JPH11260916A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バンプ間隔が狭くてもボイドが発生しない半
導体装置を提供し、また平坦化処理を行わなくても正確
にバンプが形成される絶縁膜の平坦性が維持される半導
体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の絶縁
膜２の上にバンプ６と接続される配線３形成し、この配
線３を被覆する第２の絶縁膜７及び第３の絶縁膜８を半
導体基板１上に順次形成する。第３の絶縁膜８は平坦性
が高く、第２の絶縁膜７は第３の絶縁膜の材料より粘度
の高い材料から構成されている。第３の絶縁膜は、ＴＥ
ＯＳ系ガスをオゾン雰囲気中もしくは非オゾン雰囲気中
で熱分解して堆積させたシリコン酸化膜であり、窒化シ
リコン膜である。第３の絶縁膜は、平坦化処理をしなく
ても平坦性は維持されるので、本発明の方法では絶縁膜
の平坦化工程を行わずに済ますことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、とくに配線及びこの配線と接続されるバンプ電極の
構造及び形成技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来高密度化、高集積化された半導体装
置では、多層配線技術が一般に用いられている。そし
て、外部接続端子であるバンプ電極（以下、バンプとい
う）は、半導体基板の表面にその表面が露出している。
バンプは、多層配線を構成する最上層配線に接続され
る。この多層配線を形成し、その上にバンプを形成する
プロセスではバンプや配線を支持する層間絶縁膜等の絶
縁膜表面が十分平坦化されていなければならない。これ
は最上層配線である狭ピッチの金属配線を写真蝕刻法で
形成する際に十分なマージンを確保する必要があるから
である。とくに高集積化によって半導体チップ上の数が
増えて狭ピッチ化の著しいバンプが形成される絶縁膜、
すなわち、多層配線の最上層配線を被覆する絶縁膜は十
分に平坦化処理をしておくことが望ましい。従来技術で
はバンプ形成プロセス時に必要な平坦化処理には、化学
的機械的研磨法（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polish
ing)技術やレジストエッチバック法などを用いるのが一
般的であった。

【０００３】次に、図９乃至図１１を参照して従来技術
のバンプ形成プロセスを説明する。シリコン半導体など
の半導体基板１表面にシリコン酸化膜などの第１の絶縁
膜２を形成する。この絶縁膜２の上にアルミニウムなど
の金属を堆積させ、写真蝕刻法（ＰＥＰ;Photo Engravi
ng Process）によりパターニングして金属配線３を形成
する。多層配線構造を用いる場合は、この金属配線は、
最上層配線となる（図９（ａ））。この金属配線３を被
覆するように化学的気相成長法（ＣＶＤ；Chemical Vap
our Deposition）などによりシリコン酸化膜などの絶縁
膜４を堆積させる（図９（ｂ））。絶縁膜４を十分堆積
させる（図１０（ａ））。図に示すように配線ピッチが
狭いと均一性がなくなり配線間ボイドが生じる傾向にあ
る。絶縁膜４の表面は、ＣＭＰプロセスやレジストエッ
チバックプロセスなどを用いて平坦化処理される（図１
０（ｂ））。次に、平坦化された絶縁膜４にＰＥＰによ
りコンタクト孔を形成して金属配線３の表面を露出させ
る。そして、コンタクト孔の底面の金属配線３の表面に
ＴｉやＴｉＮなどのバリヤメタル層５を形成し、次い
で、バリヤメタル層５の上にＡｕ、Ａｕ合金などから構
成された６０μｍ径程度のバンプ６を堆積させる（図１
１）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このようにバンプ形成
プロセスでは十分な露光、フォーカスマージンを得るた
めにバンプをのせる下層の絶縁膜に対する平坦化処理を
行わなければならない。これは、前記下層の絶縁膜に採
用している従来のシリコン酸化膜では高温処理を必要と
するので金属配線上に発生するヒロックを抑制すること
ができないためでもあり、その結果工程の追加が必要に
なるという問題があった。また、従来の絶縁膜では埋め
込み特性が悪く、図１０（ａ）に示すように配線間隔が
狭くなると金属配線間に配線間ボイドが発生するという
問題があった。本発明は、このような事情によりなされ
たものであり、バンプ間隔が狭くてもボイドが発生しな
いような半導体装置を提供し、また平坦化処理を行わな
くても正確にバンプが形成される絶縁膜の平坦性が維持
される半導体装置の製造方法を提供する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上のバンプと接
続される配線を被覆する第２の絶縁膜及び第２の絶縁膜
を被覆する第３の絶縁膜とを備え、前記第３の絶縁膜は
平坦性が高く、前記第２の絶縁膜は前記第３の絶縁膜の
材料より粘度の高い材料からなることを特徴とする。第
３の絶縁膜は、ＴＥＯＳ系ガスをオゾン雰囲気中もしく
は非オゾン雰囲気中で熱分解して堆積させたシリコン酸
化膜であり、窒化シリコン膜であることを特徴とする。
すなわち、本発明の半導体装置は、素子領域及び素子分
離領域を備えた半導体基板と、前記半導体基板上に形成
された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され
た配線と、前記半導体基板上に形成され、前記配線を被
覆する第２の絶縁膜と、前記半導体基板上に形成され、
前記第２の絶縁膜を被覆する第３の絶縁膜とを備え、前
記第３の絶縁膜は平坦性が高く、前記第２の絶縁膜は前
記第３の絶縁膜の材料より粘度の高い材料からなること
を特徴とする。前記第１の絶縁膜として平坦性の高い材
料を用いても良い。前記第１絶縁膜と前記第３の絶縁膜
とは同じ材料から構成されていてもよい。

