JPH05160276A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05160276A JPH05160276A JP34970491A JP34970491A JPH05160276A JP H05160276 A JPH05160276 A JP H05160276A JP 34970491 A JP34970491 A JP 34970491A JP 34970491 A JP34970491 A JP 34970491A JP H05160276 A JPH05160276 A JP H05160276A
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- Japan
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- interlayer insulating
- insulating film
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数層の層間絶縁膜を形成する際、上層の層
間絶縁膜のリフロー時に、下層の層間絶縁膜が流動する
ことのない半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 一層目のＢＰＳＧ膜１上の金属配線膜２を覆
うようにシリコン窒化膜３を形成し、このシリコン窒化
膜３上に二層目のＢＰＳＧ膜４を成膜してリフローを行
う。
間絶縁膜のリフロー時に、下層の層間絶縁膜が流動する
ことのない半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 一層目のＢＰＳＧ膜１上の金属配線膜２を覆
うようにシリコン窒化膜３を形成し、このシリコン窒化
膜３上に二層目のＢＰＳＧ膜４を成膜してリフローを行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、特に、多層配線の配線層間を電気的に分離する
層間絶縁膜の形成方法に関するものである。
に関し、特に、多層配線の配線層間を電気的に分離する
層間絶縁膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩが高集積化されるにつれて
その構造も三次元化され、第１の層間絶縁膜上に金属配
線を形成した後、更にこの第１の層間絶縁膜上の金属配
線を覆うように第２の層間絶縁膜を形成することが行わ
れている。そして、この層間絶縁膜としては、ＢＰＳＧ
膜，ＰＳＧ膜，ＢＳＧ膜，ＡｓＳＧ膜等のシリケートガ
ラスが多く用いられている。
その構造も三次元化され、第１の層間絶縁膜上に金属配
線を形成した後、更にこの第１の層間絶縁膜上の金属配
線を覆うように第２の層間絶縁膜を形成することが行わ
れている。そして、この層間絶縁膜としては、ＢＰＳＧ
膜，ＰＳＧ膜，ＢＳＧ膜，ＡｓＳＧ膜等のシリケートガ
ラスが多く用いられている。
【０００３】図３は、このような半導体装置の製造工程
において、ＢＰＳＧ膜を用いて層間絶縁膜を形成する工
程を示す工程別断面図であり、図において、１は一層目
のＢＰＳＧ膜、２は金属配線膜、４は二層目のＢＰＳＧ
膜であり、図３(a) は一層目のＢＰＳＧ膜１上に２層目
のＢＰＳＧを成膜した状態、図３(b) は成膜された２層
目のＢＰＳＧ膜４をリフローした状態を示している。こ
こで、リフローとは、平坦化技術の一手法、即ち、熱処
理によりＢＰＳＧ膜等の層間絶縁膜を流動させて平坦化
することを意味しており、一般に、ＢＰＳＧ膜に対して
水蒸気雰囲気下７００〜１０００℃程度の熱処理を施す
ことで、水蒸気がＢＰＳＧ膜等の層間絶縁膜中に侵入
し、水蒸気中のＯＨ基によって層間絶縁膜中のＳｉ−Ｏ
結合の結合力を弱め、よりＢＰＳＧ膜等の層間絶縁膜を
流動しやすくしている。
において、ＢＰＳＧ膜を用いて層間絶縁膜を形成する工
程を示す工程別断面図であり、図において、１は一層目
のＢＰＳＧ膜、２は金属配線膜、４は二層目のＢＰＳＧ
膜であり、図３(a) は一層目のＢＰＳＧ膜１上に２層目
のＢＰＳＧを成膜した状態、図３(b) は成膜された２層
目のＢＰＳＧ膜４をリフローした状態を示している。こ
こで、リフローとは、平坦化技術の一手法、即ち、熱処
理によりＢＰＳＧ膜等の層間絶縁膜を流動させて平坦化
することを意味しており、一般に、ＢＰＳＧ膜に対して
水蒸気雰囲気下７００〜１０００℃程度の熱処理を施す
