JPH05159396A - 磁気光学薄膜およびその製造方法 - Google Patents
磁気光学薄膜およびその製造方法Info
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- JPH05159396A JPH05159396A JP3349672A JP34967291A JPH05159396A JP H05159396 A JPH05159396 A JP H05159396A JP 3349672 A JP3349672 A JP 3349672A JP 34967291 A JP34967291 A JP 34967291A JP H05159396 A JPH05159396 A JP H05159396A
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- JP
- Japan
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- alloy
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- ptmnsb
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- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 PtMnSb合金よりキュリー温度が高く且つ保磁
力が小さい磁性体とPtMnSb合金とを、アルミニウム陽極
酸化多孔質皮膜の微細孔中に順次電解析出させることに
より積層してなる磁気光学薄膜およびその製造方法。 【効果】 本発明における製造方法により作製された磁
気光学薄膜は、θkが大きくオーバーライトが可能であ
るという優れた効果を有するものである。
力が小さい磁性体とPtMnSb合金とを、アルミニウム陽極
酸化多孔質皮膜の微細孔中に順次電解析出させることに
より積層してなる磁気光学薄膜およびその製造方法。 【効果】 本発明における製造方法により作製された磁
気光学薄膜は、θkが大きくオーバーライトが可能であ
るという優れた効果を有するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録材料として
優れた特性を持つ磁気光学薄膜およびその製造方法に関
する。
優れた特性を持つ磁気光学薄膜およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】光磁気記
録材料としては、TbFeCo，GdFeCoなど希土類と遷移金属
の非晶質合金（以下ＲＥ−ＴＭと称する）が公知であ
り、実用化もなされているが、このＲＥ−ＴＭには膜酸
化による性能劣化やカー回転角（θk ) が小さいという
欠点がある。θk の大きい材料としてはPtMnSbが公知で
あるが、これは通常の薄膜形成法（例えば真空蒸着、ス
パッタリング等）によって成膜された場合、光磁気記録
材料の必要特性である垂直磁気異方性を持たないという
大きな欠点がある。
録材料としては、TbFeCo，GdFeCoなど希土類と遷移金属
の非晶質合金（以下ＲＥ−ＴＭと称する）が公知であ
り、実用化もなされているが、このＲＥ−ＴＭには膜酸
化による性能劣化やカー回転角（θk ) が小さいという
欠点がある。θk の大きい材料としてはPtMnSbが公知で
あるが、これは通常の薄膜形成法（例えば真空蒸着、ス
パッタリング等）によって成膜された場合、光磁気記録
材料の必要特性である垂直磁気異方性を持たないという
大きな欠点がある。
【０００３】垂直磁気異方性を有するPtMnSb合金薄膜を
得るための方法として、本発明者は、先に、陽極酸化処
理により形成させた多孔質皮膜層を有するアルミニウム
基板を陽極として用い、Pt、MnおよびSbのイオンを含む
電解質溶液中において当該陽極と対抗電極との間に電圧
印加を行ってPtMnSb合金をアルミニウム基板表面上の各
