JP2944155B2 - 高周波回路基板装置 - Google Patents
高周波回路基板装置Info
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- JP2944155B2 JP2944155B2 JP2198591A JP19859190A JP2944155B2 JP 2944155 B2 JP2944155 B2 JP 2944155B2 JP 2198591 A JP2198591 A JP 2198591A JP 19859190 A JP19859190 A JP 19859190A JP 2944155 B2 JP2944155 B2 JP 2944155B2
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- resin substrate
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、例えばマイクロ波帯用増幅器等のマイク
ロ波集積回路の形成された誘電体基板をケース等の取付
体に取付けるのに用いる高周波回路基板装置に関する。
ロ波集積回路の形成された誘電体基板をケース等の取付
体に取付けるのに用いる高周波回路基板装置に関する。
（従来の技術） 一般に、マイクロ波集積回路は、第５図に示すように
高誘電率のアルミナ等のセラミックを用いた誘電体基板
１が用いられ、この誘電体基板１の一方面にマイクロス
トリップ導体等で所望の回路パターン1aが形成される。
そして、この誘電体基板１の他方面には金属膜で接地導
体（図中では、図の都合上、図示せず）が形成される。
そして、このようなマイクロ波集積回路は、その誘電体
基板１が機械的に脆いために、第６図に示すようにガラ
ス繊維エポキシ樹脂やガラス繊維フッ素樹脂等の合成樹
脂製基板２を介してケース等の取付体３に取付けられ
る。すなわち、誘電体基板１は合成樹脂製基板２に積重
されて接着剤を用いて接合される（第５図参照）。この
合成樹脂製基板２には図示しない外部機器に接続される
マイクロストリップ導体等の接続導体2aが形成されてお
り、この接続導体2aが誘電体基板１の回路パターン1aに
対して銅箔等の接続部材４を用いて接続される（第５図
参照）。そして、このように誘電体基板１の積重された
合成樹脂製基板２は取付体３に螺子５を用いて固着され
る（第６図参照）。ここで、誘電体基板１は、その接地
導体（図示せず）が合成樹脂製基板２に形成されるスル
ーホール2bを介して取付体３に接地される。
高誘電率のアルミナ等のセラミックを用いた誘電体基板
１が用いられ、この誘電体基板１の一方面にマイクロス
トリップ導体等で所望の回路パターン1aが形成される。
そして、この誘電体基板１の他方面には金属膜で接地導
体（図中では、図の都合上、図示せず）が形成される。
そして、このようなマイクロ波集積回路は、その誘電体
基板１が機械的に脆いために、第６図に示すようにガラ
ス繊維エポキシ樹脂やガラス繊維フッ素樹脂等の合成樹
脂製基板２を介してケース等の取付体３に取付けられ
る。すなわち、誘電体基板１は合成樹脂製基板２に積重
されて接着剤を用いて接合される（第５図参照）。この
合成樹脂製基板２には図示しない外部機器に接続される
マイクロストリップ導体等の接続導体2aが形成されてお
り、この接続導体2aが誘電体基板１の回路パターン1aに
対して銅箔等の接続部材４を用いて接続される（第５図
参照）。そして、このように誘電体基板１の積重された
合成樹脂製基板２は取付体３に螺子５を用いて固着され
る（第６図参照）。ここで、誘電体基板１は、その接地
導体（図示せず）が合成樹脂製基板２に形成されるスル
ーホール2bを介して取付体３に接地される。
しかしながら、上記高周波回路基板装置では、誘電体
基板１を合成樹脂製基板２に積重して取付ける構成上、
その厚さ寸法の薄形化を図ることが困難で、厚形となる
という問題を有していた。また、これによれば、誘電体
基板１の回路パターン1aと合成樹脂製基板２の接続導体
2a間に段差が生じ、しかも、相互間を接続する接続部材
４がインピーダンス成分を持つために、相互間でインピ
ーダンス不整合が起こり、マイクロ波集積回路における
高周波特性の劣化を招くという問題を有していた。さら
に、これによれば、誘電体基板１の接地等体（図示せ
ず）を合成樹脂製基板２のスルーホール2bを介して取付
体３に接地するように構成した場合、該スルーホール2b
の持つインダクタンス成分によって、そのマイクロ波集
積回路における伝送特性の劣化を招くという問題が起こ
っていた。
基板１を合成樹脂製基板２に積重して取付ける構成上、
その厚さ寸法の薄形化を図ることが困難で、厚形となる
という問題を有していた。また、これによれば、誘電体
基板１の回路パターン1aと合成樹脂製基板２の接続導体
2a間に段差が生じ、しかも、相互間を接続する接続部材
４がインピーダンス成分を持つために、相互間でインピ
ーダンス不整合が起こり、マイクロ波集積回路における
高周波特性の劣化を招くという問題を有していた。さら
に、これによれば、誘電体基板１の接地等体（図示せ
ず）を合成樹脂製基板２のスルーホール2bを介して取付
体３に接地するように構成した場合、該スルーホール2b
の持つインダクタンス成分によって、そのマイクロ波集
積回路における伝送特性の劣化を招くという問題が起こ