ことで、水蒸気がＢＰＳＧ膜等の層間絶縁膜中に侵入
し、水蒸気中のＯＨ基によって層間絶縁膜中のＳｉ−Ｏ
結合の結合力を弱め、よりＢＰＳＧ膜等の層間絶縁膜を
流動しやすくしている。
【０００４】以下、層間絶縁膜の形成工程を詳細に説明
する。先ず、図示しない下地上にＣＶＤ法等により一層
目のＢＰＳＧ膜１を成膜し、次いで、水蒸気雰囲気下で
ＢＰＳＧ膜１に７００〜１０００℃の熱処理を行い、Ｂ
ＰＳＧ膜１を平坦化する。次に、一般的な配線の形成方
法により、所望のパターンからなる金属配線膜２を形成
する。次に、図３(a) に示すように、ＣＶＤ法等により
上記金属配線膜２を覆うように二層目のＢＰＳＧ膜４を
形成した後、上記と同様に水蒸気雰囲気下で二層目のＢ
ＰＳＧ膜４に対して７００〜１０００℃の熱処理を施
し、図３(b) に示すように、二層目のＢＰＳＧ膜４を平
坦化する。そして、この平坦化されたＢＰＳＧ膜４上
に、例えば、更に、金属配線層を形成する等を行い、複
数層の層間絶縁膜を備えた３次元構造の半導体装置が得
られる。
する。先ず、図示しない下地上にＣＶＤ法等により一層
目のＢＰＳＧ膜１を成膜し、次いで、水蒸気雰囲気下で
ＢＰＳＧ膜１に７００〜１０００℃の熱処理を行い、Ｂ
ＰＳＧ膜１を平坦化する。次に、一般的な配線の形成方
法により、所望のパターンからなる金属配線膜２を形成
する。次に、図３(a) に示すように、ＣＶＤ法等により
上記金属配線膜２を覆うように二層目のＢＰＳＧ膜４を
形成した後、上記と同様に水蒸気雰囲気下で二層目のＢ
ＰＳＧ膜４に対して７００〜１０００℃の熱処理を施
し、図３(b) に示すように、二層目のＢＰＳＧ膜４を平
坦化する。そして、この平坦化されたＢＰＳＧ膜４上
に、例えば、更に、金属配線層を形成する等を行い、複
数層の層間絶縁膜を備えた３次元構造の半導体装置が得
られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
な従来の複数層の層間絶縁膜によって配線層間等を電気
的に分離する工程を含む半導体装置の製造工程では、下
層の層間絶縁膜上に形成された上層の層間絶縁膜をリフ
ローする際、上層の層間絶縁膜を通して水蒸気が下層の
層間絶縁膜まで達し、下層の層間絶縁膜も流動を起こす
ことがあり、その結果、上層の層間絶縁膜のリフロー時
に、上記図３(b) に示すように、下層の層間絶縁膜上に
ある金属配線膜が移動し、ショートやオープン不良等の
不具合を発生するという問題点があった。
な従来の複数層の層間絶縁膜によって配線層間等を電気
的に分離する工程を含む半導体装置の製造工程では、下
層の層間絶縁膜上に形成された上層の層間絶縁膜をリフ
ローする際、上層の層間絶縁膜を通して水蒸気が下層の
層間絶縁膜まで達し、下層の層間絶縁膜も流動を起こす
ことがあり、その結果、上層の層間絶縁膜のリフロー時
に、上記図３(b) に示すように、下層の層間絶縁膜上に
ある金属配線膜が移動し、ショートやオープン不良等の
不具合を発生するという問題点があった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、複数層の層間絶縁膜を形成す
る工程を含む半導体装置の製造工程において、上層の層
間絶縁膜をリフローする際、下層の層間絶縁膜が流動す
ることのない半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものである。
るためになされたもので、複数層の層間絶縁膜を形成す
る工程を含む半導体装置の製造工程において、上層の層
間絶縁膜をリフローする際、下層の層間絶縁膜が流動す
ることのない半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置の製造方法は、下層の層間絶縁膜と上層の層間絶縁
膜との間に水蒸気を遮断する耐湿性膜を形成するように
したものである。
装置の製造方法は、下層の層間絶縁膜と上層の層間絶縁
膜との間に水蒸気を遮断する耐湿性膜を形成するように
したものである。
【０００８】また、この発明にかかる半導体装置の製造
方法は、複数層の層間絶縁膜の内の上層の層間絶縁膜と
して、その下部領域が低ボロン濃度のＢＰＳＧ膜を形成
するようにしたものである。
方法は、複数層の層間絶縁膜の内の上層の層間絶縁膜と
して、その下部領域が低ボロン濃度のＢＰＳＧ膜を形成
するようにしたものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、下層の層間絶縁膜と上層
の層間絶縁膜との間に水蒸気を遮断する耐湿性膜を形成
するため、上層の層間絶縁膜のリフロー時に、リフロー
雰囲気中の水蒸気が下層の層間絶縁膜に侵入せず、下層
の層間絶縁膜が流動するのを防止することができる。
の層間絶縁膜との間に水蒸気を遮断する耐湿性膜を形成
するため、上層の層間絶縁膜のリフロー時に、リフロー
雰囲気中の水蒸気が下層の層間絶縁膜に侵入せず、下層
の層間絶縁膜が流動するのを防止することができる。
【００１０】この発明においては、複数層の層間絶縁膜
の上層の層間絶縁膜として、その下部領域が低ボロン濃
度のＢＰＳＧ膜を形成するため、このＢＰＳＧ膜のリフ
ロー時に、リフロー雰囲気の水蒸気が低ボロン濃度領域
によって遮断されて、下層の層間絶縁膜に侵入すること
がなくなり、下層の層間絶縁膜が流動するのを防止する
ことができる。
の上層の層間絶縁膜として、その下部領域が低ボロン濃
度のＢＰＳＧ膜を形成するため、このＢＰＳＧ膜のリフ
ロー時に、リフロー雰囲気の水蒸気が低ボロン濃度領域
によって遮断されて、下層の層間絶縁膜に侵入すること
がなくなり、下層の層間絶縁膜が流動するのを防止する
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は、この発明の一実施例による半導体装置の
製造工程において複数層の層間絶縁膜によって配線層間
等を電気的に分離する工程を示す工程別断面図であり、
図において、図３と同一符号は同一部分を示し、３はシ
リコン窒化膜である。ここで、図１(a) は一層目のＢＰ
ＳＧ膜１上に２層目のＢＰＳＧ膜４を成膜した状態を示
し、図１(b) は成膜された２層目のＢＰＳＧ４をリフロ
ーした状態を示している。
する。図１は、この発明の一実施例による半導体装置の
製造工程において複数層の層間絶縁膜によって配線層間
等を電気的に分離する工程を示す工程別断面図であり、
図において、図３と同一符号は同一部分を示し、３はシ
リコン窒化膜である。ここで、図１(a) は一層目のＢＰ
ＳＧ膜１上に２層目のＢＰＳＧ膜４を成膜した状態を示
し、図１(b) は成膜された２層目のＢＰＳＧ４をリフロ
ーした状態を示している。
【００１２】以下、図１を用いて二層のＢＰＳＧ膜を形
成する工程を説明する。まず、図示しない下地上にＣＶ
Ｄ法等により一層目のＢＰＳＧ膜１を成膜し、次いで、
水蒸気雰囲気下でＢＰＳＧ膜１に７００〜１０００℃の
熱処理を行い、一層目のＢＰＳＧ膜１を平坦化する。次
に、一般的な配線の形成方法により、所望のパターンか
らなる金属配線膜２を形成する。次に、図１(a) に示す
ように、シリコン窒化膜３をＣＶＤ法により上記金属配
線膜２を覆うようにＢＰＳＧ膜１上に形成し、更に、こ
の上にＣＶＤ法により二層目のＢＰＳＧ膜４を形成す
る。上記と同様に水蒸気雰囲気下で二層目のＢＰＳＧ膜
４に対して７００〜１０００℃の熱処理を施し、図１
(b) に示すように、二層目のＢＰＳＧ膜４を平坦化す
る。このリフロー工程では、二層目のＢＰＳＧ膜４を通
過した水蒸気は耐熱性及び耐水性に優れたシリコン窒化
膜３によって遮断されて、一層目のＢＰＳＧ膜１には侵
入せず、一層目のＢＰＳＧ膜１の流動が防止される。そ
して、このようにして平坦化されたＢＰＳＧ膜４上に図
示しない金属配線層を更に形成することにより多層配線
構造が形成される。
成する工程を説明する。まず、図示しない下地上にＣＶ
Ｄ法等により一層目のＢＰＳＧ膜１を成膜し、次いで、
水蒸気雰囲気下でＢＰＳＧ膜１に７００〜１０００℃の
熱処理を行い、一層目のＢＰＳＧ膜１を平坦化する。次
に、一般的な配線の形成方法により、所望のパターンか
らなる金属配線膜２を形成する。次に、図１(a) に示す
ように、シリコン窒化膜３をＣＶＤ法により上記金属配
線膜２を覆うようにＢＰＳＧ膜１上に形成し、更に、こ
の上にＣＶＤ法により二層目のＢＰＳＧ膜４を形成す
る。上記と同様に水蒸気雰囲気下で二層目のＢＰＳＧ膜
４に対して７００〜１０００℃の熱処理を施し、図１
(b) に示すように、二層目のＢＰＳＧ膜４を平坦化す
る。このリフロー工程では、二層目のＢＰＳＧ膜４を通
過した水蒸気は耐熱性及び耐水性に優れたシリコン窒化
膜３によって遮断されて、一層目のＢＰＳＧ膜１には侵
入せず、一層目のＢＰＳＧ膜１の流動が防止される。そ
して、このようにして平坦化されたＢＰＳＧ膜４上に図
示しない金属配線層を更に形成することにより多層配線
構造が形成される。
【００１３】このような本実施例の層間絶縁膜の形成工
程では、一層目のＢＰＳＧ膜１上の金属配線を覆うよう
にシリコン窒化膜３が形成され、このシリコン窒化膜３
上に二層目のＢＰＳＧ膜４が形成されるため、この二層
目のＢＰＳＧ膜４をリフローする際に、一層目のＢＰＳ
Ｇ膜１には水蒸気が到達せず、その結果、一層目のＢＰ
ＳＧ膜１の流動を防止することができ、一層目のＢＰＳ
Ｇ膜１上に形成された金属配線膜２の接触や断線を防止
することができる。
程では、一層目のＢＰＳＧ膜１上の金属配線を覆うよう
にシリコン窒化膜３が形成され、このシリコン窒化膜３
上に二層目のＢＰＳＧ膜４が形成されるため、この二層
目のＢＰＳＧ膜４をリフローする際に、一層目のＢＰＳ
Ｇ膜１には水蒸気が到達せず、その結果、一層目のＢＰ
ＳＧ膜１の流動を防止することができ、一層目のＢＰＳ
Ｇ膜１上に形成された金属配線膜２の接触や断線を防止
することができる。
【００１４】図５は、本発明の第２の実施例による半導
体装置の製造工程において、一層目の層間絶縁膜上に金
属配線を介して２層目の層間絶縁膜を形成した状態を示
す断面図であり、図において、図３と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示し、５はＢＰＳＧ膜、５ａは低ボ
ロン濃度領域、５ｂは高ボロン濃度領域を示している。
そして、本実施例の層間絶縁膜の製造工程は、二層目の
ＢＰＳＧ膜４をＣＶＤ法で作成する工程時、例えば枚葉
式のチャンバー方式の装置において材料ガスの供給量を
変化させることにより、低ボロン濃度領域５ａと高ボロ
ン濃度領域５ｂとからなるＢＰＳＧ膜５を形成したもの
であり、他の工程についは図３に示した従来の工程と全
く同様である。ここで、低ボロン濃度領域５ａのボロン
濃度は、リフロー雰囲気中の水蒸気がこの部分を透過し
ない程度の耐湿性が得られる濃度とし、ボロンを含まな
い程度までボロン濃度を低下させてもよい。
体装置の製造工程において、一層目の層間絶縁膜上に金
属配線を介して２層目の層間絶縁膜を形成した状態を示
す断面図であり、図において、図３と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示し、５はＢＰＳＧ膜、５ａは低ボ
ロン濃度領域、５ｂは高ボロン濃度領域を示している。
そして、本実施例の層間絶縁膜の製造工程は、二層目の
ＢＰＳＧ膜４をＣＶＤ法で作成する工程時、例えば枚葉
式のチャンバー方式の装置において材料ガスの供給量を
変化させることにより、低ボロン濃度領域５ａと高ボロ
ン濃度領域５ｂとからなるＢＰＳＧ膜５を形成したもの
であり、他の工程についは図３に示した従来の工程と全
く同様である。ここで、低ボロン濃度領域５ａのボロン
濃度は、リフロー雰囲気中の水蒸気がこの部分を透過し
ない程度の耐湿性が得られる濃度とし、ボロンを含まな
い程度までボロン濃度を低下させてもよい。
【００１５】このような本実施例の層間絶縁膜の形成工
程では、一層目のＢＰＳＧ膜１上の金属配線を覆う二層
目のＢＰＳＧ膜５を形成する際、ＢＰＳＧ膜５の下部領
域を低ボロン濃度に形成しているので、この低ボロン濃
度領域５ａによってリフロー雰囲気中の水蒸気が一層目
のＢＰＳＧ膜１に到達することが防止でき、その結果、
一層目のＢＰＳＧ膜１が流動せず、このＢＰＳＧ膜１上
に形成された金属配線膜２の接触や断線を防止すること
ができる。また、本実施例の製造工程では、ＣＶＤ法に
よる二層目のＢＰＳＧ膜５の形成工程において、材料ガ
スの供給量を変えるだけで、この二層目のＢＰＳＧ膜５
内に耐湿性に優れた低ボロン濃度領域５ａを形成するこ
とができ、上記第１の実施例のように、新たな膜を形成
する工程を必要としないため、工程数を短縮できる利点
がある。
程では、一層目のＢＰＳＧ膜１上の金属配線を覆う二層
目のＢＰＳＧ膜５を形成する際、ＢＰＳＧ膜５の下部領
域を低ボロン濃度に形成しているので、この低ボロン濃
度領域５ａによってリフロー雰囲気中の水蒸気が一層目
のＢＰＳＧ膜１に到達することが防止でき、その結果、
一層目のＢＰＳＧ膜１が流動せず、このＢＰＳＧ膜１上
に形成された金属配線膜２の接触や断線を防止すること
ができる。また、本実施例の製造工程では、ＣＶＤ法に
よる二層目のＢＰＳＧ膜５の形成工程において、材料ガ
スの供給量を変えるだけで、この二層目のＢＰＳＧ膜５
内に耐湿性に優れた低ボロン濃度領域５ａを形成するこ
とができ、上記第１の実施例のように、新たな膜を形成
する工程を必要としないため、工程数を短縮できる利点
がある。
【００１６】尚、上記第１の実施例では、二層の層間絶
縁膜を形成する場合を示したが、三層以上の多層の層間
絶縁膜を形成する場合も、上下の層間絶縁膜の間にシリ
コン窒化膜を形成することにより、上記第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。
縁膜を形成する場合を示したが、三層以上の多層の層間
絶縁膜を形成する場合も、上下の層間絶縁膜の間にシリ
コン窒化膜を形成することにより、上記第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。
【００１７】また、上記第１の実施例では水蒸気を遮断
する膜としてシリコン窒化膜を形成したが、これに限定
されるものではなく、他の耐湿性に優れた材料からなる
膜を形成しても同様の効果を得ることができる。
する膜としてシリコン窒化膜を形成したが、これに限定
されるものではなく、他の耐湿性に優れた材料からなる
膜を形成しても同様の効果を得ることができる。
【００１８】また、上記第２の実施例では、二層のＢＰ
ＳＧ膜を形成する場合を示したが、三層以上のＢＰＳＧ
膜を形成する場合も、最下層のＢＰＳＧ膜を除く他のＢ
ＰＳＧ膜の下部のボロン濃度を低減することにより、上
記第３の実施例と同様の効果を得ることができる。
ＳＧ膜を形成する場合を示したが、三層以上のＢＰＳＧ
膜を形成する場合も、最下層のＢＰＳＧ膜を除く他のＢ
ＰＳＧ膜の下部のボロン濃度を低減することにより、上
記第３の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００１９】また、上記何れの実施例も層間絶縁膜がＢ
ＰＳＧ膜であるが、水蒸気雰囲気中のリフローによっ
て、同様に水蒸気が作用して膜の流動が起こるＰＳＧ，
ＢＳＧ，ＡｓＳＧ等の層間絶縁膜の形成工程において
も、本発明が適用できることは言うまでもない。
ＰＳＧ膜であるが、水蒸気雰囲気中のリフローによっ
て、同様に水蒸気が作用して膜の流動が起こるＰＳＧ，
ＢＳＧ，ＡｓＳＧ等の層間絶縁膜の形成工程において
も、本発明が適用できることは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、複数
の層間絶縁膜を形成する際、下層の層間絶縁膜と上層と
の層間絶縁膜との間に水蒸気を遮断する耐湿性膜を形成
するようにしたので、上層の層間絶縁膜のリフロー時
に、リフロー雰囲気中の水蒸気が下層の層間絶縁膜に侵
入することがなくなって、下層の層間絶縁膜が流動する
のを防止でき、その結果、下層の層間絶縁膜上に形成さ
れた金属配線膜の接触や断線を防止することができ、シ
ョートやオープン不良等の不具合を軽減できる効果があ
る。
の層間絶縁膜を形成する際、下層の層間絶縁膜と上層と
の層間絶縁膜との間に水蒸気を遮断する耐湿性膜を形成
するようにしたので、上層の層間絶縁膜のリフロー時
に、リフロー雰囲気中の水蒸気が下層の層間絶縁膜に侵
入することがなくなって、下層の層間絶縁膜が流動する
のを防止でき、その結果、下層の層間絶縁膜上に形成さ
れた金属配線膜の接触や断線を防止することができ、シ
ョートやオープン不良等の不具合を軽減できる効果があ
る。
【００２１】また、この発明によれば、複数の層間絶縁
膜を形成する際、複数層の層間絶縁膜の内の上層の層間
絶縁膜として、その下部領域が低ボロン濃度のＢＰＳＧ
膜を形成するようにしたので、このＢＰＳＧ膜のリフロ
ー時に、リフロー雰囲気の水蒸気がこのＢＰＳＧ膜を透
過して下層の層間絶縁膜に侵入することがなくなって、
下層の層間絶縁膜が流動するのを防止でき、その結果、
下層の層間絶縁膜上に形成された金属配線膜の接触や断
線を防止することができ、ショートやオープン不良等の
不具合を軽減できる効果がある。
膜を形成する際、複数層の層間絶縁膜の内の上層の層間
絶縁膜として、その下部領域が低ボロン濃度のＢＰＳＧ
膜を形成するようにしたので、このＢＰＳＧ膜のリフロ
ー時に、リフロー雰囲気の水蒸気がこのＢＰＳＧ膜を透
過して下層の層間絶縁膜に侵入することがなくなって、
下層の層間絶縁膜が流動するのを防止でき、その結果、
下層の層間絶縁膜上に形成された金属配線膜の接触や断
線を防止することができ、ショートやオープン不良等の
不具合を軽減できる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による層間絶縁膜の形成工
程を示す工程別断面図。
程を示す工程別断面図。
【図２】この発明の第２の実施例による層間絶縁膜の成
膜状態を示す断面図。
膜状態を示す断面図。
【図３】従来の層間絶縁膜の形成工程を示す工程別断面
図。
図。
１ 一層目のＢＰＳＧ膜 ２ 金属配線膜 ３ 窒化膜 ４ 二層目のＢＰＳＧ膜 ５ 二層目のＢＰＳＧ膜 ５ａ 低ボロン濃度領域 ５ｂ 高ボロン濃度領域
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の層間絶縁膜をリフローして平坦化
する工程と、この平坦化された第１の層間絶縁膜上に金
属配線膜を形成する工程と、該金属配線膜を覆うように
上記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する
工程と、該第２の層間絶縁膜をリフローして平坦化する
工程とを含む半導体装置の製造方法において、 上記第２の層間絶縁膜の形成に先立って、上記第１の層
間絶縁膜上に耐湿性膜を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
において、 上記耐湿性膜がシリコン窒化膜であることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 第１の層間絶縁膜をリフローして平坦化
する工程と、この平坦化された第１の層間絶縁膜上に金
属配線膜を形成する工程と、該金属配線膜を覆うように
上記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する
工程と、該第２の層間絶縁膜をリフローして平坦化する
工程とを含む半導体装置の製造方法において、 上記第２の層間絶縁膜として、その下部領域が低ボロン
濃度またはボロンを含まない組成からなるＢＰＳＧ膜を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34970491A JPH05160276A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34970491A JPH05160276A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160276A true JPH05160276A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18405544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34970491A Pending JPH05160276A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160276A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040621A (en) * | 1997-03-26 | 2000-03-21 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device and wiring body |
| US7126650B2 (en) | 2002-03-29 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Illumination unit and liquid crystal display apparatus comprising same |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP34970491A patent/JPH05160276A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040621A (en) * | 1997-03-26 | 2000-03-21 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device and wiring body |
| US7126650B2 (en) | 2002-03-29 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Illumination unit and liquid crystal display apparatus comprising same |
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