JPH0543594U - 高周波回路基板装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体基板表面に形成したマイクロ波集積回
路を、水分やゴミ等の侵入によるマイクロ波回路の特性
劣化を防止できるようにしてシールドする。 【構成】 誘電体基板１の表面にマイクロ波集積回路を
形成し、この誘電体基板１を、第一の合成樹脂基板３の
表面に形成した凹部に収納する。そして、マイクロ波集
積回路の上部を、第二の合成樹脂基板４で覆い、同時に
マイクロ波集積回路を取り囲む部分で、第一の合成樹脂
基板と接合する。また、第一、第二の合成樹脂基板の外
側表面に、それぞれ第一の接地導体層３ｄおよび第二の
接地導体層４ｂを設ける。そして、第一、第二の合成樹
脂基板３、４の接合部分で、両合成樹脂基板３、４を貫
通する貫通孔５を複数形成し、その内面に前記第一、第
二の接地導体層に接続する金属層５ａを形成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、マイクロ波帯用増幅器等のマイクロ波集積回路を表面に形成した 誘電体基板を組み込む高周波回路基板装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

一般に、マイクロ波集積回路は、アルミナ等のセラミックスを用いた誘電体基 板上に、マイクロストリップ線路を構成し、これに必要な部品を実装して作って いる。 誘電体基板上に作るマイクロ波集積回路は、フィルタ回路や低雑音増幅 器等シールドを必要とする場合が多く、従来、図２のような高周波回路基板装置 に構成される。

【０００３】 図２（ａ）は、従来の高周波回路基板装置の斜視図、図２（ｂ）は、そのＢー Ｂ断面図である。

【０００４】 １０は、アルミナ等のセラミックスを用いた誘電体基板で、その表面にマイク ロストリップ線路を構成し、また、必要な部品１１を実装している。前記誘電体 基板１０を、合成樹脂基板１２の薄肉部１２ａに、その表面が合成樹脂基板１２ の面と同一になるように収納する。誘電体基板１０の底面および合成樹脂基板１ ２の薄肉部１２ａの表面には、それぞれ導電層がある。この両導電層を半田や接 着剤で固着し、誘電体基板１０と合成樹脂基板１２とを一体化する。前記合成樹 脂基板１２は、例えば、フッ素樹脂とガラス繊維とからなるガラス繊維フッ素樹 脂やエポキシ樹脂である。

【０００５】 また、前記誘電体基板１０上に形成したマイクロストリップ線路と、合成樹脂 基板１２に形成したマイクロストリップ線路あるいはバイアス線路（図示せず） とは、銅箔などの金属１３で接続する。 また、合成樹脂基板１２の薄肉部１２ ａ上面の導電性層は、スルーホール１２ｃで合成樹脂基板１２の裏面に形成され た接地導体１２ｄと接続する。

【０００６】 また、導電性材料により形成されたシールドケース１４を、誘電体基板１０上 方の空間を囲むように合成樹脂基板１２上に設ける。シールドケース１４は、合 成樹脂基板１２上にネジ止め１５あるいは半田づけし、同時にスルーホールによ り合成樹脂基板１２の裏面の接地導体１２ｄに接続し、接地する。

【０００７】

【考案が解決しようとする課題】

上記のように、誘電体基板１０を合成樹脂基板１２に取り付け一体化している 。このため、同じ合成樹脂基板１２上に、他のマイクロ波回路やそれらを接続す る回路、さらには低周波回路を形成することができ、マイクロ波回路装置の小形 化が図れる。

【０００８】 しかし、シールドケース１４を取り付けるために、ネジ止め１５あるいは半田 づけの作業が必要である。また、シールドケース１４の製作費が必要で、その分 高価格になる。 また、合成樹脂基板１２上に、外部回路と接続する入出力端子 がある場合、シールドケース１４を取り付けるとき、シールドケース１４と入出 力端子との接触を避けるため、シールドケース１４に開口が必要となる。このた め、開口から水分やゴミ等が入り、マイクロ波回路の特性を劣化させる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