っていた。
（発明が解決しようとする課題） 以上述べたように、従来の高周波回路基板装置では、
厚形となると共に、誘電体基板と合成樹脂製基板の間に
インピーダンス不整合が起こり、回路特性の劣化を招く
という問題を有していた。
厚形となると共に、誘電体基板と合成樹脂製基板の間に
インピーダンス不整合が起こり、回路特性の劣化を招く
という問題を有していた。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、薄形
化の促進を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板
の間のインピーダンス整合を容易に採り得るようにした
高周波回路基板装置を提供することを目的とする。
化の促進を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板
の間のインピーダンス整合を容易に採り得るようにした
高周波回路基板装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、マイクロ波集積回路が形成されてなる誘
導体基板と、一方面に基板層の中間までの深さ寸法を有
し、前記誘導体基板が略面一に収容されて固着される凹
部が設けられ、且つ、前記一方面に前記凹部に収容され
て固着された前記誘電体基板のマイクロ波集積回路と電
気的に接続される接続導体が設けられた合成樹脂製基板
と、この合成樹脂製基板が収容配置される取付体とを備
えた高周波回路基板装置を構成したものである。
導体基板と、一方面に基板層の中間までの深さ寸法を有
し、前記誘導体基板が略面一に収容されて固着される凹
部が設けられ、且つ、前記一方面に前記凹部に収容され
て固着された前記誘電体基板のマイクロ波集積回路と電
気的に接続される接続導体が設けられた合成樹脂製基板
と、この合成樹脂製基板が収容配置される取付体とを備
えた高周波回路基板装置を構成したものである。
（作用） 上記構成によれば、マイクロ波集積回路が形成された
誘電体基板は合成樹脂製基板の凹部に収容されて埋設さ
れて固着されていることにより、その回路パータンが合
成樹脂製基板の接続導体と略同一面上に位置されてい
る。従って、合成樹脂製基板の厚さ寸法と略同様までの
薄形化が容易に実現されると共に、相互の接続箇所にお
けるインピーダンス整合が容易に採り得る。
誘電体基板は合成樹脂製基板の凹部に収容されて埋設さ
れて固着されていることにより、その回路パータンが合
成樹脂製基板の接続導体と略同一面上に位置されてい
る。従って、合成樹脂製基板の厚さ寸法と略同様までの
薄形化が容易に実現されると共に、相互の接続箇所にお
けるインピーダンス整合が容易に採り得る。
（実施例） 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係る高周波回路基板装
置を示すもので、第１図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
置を示すもので、第１図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
図において、10はマイクロ波集積回路の形成されたア
ルミナ等のセラミック製誘電体基板で、後述するように
ガラス繊維フッ素樹脂やガラス繊維エポキシ樹脂等の合
成樹脂製基板11の所定位置に埋設される如く固着されて
ケース等の取付体12に取付けられる（第２図参照）。す
なわち、誘電体基板10は、その一方面にマイクロ波集積
回路の回路パターン10aが形成され、その他方面には金
属膜等で接地導体（図の都合上、図示せず）が形成され
る。一方、合成樹脂製基板11には基板収容用の凹凹部11
aが誘電体基板10の厚さ寸法に対応して形成され、この
凹部11aの所定位置には図示しない外部機器に接続され
る接続パターン11bが誘電体基板10の回路パターン10aに
対応して形成される。そして、凹部11aにはスルーホー
ル11cが誘電体基板10の接地導体（図示せず）及び取付
体12の接地位置に対応して形成される。
ルミナ等のセラミック製誘電体基板で、後述するように
ガラス繊維フッ素樹脂やガラス繊維エポキシ樹脂等の合
成樹脂製基板11の所定位置に埋設される如く固着されて
ケース等の取付体12に取付けられる（第２図参照）。す
なわち、誘電体基板10は、その一方面にマイクロ波集積
回路の回路パターン10aが形成され、その他方面には金
属膜等で接地導体（図の都合上、図示せず）が形成され
る。一方、合成樹脂製基板11には基板収容用の凹凹部11
aが誘電体基板10の厚さ寸法に対応して形成され、この
凹部11aの所定位置には図示しない外部機器に接続され
る接続パターン11bが誘電体基板10の回路パターン10aに
対応して形成される。そして、凹部11aにはスルーホー
ル11cが誘電体基板10の接地導体（図示せず）及び取付
体12の接地位置に対応して形成される。
上記構成において、誘電体基板10は合成樹脂製基板11
の凹部11aに、その接地導体（図示せず）が対向されて
収容され、例えば接着剤を用いて接合される。ここで、
誘電体基板10は、その回路パターン10aが合成樹脂製基
板11の接続パターン11bと略同一面上に位置され、該回
路パターン10aが接続パターン11bに銅箔等の接続部材13
を介して接続される。この際、誘電体基板10の接地導体
（図示せず）は合成樹脂製基板11のスルーホール11cを
介して取付体12の接地位置に接続される。そして、この
ように誘電体基板10が取付けられた合成樹脂製基板11は
取付体12に収容され、螺子14を用いて該取付体12に固定
される。
の凹部11aに、その接地導体（図示せず）が対向されて
収容され、例えば接着剤を用いて接合される。ここで、
誘電体基板10は、その回路パターン10aが合成樹脂製基
板11の接続パターン11bと略同一面上に位置され、該回
路パターン10aが接続パターン11bに銅箔等の接続部材13
を介して接続される。この際、誘電体基板10の接地導体
（図示せず）は合成樹脂製基板11のスルーホール11cを
介して取付体12の接地位置に接続される。そして、この
ように誘電体基板10が取付けられた合成樹脂製基板11は
取付体12に収容され、螺子14を用いて該取付体12に固定
される。
このように、上記高周波回路基板装置は合成樹脂製基
板11に凹部11aを設け、この凹部11aにマイクロ波集積回
路が形成された誘電体基板10を収容して固着するように
構成した。これによれば、誘電体基板10は合成樹脂製基
板11の凹部11aに収容された状態で、その回路パターン1
0aが合成樹脂製基板11の接続パターン11bと略同一面上
に位置されることにより、その厚さ寸法が合成樹脂製基
板11の厚さ寸法と略同様までの薄形化が容易に実現され
る。また、これによれば、誘電体基板10の回路パターン
10aと合成樹脂製基板11の接続パターン11bが略同一面上
に位置されることにより、相互の接続箇所におけるイン
ピーダンス整合が容易に採り得る。
板11に凹部11aを設け、この凹部11aにマイクロ波集積回
路が形成された誘電体基板10を収容して固着するように
構成した。これによれば、誘電体基板10は合成樹脂製基
板11の凹部11aに収容された状態で、その回路パターン1
0aが合成樹脂製基板11の接続パターン11bと略同一面上
に位置されることにより、その厚さ寸法が合成樹脂製基
板11の厚さ寸法と略同様までの薄形化が容易に実現され
る。また、これによれば、誘電体基板10の回路パターン
10aと合成樹脂製基板11の接続パターン11bが略同一面上
に位置されることにより、相互の接続箇所におけるイン
ピーダンス整合が容易に採り得る。
さらに、上記高周波回路基板装置においては、合成樹
脂製基板11の凹部11aに誘電体基板10の接地導体（図示
せず）と取付体12を電気的に接続するスルーホール11c
を形成することにより、該凹部11aの厚さ寸法に対応し
たインピーダンスの不整合が生じるだけとなり、そのス
ルーホール11cによるインピーダンスの不整合の削減が
図れるため、可及的にマイクロ波集積回路における伝送
特性の劣化が効果的に防止される。
脂製基板11の凹部11aに誘電体基板10の接地導体（図示
せず）と取付体12を電気的に接続するスルーホール11c
を形成することにより、該凹部11aの厚さ寸法に対応し
たインピーダンスの不整合が生じるだけとなり、そのス
ルーホール11cによるインピーダンスの不整合の削減が
図れるため、可及的にマイクロ波集積回路における伝送
特性の劣化が効果的に防止される。
なお、上記実施例では、合成樹脂製基板11に接続パタ
ーン11bのみを形成した場合で説明したが、この発明
は、これに限ることなく、例えば第３図に示すように合
成樹脂基板11にバイアス回路等の低周波回路11dを形成
することも可能である。この場合、取付体12には低周波
回路12aに対応して凹部12bが設けられ、この凹部12aは
低周波回路12aの構成部品等の逃げようとして供され
る。
ーン11bのみを形成した場合で説明したが、この発明
は、これに限ることなく、例えば第３図に示すように合
成樹脂基板11にバイアス回路等の低周波回路11dを形成
することも可能である。この場合、取付体12には低周波
回路12aに対応して凹部12bが設けられ、この凹部12aは
低周波回路12aの構成部品等の逃げようとして供され
る。
また、上記実施例では、誘電体基板10を１枚だけ合成
樹脂製基板11に埋設する如く固着するように構成した場
合で説明したが、この発明は、これに限ることなく、第
４図に示すように複数枚、例えば２枚の誘電体基板10を
合成樹脂製基板11の一方面に埋設したり、あるいは図示
しないが複数枚の誘電体基板10を合成樹脂製基板11の両
面に埋設するように構成することも可能である。
樹脂製基板11に埋設する如く固着するように構成した場
合で説明したが、この発明は、これに限ることなく、第
４図に示すように複数枚、例えば２枚の誘電体基板10を
合成樹脂製基板11の一方面に埋設したり、あるいは図示
しないが複数枚の誘電体基板10を合成樹脂製基板11の両
面に埋設するように構成することも可能である。
さらに、上記実施例では、合成樹脂製基板11の凹部11
aにスルーホール11cを設けた場合で説明したが、これに
限ることなく、スルーホール11cを設ける必要のない高
周波信号を使用するマイクロ波集積回路に適用すること
も可能である。この場合には、無論のことスルーホール
11cを凹部11aに形成しなくて良いこととなる。
aにスルーホール11cを設けた場合で説明したが、これに
限ることなく、スルーホール11cを設ける必要のない高
周波信号を使用するマイクロ波集積回路に適用すること
