JPH09116303A - 誘電体共振器装置 - Google Patents
誘電体共振器装置Info
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- JPH09116303A JPH09116303A JP27276495A JP27276495A JPH09116303A JP H09116303 A JPH09116303 A JP H09116303A JP 27276495 A JP27276495 A JP 27276495A JP 27276495 A JP27276495 A JP 27276495A JP H09116303 A JPH09116303 A JP H09116303A
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- dielectric
- resonator device
- dielectric resonator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 全体に小型軽量化し、また回路基板上への実
装性を高めた誘電体共振器装置を得る。 【解決手段】 基板1に信号結合導体8を設け、その端
部を基板1の下面部から側面部にかけて入出力導体10
として導出し、基板1の上面に誘電体共振素子4を配置
し、基板1に対しシールドカバー2を被せる。これによ
り、1つの部品としての誘電体共振器装置を構成し、回
路基板上への表面実装を容易にする。
装性を高めた誘電体共振器装置を得る。 【解決手段】 基板1に信号結合導体8を設け、その端
部を基板1の下面部から側面部にかけて入出力導体10
として導出し、基板1の上面に誘電体共振素子4を配置
し、基板1に対しシールドカバー2を被せる。これによ
り、1つの部品としての誘電体共振器装置を構成し、回
路基板上への表面実装を容易にする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、TEモードなど
を利用する誘電体共振素子を用いて成り、フィルタなど
として作用する誘電体共振器装置に関する。
を利用する誘電体共振素子を用いて成り、フィルタなど
として作用する誘電体共振器装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えばマイクロ波帯の通信装
置などにおいて、帯域通過フィルタ等として誘電体共振
器装置が用いられている。ここで、TE01δモードを
利用した従来の誘電体共振器装置の構成例を図4および
図5に示す。
置などにおいて、帯域通過フィルタ等として誘電体共振
器装置が用いられている。ここで、TE01δモードを
利用した従来の誘電体共振器装置の構成例を図4および
図5に示す。
【0003】図4の(A)は上部の金属カバーを被せる
前の平面図、(B)はその金属カバー12を被せた状態
での断面図である。同図において11は上面を開口した
箱型金属ケースであり、その内部に3つの誘電体共振素
子4を支持台13を介して設けている。また、金属ケー
ス11の側部には2つの入出力コネクタ5を設け、その
中心導体から連続する信号結合子3を金属ケース11内
に突出させている。金属ケース11の上部開口面には金
属カバー12を取り付けて、この金属カバー12と金属
ケース11とによって誘電体共振素子4の周囲をシール
ドするように構成している。
前の平面図、(B)はその金属カバー12を被せた状態
での断面図である。同図において11は上面を開口した
箱型金属ケースであり、その内部に3つの誘電体共振素
子4を支持台13を介して設けている。また、金属ケー
ス11の側部には2つの入出力コネクタ5を設け、その
中心導体から連続する信号結合子3を金属ケース11内
に突出させている。金属ケース11の上部開口面には金
属カバー12を取り付けて、この金属カバー12と金属
ケース11とによって誘電体共振素子4の周囲をシール
ドするように構成している。
【0004】図5の(A)は上面に誘電体共振素子4を
取り付けた誘電体基板の上面図、(B)はその正面図で
ある。誘電体基板14の上面には信号結合導体8を設け
ていて、下面にはアース導体6を設けている。このよう