【０００６】前記第３の絶縁膜は、ＴＥＯＳ系ガスをオ
ゾン雰囲気中で熱分解して堆積させたシリコン酸化膜で
あるようにしても良い。前記第３の絶縁膜は、ＴＥＯＳ
系ガスを非オゾン性雰囲気中で熱分解して堆積させたシ
リコン酸化膜であるようにしても良い。前記第３の絶縁
膜は、窒化シリコン膜であるようにしても良い。前記第
２の絶縁膜は、ＴＥＯＳ系ガスをオゾン雰囲気中で熱分
解して堆積させたシリコン酸化膜であってもよい。前記
第２の絶縁膜は、ＴＥＯＳ系ガスを非オゾン性雰囲気中
で熱分解して堆積させたシリコン酸化膜であってもよ
い。前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン膜であってもよ
い。前記第３の絶縁膜の上にはバンプ電極が形成されて
いるようにしても良い。前記第２の絶縁膜は、複数の種
類の異なる堆積膜からなるようにしても良い。前記第３
の絶縁膜上に形成されたバンプ電極は、前記配線と電気
的に接続されているようにしても良い。前記配線は、配
線間隔が近接している領域を有しており、その配線間隔
は０．５μｍ以上であるようにしても良い。外部接続用
バンプ電極が前記配線上に形成され、前記配線と前記バ
ンプ電極とは接続配線を介して電気的に接続されている
ようにしても良い。

【０００７】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
素子領域及び素子分離領域を備えた半導体基板上に第１
の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に配線
を形成する工程と、前記半導体基板上に前記配線を被覆
するように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記半導体
基板上に前記第２の絶縁膜を被覆するように第３の絶縁
膜を形成する工程とを備え、前記第３の絶縁膜には平坦
性が高い材料を用い、前記第２の絶縁膜には前記第３の
絶縁膜の材料より粘度の高い材料を用いることを特徴と
する。前記第３の絶縁膜はＴＥＯＳ系ガスをオゾン雰囲
気中又は非オゾン性雰囲気中で熱分解して堆積させたシ
リコン酸化膜もしくは窒化シリコン膜であってもよい。
第３の絶縁膜は、平坦化処理をしなくても平坦性は維持
されるので、本発明に係る半導体装置の製造方法では絶
縁膜の平坦化工程を行わずに済ますことが可能になる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。本発明に用いられるＴＥＯＳ系ガス
をオゾン雰囲気中又は非オゾン性雰囲気中で熱分解して
堆積させたシリコン酸化膜は、いわゆるＴＥＯＳ膜とい
う。水分が多いので一般に成膜後に窒素雰囲気中、１０
００〜１２００℃程度で熱処理を行う。ＴＥＯＳ膜は、
有機オキシシランＳｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₄ を６００℃〜９
００℃で熱分解して得られる。この原料は、室温で液体
であり、３０℃程度で加熱し蒸発させ、キャリアガスと
ともに反応炉に導く。そして常圧乃至減圧ＣＶＤ法によ
り平坦性の高い均一な絶縁膜が形成される。この絶縁膜
は、量産性が比較的確保できる特徴がある。とくにオゾ
ン雰囲気中で形成したＴＥＯＳ膜は、ＴＥＯＳ／Ｏ₃ 膜
という。

