを低抵抗の金属を用いて作った治具を金属キャリヤ
にネジ止めし接続するという構成を０ｉｆｆえ、能動素
子のボンディングパッド面を伝送線路上に直接的に接続
できる構造のため、回路部での整合条件を容易にして高
周波特性を改善し、ワイヤポンディングを行う作業が省
かれるために歩留りを向上させ、しかも信頼性をも向上
させるマイクロ波半導体集積回路装置を提供することが
できる。
第１図は本発明のマイクロ波集禎回路モジュールの一実
施例を示す図であり、第１図ｔａ＋はその平面図、第１
図（ｂｌは第１図（ａｌのＡ−Ａ’ で示す破線で切っ
た部分の断面図、第２図は従来のマイクロ波半導体集積
回路装置の構成を示す平面図である。 １・・・・・・マイクロストリップライン、２・・・・
・・ｉｔ反、３・・・・・・治具、４・・・・・・ネジ
、５・・・・・・金属キャリヤ、６・・・・・・導電性
ゴム、７・・・・・・金属バンプ、８・・・・・・接地
導体、９・・・・・・ＦＥＴ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／−−−マ
イ７０ス上ソツプライン ？−基板 ３−−一如ア ４−一一序ジ ５−−一全Ａ午マソヤ Ｂ−−一オ要地導イ木 −ＦＥＴ 第１図 ｄ ＼５ 第２図
施例を示す図であり、第１図ｔａ＋はその平面図、第１
図（ｂｌは第１図（ａｌのＡ−Ａ’ で示す破線で切っ
た部分の断面図、第２図は従来のマイクロ波半導体集積
回路装置の構成を示す平面図である。 １・・・・・・マイクロストリップライン、２・・・・
・・ｉｔ反、３・・・・・・治具、４・・・・・・ネジ
、５・・・・・・金属キャリヤ、６・・・・・・導電性
ゴム、７・・・・・・金属バンプ、８・・・・・・接地
導体、９・・・・・・ＦＥＴ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／−−−マ
イ７０ス上ソツプライン ？−基板 ３−−一如ア ４−一一序ジ ５−−一全Ａ午マソヤ Ｂ−−一オ要地導イ木 −ＦＥＴ 第１図 ｄ ＼５ 第２図
Claims (1)
- マイクロ波回路基板上に形成した伝送線路と、能動素
子とを含むマイクロ波集積回路モジュールにおいて、前
記能動素子のボンディングパッド面を前記伝送線路上に
対面して接続し、しかも前記能動素子の裏に形成した接
地面と前記基板の裏に形成した接地面とを低抵抗の金属
を用いて作った治具により接続する際に、前記治具と前
記マイクロ波集積回路モジュールのパッケージングに用
いる金属キャリヤとをネジ止めすることにより接地する
ことを特徴とするマイクロ波集積回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62305038A JPH01144804A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | マイクロ波集積回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62305038A JPH01144804A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | マイクロ波集積回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144804A true JPH01144804A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17940354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62305038A Pending JPH01144804A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | マイクロ波集積回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01144804A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118655A (en) * | 1975-11-13 | 1982-07-23 | Tektronix Inc | Device for connecting miniature circuit element |
| JPH01129502A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路の実装構造 |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP62305038A patent/JPH01144804A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118655A (en) * | 1975-11-13 | 1982-07-23 | Tektronix Inc | Device for connecting miniature circuit element |
| JPH01129502A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路の実装構造 |
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