JPH05175597A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05175597A JPH05175597A JP34341591A JP34341591A JPH05175597A JP H05175597 A JPH05175597 A JP H05175597A JP 34341591 A JP34341591 A JP 34341591A JP 34341591 A JP34341591 A JP 34341591A JP H05175597 A JPH05175597 A JP H05175597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser device
- semiconductor laser
- type
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高光出力及び長寿命の半導体レーザ装置を提
供する 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板上にアンドープ型ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ活性層を含む半導体層を構成する。このＡｌＧ
ａＩｎＡｓはその格子定数がＧａＡｓの格子定数に比べ
て０．３〜１％大きくなるように組成比が選択されてい
る。
供する 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板上にアンドープ型ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ活性層を含む半導体層を構成する。このＡｌＧ
ａＩｎＡｓはその格子定数がＧａＡｓの格子定数に比べ
て０．３〜１％大きくなるように組成比が選択されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｌＧａＩｎＡｓからな
る活性層をもつ半導体レーザ装置に関する。
る活性層をもつ半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ系半導体レーザ装置は波長７８
０ｎｍ帯のレーザ光の出力が行え、コンパクトディスク
（ＣＤ）及び光ディスクの規格に対応できるものであ
る。図６に従来のＧａＡｓ系半導体レーザ装置の断面図
を示す。
０ｎｍ帯のレーザ光の出力が行え、コンパクトディスク
（ＣＤ）及び光ディスクの規格に対応できるものであ
る。図６に従来のＧａＡｓ系半導体レーザ装置の断面図
を示す。
【０００３】斯る半導体レーザ装置はｎ型ＧａＡｓ基板
２１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、ｎ型Ａｌ0.4Ｇ
ａ0.6Ａｓクラッド層２３、アンドープ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ活性層２４、ストライプ形状のリッジ部を持つ
ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層２５、そして該リッ
ジ部上にｐ型ＧａＡｓキャップ層２６が前記ＧａＡｓ基
板２１のＧａＡｓに格子整合して順次構成されている。
そして、このキャップ層２６上を略除いてＳｉＯ2等の
絶縁層２７が形成されており、この絶縁層２７上及び該
絶縁層２７が形成されていないキャップ層２６上にはＡ
ｕ／Ｃｒからなるｐ型電極２８が形成されている。ま
た、ｎ型基板２１の下面にはＡｕ／Ｓｎからなるｎ型電
極２９が形成されている。
２１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、ｎ型Ａｌ0.4Ｇ
ａ0.6Ａｓクラッド層２３、アンドープ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ活性層２４、ストライプ形状のリッジ部を持つ
ｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層２５、そして該リッ
ジ部上にｐ型ＧａＡｓキャップ層２６が前記ＧａＡｓ基
板２１のＧａＡｓに格子整合して順次構成されている。
そして、このキャップ層２６上を略除いてＳｉＯ2等の
絶縁層２７が形成されており、この絶縁層２７上及び該
絶縁層２７が形成されていないキャップ層２６上にはＡ
ｕ／Ｃｒからなるｐ型電極２８が形成されている。ま
た、ｎ型基板２１の下面にはＡｕ／Ｓｎからなるｎ型電
極２９が形成されている。
【０００４】しかしながら、斯る構造の半導体レーザ装
置は読み出し専用としては光出力は十分であったが、書
き込み用としては光出力が小さいため、書き込み用とし
て用いることができなかった。
置は読み出し専用としては光出力は十分であったが、書
き込み用としては光出力が小さいため、書き込み用とし
て用いることができなかった。
【０００５】この問題を解決するために、例えば第５０
回応用物理学会学術講演会講演予稿集（１９８９）のｐ
８９９の２８ｐ−ＺＧ−９には、光出力する端面に（Ｎ
Ｈ4）2Ｓ溶液処理を行い、ＣＯＤ（瞬時光学損傷）を防
止して高光出力化が行えたことが報告されている。
回応用物理学会学術講演会講演予稿集（１９８９）のｐ
８９９の２８ｐ−ＺＧ−９には、光出力する端面に（Ｎ
Ｈ4）2Ｓ溶液処理を行い、ＣＯＤ（瞬時光学損傷）を防
止して高光出力化が行えたことが報告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように活性層にＡｌＧａＡｓ層を用いる半導体レーザ装