も可能である。この場合には、無論のことスルーホール
11cを凹部11aに形成しなくて良いこととなる。
よって、この発明は上記実施例に限ることなく、その
他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実
施し得ることは勿論のことである。
他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実
施し得ることは勿論のことである。
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、薄形化の促
進を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板の間の
インピーダンス整合を容易に採り得るようにした高周波
回路基板装置を提供することができる。
進を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板の間の
インピーダンス整合を容易に採り得るようにした高周波
回路基板装置を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る高周波回路基板装置
を示す斜視図，断面図、第２図は第１図を取付体に取付
けた状態を示す断面図、第３図及び第４図はこの発明の
他の実施例を示す断面図、第５図及び第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す斜視図，断面図である。 10……誘電体基板、10a……回路パターン、11……合成
樹脂製基板、11a……凹部、11b……接続パターン、11c
……スルーホール、11d……低周波回路、12……取付
体、12a……凹部、13……接続部材、14……螺子。
を示す斜視図，断面図、第２図は第１図を取付体に取付
けた状態を示す断面図、第３図及び第４図はこの発明の
他の実施例を示す断面図、第５図及び第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す斜視図，断面図である。 10……誘電体基板、10a……回路パターン、11……合成
樹脂製基板、11a……凹部、11b……接続パターン、11c
……スルーホール、11d……低周波回路、12……取付
体、12a……凹部、13……接続部材、14……螺子。
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波集積回路が形成されてなる誘導
体基板と、 一方面に基板層の中間までの深さ寸法を有し、前記誘導
体基板が略面一に収容されて固着される凹部が設けら
れ、且つ、前記一方面に前記凹部に収容されて固着され
た前記誘電体基板のマイクロ波集積回路と電気的に接続
される接続導体が設けられた合成樹脂製基板と、 この合成樹脂製基板が収容配置される取付体と を具備したことを特徴とする高周波回路基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198591A JP2944155B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 高周波回路基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198591A JP2944155B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 高周波回路基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483402A JPH0483402A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2944155B2 true JP2944155B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=16393738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198591A Expired - Lifetime JP2944155B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 高周波回路基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944155B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3612031B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2005-01-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 高周波モジュール |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2198591A patent/JP2944155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0483402A (ja) | 1992-03-17 |
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