【０００９】まず、図１乃至図４を参照して第１の実施
例を説明する。図１乃至図３は、いずれも半導体装置の
製造工程断面図、図４は、バンプが配置された半導体基
板の平面図である。この実施例では半導体基板上の最上
層の配線に接続されるバンプの形成プロセスを説明す
る。シリコン半導体などの半導体基板１表面にシリコン
酸化膜などの第１の絶縁膜（層間絶縁膜）２を形成す
る。この絶縁膜２の上にアルミニウムなどの金属を堆積
させ、ＰＥＰによりパターニングして金属配線３を形成
する。配線間隔は、例えば、０．５μｍ程度あるいはそ
れ以上である。多層配線構造を用いる場合は、金属配線
３は、最上層配線となる（図１（ａ））。この金属配線
３を被覆するように半導体基板１全面にＴＥＯＳ／Ｏ₃
膜からなる第２の絶縁膜７を堆積させる。このように堆
積されたＴＥＯＳ／Ｏ₃ 膜（第２の絶縁膜７）は、成膜
時の粘度が高く、金属配線３の側壁にも均一に形成され
る（図１（ｂ））。第２の絶縁膜７の上に第３の絶縁膜
８を第２の絶縁膜７より厚く堆積させる（図２
（ａ））。第３の絶縁膜８は平坦性が高いので配線間の
凹部にも配線間ボイドの発生なしに均一に埋め込まれ
る。第３の絶縁膜８の材料も平坦性の高いＴＥＯＳ／Ｏ
₃ 膜が用いられているので表面は平坦になっている。

【００１０】次に、第３の絶縁膜８の平坦な表面上にＰ
ＥＰによりコンタクト孔９を形成して金属配線３の表面
の一部を露出させる（図２（ｂ））。そして、コンタク
ト孔９の底面の金属配線３の表面にＴｉやＴｉＮなどの
バリヤメタル層５を形成し、次いでバリヤメタル層５及
び第３の絶縁膜８の上にＡｕ、Ａｕ合金など金属膜を堆
積させる。そしてこの金属膜をＰＥＰによりエッチング
して金属配線３と電気的に接続されたバンプ６を形成す
る。第３の絶縁膜８の上にはバンプ６が形成されている
領域を除いてシリコン窒化膜などのパッシベーション膜
１０が形成されている（図３）。この実施例では、第１
の絶縁膜２にＴＥＯＳ／Ｏ₃ 膜を用いることができる。
したがって、第１の絶縁膜２も平坦化工程を加えなくて
も平坦な表面を得ることができる。勿論、本発明では第
１の絶縁膜をＣＭＰなど方法を用いて平坦化処理を行っ
ても良い。また第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は、材料及
び形成方法を同じにすることができる。第２の絶縁膜
は、多層の積層膜から構成されるようにしても良い。

【００１１】図４は、本発明のプロセスによってバンプ
が形成されているロジック回路などが形成された半導体
基板の平面図である。バンプ径は、６０〜１００μｍ程
度であり、バンプ間隔は、１２５μｍ程度である。図４
（ａ）は、バンプ６を半導体基板１上に縦横マトリック
ス状に配列させた場合、図４（ｂ）は、千鳥状に配列さ
せた場合である。