置では、光出力する端面の溶液処理によりＯＣＤを防止
する方法を用いると、高光出力化できるが、高光出力し
た動作状態での寿命が短く、例えば５０℃、４０ｍＷ条
件下における１０００時間の連続動作後の半導体レーザ
装置の生存率（歩留まり）が、生産工程上最低限必要な
７０％を得られないといった問題があった。
ように活性層にＡｌＧａＡｓ層を用いる半導体レーザ装
置では、光出力する端面の溶液処理によりＯＣＤを防止
する方法を用いると、高光出力化できるが、高光出力し
た動作状態での寿命が短く、例えば５０℃、４０ｍＷ条
件下における１０００時間の連続動作後の半導体レーザ
装置の生存率（歩留まり）が、生産工程上最低限必要な
７０％を得られないといった問題があった。
【０００７】本発明は係る問題点に鑑み成されたもので
あり、高光出力状態で長寿命である半導体レーザ装置を
提供することである。
あり、高光出力状態で長寿命である半導体レーザ装置を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を含む
半導体層を有することを特徴とする。
置は、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を含む
半導体層を有することを特徴とする。
【０００９】特に、前記ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層が圧縮
歪みをもつことを特徴とし、更に、前記ＡｌＧａＩｎＡ
ｓの格子定数が前記ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３
〜１％大きいことを特徴とする。
歪みをもつことを特徴とし、更に、前記ＡｌＧａＩｎＡ
ｓの格子定数が前記ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３
〜１％大きいことを特徴とする。
【００１０】
【作用】ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を構
成すると、高光出力化及び長寿命化が図れる。特に、前
記活性層が圧縮歪みをもつと効果があり、更に活性層を
構成するＡｌＧａＩｎＡｓの格子定数を基板を構成する
ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３〜１％大きくすると
より望ましい。
成すると、高光出力化及び長寿命化が図れる。特に、前
記活性層が圧縮歪みをもつと効果があり、更に活性層を
構成するＡｌＧａＩｎＡｓの格子定数を基板を構成する
ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３〜１％大きくすると
より望ましい。
【００１１】
【実施例】本発明に係る一実施例について図面を用いて
説明する。図１は本実施例の半導体レーザ装置の断面図
であり、この共振器長は例えば５００μｍである。
説明する。図１は本実施例の半導体レーザ装置の断面図
であり、この共振器長は例えば５００μｍである。
【００１２】図中、１はｎ型ＧａＡｓ基板である。この
ｎ型基板１の（１００）面上には１μｍ厚のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層（Ｓｉドープ濃度：１×１０18ｃｍ-3）
２、１μｍ厚のｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層（Ｓ
ｉドープ濃度：３×１０17〜５×１０17ｃｍ-3）３がこ
の順序で格子整合する状態で形成されている。このｎ型
クラッド層３上にはび０．０５μｍ厚のアンドープ型Ａ
ｌuＧａ1-uＡｓグレーディド層４が略格子整合するよう
に、その組成比ｕを０．４から０．２５に連続的に変化
して形成されている。
ｎ型基板１の（１００）面上には１μｍ厚のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層（Ｓｉドープ濃度：１×１０18ｃｍ-3）
２、１μｍ厚のｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層（Ｓ
ｉドープ濃度：３×１０17〜５×１０17ｃｍ-3）３がこ
の順序で格子整合する状態で形成されている。このｎ型
クラッド層３上にはび０．０５μｍ厚のアンドープ型Ａ
ｌuＧａ1-uＡｓグレーディド層４が略格子整合するよう
に、その組成比ｕを０．４から０．２５に連続的に変化
して形成されている。
【００１３】このグレーディド層４上には、１００Å厚
のアンドープ型ＡｌxＧａ1-x-yＩｎ yＡｓ活性層（以
下、アンドープ型ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層という）５が
形成されている。この活性層５の格子定数は５．６７０
〜５．７１０Åであり、基板１を構成するＧａＡｓの格
子定数（５．６５３Å）に比べて０．３〜１％大きくな
っている。
のアンドープ型ＡｌxＧａ1-x-yＩｎ yＡｓ活性層（以
下、アンドープ型ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層という）５が
形成されている。この活性層５の格子定数は５．６７０
〜５．７１０Åであり、基板１を構成するＧａＡｓの格
子定数（５．６５３Å）に比べて０．３〜１％大きくな
っている。
【００１４】この活性層５上には０．０５μｍ厚のアン
ドープ型ＡｌuＧａ1-uＡｓグレーディド層６が略格子整
合するように、その組成比ｕを０．２５から０．４に連