裏面に接地導体層を形成した誘電体基板の表面にマイクロ波集積回路を形成し 、この誘電体基板を、第一の合成樹脂基板の表面に形成した凹部に収納する。そ して、第二の合成樹脂基板で前記誘電体基板表面に形成したマイクロ波集積回路 の上部を覆い、かつ、この第二の合成樹脂基板と前記第一の合成樹脂基板とを、 前記マイクロ波集積回路を取り囲む部分で接合する。また、前記第一の合成樹脂 基板と第二の合成樹脂基板の外側表面に、それぞれ第一の接地導体層および第二 の接地導体層を設ける。そして、前記第一の合成樹脂基板と前記第二の合成樹脂 基板との接合部分で、各々の合成樹脂基板に貫通孔を複数形成し、その内面に前 記第一および第二の接地導体層と電気的に接続する金属層を形成する。

【００１０】

【作用】

上記の構成によれば、誘電体基板表面に形成したマイクロ波集積回路を、第一 の合成樹脂基板の裏面に形成した第一の接地導体層、第二の合成樹脂基板の外側 表面に形成した第二の接地導体層および両合成樹脂基板を貫通する貫通孔の内面 に形成した金属層によってシールドでき、また、前記第一の合成樹脂基板と第二 の合成樹脂基板基板とで、マイクロ波集積回路を密封できる。また、シールドケ ースの製作が不要で、その分低価格にできる。また、開口がないから、水分やゴ ミ等の侵入を防止でき、マイクロ波回路の特性劣化を防げる。

【００１１】

【実施例】

以下、この考案の一実施例を図１を参照して説明する。

【００１２】 図１（ａ）は、この考案の高周波回路基板装置の斜視図、（ｂ）は、そのＡ− Ａ断面図である。

【００１３】 １は、誘電体基板で、この誘電体基板１の表面にマイクロストリップ線路で所 望の回路パターンを形成し、また、必要な部品２を実装してマイクロ波集積回路 を形成する。また、誘電体基板１の裏面に、金属膜で接地導体を形成する。この ような構成の誘電体基板１を、例えば、フッ素樹脂とガラス繊維とからなるガラ ス繊維フッ素樹脂やエポキシ樹脂からなる第一の合成樹脂基板３の凹部３ａに収 納する。なお、第一の合成樹脂基板３の凹部３ａ表面には金属膜があり、この金 属膜と誘電体基板１裏面の金属膜とを半田や接着剤で固着し、たがいに電気的に 接続する。

【００１４】 第一の合成樹脂基板３の凹部３ａは、誘電体基板１の形状、厚さとほぼ一致す るように作り、誘電体基板１と第一の合成樹脂基板３との表面が同一面となるよ うにする。

【００１５】 前記第一の合成樹脂基板３の表面に、外部機器のマイクロストリップ線路やバ イアス線路などと接続する接続導体３ｂを形成する。

【００１６】 なお、誘電体基板１の裏面に形成した接地導体を、第一の合成樹脂基板３に形 成したスルーホール３ｃを介して、第一の合成樹脂基板３裏面の第一の接地導体 ３ｄに接続する。

【００１７】 また、４は、第二の合成樹脂基板で、この第二の合成樹脂基板４の中央に、誘 電体基板１上のマイクロ波集積回路を収納できる凹部４ａを形成する。前記第二 の合成樹脂基板４を、前記第一の合成樹脂基板３に重ねる。このとき、第二の合 成樹脂基板４の凹部４ａが、誘電体基板１上のマイクロ波集積回路の上方にくる ようにする。そして、前記マイクロ波集積回路を取り囲むように、その外側部分 で前記第一の合成樹脂基板３と第二の合成樹脂基板４とを接合し、接着あるいは 圧着する。

【００１８】 また第二の合成樹脂基板４の外側表面に第二の接地導体層４ｂを形成する。

【００１９】 なお、誘電体基板１の表面に形成するマイクロ波集積回路が、マイクロストリ ップ線路など平面的な回路パターンのみの場合は、第二の合成樹脂基板４の凹部 ４ａは、必ずしも必要でない。

【００２０】 なお、第一の合成樹脂基板３の表面に、外部機器に接続するマイクロストリッ プ線路やバイアス線路などの接続導体がある場合は、第一の合成樹脂基板３およ び第二の合成樹脂基板４の各基板面で、接続導体を挟み付けるかたちになる。な お、第一の合成樹脂基板３と第二の合成樹脂基板４とは、同一の材質でも、また 、相違していてもよい。

【００２１】 前記マイクロ波集積回路の外側、例えば、前記第一の合成樹脂基板３と第二の 合成樹脂基板４とが接している部分で、各々の基板３、４に貫通孔５を、複数形 成する。なお、各々の基板３、４に形成する貫通孔５は、各基板３、４の同一の 場所で共通して貫通しているが、必ずしも同一の場所である必要はない。 これらの貫通孔５の内面に、それぞれ金属層５ａを形成し、この金属層５ａを 、前記第一の合成樹脂基板３および前記第二の合成樹脂基板４の、それぞれ外側 表面に形成した前記第一および第二の接地導体層３ｄ、４ｂと電気的に接続する 。

【００２２】 上記した実施例によれば、誘電体基板１表面に形成したマイクロ波集積回路を 、第一の合成樹脂基板３の裏面に形成した第一の接地導体層３ｄ、第二の合成樹 脂基板４の外側表面に形成した第二の接地導体層４ｂおよび両合成樹脂基板３、 ４を貫通する貫通孔５の内面に形成した金属層５ａによってシールドできる。ま た、第一の合成樹脂基板３や第二の合成樹脂基板４は、絶縁物であるため、例え 、第一の合成樹脂基板３の表面に、外部機器のマイクロストリップ線路やバイア ス線路などと接続されるの接続導体があっても、この接続導体を挟み付けるよう にして、前記マイクロ波集積回路を、第一の合成樹脂基板３と第二の合成樹脂基 板４とで密封できる。これらは、回路基板製造工程で行えるため、シールドケー スの製作が不要で、その分低価格にできる。また、開口が必要ないから、水分や ゴミ等の侵入を防止でき、マイクロ波回路の特性劣化を防げる。

【００２３】 また、マイクロ波集積回路を覆う第二の合成樹脂基板４の部材が誘電体である から、これを利用してこの上に、例えばバイアス回路や制御回路を構成でき、高 周波回路基板装置の小形化も図れる。

【００２４】

【考案の効果】

この考案によれば、誘電体基板表面に形成したマイクロ波集積回路を、第一の 合成樹脂基板の裏面に形成した第一の接地導体層、第二の合成樹脂基板の外側表 面に形成した第二の接地導体層および両合成樹脂基板を貫通する貫通孔の内面に 形成した金属層によってシールドできる。また、前記マイクロ波集積回路を、第 一の合成樹脂基板と第二の合成樹脂基板とで密封でき、水分やゴミ等の侵入を防 止でき、マイクロ波回路の特性劣化を防げる。また、シールドケースの製作が不 要で、その分低価格にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の一実施例を示す図である。

【図２】従来の装置を示す図である。

【符号の説明】

１…誘電体基板 ２…部品 ３…第一の合成樹脂基板 ３ａ…凹部 ３ｃ…スルーホール ３ｄ…接地導体 ４…第二の合成樹脂基板 ４ａ…凹部 ４ｂ…接地導体 ５…貫通孔

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面にマイクロ波集積回路を、裏面に接
   地導体層を形成した誘電体基板と、この誘電体基板を、
   表面に形成した凹部に収納し、裏面に第一の接地導体層
   を形成した第一の合成樹脂基板と、前記誘電体基板表面
   に形成したマイクロ波集積回路の上部を覆い、かつ、前
   記マイクロ波集積回路を取り囲む部分で、前記第一の合
   成樹脂基板と接合する第二の合成樹脂基板と、この第二
   の合成樹脂基板の外側表面に形成した第二の接地導体層
   と、前記第一の合成樹脂基板と前記第二の合成樹脂基板
   との接合部分で、各々の合成樹脂基板に貫通孔を複数形
   成し、前記第一および第二の接地導体層と電気的に接続
   するように前記貫通孔の内面に形成した金属層とを具備
   した高周波回路基板装置。
2. 【請求項２】 前記マイクロ波集積回路を収納する凹部
   を第二の合成樹脂基板に形成した請求項１記載の高周波
   回路基板装置。
3. 【請求項３】 前記第一の合成樹脂基板に形成した凹部
   が、前記誘電体基板の形状に一致する請求項１記載の高
   周波回路基板装置。
4. 【請求項４】 各々の合成樹脂基板に形成される貫通孔
   を、前記第一の合成樹脂基板と前記第二の合成樹脂基板
   との接合部分で、かつ、同一の場所に連続するように形
   成した請求項１記載の高周波回路基板装置。