【００１２】次に、図５を参照して第２の発明の実施の
形態を説明する。図は、半導体装置の断面図である。こ
の実施例では半導体基板上の多層配線の最上層配線に接
続されるバンプについて説明する。シリコンなどの半導
体基板１の上にはシリコン酸化膜などの絶縁膜２が形成
されている。この絶縁膜２には、平坦性の良いＴＥＯＳ
膜を用いるか、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）膜を
用いてＣＭＰなどにより表面を平坦化処理を行う。この
絶縁膜２の上にアルミニウムなどの金属を堆積させ、Ｐ
ＥＰによりパターニングして金属配線１１を形成する。
金属配線１１は、この半導体基板１上では、例えば、第
１アルミニウム層である。この金属配線１１を被覆する
ように半導体基板１全面にＴＥＯＳ膜からなる絶縁膜１
２を堆積させる。絶縁膜１２は、平坦性が良いので平坦
化処理を行わない。この絶縁膜１２の上にアルミニウム
などの金属を堆積させ、ＰＥＰによりパターニングして
金属配線３を形成する。配線間隔は、例えば、０．５μ
ｍ程度あるいはそれ以上である。金属配線３は、半導体
基板１上の第２アルミニウム層である。金属配線３を被
覆するように半導体基板１全面に第１のＴＥＯＳ／Ｏ₃
膜からなる絶縁膜１３を堆積させる。

【００１３】堆積されたＴＥＯＳ／Ｏ₃ 膜（絶縁膜１
３）は、成膜時の粘度が高く、金属配線３の側壁にも均
一に形成される。絶縁膜１３の全面に第２のＴＥＯＳ／
Ｏ₃ 膜からなる絶縁膜１４を堆積させる。堆積された絶
縁膜１４は、絶縁膜１３が金属配線３に対するのと同様
に絶縁膜１３の凸部側壁にも均一に堆積される。絶縁膜
１４の上に絶縁膜１５を絶縁膜１４より厚く堆積させ
る。絶縁膜１５は、平坦性が高いので配線間の凹部にも
配線間ボイドの発生なしに均一に埋め込まれる。絶縁膜
１５の材料も平坦性の高いものが要求されシリコン窒化
膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）が用いられる。従って絶縁膜１５の表
面は、平坦化処理を行わなくても平坦になっている。シ
リコン窒化膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成
される。次に、絶縁膜１５の平坦な表面上にＰＥＰによ
りコンタクト孔（図示せず）を形成して金属配線３の表
面の一部を露出させる。そして、コンタクト孔の底面の
金属配線３の表面にＴｉやＴｉＮなどのバリヤメタル層
（図示せず）を形成し、次いでバリヤメタル層及び絶縁
膜１５の上にＡｕ、Ａｕ合金など金属膜を堆積させる。
そして、この金属膜をＰＥＰによりエッチングして金属
配線３と電気的に接続されたバンプ６とする。絶縁膜１
５の上には、バンプ６が形成されている領域を除いてパ
ッシベーション膜１０が形成されている。

【００１４】次に、図６を参照して第３の実施例を説明
する。図は、半導体装置の断面図である。この実施例
は、半導体基板上の最上層の配線に接続されるバンプを
支持する絶縁膜に特徴がある。シリコン半導体などの半
導体基板１表面にシリコン酸化膜などの第１の絶縁膜
（層間絶縁膜）２を形成する。この絶縁膜２の上にアル
ミニウムなどの金属を堆積させＰＥＰによりパターニン
グして金属配線３を形成する。配線間隔は、例えば、０
５μｍ程度あるいはそれ以上である。多層配線構造を用
いる場合は、金属配線３は、最上層配線となる。金属配
線３を被覆するように半導体基板１全面にＴＥＯＳ／Ｏ
₃ 膜からなる第２の絶縁膜１６を堆積させる。そして、
堆積されたＴＥＯＳ／Ｏ₃ 膜（第２の絶縁膜１６）は、
成膜時の粘度が高く、金属配線３の側壁にも均一に堆積
される。第２の絶縁膜１６の上に第３の絶縁膜１７を第
２の絶縁膜１６より厚く堆積させる。第３の絶縁膜１７
は、平坦性が高いので配線間の凹部にも配線間ボイドの
発生なしに均一に埋め込まれる。