続的に変化して形成されている。そして、このグレーテ
ィッド層６上には幅約４μｍそして厚み１μｍのストラ
イプ形状のリッジ部７ａを有するｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａ
ｓクラッド層（Ｂｅドープ濃度：５×１０17〜７×１０
17ｃｍ-3）７、及び０．７μｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層（Ｂｅドープ濃度：１×１０19ｃｍ-3）８がこの順
序で形成されている。
ドープ型ＡｌuＧａ1-uＡｓグレーディド層６が略格子整
合するように、その組成比ｕを０．２５から０．４に連
続的に変化して形成されている。そして、このグレーテ
ィッド層６上には幅約４μｍそして厚み１μｍのストラ
イプ形状のリッジ部７ａを有するｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａ
ｓクラッド層（Ｂｅドープ濃度：５×１０17〜７×１０
17ｃｍ-3）７、及び０．７μｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層（Ｂｅドープ濃度：１×１０19ｃｍ-3）８がこの順
序で形成されている。
【００１５】そして、ＧａＡｓキャップ層８上を略除い
てＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4等の絶縁層９が形成されてお
り、この絶縁層９上及び該絶縁層９が形成されていない
キャップ層８上にはＡｕ／Ｃｒからなるｐ型電極１０が
形成されている。また、ｎ型基板２１の下面にはＡｕ／
Ｓｎからなるｎ型電極１１が形成されている。
てＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4等の絶縁層９が形成されてお
り、この絶縁層９上及び該絶縁層９が形成されていない
キャップ層８上にはＡｕ／Ｃｒからなるｐ型電極１０が
形成されている。また、ｎ型基板２１の下面にはＡｕ／
Ｓｎからなるｎ型電極１１が形成されている。
【００１６】ここで、アンドープ型活性層５を構成する
ＡｌＧａＩｎＡｓはその組成比ｘ、ｙ、格子定数ａ、及
びエネルギーギャップ値Ｅgには図２に示す関係をもつ
ので、該組成比ｘ、ｙを選択して前記ＧａＡｓの格子定
数より０．３〜１％大きい格子定数にでき、更にエネル
ギーギャップ値Ｅgを波長７８０ｎｍ帯に対応するよう
にもできる。例えば、Ａｌ0.3Ｇａ0.63Ｉｎ0.07Ａｓか
らなる活性層をもつ半導体レーザ装置の場合、そのＡｌ
0.3Ｇａ0.63Ｉｎ0.07Ａｓの格子定数は５．６７８Åと
前記ＧａＡｓの格子定数に比べて０．４％大きく、且つ
波長７８０ｎｍ帯の光を出力する。
ＡｌＧａＩｎＡｓはその組成比ｘ、ｙ、格子定数ａ、及
びエネルギーギャップ値Ｅgには図２に示す関係をもつ
ので、該組成比ｘ、ｙを選択して前記ＧａＡｓの格子定
数より０．３〜１％大きい格子定数にでき、更にエネル
ギーギャップ値Ｅgを波長７８０ｎｍ帯に対応するよう
にもできる。例えば、Ａｌ0.3Ｇａ0.63Ｉｎ0.07Ａｓか
らなる活性層をもつ半導体レーザ装置の場合、そのＡｌ
0.3Ｇａ0.63Ｉｎ0.07Ａｓの格子定数は５．６７８Åと
前記ＧａＡｓの格子定数に比べて０．４％大きく、且つ
波長７８０ｎｍ帯の光を出力する。
【００１７】また、前記グレーティッド層４、６は活性
層５に光を閉じ込める作用をしており、上述のようにグ
レーティッド層４、６及び活性層５の全層厚が出力する
光の波長の半分以上になるように設定するのがよい。
層５に光を閉じ込める作用をしており、上述のようにグ
レーティッド層４、６及び活性層５の全層厚が出力する
光の波長の半分以上になるように設定するのがよい。
【００１８】次に、上記半導体レーザ装置の製造方法に
ついて図３を用いて説明する。
ついて図３を用いて説明する。
【００１９】最初に、図３（ａ）に示すように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１の温度６５０℃である条件下で、全ての半
導体層を分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により形成
した。即ち、最初に前記ｎ型ＧａＡｓ基板１の（１０
０）面上にそれぞれ格子整合するように１μｍ厚のｎ型
ＧａＡｓバッファ層２と１μｍ厚のｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層３をこの順序で形成する。このｎ型クラ
ッド層３上には０．０５μｍ厚のアンドープ型ＡｌuＧ
ａ1-uＡｓグレーディド層４が略格子整合するようにそ
の組成比ｕを０．４から０．２５に連続的に変化するよ
うにＭＢＥ法により形成する。
ａＡｓ基板１の温度６５０℃である条件下で、全ての半
導体層を分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）により形成
した。即ち、最初に前記ｎ型ＧａＡｓ基板１の（１０
０）面上にそれぞれ格子整合するように１μｍ厚のｎ型
ＧａＡｓバッファ層２と１μｍ厚のｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層３をこの順序で形成する。このｎ型クラ
ッド層３上には０．０５μｍ厚のアンドープ型ＡｌuＧ
ａ1-uＡｓグレーディド層４が略格子整合するようにそ
の組成比ｕを０．４から０．２５に連続的に変化するよ
うにＭＢＥ法により形成する。
【００２０】その後、このグレーディド層４上には、１