な誘電体共振素子4を設けて誘電体基板14をフィルタ
として用いる場合、図5の(C)に示すように、金属ブ
ロック15の上面に、マイクロストリップ線路16を形
成した基板とともに誘電体基板14を配置する。(D)
は誘電体基板14の上部に金属カバー17を被せた状態
を示す上面図、(E)はその右側面図である。このよう
に誘電体基板14の上部を断面コの字型の金属カバー1
7で被うことによって、金属ブロック上に誘電体フィル
タを構成する。
取り付けた誘電体基板の上面図、(B)はその正面図で
ある。誘電体基板14の上面には信号結合導体8を設け
ていて、下面にはアース導体6を設けている。このよう
な誘電体共振素子4を設けて誘電体基板14をフィルタ
として用いる場合、図5の(C)に示すように、金属ブ
ロック15の上面に、マイクロストリップ線路16を形
成した基板とともに誘電体基板14を配置する。(D)
は誘電体基板14の上部に金属カバー17を被せた状態
を示す上面図、(E)はその右側面図である。このよう
に誘電体基板14の上部を断面コの字型の金属カバー1
7で被うことによって、金属ブロック上に誘電体フィル
タを構成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図4に示したような従
来の誘電体共振器装置においては、隣接する誘電体共振
素子間の位置関係および信号結合子3と誘電体共振素子
4との位置関係にずれが生じないように、ケースに剛性
の高い厚肉の金属体を用いていたため、全体にサイズお
よび重量が大きいという問題があった。また、同軸型の
入出力コネクタ5を用いて信号の入出力を行う構造であ
るため、信号の入出力構造が複雑であった。
来の誘電体共振器装置においては、隣接する誘電体共振
素子間の位置関係および信号結合子3と誘電体共振素子
4との位置関係にずれが生じないように、ケースに剛性
の高い厚肉の金属体を用いていたため、全体にサイズお
よび重量が大きいという問題があった。また、同軸型の
入出力コネクタ5を用いて信号の入出力を行う構造であ
るため、信号の入出力構造が複雑であった。
【0006】図5に示した従来の誘電体共振器装置にお
いては、誘電体共振素子4を取り付けた誘電体基板14
を金属ブロック15の上部に配置し、さらに金属カバー
17で被うことによって初めてフィルタとして作用させ
ることができ、このような構造の誘電体共振器装置を、
例えば回路基板上に表面実装可能なフィルタとして用い
ることはできなかった。
いては、誘電体共振素子4を取り付けた誘電体基板14
を金属ブロック15の上部に配置し、さらに金属カバー
17で被うことによって初めてフィルタとして作用させ
ることができ、このような構造の誘電体共振器装置を、
例えば回路基板上に表面実装可能なフィルタとして用い
ることはできなかった。
【0007】この発明の目的は、全体に小型軽量化でき
るようにした誘電体共振器装置を提供することにある。
るようにした誘電体共振器装置を提供することにある。
【0008】この発明の他の目的は、回路基板上への実
装性を高めた誘電体共振器装置を提供することにある。
装性を高めた誘電体共振器装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明の誘電体共振器
装置は、全体に小型軽量化できるようにするために請求
項1に記載の通り、上面または下面にアース導体を設け
た絶縁基板上に誘電体共振素子を配置し、この誘電体共
振素子と電磁界結合する信号結合子を内側へ突出させた
シールドカバーを前記基板上に被せて前記誘電体共振素
子の周囲をシールドして成る。
装置は、全体に小型軽量化できるようにするために請求
項1に記載の通り、上面または下面にアース導体を設け
た絶縁基板上に誘電体共振素子を配置し、この誘電体共
振素子と電磁界結合する信号結合子を内側へ突出させた
シールドカバーを前記基板上に被せて前記誘電体共振素
子の周囲をシールドして成る。
【0010】また、この発明の誘電体共振器装置は、回
路基板上への実装性を高めるため、請求項2に記載の通
り、下面にアース導体を設けた絶縁基板上に誘電体共振
素子を配置するとともに、前記基板の上面または内部に
前記誘電体共振素子と電磁界結合する信号結合導体を設
け、該信号結合導体の一部を前記基板の下面部または側