【００１５】第３の絶縁膜８の材料は、平坦性の高いシ
リコン窒化膜が用いられているので表面は平坦化処理を
しないでも平坦になっている。次に、第３の絶縁膜１７
の表面上にＰＥＰによりコンタクト孔を形成して金属配
線３の表面の一部を露出させる。そして、コンタクト孔
の底面の金属配線３の表面にＴｉやＴｉＮなどのバリヤ
メタル層５を形成し、次いでバリヤメタル層５及び第３
の絶縁膜１７の上にＡｕ、Ａｕ合金など金属膜を堆積さ
せる。そして、この金属膜をＰＥＰによりエッチングし
て金属配線３と電気的に接続されたバンプ６を形成す
る。第３の絶縁膜１７の上には、バンプ６が形成されて
いる領域を除いてパッシベーション膜１０が形成されて
いる。

【００１６】次に、図７を参照して第４の実施例を説明
する。図は、半導体装置の断面図である。この実施例
は、半導体基板上の最上層の配線に接続されるバンプを
支持する絶縁膜に特徴がある。シリコン半導体などの半
導体基板１表面にシリコン酸化膜などの第１の絶縁膜
（層間絶縁膜）２を形成する。この絶縁膜２の上にアル
ミニウムなどの金属を堆積させＰＥＰによりパターニン
グして金属配線３を形成する。配線間隔は、例えば、０
５μｍ程度あるいはそれ以上である。多層配線構造を用
いる場合は、金属配線３は、最上層配線となる。金属配
線３を被覆するように半導体基板１全面にシリコン窒化
膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）からなる第２の絶縁膜１８を堆積させ
る。そして、堆積されたシリコン窒化膜（第２の絶縁膜
１８）は、成膜時の粘度が高く、金属配線３の側壁にも
均一に堆積される。第２の絶縁膜１８の上に第３の絶縁
膜１９を第２の絶縁膜１８より厚く堆積させる。第３の
絶縁膜１９は、平坦性が高いので配線間の凹部にも配線
間ボイドの発生なしに均一に埋め込まれる。第３の絶縁
膜１９の材料は、平坦性の高いシリコン窒化膜が用いら
れているので表面は平坦化処理をしないでも平坦になっ
ている。

【００１７】次に、第３の絶縁膜１９の表面上にＰＥＰ
によりコンタクト孔を形成して金属配線３の表面の一部
を露出させる。そして、コンタクト孔の底面の金属配線
３の表面にＴｉやＴｉＮなどのバリヤメタル層５を形成
し、次いでバリヤメタル層５及び第３の絶縁膜１９の上
にＡｕ、Ａｕ合金など金属膜を堆積させる。そして、こ
の金属膜をＰＥＰによりエッチングして金属配線３と電
気的に接続されたバンプ６を形成する。第３の絶縁膜１
９の上には、バンプ６が形成されている領域を除いてパ
ッシベーション膜１０が形成されている。

【００１８】次に、図８を参照して第５の実施例を説明
する。図は、半導体装置の断面図である。この実施例
は、半導体基板上の最上層の配線に接続されるバンプを
支持する絶縁膜に特徴がある。シリコン半導体などの半
導体基板１表面にシリコン酸化膜などの第１の絶縁膜
（層間絶縁膜）２を形成する。この絶縁膜２の上にアル
ミニウムなどの金属を堆積させＰＥＰによりパターニン
グして金属配線３を形成する。配線間隔は、例えば、０
５μｍ程度あるいはそれ以上である。多層配線構造を用
いる場合は、金属配線３は、最上層配線となる。金属配
線３を被覆するように半導体基板１全面にシリコン窒化
膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）からなる第２の絶縁膜２０を堆積させ
る。そして、堆積されたシリコン窒化膜膜（第２の絶縁
膜２０）は、成膜時の粘度が高く、金属配線３の側壁に
も均一に堆積される。第２の絶縁膜２０の上に第３の絶
縁膜２１を第２の絶縁膜２０より厚く堆積させる。第３
の絶縁膜２１は、平坦性が高いので配線間の凹部にも配
線間ボイドの発生なしに均一に埋め込まれる。