孔中に析出させることにより磁気光学薄膜を製造する方
法を提案した。
得るための方法として、本発明者は、先に、陽極酸化処
理により形成させた多孔質皮膜層を有するアルミニウム
基板を陽極として用い、Pt、MnおよびSbのイオンを含む
電解質溶液中において当該陽極と対抗電極との間に電圧
印加を行ってPtMnSb合金をアルミニウム基板表面上の各
孔中に析出させることにより磁気光学薄膜を製造する方
法を提案した。
【０００４】この方法により得られた磁気光学薄膜は、
垂直磁気異方性を有し、かつθk が大きいという利点を
有するが、オーバーライトができないという問題があ
る。即ち、ある情報を新たな情報に書き換えるために
は、古い記録内容を一度消去し、その後で新たに記録を
行う必要があり、記録の高密度化とともに進められてい
る高速化の要求を満足することができない。
垂直磁気異方性を有し、かつθk が大きいという利点を
有するが、オーバーライトができないという問題があ
る。即ち、ある情報を新たな情報に書き換えるために
は、古い記録内容を一度消去し、その後で新たに記録を
行う必要があり、記録の高密度化とともに進められてい
る高速化の要求を満足することができない。
【０００５】オーバーライトを可能にする方法として
は、例えば、二層膜を利用した光強度変調方式が提案さ
れている（松本広行；オプトロニクス，１９８９，Ｎｏ
７，Ｐ１３１〜）。これはキュリー温度（ＴC ）が低
く、保磁力（ＨC ）の大きいメモリ層と、ＴC が低くＨ
C が小さい補助層の二層とし、照射光強度を変えること
でオーバーライトを可能としたものである。しかし、こ
の二層膜媒体として用いられているのは、ＲＥ−ＴＭで
あり、既述した如くカー回転角θk が小さいため、十分
なＳ／Ｎ比を得ることができないという欠点がある。
は、例えば、二層膜を利用した光強度変調方式が提案さ
れている（松本広行；オプトロニクス，１９８９，Ｎｏ
７，Ｐ１３１〜）。これはキュリー温度（ＴC ）が低
く、保磁力（ＨC ）の大きいメモリ層と、ＴC が低くＨ
C が小さい補助層の二層とし、照射光強度を変えること
でオーバーライトを可能としたものである。しかし、こ
の二層膜媒体として用いられているのは、ＲＥ−ＴＭで
あり、既述した如くカー回転角θk が小さいため、十分
なＳ／Ｎ比を得ることができないという欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の如き事情に鑑み、
本発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム陽極酸化多孔
質皮膜の微細孔中に、PtMnSb合金よりＴC が高く且つＨ
C が小さい磁性体とPtMnSb合金とを順次積層充填するこ
とにより、θk が大きく且つオーバーライト可能な磁気
光学薄膜が得られることを見出し、本発明を完成した。
本発明者は鋭意研究の結果、アルミニウム陽極酸化多孔
質皮膜の微細孔中に、PtMnSb合金よりＴC が高く且つＨ
C が小さい磁性体とPtMnSb合金とを順次積層充填するこ
とにより、θk が大きく且つオーバーライト可能な磁気
光学薄膜が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、アルミニウム陽極酸化多
孔質皮膜の微細孔中に、PtMnSb合金よりキュリー温度が
高く且つ保磁力が小さい磁性体とPtMnSb合金とを順次積
層してなる磁気光学薄膜、およびその製造方法に係るも
のであり、その製造方法は、陽極酸化処理により形成し
た多孔質皮膜を有するアルミニウム基板を陽極として用
い、PtMnSb合金よりキュリー温度が高く且つ保磁力が小
さい磁性体の構成元素イオンを含む第一の電解質溶液中
において、該陽極と対抗電極との間に電圧印加を行うこ
とによりアルミニウム陽極酸化多孔質皮膜の微細孔中に
該磁性体を析出させ、次いでPt、MnおよびSbイオンを含
む第二の電解質溶液中において同様の電圧印加を行って
PtMnSb合金を微細孔中の該磁性体上に重ねて析出させる
ことを特徴とする。
孔質皮膜の微細孔中に、PtMnSb合金よりキュリー温度が
高く且つ保磁力が小さい磁性体とPtMnSb合金とを順次積
層してなる磁気光学薄膜、およびその製造方法に係るも
のであり、その製造方法は、陽極酸化処理により形成し
た多孔質皮膜を有するアルミニウム基板を陽極として用
い、PtMnSb合金よりキュリー温度が高く且つ保磁力が小
さい磁性体の構成元素イオンを含む第一の電解質溶液中
において、該陽極と対抗電極との間に電圧印加を行うこ
とによりアルミニウム陽極酸化多孔質皮膜の微細孔中に
該磁性体を析出させ、次いでPt、MnおよびSbイオンを含
む第二の電解質溶液中において同様の電圧印加を行って
PtMnSb合金を微細孔中の該磁性体上に重ねて析出させる
ことを特徴とする。
【０００８】上記方法により得られる本発明の磁気光学
薄膜は、PtMnSb合金ならびに、これとはＴC およびＨC
の異なる磁性体とからなる二層構造を有する結果、レー
ザー光の強度を変えるだけで磁化方向が決められるの
で、オーバーライトが可能となる。しかも、PtMnSb合金
に由来してθk が大きいのでＳ／Ｎ比が大きくとれると
いう利点を有する。
薄膜は、PtMnSb合金ならびに、これとはＴC およびＨC
の異なる磁性体とからなる二層構造を有する結果、レー
ザー光の強度を変えるだけで磁化方向が決められるの
で、オーバーライトが可能となる。しかも、PtMnSb合金
に由来してθk が大きいのでＳ／Ｎ比が大きくとれると
いう利点を有する。
【０００９】アルミニウム基板としては、電気用アルミ
ニウムやJIS A 1050P に規定されているアルミニウム等
の純アルミニウムの他、各種のアルミニウム合金、再生
アルミニウム等、種々のアルミニウムからなる基板を用
いることができる。
ニウムやJIS A 1050P に規定されているアルミニウム等
の純アルミニウムの他、各種のアルミニウム合金、再生
アルミニウム等、種々のアルミニウムからなる基板を用
いることができる。
【００１０】アルミニウム基板表面の多孔質皮膜層は、
通常の陽極酸化処理方法、例えばJIS H 9500、JIS H 95
01等に記載された方法により形成することができる。多
孔質陽極酸化皮膜の微細孔径は通常５〜２００ｎｍ、好
ましくは２０〜１００ｎｍである。これがあまりにも小
さくなりすぎるとθk が小さくなる傾向にあるので好ま
しくない。
通常の陽極酸化処理方法、例えばJIS H 9500、JIS H 95
01等に記載された方法により形成することができる。多
孔質陽極酸化皮膜の微細孔径は通常５〜２００ｎｍ、好
ましくは２０〜１００ｎｍである。これがあまりにも小
さくなりすぎるとθk が小さくなる傾向にあるので好ま
しくない。
【００１１】また、多孔質陽極酸化皮膜の膜厚は微細孔
径の１０倍以上が好適である。膜厚がこれよりも薄い場
合には、この微細孔中に充填されたPtMnSb合金が十分な
垂直磁気異方性を持たないおそれがあるので好ましくな
い。従って、当該皮膜の膜厚は好ましくは０．０５〜２
０μｍ、さらに好ましくは０．２〜１０μｍである。
径の１０倍以上が好適である。膜厚がこれよりも薄い場
合には、この微細孔中に充填されたPtMnSb合金が十分な
垂直磁気異方性を持たないおそれがあるので好ましくな
い。従って、当該皮膜の膜厚は好ましくは０．０５〜２
０μｍ、さらに好ましくは０．２〜１０μｍである。
【００１２】第一層として使用する磁性体は、微細孔中
に充填した状態でPtMnSbよりＴC が高く且つＨC が小さ
いものであれば特に制限はない。但しＴC があまり高す
ぎると媒体の熱による劣化の恐れがあるため、ＴC の範
囲としては好ましくは３００〜１０００℃、さらに好ま
しくは３５０〜９００℃である。また、ＨC は低すぎる
と記録が消えてしまう恐れがあるため、ＨC の範囲とし
ては好ましくは２００〜９００Ｏe 、さらに好ましくは
４００〜８００Ｏe である。このような材料としては、
Fe、Niあるいはそれらの合金等が特に好適である。
に充填した状態でPtMnSbよりＴC が高く且つＨC が小さ
いものであれば特に制限はない。但しＴC があまり高す
ぎると媒体の熱による劣化の恐れがあるため、ＴC の範
囲としては好ましくは３００〜１０００℃、さらに好ま
しくは３５０〜９００℃である。また、ＨC は低すぎる
と記録が消えてしまう恐れがあるため、ＨC の範囲とし
ては好ましくは２００〜９００Ｏe 、さらに好ましくは
４００〜８００Ｏe である。このような材料としては、
Fe、Niあるいはそれらの合金等が特に好適である。
【００１３】上記の磁性体を前記アルミニウム陽極酸化
多孔質皮膜の微細孔中に、まず電解析出させるが、それ
には磁性体を構成する元素のイオンを含有する第一の電
解質溶液中で、前記多孔質皮膜を有するアルミニウム基
板を陽極として電解析出を行えばよい。この第一の電解
質溶液は、水溶液、非水溶液のいずれであってもよい
が、水溶液を用いた通常の電解析出法で特に問題はな
い。上記電解液を用いて微細孔内の充填率がほぼ５０％
となるまで電解析出処理を行う。当該磁性体とPtMnSb合
金の充填率の比は１：１であることが望ましいが、多少
の違いはあってもよい。
多孔質皮膜の微細孔中に、まず電解析出させるが、それ
には磁性体を構成する元素のイオンを含有する第一の電
解質溶液中で、前記多孔質皮膜を有するアルミニウム基
板を陽極として電解析出を行えばよい。この第一の電解
質溶液は、水溶液、非水溶液のいずれであってもよい
が、水溶液を用いた通常の電解析出法で特に問題はな
い。上記電解液を用いて微細孔内の充填率がほぼ５０％
となるまで電解析出処理を行う。当該磁性体とPtMnSb合
金の充填率の比は１：１であることが望ましいが、多少
の違いはあってもよい。
【００１４】対抗電極としては従来既知のものを用いれ
ばよく、黒鉛、白金等が挙げられる。また、当該陽極と
対抗電極との間に電圧（直流、交流、パルス波形、ある
いはそれらの組み合わせ等）を印加する場合の条件とし
ては、電圧は通常１〜１００Ｖ、好ましくは５〜２０Ｖ
であり、温度は通常５〜６０℃、好ましくは１０〜３０
℃である。
ばよく、黒鉛、白金等が挙げられる。また、当該陽極と
対抗電極との間に電圧（直流、交流、パルス波形、ある
いはそれらの組み合わせ等）を印加する場合の条件とし
ては、電圧は通常１〜１００Ｖ、好ましくは５〜２０Ｖ
であり、温度は通常５〜６０℃、好ましくは１０〜３０
℃である。
【００１５】次いで、このようにして微細孔内に充填さ
れた磁性体の上に、PtMnSb合金を同様の電解析出処理に
より積層する。この時に用いられるPt、MnおよびSbのイ
オンを含む第二の電解質溶液としては、水溶液、非水溶
液のいずれであってもよいが、水溶液の場合、水の電気
分解による水素発生の影響で特にMnの析出率が低下する
場合があるので、一般に非水溶液のほうが好ましい。そ
の際の溶媒としては、Pt、MnおよびSbの各化合物を溶解
してイオン化し得るものであれば特に制限はないが、各
種の極性有機溶媒、就中アルコール類はMnの析出量を増
大する効果があるので特に好ましい。当該電解液を用い
て、前記微細孔内の磁性体の上に、微細孔がほぼ完全に
充填されるまでPtMnSbの電解析出処理を行う。
れた磁性体の上に、PtMnSb合金を同様の電解析出処理に
より積層する。この時に用いられるPt、MnおよびSbのイ
オンを含む第二の電解質溶液としては、水溶液、非水溶
液のいずれであってもよいが、水溶液の場合、水の電気
分解による水素発生の影響で特にMnの析出率が低下する
場合があるので、一般に非水溶液のほうが好ましい。そ
の際の溶媒としては、Pt、MnおよびSbの各化合物を溶解
してイオン化し得るものであれば特に制限はないが、各
種の極性有機溶媒、就中アルコール類はMnの析出量を増
大する効果があるので特に好ましい。当該電解液を用い
て、前記微細孔内の磁性体の上に、微細孔がほぼ完全に
充填されるまでPtMnSbの電解析出処理を行う。
【００１６】本発明において、多孔質陽極酸化皮膜の各
微細孔中に充填されるPtMnSbの組成をPta Mnb Sbc と表
示した場合、当該式中におけるａ、ｂおよびｃの各値が
次式およびを満足する組成範囲内であるとき、カー
回転角θk が一般に大きくなるので特に好ましい。 ０．１≦ａ≦１．９、 ０．１≦ｂ≦１．９、 ０．１≦ｃ≦１．９ 但しａ＋ｂ＋ｃ＝３ また上記の場合、ｂ：ｃの比率ができるだけ１：１に近
く、更にはａ：ｂ：ｃの比率ができるだけ１：１：１に
近ければ一層優れた磁気光学特性を有するPtMnSb合金が
得られる。生成するPtMnSb合金の組成は、上記した電解
質溶液中におけるPt、MnおよびSbの各元素化合物の濃度
に左右されるので、各元素化合物の濃度を試行錯誤的に
調節することで所望組成の合金を容易に調製することが
できる。
微細孔中に充填されるPtMnSbの組成をPta Mnb Sbc と表
示した場合、当該式中におけるａ、ｂおよびｃの各値が
次式およびを満足する組成範囲内であるとき、カー
回転角θk が一般に大きくなるので特に好ましい。 ０．１≦ａ≦１．９、 ０．１≦ｂ≦１．９、 ０．１≦ｃ≦１．９ 但しａ＋ｂ＋ｃ＝３ また上記の場合、ｂ：ｃの比率ができるだけ１：１に近
く、更にはａ：ｂ：ｃの比率ができるだけ１：１：１に
近ければ一層優れた磁気光学特性を有するPtMnSb合金が
得られる。生成するPtMnSb合金の組成は、上記した電解
質溶液中におけるPt、MnおよびSbの各元素化合物の濃度
に左右されるので、各元素化合物の濃度を試行錯誤的に
調節することで所望組成の合金を容易に調製することが
できる。
【００１７】このようにして、多孔質陽極酸化皮膜の各
微細孔内にPtMnSbよりＴC が高く且つＨC の小さい磁性
体とPtMnSb合金とを順次電解析出させて、本発明の磁気
光学薄膜が得られるが、本発明においては、この電解析
出の後に研磨処理および熱処理を行ってもよい。これら
の処理を行うことによってＳ／Ｎ比を更に改善すること
が可能である。研磨と熱処理はどちらを先に行ってもよ
いが、研磨後に歪みが残ってしまう恐れがあるので熱処
理を後に行う方が良い。
微細孔内にPtMnSbよりＴC が高く且つＨC の小さい磁性
体とPtMnSb合金とを順次電解析出させて、本発明の磁気
光学薄膜が得られるが、本発明においては、この電解析
出の後に研磨処理および熱処理を行ってもよい。これら
の処理を行うことによってＳ／Ｎ比を更に改善すること
が可能である。研磨と熱処理はどちらを先に行ってもよ
いが、研磨後に歪みが残ってしまう恐れがあるので熱処
理を後に行う方が良い。
【００１８】研磨処理の方法としては、例えばエメリー
研磨やバフ研磨等の方法が挙げられる。この研磨処理
は、全ての微細孔内の析出物が表面上に現れるまで、す
なわち、全ての微細孔内のPtMnSbが陽極酸化皮膜と同一
面状になり、且つその表面粗さが０．１μｍ以下、好ま
しくは０．０５μｍ以下になるまで行うことが望まし
い。なお、この場合第一層より第二層すなわちPtMnSb層
の方が若干厚くなるように析出させ、研磨後に充填比率
が１：１になるようにすることが望ましい。上記の研磨
処理を行う場合には、多孔質陽極酸化皮膜形成の際、そ
の膜厚を厚めにしておくことが望ましい。
研磨やバフ研磨等の方法が挙げられる。この研磨処理
は、全ての微細孔内の析出物が表面上に現れるまで、す
なわち、全ての微細孔内のPtMnSbが陽極酸化皮膜と同一
面状になり、且つその表面粗さが０．１μｍ以下、好ま
しくは０．０５μｍ以下になるまで行うことが望まし
い。なお、この場合第一層より第二層すなわちPtMnSb層
の方が若干厚くなるように析出させ、研磨後に充填比率
が１：１になるようにすることが望ましい。上記の研磨
処理を行う場合には、多孔質陽極酸化皮膜形成の際、そ
の膜厚を厚めにしておくことが望ましい。
【００１９】熱処理方法としては、例えば誘導加熱法、
高周波加熱法、電子ビーム加熱法等の方法が挙げられる
が、これは真空中あるいはアルゴンガス等の不活性ガス
や水素などの非酸化性雰囲気下で行うことが望ましい。
熱処理の際の温度は、通常２００〜６００℃、好ましく
は３００〜５００℃である。また、加熱時間は通常１時
間以上、好ましくは５〜１０時間である。
高周波加熱法、電子ビーム加熱法等の方法が挙げられる
が、これは真空中あるいはアルゴンガス等の不活性ガス
や水素などの非酸化性雰囲気下で行うことが望ましい。
熱処理の際の温度は、通常２００〜６００℃、好ましく
は３００〜５００℃である。また、加熱時間は通常１時
間以上、好ましくは５〜１０時間である。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するため実施例を
挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら限定され
るものではない。
挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら限定され
るものではない。
【００２１】実施例１ 純度９９．９９％アルミニウム板の表面を鏡面状に研磨
し、エッチング後、１５wt％ H2SO4中で陽極酸化処理を
行い、平均孔径５０ｎｍ、平均膜厚４μｍの多孔質皮膜
を形成した。次に、硫酸鉄１０g/l 、ホウ酸２０g/l 、
グリセリン２g/l を含む電解液を用いて電解析出処理を
行い、微細孔内の充填率がほぼ４０％となるまでFeを析
出させた。次いで、ヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物
４g/l 、塩化マンガン（II）四水和物５g/l 、および塩
化アンチモン(III) １g/l を含む電解液を用いて、上記
の微細孔内のFeの上に、微細孔がほぼ完全に充填される
までPtMnSb合金を電解析出させた。この皮膜表面を膜厚
の２０％程度研磨し、アルゴンガス雰囲気で４５０℃、
５時間熱処理を施した。
し、エッチング後、１５wt％ H2SO4中で陽極酸化処理を
行い、平均孔径５０ｎｍ、平均膜厚４μｍの多孔質皮膜
を形成した。次に、硫酸鉄１０g/l 、ホウ酸２０g/l 、
グリセリン２g/l を含む電解液を用いて電解析出処理を
行い、微細孔内の充填率がほぼ４０％となるまでFeを析
出させた。次いで、ヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物
４g/l 、塩化マンガン（II）四水和物５g/l 、および塩
化アンチモン(III) １g/l を含む電解液を用いて、上記
の微細孔内のFeの上に、微細孔がほぼ完全に充填される
までPtMnSb合金を電解析出させた。この皮膜表面を膜厚
の２０％程度研磨し、アルゴンガス雰囲気で４５０℃、
５時間熱処理を施した。
【００２２】このようにして得られた本発明の磁気光学
薄膜は、図１に示すような構造を有するものである。す
なわち、アルミニウム板１上の多孔質皮膜２の微細孔中
に、PtMnSb合金よりＴC が高く且つＨC が小さい磁性体
３（実施例１においてはFe）とPtMnSb合金４を順次積層
させた構造を有する。
薄膜は、図１に示すような構造を有するものである。す
なわち、アルミニウム板１上の多孔質皮膜２の微細孔中
に、PtMnSb合金よりＴC が高く且つＨC が小さい磁性体
３（実施例１においてはFe）とPtMnSb合金４を順次積層
させた構造を有する。
【００２３】上記実施例１の磁気光学薄膜におけるFeの
ＴC は７７０℃、ＨC は５００Ｏe であり、PtMnSb合金
のＴC は２００℃、ＨC は１０００Ｏe であった。
ＴC は７７０℃、ＨC は５００Ｏe であり、PtMnSb合金
のＴC は２００℃、ＨC は１０００Ｏe であった。
【００２４】この磁気光学薄膜についてPtMnSb合金側か
らレーザー光を照射して昇温させ、媒体温度７７０℃、
印加磁界３００Ｏe の条件下で記録を行ったときの１回
目の記録再生特性は、Ｃ／Ｎ比（３０ｋＨｚ狭帯域Ｓ／
Ｎ比）が６０ｄＢと良好な値を示し、また波長６３３ｎ
ｍの光によるθk は１．７°であり、PtMnSbのみを電析
した場合（１．６°）より高い値が得られた。またオー
バーライトを行ったところ、Ｃ／Ｎ比は５７ｄＢであ
り、１回目とほぼ同等の値を示し、θk は変わらなかっ
た。この特性は、以後オーバーライトを数回繰り返して
も衰えることはなかった。
らレーザー光を照射して昇温させ、媒体温度７７０℃、
印加磁界３００Ｏe の条件下で記録を行ったときの１回
目の記録再生特性は、Ｃ／Ｎ比（３０ｋＨｚ狭帯域Ｓ／
Ｎ比）が６０ｄＢと良好な値を示し、また波長６３３ｎ
ｍの光によるθk は１．７°であり、PtMnSbのみを電析
した場合（１．６°）より高い値が得られた。またオー
バーライトを行ったところ、Ｃ／Ｎ比は５７ｄＢであ
り、１回目とほぼ同等の値を示し、θk は変わらなかっ
た。この特性は、以後オーバーライトを数回繰り返して
も衰えることはなかった。
【００２５】
【発明の効果】本発明における製造方法により作製され
た磁気光学薄膜は、θk が大きくオーバーライトが可能
であるという優れた効果を有するものである。
た磁気光学薄膜は、θk が大きくオーバーライトが可能
であるという優れた効果を有するものである。
【図１】本発明の磁気光学薄膜の構造を示す図である。
１ アルミニウム板 ２ 多孔質皮膜 ３ PtMnSb合金よりＴC が高く且つＨC が小さい磁性体 ４ PtMnSb合金
【表１】
【表２】
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム陽極酸化多孔質皮膜の微細
孔中に、PtMnSb合金よりキュリー温度が高く且つ保磁力
が小さい磁性体とPtMnSb合金とを順次積層してなる磁気
光学薄膜。 - 【請求項２】 陽極酸化処理により形成した多孔質皮膜
を有するアルミニウム基板を陽極として用い、PtMnSb合
金よりキュリー温度が高く且つ保磁力が小さい磁性体の
構成元素イオンを含む第一の電解質溶液中において、該
陽極と対抗電極との間に電圧印加を行うことにより、ア
ルミニウム陽極酸化多孔質皮膜の微細孔中に該磁性体を
析出させ、次いでPt、MnおよびSbイオンを含む第二の電
解質溶液中において同様の電圧印加を行ってPtMnSb合金
を微細孔中の該磁性体上に重ねて析出させることを特徴
とする磁気光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3349672A JPH05159396A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 磁気光学薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3349672A JPH05159396A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 磁気光学薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159396A true JPH05159396A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18405323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3349672A Pending JPH05159396A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 磁気光学薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159396A (ja) |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP3349672A patent/JPH05159396A/ja active Pending
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