面部に導出し、シールドカバーを前記基板上に被せて前
記誘電体共振素子の周囲をシールドして成る。
路基板上への実装性を高めるため、請求項2に記載の通
り、下面にアース導体を設けた絶縁基板上に誘電体共振
素子を配置するとともに、前記基板の上面または内部に
前記誘電体共振素子と電磁界結合する信号結合導体を設
け、該信号結合導体の一部を前記基板の下面部または側
面部に導出し、シールドカバーを前記基板上に被せて前
記誘電体共振素子の周囲をシールドして成る。
【0011】この発明の請求項1に係る誘電体共振器装
置では、絶縁基板上に誘電体共振素子を配置するため、
従来のような低誘電率の支持台を用いる必要がなく、そ
の基板上を被うシールドカバーに、誘電体共振素子と電
磁界結合する信号結合子を設けたため、全体に小型軽量
化される。
置では、絶縁基板上に誘電体共振素子を配置するため、
従来のような低誘電率の支持台を用いる必要がなく、そ
の基板上を被うシールドカバーに、誘電体共振素子と電
磁界結合する信号結合子を設けたため、全体に小型軽量
化される。
【0012】この発明の請求項2に係る誘電体共振器装
置では、絶縁基板上に誘電体共振素子を配置するととも
に、その基板の上面または内部に誘電体共振素子と電磁
界結合する信号結合導体を設けたため、単体部品として
の信号結合子が不要となり、しかも基板の下面部または
側面部に信号結合導体の一部を導出したため、実装すべ
き回路基板上にこの誘電体共振器装置を直接表面実装で
きるようになる。
置では、絶縁基板上に誘電体共振素子を配置するととも
に、その基板の上面または内部に誘電体共振素子と電磁
界結合する信号結合導体を設けたため、単体部品として
の信号結合子が不要となり、しかも基板の下面部または
側面部に信号結合導体の一部を導出したため、実装すべ
き回路基板上にこの誘電体共振器装置を直接表面実装で
きるようになる。
【0013】
【発明の実施の形態】この発明の第1の実施形態に係る
誘電体共振器装置の構造を図1に示す。
誘電体共振器装置の構造を図1に示す。
【0014】図1の(A)は絶縁基板およびその上面に
配置した誘電体共振素子の形状を示す上面図、(B)は
この基板上にシールドカバーを被せて構成した誘電体共
振器装置の上面図、(C)はその断面図である。(A)
に示すように、基板1は例えばBTレジンやガラス・エ
ポキシ系のプリント基板または低誘電率もしくは高誘電
率のセラミック基板であり、その上面の周囲部分から端
面を介して下面の略全面に銅箔、金電極または銀電極に
よるアース導体6を形成している。この基板1にはフラ
ンジ状の突出部を設けるとともに、そのフランジ状の突
出部に係合孔7を設けている。この基板1の上面には円
筒状の高誘電率セラミクスからなる誘電体共振素子4を
所定位置に接着固定している。このように基板1を構成
し、図1の(B)に示すように基板1の上面に誘電体共
振素子4の周囲をシールドするシールドカバー2を被せ
ることによって誘電体共振器装置を構成する。このシー
ルドカバー2は金属板の深絞り加工または折り曲げ加工
により形成していて、その側部に入出力コネクタ5を取
り付けている。この入出力コネクタ5の中心導体から連
続して内部方向へ信号結合子3を突出させている。シー
ルドカバー2はそのフランジ部分2fを基板1の上面の
周囲に設けたアース導体6に半田付けすることによって
取り付けている。
配置した誘電体共振素子の形状を示す上面図、(B)は
この基板上にシールドカバーを被せて構成した誘電体共
振器装置の上面図、(C)はその断面図である。(A)
に示すように、基板1は例えばBTレジンやガラス・エ
ポキシ系のプリント基板または低誘電率もしくは高誘電
率のセラミック基板であり、その上面の周囲部分から端
面を介して下面の略全面に銅箔、金電極または銀電極に
よるアース導体6を形成している。この基板1にはフラ
ンジ状の突出部を設けるとともに、そのフランジ状の突
出部に係合孔7を設けている。この基板1の上面には円
筒状の高誘電率セラミクスからなる誘電体共振素子4を
所定位置に接着固定している。このように基板1を構成
し、図1の(B)に示すように基板1の上面に誘電体共
振素子4の周囲をシールドするシールドカバー2を被せ
ることによって誘電体共振器装置を構成する。このシー
ルドカバー2は金属板の深絞り加工または折り曲げ加工
により形成していて、その側部に入出力コネクタ5を取
り付けている。この入出力コネクタ5の中心導体から連
続して内部方向へ信号結合子3を突出させている。シー
ルドカバー2はそのフランジ部分2fを基板1の上面の
周囲に設けたアース導体6に半田付けすることによって
取り付けている。
【0015】このように構成したことにより、3つの誘
電体共振素子4のうち両側の誘電体共振素子4と信号結
合子3とが電磁界結合し、また隣接する誘電体共振素子
4−4間が電磁界(磁界)結合し、3段のTE01δモ
ードの誘電体共振器からなるフィルタとして作用する誘
電体共振器装置を得る。なお、この誘電体共振器装置を
通信装置内で用いる際、基板1に設けた係合孔7を利用
して、取り付け部にネジ留め固定し、同軸ケーブルを介
して信号の入出力を行う。
電体共振素子4のうち両側の誘電体共振素子4と信号結
合子3とが電磁界結合し、また隣接する誘電体共振素子
4−4間が電磁界(磁界)結合し、3段のTE01δモ
ードの誘電体共振器からなるフィルタとして作用する誘
電体共振器装置を得る。なお、この誘電体共振器装置を
通信装置内で用いる際、基板1に設けた係合孔7を利用
して、取り付け部にネジ留め固定し、同軸ケーブルを介
して信号の入出力を行う。
【0016】次に、この発明の第2の実施形態に係る誘
電体共振器装置の構造を図2に示す。
電体共振器装置の構造を図2に示す。
【0017】図2の(A)はシールドカバーを取り付け
る前の基板上面の各種パターンおよび誘電体共振素子の
配置を示す上面図、(B)はその正面図、(C)は底面
図である。また、(D)はシールドカバーを被せて構成
した誘電体共振器装置の上面図、(E)はその断面図で
ある。(A)〜(C)に示すように、例えばBTレジン
やガラス・エポキシ系のプリント基板または低誘電率も
しくは高誘電率のセラミック基板からなる基板1の上面
の周囲部分から端面を介して下面の略全面にアース導体
6を形成している。基板1の上面には信号結合導体8を
形成していて、スルーホール9を介して基板1の下面か
ら端面にかけて入出力導体10を導出している。これら
の各部の導体は銅箔、金電極または銀電極により形成し
ている。また、基板1の上面には高誘電率セラミクスか
らなる円筒状の誘電体共振素子4を接着固定している。
この誘電体共振器装置は、図2の(D)および(E)に
示すように、金属板の深絞り加工または折り曲げ加工に
より形成したシールドカバー2を、誘電体共振素子4お
よび信号結合導体8を被うように基板1の上面に取り付
けている。この例ではシールドケース2のフランジ部2
fを、基板1の上面に形成しているアース導体6に半田
付けしている。
る前の基板上面の各種パターンおよび誘電体共振素子の
配置を示す上面図、(B)はその正面図、(C)は底面
図である。また、(D)はシールドカバーを被せて構成
した誘電体共振器装置の上面図、(E)はその断面図で
ある。(A)〜(C)に示すように、例えばBTレジン
やガラス・エポキシ系のプリント基板または低誘電率も
しくは高誘電率のセラミック基板からなる基板1の上面
の周囲部分から端面を介して下面の略全面にアース導体
6を形成している。基板1の上面には信号結合導体8を
形成していて、スルーホール9を介して基板1の下面か
ら端面にかけて入出力導体10を導出している。これら
の各部の導体は銅箔、金電極または銀電極により形成し
ている。また、基板1の上面には高誘電率セラミクスか
らなる円筒状の誘電体共振素子4を接着固定している。
この誘電体共振器装置は、図2の(D)および(E)に
示すように、金属板の深絞り加工または折り曲げ加工に
より形成したシールドカバー2を、誘電体共振素子4お
よび信号結合導体8を被うように基板1の上面に取り付
けている。この例ではシールドケース2のフランジ部2
fを、基板1の上面に形成しているアース導体6に半田
付けしている。
【0018】このように構成したことにより基板1に設
けたアース導体6とシールドカバー2とによって誘電体
共振素子4および信号結合導体8の周囲がシールドさ
れ、信号結合導体8とこれに隣接する誘電体共振素子4
とが電磁界結合し、また隣接する誘電体共振素子4−4
間が電磁界(磁界)結合し、3段のTE01δモードの
誘電体共振器からなるフィルタとして作用する誘電体共
振器装置を得る。この誘電体共振器装置を通信装置内で
用いる場合、実装すべき回路基板上に表面実装する。そ
の際、基板1の下面から端面にかけて形成したアース導
体6および入出力導体10が実装基板上の導体パターン
に半田付けされる。
けたアース導体6とシールドカバー2とによって誘電体
共振素子4および信号結合導体8の周囲がシールドさ
れ、信号結合導体8とこれに隣接する誘電体共振素子4
とが電磁界結合し、また隣接する誘電体共振素子4−4
間が電磁界(磁界)結合し、3段のTE01δモードの
誘電体共振器からなるフィルタとして作用する誘電体共
振器装置を得る。この誘電体共振器装置を通信装置内で
用いる場合、実装すべき回路基板上に表面実装する。そ
の際、基板1の下面から端面にかけて形成したアース導
体6および入出力導体10が実装基板上の導体パターン
に半田付けされる。
【0019】次に、この発明の第3の実施形態に係る誘
電体共振器装置の構成を図3に示す。
電体共振器装置の構成を図3に示す。
【0020】図3の(A)はシールドカバーを取り付け
る前の基板上面の各種パターンおよび誘電体共振素子の
配置を示す上面図、(B)はその正面図、(C)は底面
図である。また、(D)はシールドカバーを被せて構成
した誘電体共振器装置の上面図、(E)はその断面図で
ある。基本構成は図2に示したものと同様であるが、基
板1を多層配線基板とし、信号結合導体8を基板1の上
面ではなく内部の層に形成している。また、(B),
(C),(E)に表れているように、信号結合導体8の
端部を入出力導体10として基板1の端面から下面にか
けて導出している。このように構成したことにより、信
号結合導体8と誘電体共振素子4との間隔を近接させる
ことができ、必要に応じて平面的には重なった位置に信
号結合導体8と誘電体共振素子4とを配置することも可
能となる。
る前の基板上面の各種パターンおよび誘電体共振素子の
配置を示す上面図、(B)はその正面図、(C)は底面
図である。また、(D)はシールドカバーを被せて構成
した誘電体共振器装置の上面図、(E)はその断面図で
ある。基本構成は図2に示したものと同様であるが、基
板1を多層配線基板とし、信号結合導体8を基板1の上
面ではなく内部の層に形成している。また、(B),
(C),(E)に表れているように、信号結合導体8の
端部を入出力導体10として基板1の端面から下面にか
けて導出している。このように構成したことにより、信
号結合導体8と誘電体共振素子4との間隔を近接させる
ことができ、必要に応じて平面的には重なった位置に信
号結合導体8と誘電体共振素子4とを配置することも可
能となる。
【0021】尚、第3の実施形態では、信号結合導体8
を多層配線基板の内部の層に形成することによって、信
号結合導体8と誘電体共振素子4との間に絶縁層を介在
させるようにしたが、例えば通常のプリント基板の上面
に信号結合導体8を形成し、その表面にレジスト膜を覆
い、レジスト膜上に誘電体共振素子4を配置することに
よって、平面的に重なった位置に信号結合導体8と誘電
体共振素子4とを配置してもよい。
を多層配線基板の内部の層に形成することによって、信
号結合導体8と誘電体共振素子4との間に絶縁層を介在
させるようにしたが、例えば通常のプリント基板の上面
に信号結合導体8を形成し、その表面にレジスト膜を覆
い、レジスト膜上に誘電体共振素子4を配置することに
よって、平面的に重なった位置に信号結合導体8と誘電
体共振素子4とを配置してもよい。
【0022】
【発明の効果】この発明の請求項1に係る誘電体共振器
装置によれば、誘電体共振素子を配置する面を絶縁基板
とし、その基板に直接シールドカバーを被せた構造とし
たため、全体に小型軽量化され、小型の通信装置内への
取付が容易となる。
装置によれば、誘電体共振素子を配置する面を絶縁基板
とし、その基板に直接シールドカバーを被せた構造とし
たため、全体に小型軽量化され、小型の通信装置内への
取付が容易となる。
【0023】請求項2に係る誘電体共振器装置によれ
ば、誘電体共振素子を配置した基板に信号結合導体を設
け、基板の下面部または側面部にその一部を導出したこ
とにより、他の表面実装部品と同様に回路基板への表面
実装が容易となり、実装基板の低背化が可能となる。
ば、誘電体共振素子を配置した基板に信号結合導体を設
け、基板の下面部または側面部にその一部を導出したこ
とにより、他の表面実装部品と同様に回路基板への表面
実装が容易となり、実装基板の低背化が可能となる。
【図1】第1の実施形態に係る誘電体共振器装置の構造
を示す図である。
を示す図である。
【図2】第2の実施形態に係る誘電体共振器装置の構造
を示す図である。
を示す図である。
【図3】第3の実施形態に係る誘電体共振器装置の構造
を示す図である。
を示す図である。
【図4】従来の誘電体共振器装置の構造を示す図であ
る。
る。
【図5】従来の誘電体共振器装置の構造を示す図であ
る。
る。
1−基板 2−シールドカバー 3−信号結合子 4−誘電体共振素子 5−入出力コネクタ 6−アース導体 7−係合孔 8−信号結合導体 9−スルーホール 10−入出力導体 11−金属ケース 12−金属カバー 13−支持台 14−誘電体基板 15−金属ブロック 16−マイクロストリップ線路 17−金属カバー 18−金属ブロック
Claims (2)
- 【請求項1】 上面または下面にアース導体を設けた絶
縁基板上に誘電体共振素子を配置し、この誘電体共振素
子と電磁界結合する信号結合子を内側へ突出させたシー
ルドカバーを前記基板上に被せて前記誘電体共振素子の
周囲をシールドして成る誘電体共振器装置。 - 【請求項2】 下面にアース導体を設けた絶縁基板上に
誘電体共振素子を配置するとともに、前記基板の上面ま
たは内部に前記誘電体共振素子と電磁界結合する信号結
合導体を設け、該信号結合導体の一部を前記基板の下面
部または側面部に導出し、シールドカバーを前記基板上
に被せて前記誘電体共振素子の周囲をシールドして成る
誘電体共振器装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27276495A JPH09116303A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 誘電体共振器装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27276495A JPH09116303A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 誘電体共振器装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09116303A true JPH09116303A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17518422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27276495A Pending JPH09116303A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 誘電体共振器装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09116303A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015146700A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日立オートモティブシステムズステアリング株式会社 | モータ制御装置およびパワーステアリング装置 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP27276495A patent/JPH09116303A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015146700A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 日立オートモティブシステムズステアリング株式会社 | モータ制御装置およびパワーステアリング装置 |
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