００Å厚のアンドープ型ＡｌxＧａ1 -x-yＩｎyＡｓ活性
層５が前記ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３〜１％大
きくなるように所望の組成比ｘ、ｙでＭＢＥ法により形
成する。
００Å厚のアンドープ型ＡｌxＧａ1 -x-yＩｎyＡｓ活性
層５が前記ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３〜１％大
きくなるように所望の組成比ｘ、ｙでＭＢＥ法により形
成する。
【００２１】更に、この活性層５上には０．０５μｍ厚
のアンドープ型ＡｌuＧａ1-uＡｓグレーディド層６が略
格子整合するようにその組成比ｕが０．２５から０．４
に連続的に変化させて形成する。その後、このグレーデ
ィド層６上に１μｍ厚のｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッ
ド層７、及び０．７μｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャップ層８
をこの順序でＭＢＥ法により形成する。
のアンドープ型ＡｌuＧａ1-uＡｓグレーディド層６が略
格子整合するようにその組成比ｕが０．２５から０．４
に連続的に変化させて形成する。その後、このグレーデ
ィド層６上に１μｍ厚のｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッ
ド層７、及び０．７μｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャップ層８
をこの順序でＭＢＥ法により形成する。
【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、前記ｐ型
キャップ層８上にレジスト膜をスピンコート法により形
成した後、該レジスト膜を幅約４μｍのストライプ状に
パターン化する。このパータン化したレジストパターン
膜１２をマスクとして、リン酸系エッチャント（例え
ば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：１のモル比か
らなる溶液）により、前記ｐ型キャップ層８及びｐ型ク
ラッド層７をエッチングして、該ｐ型クラッド層７上面
にｐ型キャップ層８をもつストライプ形状のリッジ部７
ａを形成する。その後、前記レジストパターン膜１２を
除去する。
キャップ層８上にレジスト膜をスピンコート法により形
成した後、該レジスト膜を幅約４μｍのストライプ状に
パターン化する。このパータン化したレジストパターン
膜１２をマスクとして、リン酸系エッチャント（例え
ば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：１のモル比か
らなる溶液）により、前記ｐ型キャップ層８及びｐ型ク
ラッド層７をエッチングして、該ｐ型クラッド層７上面
にｐ型キャップ層８をもつストライプ形状のリッジ部７
ａを形成する。その後、前記レジストパターン膜１２を
除去する。
【００２３】続いて、図示しないが、前記ｐ型キャップ
層８及びｐ型クラッド層７上に層厚０．２〜０．５μｍ
厚のＳｉＯ2、またはＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜９を熱ＣＶＤ
法、スパッタリング法等により形成する。その後、前記
ｐ型キャップ層８の上面に形成された絶縁層９を除去し
て該ｐ型キャップ層８の上面を露出した後、この露出し
たｐ型キャップ層８の上面及び絶縁層９全域にＡｕ／Ｃ
ｒからなるｐ型電極１０を形成すると共にｎ型ＧａＡｓ
基板１の下面にＡｕ／Ｓｎからなるｎ型電極１１を形成
する。
層８及びｐ型クラッド層７上に層厚０．２〜０．５μｍ
厚のＳｉＯ2、またはＳｉ3Ｎ4等の絶縁膜９を熱ＣＶＤ
法、スパッタリング法等により形成する。その後、前記
ｐ型キャップ層８の上面に形成された絶縁層９を除去し
て該ｐ型キャップ層８の上面を露出した後、この露出し
たｐ型キャップ層８の上面及び絶縁層９全域にＡｕ／Ｃ
ｒからなるｐ型電極１０を形成すると共にｎ型ＧａＡｓ
基板１の下面にＡｕ／Ｓｎからなるｎ型電極１１を形成
する。
【００２４】その後、前記基板１をへき開して図１に示
す半導体レーザ装置が完成する。尚、上述では半導体層
をＭＢＥ法で形成したが、有機金属気相成長法（ＭＯＣ
ＶＤ）法で形成してもよい。
す半導体レーザ装置が完成する。尚、上述では半導体層
をＭＢＥ法で形成したが、有機金属気相成長法（ＭＯＣ
ＶＤ）法で形成してもよい。
【００２５】斯る半導体レーザ装置は、例えば図４に活
性層が格子定数５．６７８ÅのＡｌ 0.3Ｇａ0.63Ｉｎ
0.07Ａｓからなる場合の電流−光出力特性を示すよう
に、閾値電流が低減すると共にＣＯＤ破壊が２００ｍＷ
においても発生せず、高光出力が行えた。
性層が格子定数５．６７８ÅのＡｌ 0.3Ｇａ0.63Ｉｎ
0.07Ａｓからなる場合の電流−光出力特性を示すよう
に、閾値電流が低減すると共にＣＯＤ破壊が２００ｍＷ
においても発生せず、高光出力が行えた。
【００２６】また、図５に温度５０℃、光出力４０ｍＷ
条件下における１０００時間の連続動作後の半導体レー
ザ装置の生存率（歩留まり）と、基板に用いられるＧａ
Ａｓの格子定数（５．６５３Å）に対するＡｌxＧａ
1-x-yＩｎyＡｓの格子定数の比の関係を示す。但し、光
出力する端面のうち、前面に反射率７％、後面に反射率
８０％のコーティングを施している。
条件下における１０００時間の連続動作後の半導体レー
ザ装置の生存率（歩留まり）と、基板に用いられるＧａ
