JPH05155934A - フォトクロミック高分子化合物 - Google Patents
フォトクロミック高分子化合物Info
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- JPH05155934A JPH05155934A JP32178691A JP32178691A JPH05155934A JP H05155934 A JPH05155934 A JP H05155934A JP 32178691 A JP32178691 A JP 32178691A JP 32178691 A JP32178691 A JP 32178691A JP H05155934 A JPH05155934 A JP H05155934A
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- compound
- irradiation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】画像形成装置に必要な感光体等に利用可能な、
光照射に伴う可逆的な異性化によって、フォトクロミッ
ク特性を示すアゾベンゼン系化合物を供給することにあ
る。 【構成】 化学式１（式中、Ｒ1 は水素原子または、炭
素数１以上のアルキル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、同一ま
たは異なっていてもよく、それぞれ基−ＮＯ2、ハロゲ
ン化アルキル、ハロゲン原子を表わしている。またｎは
１以上の自然数である。）で表わされるものであり、望
ましくは、Ｒ2 及びＲ3 がアゾ基に対してオルトまたは
メタ位にある高分子化合物。 【化１】
光照射に伴う可逆的な異性化によって、フォトクロミッ
ク特性を示すアゾベンゼン系化合物を供給することにあ
る。 【構成】 化学式１（式中、Ｒ1 は水素原子または、炭
素数１以上のアルキル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、同一ま
たは異なっていてもよく、それぞれ基−ＮＯ2、ハロゲ
ン化アルキル、ハロゲン原子を表わしている。またｎは
１以上の自然数である。）で表わされるものであり、望
ましくは、Ｒ2 及びＲ3 がアゾ基に対してオルトまたは
メタ位にある高分子化合物。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な高分子化合物に
関する。更に詳細には、光照射にともなう可逆的な異性
化によって、フォトクロミック特性を示すアゾベンゼン
化合物。およびそれを側鎖に持つ高分子化合物に関す
る。
関する。更に詳細には、光照射にともなう可逆的な異性
化によって、フォトクロミック特性を示すアゾベンゼン
化合物。およびそれを側鎖に持つ高分子化合物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６０−１９１３６には、スピロピ
ラン系化合物の光異性化反応が記載されている。しか
し、可逆反応を繰り返すことにより劣化が急激に起こる
という問題点があり、実用上有用な物質ではなかった。
ラン系化合物の光異性化反応が記載されている。しか
し、可逆反応を繰り返すことにより劣化が急激に起こる
という問題点があり、実用上有用な物質ではなかった。
【０００３】また、特開平１−２５５８５７には、光照
射にともなう可逆的な異性化によって塗れ性を変化させ
る物質（以下、「光可逆性物質」という）を含んで構成
された像形成体の表面にインクを選択的に付着させ、こ
のインク画像を記録媒体に転写し、定着して印刷物を作
成する画像形成装置が記載されている。しかしながら、
光可逆性物質だけでは、実用上耐久性等の問題が考えら
れる。
射にともなう可逆的な異性化によって塗れ性を変化させ
る物質（以下、「光可逆性物質」という）を含んで構成
された像形成体の表面にインクを選択的に付着させ、こ
のインク画像を記録媒体に転写し、定着して印刷物を作
成する画像形成装置が記載されている。しかしながら、
光可逆性物質だけでは、実用上耐久性等の問題が考えら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記した画
像形成装置の感光体等で利用可能な、光照射に伴う可逆
的な異性化によって、フォトクロミック特性を示すアゾ
ベンゼン化合物を有する実用上耐久性のある高分子化合
物を提供することを目的とする。
像形成装置の感光体等で利用可能な、光照射に伴う可逆
的な異性化によって、フォトクロミック特性を示すアゾ
ベンゼン化合物を有する実用上耐久性のある高分子化合
物を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による高分子化合
物は、化学式１
物は、化学式１
【０００６】
【化２】
【０００７】（式中、Ｒ1 は水素原子または、炭素数１
以上のアルキル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、同一または異
なっていてもよく、それぞれ基−ＮＯ2 、ハロゲン化ア
ルキル、ハロゲン原子を表わしている。またｎは１以上
の自然数である。）で表わされるものであり、望ましく
は、Ｒ2 及びＲ3 がアゾ基に対してオルトまたはメタ位
にある物質である。さらに上記構造をその一部に含む物
質、およびそれらの混合物とする。
以上のアルキル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、同一または異
なっていてもよく、それぞれ基−ＮＯ2 、ハロゲン化ア
ルキル、ハロゲン原子を表わしている。またｎは１以上
の自然数である。）で表わされるものであり、望ましく
は、Ｒ2 及びＲ3 がアゾ基に対してオルトまたはメタ位
にある物質である。さらに上記構造をその一部に含む物
質、およびそれらの混合物とする。
【０００８】
【実施例】ここで、標題化合物に示したフォトクロミッ
ク特性を示す化合物とその化合物を側鎖に持つ高分子化
合物の製造例を示す。
ク特性を示す化合物とその化合物を側鎖に持つ高分子化
合物の製造例を示す。
【０００９】［実施例１］ ＜２，２’−ジニトロ−４−アミノアゾベンゼンの製造
方法＞オルトニトロアニリン５ｇ（０．０３６モル）を
９８％濃硫酸４０ｍｌに溶かし、よく攪拌する。そこに
亜硝酸ナトリウム４．６ｇの飽和水溶液を５℃で滴下
し、冷却しながら反応させる。次に、１５℃で酢酸１０
０ｇを加え、さらに、メタニトロアニリン５ｇ（０．０
３６モル）を酢酸３００ｇに溶かしたものを１５℃で滴
下し反応させた。その後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で分離を行な
い、分取液体クロマトグラフィにより分離精製を行なっ
た。これから、有機溶媒を除去し、目的物を得た。
方法＞オルトニトロアニリン５ｇ（０．０３６モル）を
９８％濃硫酸４０ｍｌに溶かし、よく攪拌する。そこに
亜硝酸ナトリウム４．６ｇの飽和水溶液を５℃で滴下
し、冷却しながら反応させる。次に、１５℃で酢酸１０
０ｇを加え、さらに、メタニトロアニリン５ｇ（０．０
３６モル）を酢酸３００ｇに溶かしたものを１５℃で滴
下し反応させた。その後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）で分離を行な
い、分取液体クロマトグラフィにより分離精製を行なっ
た。これから、有機溶媒を除去し、目的物を得た。
【００１０】 ［実施例２］ ＜ ２，２’ージフルオロー４ーアミノアゾベンゼン＞
オルトフルオロアニリン１ｇ（０．０１モル）を２Ｎ塩
酸１５０ｍｌに溶解後、-２〜-２．５℃に冷却し亜硝酸
ナトリウム７．１８ｇの水溶液３０ｍｌを４５分かけて
滴下した。４０分後、メタフルオロアニリン１１．１ｇ
（０．１０モル）に２Ｎ塩酸５０ｍｌ溶液を加えた。１
０分攪はん後、炭酸ナトリウム水溶液を加え、ｐＨ３に
調整した。さらに１．５時間かけてｐＨ６まで上げた。
２日間放置後、析出した固体を濾取し１８．６７ｇを得
た。これをシリカゲルクロマトグラフィ（ヘキサン：酢
酸エチル＝５：１〜４：１）にて分離し、シクロヘキサ
ンから２回再結晶することにより精製し、褐色針状晶と
して得た。
オルトフルオロアニリン１ｇ（０．０１モル）を２Ｎ塩
酸１５０ｍｌに溶解後、-２〜-２．５℃に冷却し亜硝酸
ナトリウム７．１８ｇの水溶液３０ｍｌを４５分かけて
滴下した。４０分後、メタフルオロアニリン１１．１ｇ
（０．１０モル）に２Ｎ塩酸５０ｍｌ溶液を加えた。１
０分攪はん後、炭酸ナトリウム水溶液を加え、ｐＨ３に
調整した。さらに１．５時間かけてｐＨ６まで上げた。
２日間放置後、析出した固体を濾取し１８．６７ｇを得
た。これをシリカゲルクロマトグラフィ（ヘキサン：酢
酸エチル＝５：１〜４：１）にて分離し、シクロヘキサ
ンから２回再結晶することにより精製し、褐色針状晶と
して得た。
【００１１】 元素分析結果 Ｃ12Ｈ9Ｎ3Ｆ2（分子量２３３．２） 実測値 理論値 炭素（％） ６５．９１ ６５．７５ 窒素（％） １２．７２ １２．７８ 水素（％） ４．０９ ４．１４ ［実施例３］ ＜ポリ（ｐ−フェニルアゾー２，２’ージニトロメタク
リルアニリド）の製造方法＞１，４ージオキサンに溶解
したポリメタクリル酸クロリド１ｇとトリエチルアミン
２ｇ（０．０２モル）の混合溶液に酢酸エチルに溶解し
た２，２’ージニトロー４ーアミノアゾベンゼン５．７
４ｇ（０．０２モル）を約１時間かけて滴下し、室温で
約３時間攪はんの後、７０℃に温度を上げ再び約１時間
攪はんする。なお、反応後のポリマーはポリマー沈澱剤
である石油エーテルによって洗浄、精製を行なった。
リルアニリド）の製造方法＞１，４ージオキサンに溶解
したポリメタクリル酸クロリド１ｇとトリエチルアミン
２ｇ（０．０２モル）の混合溶液に酢酸エチルに溶解し
た２，２’ージニトロー４ーアミノアゾベンゼン５．７
４ｇ（０．０２モル）を約１時間かけて滴下し、室温で
約３時間攪はんの後、７０℃に温度を上げ再び約１時間
攪はんする。なお、反応後のポリマーはポリマー沈澱剤
である石油エーテルによって洗浄、精製を行なった。
【００１２】この合成において、トリエチルアミンは反
応によって発生する塩化水素を除去する為に用いられて
おり、それ自体は反応に関与しない。また、ポリマー沈
澱剤を用いることによりモノマーの除去を行なった。反
応率３０〜４０％。収率約１５％。平均分子量約２０，
０００。
応によって発生する塩化水素を除去する為に用いられて
おり、それ自体は反応に関与しない。また、ポリマー沈
澱剤を用いることによりモノマーの除去を行なった。反
応率３０〜４０％。収率約１５％。平均分子量約２０，
０００。
【００１３】［合成高分子のフォトクロミック特性］合
成高分子に特定波長を照射した前後におけるシス、トラ
ンス体状態の吸収スペクトルの変化を図１に示した。紫
外光照射により吸収スペクトルの吸収が減少し、可視光
照射により元の状態に復起し、可逆的である。また、光
照射による吸収の増加に伴って、濡れ性は減少し、また
逆に吸収が減少すると濡れ性は増加する。この濡れ性の
変化も可逆的である。
成高分子に特定波長を照射した前後におけるシス、トラ
ンス体状態の吸収スペクトルの変化を図１に示した。紫
外光照射により吸収スペクトルの吸収が減少し、可視光
照射により元の状態に復起し、可逆的である。また、光
照射による吸収の増加に伴って、濡れ性は減少し、また
逆に吸収が減少すると濡れ性は増加する。この濡れ性の
変化も可逆的である。
【００１４】［合成高分子化合物のフォトクロミック安
定性］化合物そのものでは紫外光照射に伴う吸収の変化
は長時間持続せず、安定なトランス状態である吸収増大
の方向へ移行する。しかし、高分子化合物にする事によ
って光照射に伴う吸収の変化は安定で、図３に示したよ
うに長時間保持される。
定性］化合物そのものでは紫外光照射に伴う吸収の変化
は長時間持続せず、安定なトランス状態である吸収増大
の方向へ移行する。しかし、高分子化合物にする事によ
って光照射に伴う吸収の変化は安定で、図３に示したよ
うに長時間保持される。
【００１５】［合成高分子の熱耐久性］合成高分子の熱
耐久性の実施例を図４に示した。図４に４０℃の条件
で、合成高分子を放置した時の吸収強度の変化を記し
た。経時における吸収強度は、ほとんど変化が無く、安
定した吸収強度を保つ。 ［実施例４］ ＜ポリ（ｐ−フェニルアゾー２，２’ージフルオロメタ
クリルアニリド）の製造方法＞１，４ージオキサンに溶
解したポリメタクリル酸クロリド１ｇとトリエチルアミ
ン２ｇ（０．０２モル）の混合溶液に酢酸エチルに溶解
した２，２ージフルオロー４ーアミノアゾベンゼン４．
６６ｇ（０．０２モル）を約１時間かけて滴下し、室温
約３時間攪はんの後、 ７０℃に温度を上げ再び約１時
間攪はんする。その後、ポリマー沈澱剤である石油エー
テルによって洗浄、精製を行なった。反応率３０％。収
率約１０％。平均分子量約２０，０００。
耐久性の実施例を図４に示した。図４に４０℃の条件
で、合成高分子を放置した時の吸収強度の変化を記し
た。経時における吸収強度は、ほとんど変化が無く、安
定した吸収強度を保つ。 ［実施例４］ ＜ポリ（ｐ−フェニルアゾー２，２’ージフルオロメタ
クリルアニリド）の製造方法＞１，４ージオキサンに溶
解したポリメタクリル酸クロリド１ｇとトリエチルアミ
ン２ｇ（０．０２モル）の混合溶液に酢酸エチルに溶解
した２，２ージフルオロー４ーアミノアゾベンゼン４．
６６ｇ（０．０２モル）を約１時間かけて滴下し、室温
約３時間攪はんの後、 ７０℃に温度を上げ再び約１時
間攪はんする。その後、ポリマー沈澱剤である石油エー
テルによって洗浄、精製を行なった。反応率３０％。収
率約１０％。平均分子量約２０，０００。
【００１６】［合成高分子のフォトクロミック特性］合
成高分子に特定波長を照射した前後におけるシス、トラ
ンス体状態の吸収スペクトルの変化を図２に示した。紫
外光照射により吸収スペクトルの吸収が減少し、可視光
照射により元の状態に復起し、可逆的である。また、光
照射による吸収の増加に伴って、濡れ性は減少し、また
逆に吸収が減少すると濡れ性は増加する。この濡れ性の
変化も可逆的である。
成高分子に特定波長を照射した前後におけるシス、トラ
ンス体状態の吸収スペクトルの変化を図２に示した。紫
外光照射により吸収スペクトルの吸収が減少し、可視光
照射により元の状態に復起し、可逆的である。また、光
照射による吸収の増加に伴って、濡れ性は減少し、また
逆に吸収が減少すると濡れ性は増加する。この濡れ性の
変化も可逆的である。
【００１７】［合成高分子化合物のフォトクロミック安
定性］化合物そのものでは紫外光照射に伴う吸収の変化
は長時間持続せず、安定なトランス状態である吸収増大
の方向へ移行するが、高分子化合物にする事によって光
照射に伴う吸収の変化は安定で、図３に示したように長
時間保持される。
定性］化合物そのものでは紫外光照射に伴う吸収の変化
は長時間持続せず、安定なトランス状態である吸収増大
の方向へ移行するが、高分子化合物にする事によって光
照射に伴う吸収の変化は安定で、図３に示したように長
時間保持される。
【００１８】［合成高分子の熱耐久性］合成高分子の熱
耐久性の実施例を図４に示した。図４に４０℃の条件
で、合成高分子を放置した時の吸収強度の変化を記し
た。経時における吸収強度は、ほとんど変化が無く、安
定した吸収強度を保つ。 ［比較例１］ ［合成高分子の繰り返し耐久性］スピロピラン化合物
（化学式２で示される）に
耐久性の実施例を図４に示した。図４に４０℃の条件
で、合成高分子を放置した時の吸収強度の変化を記し
た。経時における吸収強度は、ほとんど変化が無く、安
定した吸収強度を保つ。 ［比較例１］ ［合成高分子の繰り返し耐久性］スピロピラン化合物
（化学式２で示される）に
【００１９】
【化３】
【００２０】特定波長を照射した場合、吸収スペクトル
は合成化合物のように変化する。しかし、２０〜３０サ
イクルの変化を繰り返した時、吸収スペクトルの復元率
は初期の吸収強度の約半分になる。
は合成化合物のように変化する。しかし、２０〜３０サ
イクルの変化を繰り返した時、吸収スペクトルの復元率
は初期の吸収強度の約半分になる。
【００２１】実施例３、４に同様に特定波長を照射した
場合、吸収は安定な可逆性を示し、数１００回のリサイ
クルにも耐えることができる。
場合、吸収は安定な可逆性を示し、数１００回のリサイ
クルにも耐えることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明における物質は、
フォトクロミック特性を持ちポリマーにすることにより
安定で耐久性のあるメモリ材料として有効である。ま
た、本フォトクロミック材料を用いることにより有用な
画像形成装置の感光体を作製することができる。
フォトクロミック特性を持ちポリマーにすることにより
安定で耐久性のあるメモリ材料として有効である。ま
た、本フォトクロミック材料を用いることにより有用な
画像形成装置の感光体を作製することができる。
【図１】ポリ（Ｐ−フェニルアゾ−２，２’−ジニトロ
メタクリルアニリド）に光照射した時の吸収スペクトル
の変化を示す図。（実線は紫外光照射前のトランス状
態、破線は紫外光照射後のシス状態の吸収スペクト
ル。）
メタクリルアニリド）に光照射した時の吸収スペクトル
の変化を示す図。（実線は紫外光照射前のトランス状
態、破線は紫外光照射後のシス状態の吸収スペクト
ル。）
【図２】ポリ（Ｐ−フェニルアゾ−２，２’−ジフルオ
ロメタクリルアニリド）に光照射した時の吸収スぺクト
ルの変化を示す図。（実線は紫外光照射前のトランス状
態、破線は紫外光照射後のシス状態の吸収スペクト
ル。）
ロメタクリルアニリド）に光照射した時の吸収スぺクト
ルの変化を示す図。（実線は紫外光照射前のトランス状
態、破線は紫外光照射後のシス状態の吸収スペクト
ル。）
【図３】高分子化合物の時間に対するフォトクロミック
安定性（最大吸収波長の時間における吸収の変化）を示
す図。（実施例３の化合物を実線、４の化合物を破線で
示した。）
安定性（最大吸収波長の時間における吸収の変化）を示
す図。（実施例３の化合物を実線、４の化合物を破線で
示した。）
【図４】高分子化合物の熱に対するフォトクロミック安
定性（最大吸収波長の熱における吸収の変化）を示す
図。（実施例３の化合物を実線、４の化合物を破線で示
した。）
定性（最大吸収波長の熱における吸収の変化）を示す
図。（実施例３の化合物を実線、４の化合物を破線で示
した。）
フロントページの続き (72)発明者 北村 和彦 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 水間 功 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 化学式１で表されることを特徴とするフ
ォトクロミック高分子化合物。 【化１】 （式中、Ｒ1 は水素原子または、炭素数１以上のアルキ
ル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、同一または異なっていても
よく、それぞれ基−ＮＯ2 、ハロゲン化アルキル、ハロ
ゲン原子を表わしている。またｎは１以上の自然数。） - 【請求項２】 Ｒ2 及びＲ3 がアゾ基に対してオルトま
たはメタ位にあることを特徴とする請求項１記載のフォ
トクロミック高分子化合物。 - 【請求項３】 請求項１記載の構造を一部に含むことを
特徴とするフォトクロミック高分子化合物。 - 【請求項４】 請求項２記載の構造を一部に含むことを
特徴とするフォトクロミック高分子化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32178691A JPH05155934A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | フォトクロミック高分子化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32178691A JPH05155934A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | フォトクロミック高分子化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05155934A true JPH05155934A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18136407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32178691A Pending JPH05155934A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | フォトクロミック高分子化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05155934A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6321652B1 (en) | 1997-02-06 | 2001-11-27 | Star Micronics Co., Ltd. | Image forming and plate making method and apparatus |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP32178691A patent/JPH05155934A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6321652B1 (en) | 1997-02-06 | 2001-11-27 | Star Micronics Co., Ltd. | Image forming and plate making method and apparatus |
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