【００１９】第３の絶縁膜２１の材料は、平坦性の高い
ＴＥＯＳ／Ｏ₃ 膜が用いられているので表面は平坦化処
理をしないでも平坦になっている。次に、第３の絶縁膜
２１の表面上にＰＥＰによりコンタクト孔を形成して金
属配線３の表面の一部を露出させる。そして、コンタク
ト孔の底面の金属配線３の表面にＴｉやＴｉＮなどのバ
リヤメタル層５を形成し、次いでバリヤメタル層５及び
第３の絶縁膜２１の上にＡｕ、Ａｕ合金など金属膜を堆
積させる。そして、この金属膜をＰＥＰによりエッチン
グして金属配線３と電気的に接続されたバンプ６を形成
する。第３の絶縁膜２１の上には、バンプ６が形成され
ている領域を除いてパッシベーション膜１０が形成され
ている。

【００２０】

【発明の効果】最上層配線を写真蝕刻法（ＰＥＰ）で形
成する際、その直下の絶縁膜をオゾンを含むかもしくは
含まないシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの
平坦性の高い絶縁膜を用い、その下に下地層や金属配線
に密着する粘度の高い絶縁膜の積層膜で形成することに
よりバンプ形成プロセスで平坦化工程を削減することが
できる。また、低温で絶縁膜を形成することができるこ
とから埋め込み特性の優れたシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜を採用することができ、配線間ボイドが著しく減
少する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造工程断面図。

【図２】本発明の製造工程断面図。

【図３】本発明の製造工程断面図。

【図４】本発明に用いる半導体基板の平面図。

【図５】本発明の半導体装置の断面図。

【図６】本発明の半導体装置の断面図。

【図７】本発明の半導体装置の断面図。

【図８】本発明の半導体装置の断面図。

【図９】従来の半導体装置の製造工程断面図。

【図１０】従来の半導体装置の製造工程断面図。

【図１１】従来の半導体装置の製造工程断面図。

【符号の説明】

１・・・半導体基板、 ２、４、７、８、１３、１
４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１・・・
絶縁膜、３、１１・・・金属配線、 ５・・・バリア
メタル膜、６・・・バンプ、 ９・・・コンタクト
孔、１０・・・パッシベーション膜。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 素子領域及び素子分離領域を備えた半導
   体基板と、 前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、 前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、 前記半導体基板上に形成され、前記配線を被覆する第２
   の絶縁膜と、 前記半導体基板上に形成され、前記第２の絶縁膜を被覆
   する第３の絶縁膜とを備え、 前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より平坦性が高
   く、前記第２の絶縁膜は、前記第３の絶縁膜の材料より
   粘度の高い材料からなることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記第１絶縁膜と前記第３の絶縁膜とは
   同じ材料から構成されていることを特徴とする請求項１
   に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記第３の絶縁膜は、ＴＥＯＳ系ガスを
   オゾン雰囲気中又は非オゾン性雰囲気中で熱分解して堆
   積させたシリコン酸化膜もしくは窒化シリコン膜である
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 外部接続用バンプ電極が前記配線上に形
   成され、前記配線と前記バンプ電極とは接続配線を介し
   て電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃
   至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 素子領域及び素子分離領域を備えた半導
   体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜上に配線を形成する工程と、 前記半導体基板上に、前記配線を被覆するように、第２
   の絶縁膜を形成する工程と、 前記半導体基板上に前記第２の絶縁膜を被覆するように
   第３の絶縁膜を形成する工程とを備え、 前記第３の絶縁膜には平坦性が高い材料を用い、前記第
   ２の絶縁膜には前記第３の絶縁膜の材料より粘度の高い
   材料を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第３の絶縁膜は、ＴＥＯＳ系ガスを
   オゾン雰囲気中又は非オゾン性雰囲気中で熱分解して堆
   積させたシリコン酸化膜もしくは窒化シリコン膜である
   ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方
   法。