Ａｓの格子定数（５．６５３Å）に対するＡｌxＧａ
1-x-yＩｎyＡｓの格子定数の比の関係を示す。但し、光
出力する端面のうち、前面に反射率７％、後面に反射率
８０％のコーティングを施している。
【００２７】この図から、前記格子定数の比が１．００
３以上かつ１．０１０以下、即ち前記ＧａＡｓの格子定
数に比べて０．３〜１．０％大きい格子定数を持つＡｌ
ＧａＩｎＡｓからなる活性層を有する本発明の半導体レ
ーザ装置の場合に生存比が７０％以上になり、特に該比
が１．００５以上かつ１．００８以下の場合に生存率が
８５％となることが判る。
３以上かつ１．０１０以下、即ち前記ＧａＡｓの格子定
数に比べて０．３〜１．０％大きい格子定数を持つＡｌ
ＧａＩｎＡｓからなる活性層を有する本発明の半導体レ
ーザ装置の場合に生存比が７０％以上になり、特に該比
が１．００５以上かつ１．００８以下の場合に生存率が
８５％となることが判る。
【００２８】このように、上記半導体レーザ装置は、Ｇ
ａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を構成し、この
活性層を構成するＡｌＧａＩｎＡｓの組成比を選択して
ＡｌＧａＩｎＡｓの格子定数を基板を構成するＧａＡｓ
の格子定数に比べて０．３〜１％大きくすることによ
り、前記活性層に圧縮歪を生じさせて、エネルギバンド
構造を変化させることができるので、高光出力化、長寿
命化、及び低閾値化が実現できる。更に、前記ＡｌＧａ
ＩｎＡｓの組成比を選択して高光出力化、長寿命化、及
び低閾値化の他、所望の波長、例えば波長７８０ｎｍ帯
の光出力が可能である。
ａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を構成し、この
活性層を構成するＡｌＧａＩｎＡｓの組成比を選択して
ＡｌＧａＩｎＡｓの格子定数を基板を構成するＧａＡｓ
の格子定数に比べて０．３〜１％大きくすることによ
り、前記活性層に圧縮歪を生じさせて、エネルギバンド
構造を変化させることができるので、高光出力化、長寿
命化、及び低閾値化が実現できる。更に、前記ＡｌＧａ
ＩｎＡｓの組成比を選択して高光出力化、長寿命化、及
び低閾値化の他、所望の波長、例えば波長７８０ｎｍ帯
の光出力が可能である。
【００２９】尚、上記実施例では基板はｎ型ＧａＡｓで
構成されているが、ｐ型ＧａＡｓでもよい。但し、ｐ型
ＧａＡｓ基板の場合は、クラッド層、キャップ層も上述
と逆の導電型にする必要がある。
構成されているが、ｐ型ＧａＡｓでもよい。但し、ｐ型
ＧａＡｓ基板の場合は、クラッド層、キャップ層も上述
と逆の導電型にする必要がある。
【００３０】また、活性層はｐまたｎ型の導電型でもよ
いが、上述のようにアンドープ型である場合に、特に高
出力化できる。
いが、上述のようにアンドープ型である場合に、特に高
出力化できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は、ＧａＡｓ
基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を構成するので、高光
出力化、及び長寿命化が図れる。更に、前記活性層が圧
縮歪みをもつと効果がある。特に活性層を構成するＡｌ
ＧａＩｎＡｓの格子定数を基板を構成するＧａＡｓの格
子定数に比べて０．３〜１％大きくすることにより、前
記活性層に圧縮歪が加わり、高光出力化及び長寿命化が
実現できる。
基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性層を構成するので、高光
出力化、及び長寿命化が図れる。更に、前記活性層が圧
縮歪みをもつと効果がある。特に活性層を構成するＡｌ
ＧａＩｎＡｓの格子定数を基板を構成するＧａＡｓの格
子定数に比べて０．３〜１％大きくすることにより、前
記活性層に圧縮歪が加わり、高光出力化及び長寿命化が
実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一実施例の半導体レーザ装置の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ装置の活性層を構成
するＡｌxＧａ1-x-yＩｎyＡｓの組成比ｘ、ｙ、格子定
数ａ、及びエネルギーギャップＥｇの関係を示す図であ
る。
するＡｌxＧａ1-x-yＩｎyＡｓの組成比ｘ、ｙ、格子定
数ａ、及びエネルギーギャップＥｇの関係を示す図であ
る。
【図３】上記実施例の半導体レーザ装置の製造工程を示
す行程図である。
す行程図である。
【図４】上記実施例の半導体レーザ装置の電流−光出力
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図５】基板を構成するＧａＡｓの格子定数に対する活
性層を構成するＡｌxＧａ1-x-yＩｎyＡｓの格子定数の
比と半導体レーザ装置の生存率の関係を示す図である。
性層を構成するＡｌxＧａ1-x-yＩｎyＡｓの格子定数の
比と半導体レーザ装置の生存率の関係を示す図である。
【図６】従来例の半導体レーザ装置の断面図である。
１ 基板 ５ 活性層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＡｓ活性
層を含む半導体層を有することを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項２】 前記ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層が圧縮歪み
をもつことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】 前記ＡｌＧａＩｎＡｓの格子定数が前記
ＧａＡｓの格子定数に比べて０．３〜１％大きいことを
特徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34341591A JPH05175597A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34341591A JPH05175597A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175597A true JPH05175597A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18361339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34341591A Pending JPH05175597A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175597A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3340405A1 (en) | 2016-12-15 | 2018-06-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor laser, light source unit, communication system, and wavelength division multiplexing optical communication system |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP34341591A patent/JPH05175597A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3340405A1 (en) | 2016-12-15 | 2018-06-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor laser, light source unit, communication system, and wavelength division multiplexing optical communication system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007158195A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH05175597A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05211372A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH10242577A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2001077465A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH02228087A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2737477B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH07111367A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3239821B2 (ja) | 歪み半導体結晶の製造方法 | |
| JP2699662B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JP3432842B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JP3040262B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0294585A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2002204030A (ja) | 導波路型光素子 | |
| JP2000124553A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH11112075A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2001168470A (ja) | 半導体光素子の作製方法及び半導体光素子 | |
| JPS61236185A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH06268322A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2001102691A (ja) | 半導体レーザ及び半導体層の酸化方法 | |
| JP2855887B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP3307600B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |