JPH05152760A - 同軸ワイヤを使用した配線板の製造方法 - Google Patents
同軸ワイヤを使用した配線板の製造方法Info
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- JPH05152760A JPH05152760A JP31452091A JP31452091A JPH05152760A JP H05152760 A JPH05152760 A JP H05152760A JP 31452091 A JP31452091 A JP 31452091A JP 31452091 A JP31452091 A JP 31452091A JP H05152760 A JPH05152760 A JP H05152760A
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Landscapes
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同軸線を用いてクロスト−クノイズがなく、
シ−ルド効果に優れかつ高速信号処理に適した配線板の
製造法を提供することを目的とする。 【構成】 グランド層(1)を有する回路板(2’)の
上に設けられた接着性絶縁層(3)、その表面に所望の
形状に固定された同軸ワイヤ(4)、この同軸ワイヤを
被覆して設けられた絶縁層(11)、同軸ワイヤの芯線
(7)と接続された金属膜で内壁が被覆された導通孔
(6)又は接続用金属層(6’)が形成される箇所(1
4)と、回路と芯線(7)とを接続するための導通孔
(8)とが形成される箇所(14’)の絶縁層(11)
と接着性絶縁層(3)と回路板(2)にプラズマを照射
して除去すること。
シ−ルド効果に優れかつ高速信号処理に適した配線板の
製造法を提供することを目的とする。 【構成】 グランド層(1)を有する回路板(2’)の
上に設けられた接着性絶縁層(3)、その表面に所望の
形状に固定された同軸ワイヤ(4)、この同軸ワイヤを
被覆して設けられた絶縁層(11)、同軸ワイヤの芯線
(7)と接続された金属膜で内壁が被覆された導通孔
(6)又は接続用金属層(6’)が形成される箇所(1
4)と、回路と芯線(7)とを接続するための導通孔
(8)とが形成される箇所(14’)の絶縁層(11)
と接着性絶縁層(3)と回路板(2)にプラズマを照射
して除去すること。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、同軸ワイヤを用いた配
線板およびその製造法に関する。
線板およびその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の発達に伴い、配線板の配線密
度も非常に高いものが要求されるようになってきてい
る。このような配線密度の高い配線板として、必要な配
線パタ一ンにワイヤを使用した配線板(以下「マルチワ
イヤ配線板」という。例えば、特公昭45−21434
号)や多層印刷配線板がある。高密度化した配線板にお
いては、隣接するワイヤ、あるいは信号ライン間でのク
ロスト−クノイズが重大な問題となる。このような問題
点を解決するために配線板をシ一ルドする方法として、
例えば、信号ラインとア一スパタ一ンをビルドアップし
て形成する方法(特公昭58−54520号)、導通牲
塗膜をシ−ルドに用いる方法(特開昭51−71961
号)、導電性シ−ルド層をめっきにより形成する方法
(U.S.P.4、646、436号)等が提案されて
いる。しかし、これらの方法ではクロスト一クノイズの
解消は十分ではない。
度も非常に高いものが要求されるようになってきてい
る。このような配線密度の高い配線板として、必要な配
線パタ一ンにワイヤを使用した配線板(以下「マルチワ
イヤ配線板」という。例えば、特公昭45−21434
号)や多層印刷配線板がある。高密度化した配線板にお
いては、隣接するワイヤ、あるいは信号ライン間でのク
ロスト−クノイズが重大な問題となる。このような問題
点を解決するために配線板をシ一ルドする方法として、
例えば、信号ラインとア一スパタ一ンをビルドアップし
て形成する方法(特公昭58−54520号)、導通牲
塗膜をシ−ルドに用いる方法(特開昭51−71961
号)、導電性シ−ルド層をめっきにより形成する方法
(U.S.P.4、646、436号)等が提案されて
いる。しかし、これらの方法ではクロスト一クノイズの
解消は十分ではない。
【0003】一方、これらシ一ルド法を改良する方法と
して、信号線の外側のワイヤ絶縁層をシ−ルド層で覆っ
た所望の同軸ワイヤを用いる方法も提案されている(U
SP4、679、321及び4、743、710号)。
このような同軸ワイヤを用いた場合、同軸ワイヤの芯線
及びシ−ルド層と他の導体との接続が問題となる。US
P4、743、710号によれば2つの方法が示されて
いる。第1の方法によれば、接続する箇所の導電性物質
及び同軸線のシ−ルド層及び絶縁層を同軸線の芯線のみ
を残してレ一ザで除去する方法である。さらに、同公報
3欄58行〜67行に、芯線はレ−ザ光を反射し、その
他の有機部分を除去することができることが記載されて
いる。また、第2の方法は、孔内壁に露出した同軸線の
シ一ルド層を選択的にエッチバックする方法であり、同
軸線のシ−ルド層と芯線とでは異なる材科を用いるとあ
る。
して、信号線の外側のワイヤ絶縁層をシ−ルド層で覆っ
た所望の同軸ワイヤを用いる方法も提案されている(U
SP4、679、321及び4、743、710号)。
このような同軸ワイヤを用いた場合、同軸ワイヤの芯線
及びシ−ルド層と他の導体との接続が問題となる。US
P4、743、710号によれば2つの方法が示されて
いる。第1の方法によれば、接続する箇所の導電性物質
及び同軸線のシ−ルド層及び絶縁層を同軸線の芯線のみ
を残してレ一ザで除去する方法である。さらに、同公報
3欄58行〜67行に、芯線はレ−ザ光を反射し、その
他の有機部分を除去することができることが記載されて
いる。また、第2の方法は、孔内壁に露出した同軸線の
シ一ルド層を選択的にエッチバックする方法であり、同
軸線のシ−ルド層と芯線とでは異なる材科を用いるとあ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
同軸ワイヤを用いた場合、第1の方法によれば、レ−ザ
光の出力を、同軸線の芯線が溶解しない程度に小さくす
ると、除去したい部分の除去が売全に行えず、また逆
に、除去したい部分を完全に除去できる程度に出力を大
きくすると、同軸線の芯線が溶解し、両者が共に成立す
る条件を設定することが困難であり、また、そのような
出力を一定に保持することも困難である。さらに、芯線
はレ−ザ光を反射し、その他の有機部分を除去すること
ができることが記載されているが、有機のグランド層
(ここでは、導電ペ−ストを想定している。)は導電性
が小さく、したがってシ一ルド効果も小さいものであ
る。また、第2の方法によれば、同軸線のシ−ルド層と
芯線とでは異なる材科を用いなければならず、導電性の
悪い材料を芯線層に用いれば芯線の信号の減衰が大きく
なり、逆にすれば、シ−ルド効果が小さくなる。また、
同軸線のシ−ルド層を選択的にエッチバックすると、そ
のエッチバックされた部分には非常に小さな空隙ができ
るので、そのように小さな空隙を樹脂で完全に満たすこ
とは困難であり、例え満たすことができても、樹脂液に
含まれる溶剤の気化による好ましくないボイドの発生が
さけられない。
同軸ワイヤを用いた場合、第1の方法によれば、レ−ザ
光の出力を、同軸線の芯線が溶解しない程度に小さくす
ると、除去したい部分の除去が売全に行えず、また逆
に、除去したい部分を完全に除去できる程度に出力を大
きくすると、同軸線の芯線が溶解し、両者が共に成立す
る条件を設定することが困難であり、また、そのような
出力を一定に保持することも困難である。さらに、芯線
はレ−ザ光を反射し、その他の有機部分を除去すること
ができることが記載されているが、有機のグランド層
(ここでは、導電ペ−ストを想定している。)は導電性
が小さく、したがってシ一ルド効果も小さいものであ
る。また、第2の方法によれば、同軸線のシ−ルド層と
芯線とでは異なる材科を用いなければならず、導電性の
悪い材料を芯線層に用いれば芯線の信号の減衰が大きく
なり、逆にすれば、シ−ルド効果が小さくなる。また、
同軸線のシ−ルド層を選択的にエッチバックすると、そ
のエッチバックされた部分には非常に小さな空隙ができ
るので、そのように小さな空隙を樹脂で完全に満たすこ
とは困難であり、例え満たすことができても、樹脂液に
含まれる溶剤の気化による好ましくないボイドの発生が
さけられない。
【0005】本発明は、同軸線を用いてクロスト−クノ
イズがなく、シ−ルド効果に優れかつ高速信号処理に適
した配線板の裂造法を提供することを目的とする。
イズがなく、シ−ルド効果に優れかつ高速信号処理に適
した配線板の裂造法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、図1と図2に
示すように、グランド層(1)を有する回路板
(2’)、又はグランド層(1)の上に設けられた絶縁
基板(2)、該回路板(2’)又は絶縁基板(2)の上
に設けられた接着性絶縁層(3)、その表面に所望の形
状に固定された同軸ワイヤ(4)、同軸ワイヤ(4)を
カバ−して設けられた絶縁層(11)、同軸ワイヤ
(4)の芯線(7)と接続された金属膜で内壁が被覆さ
れた導通孔(8)からなる配線板において、前記グラン
ド層(1)と同軸ワイヤ(4)のシ−ルド層(5)とを
接続するための導通孔(6)又は接続用金属層(6’)
が形成される箇所(14)と、回路と芯線(7)とを接
続するための導通孔(8)とが形成される箇所(1
4’)の絶縁層(11)とを接着性絶縁層(3)と回路
板(2)にプラズマを照射して除去することを特徴とす
る配線板の製造方法を提供する。
示すように、グランド層(1)を有する回路板
(2’)、又はグランド層(1)の上に設けられた絶縁
基板(2)、該回路板(2’)又は絶縁基板(2)の上
に設けられた接着性絶縁層(3)、その表面に所望の形
状に固定された同軸ワイヤ(4)、同軸ワイヤ(4)を
カバ−して設けられた絶縁層(11)、同軸ワイヤ
(4)の芯線(7)と接続された金属膜で内壁が被覆さ
れた導通孔(8)からなる配線板において、前記グラン
ド層(1)と同軸ワイヤ(4)のシ−ルド層(5)とを
接続するための導通孔(6)又は接続用金属層(6’)
が形成される箇所(14)と、回路と芯線(7)とを接
続するための導通孔(8)とが形成される箇所(1
4’)の絶縁層(11)とを接着性絶縁層(3)と回路
板(2)にプラズマを照射して除去することを特徴とす
る配線板の製造方法を提供する。
【0007】図3(a)に示すように、まず、グランド
層1を有する回路板2の表面に接着性絶縁層3を形成
し、複数の同軸ワイヤを所望の形状に配設する。グラン
ド層を形成するための基板としては、市販されている銅
箔張り積層板が使用可能である。また、プラズマエッチ
ング加工性のよいポリイミドフィルム表面に銅箔を形成
したものや、金属箔に有機フィラ一、粒状無機フィラ
−、短繊維の無機フィラ−などを混入した熱硬化あるい
は光硬化樹脂を塗布・硬化したもの、さらにアラミド繊
維などの有機製クロスで強化した樹脂を用いた銅箔張り
積層板を使用することが好ましい。接着性絶縁層として
は、同軸ワイヤを接着可能なものであれば、特に制限す
るものではなく、天然ゴム.合成ゴムとエポキシ樹脂を
主成分とする樹脂組成物を使用することができる。
層1を有する回路板2の表面に接着性絶縁層3を形成
し、複数の同軸ワイヤを所望の形状に配設する。グラン
ド層を形成するための基板としては、市販されている銅
箔張り積層板が使用可能である。また、プラズマエッチ
ング加工性のよいポリイミドフィルム表面に銅箔を形成
したものや、金属箔に有機フィラ一、粒状無機フィラ
−、短繊維の無機フィラ−などを混入した熱硬化あるい
は光硬化樹脂を塗布・硬化したもの、さらにアラミド繊
維などの有機製クロスで強化した樹脂を用いた銅箔張り
積層板を使用することが好ましい。接着性絶縁層として
は、同軸ワイヤを接着可能なものであれば、特に制限す
るものではなく、天然ゴム.合成ゴムとエポキシ樹脂を
主成分とする樹脂組成物を使用することができる。
【0008】同軸ワイヤとしては、市販のものが使用可
能であるが、高密度化及び布線作業性向上のために,最
外層に接着性絶縁層との接着力に優れたワイヤ用接着層
を設けた同軸ワイヤを使用することが好ましい。この接
着層としては、ボリビニルブチラ−ル/エボキシやナイ
ロン/フェノ一ルなどがある。また、同軸ワイヤの芯線
は単線である必要はなく、撚線でもよい。さらに芯線の
材質は直径が30〜80μmの程度の銅、銅合金、アル
ミニウム、アルミニウム合金やピアノ線に銅をクラッド
したものや、これらの線材表面に金めっき、銀めっき、
スズめっきを行ったものを用いることができる。また、
同軸ワイヤのシ一ルド層5は銅、銅合金のめっきによっ
て形成できる。また、直径が20〜30μmの銅、銅合
金、アルミニウム、アルミニウム合金やピアノ線に銅を
クラッドした線を絶縁層9の表面に巻きつけて形成して
もよい。また、ワイヤ用絶縁層としては、ポリイミド、
ポリアミドイド、フッ素、メチルペンテン系樹脂などが
使用可能である。
能であるが、高密度化及び布線作業性向上のために,最
外層に接着性絶縁層との接着力に優れたワイヤ用接着層
を設けた同軸ワイヤを使用することが好ましい。この接
着層としては、ボリビニルブチラ−ル/エボキシやナイ
ロン/フェノ一ルなどがある。また、同軸ワイヤの芯線
は単線である必要はなく、撚線でもよい。さらに芯線の
材質は直径が30〜80μmの程度の銅、銅合金、アル
ミニウム、アルミニウム合金やピアノ線に銅をクラッド
したものや、これらの線材表面に金めっき、銀めっき、
スズめっきを行ったものを用いることができる。また、
同軸ワイヤのシ一ルド層5は銅、銅合金のめっきによっ
て形成できる。また、直径が20〜30μmの銅、銅合
金、アルミニウム、アルミニウム合金やピアノ線に銅を
クラッドした線を絶縁層9の表面に巻きつけて形成して
もよい。また、ワイヤ用絶縁層としては、ポリイミド、
ポリアミドイド、フッ素、メチルペンテン系樹脂などが
使用可能である。
【0009】次に図3(b)に示すように、同軸ワイヤ
を固定するために絶縁層11を設ける。この絶縁層は、
ガラス・エポキシプリプレグやガラス・ポリイミドプリ
プレグをプレスラミネ−トで形成してもよい。また、エ
ポキシやポリイミド系ワニスなどをコ−ティンダして形
成してもよい。次に図3(c)に示すように、この基板
の導通孔6と導通孔8が形成される部分に同時にプラズ
マを照射して有機物を除去し、同軸ワイヤのシ−ルド層
を露出される。このとき、導通孔6と8が形成される箇
所を除く表面にプラズマエッチング用レジスト層を形成
する必要がある。このプラズマエッチシグ用レジスト層
は、プラズマを照射した場合耐性があればどのようなも
のでもよい。たとえば、銅、ニッケル、アルミなど金属
層が好ましい。ブラズマとしては、有機物である絶縁層
11や接着性絶縁層3などが容易に除去できるCF4 ガ
ス、CF4 と02 混合ガスを用いたものが好ましい。
を固定するために絶縁層11を設ける。この絶縁層は、
ガラス・エポキシプリプレグやガラス・ポリイミドプリ
プレグをプレスラミネ−トで形成してもよい。また、エ
ポキシやポリイミド系ワニスなどをコ−ティンダして形
成してもよい。次に図3(c)に示すように、この基板
の導通孔6と導通孔8が形成される部分に同時にプラズ
マを照射して有機物を除去し、同軸ワイヤのシ−ルド層
を露出される。このとき、導通孔6と8が形成される箇
所を除く表面にプラズマエッチング用レジスト層を形成
する必要がある。このプラズマエッチシグ用レジスト層
は、プラズマを照射した場合耐性があればどのようなも
のでもよい。たとえば、銅、ニッケル、アルミなど金属
層が好ましい。ブラズマとしては、有機物である絶縁層
11や接着性絶縁層3などが容易に除去できるCF4 ガ
ス、CF4 と02 混合ガスを用いたものが好ましい。
【0010】次に図3(d)に示すように、無電解金属
めっきあるいは無電解金属めっきと電気金属めっきの併
用のいずれかの方法で、金属めっき層を形成する。そし
て、テンティング方式で導通孔6を形成すると同時に導
通孔8が形成される部分の同軸ワイヤ金属めっき層をエ
ッチシグにより除去する。図3(e)に示したように、
上記基板1枚以上と内層板12をプリプレグを介して重
ね合わせ、加圧加熱一体化する。そして、ドリル穴あ
け、金属めっきを行ったのち、テンティシグ方式で導通
孔8と表面パタ−ンを形成する。導通孔6、導通孔8及
び表面パタ一ンの形成方式としては、テンティング方式
に限定するものではなく、現在配線板に使用されている
方式ならばいずれも使用可能である。たとえば、アディ
ティブ方式を使用してもよい。
めっきあるいは無電解金属めっきと電気金属めっきの併
用のいずれかの方法で、金属めっき層を形成する。そし
て、テンティング方式で導通孔6を形成すると同時に導
通孔8が形成される部分の同軸ワイヤ金属めっき層をエ
ッチシグにより除去する。図3(e)に示したように、
上記基板1枚以上と内層板12をプリプレグを介して重
ね合わせ、加圧加熱一体化する。そして、ドリル穴あ
け、金属めっきを行ったのち、テンティシグ方式で導通
孔8と表面パタ−ンを形成する。導通孔6、導通孔8及
び表面パタ一ンの形成方式としては、テンティング方式
に限定するものではなく、現在配線板に使用されている
方式ならばいずれも使用可能である。たとえば、アディ
ティブ方式を使用してもよい。
【0011】
【作用】本発明によれば、同軸ワイヤを用いているため
クロスト−クノイズが発生せず、同軸ワイヤのワイヤ用
絶縁層に誘電率の低いものを使用することにより、信号
の高速化を達成することができる。また、同軸ワイヤを
用いることにより、特性インピ−ダンスの変動が極めて
小さい配線板を、プラズマエッチング加工を使用するこ
とにより効率良く製造できる。
クロスト−クノイズが発生せず、同軸ワイヤのワイヤ用
絶縁層に誘電率の低いものを使用することにより、信号
の高速化を達成することができる。また、同軸ワイヤを
用いることにより、特性インピ−ダンスの変動が極めて
小さい配線板を、プラズマエッチング加工を使用するこ
とにより効率良く製造できる。
【0012】
【実施例】以下に、各実施例に用いた樹脂組成物の組成
を示す。
を示す。
【0013】 (組成物iの組成) 以下の組成物の樹脂300gに、塩化パラジウム1gをN−メチル−2−ピロ リドン50gに溶解した樽液を混合する。 ・エチレングリコ一ルモノエチルカ−テルアセテ一ト : 600g/l ・エポキシ樹脂 : 109g/l ・アクリロニトリルブタジエン共重合体ゴム : 20g/l ・フェノ一ル樹脂 : 60g/l ・アクリロニトリルブタジエシ : 144g/l ・シリコンジオキシド : 50g/l
【0014】 (組成物iiの組成) ・フェノキシ樹脂フェノト−ト、YP−50 (東都化成株式会社、商品名) : 100重量部 ・メチル化メラミン、メラン523 (日立化成工業株式会社、商品名) : 15重量部 ・ガラス短繊維、4GP−01BZ (旭シェ−べル株式会社、商品名) : 35重量部 ・メタブロム安息香酸 : 0.3重量部 ・無電解めっき触媒Cat#11 (日立化成工業株式会社、商品名) : 2.5重量部 ・セロソルブアセテ一ト : 220重量部
【0015】 (組成物iiiの組成) ・フェノト一YP−50 (東都化成株式会社、商品名) : 70重量部 ・エピコ一ト828 (油化シェルエポキシ株式会牡、商品名) : 20重量部 ・DEN438 (ダウケミカル社、商品名) : 10重量部 ・エスレックBM−2 (積水化学工業株式会社、商品名) : 20重量部 ・メラン523 (日立化成工業株式会社、商品名) : 20重量部 ・2PZ−CNS (四国化成工葉株式会社、商品名) : 2重量部 ・クリスタライトVX−X (龍森株式会社、商品名) : 20重量部 ・セロソルブアセテ一ト (和光純薬株式会社、商品名 : 200重量部
【0016】実施例1 両面粗化銅箔張ガラス・ポリイミド積層板MCL−1−
67(日立化成工業株式会社、商品名)の表面に所望の
エッチングレジストを形成し、導通孔6、8となる部分
の不要の銅箔をエッチング除去して、グランド層を形成
した回路板を作製する。前記組成物1を厚さ100μm
のドライフィルムにし、150℃・10kg/cm2 ・
10分間のプレス条件で回路板の表面にラミネ一トし、
芯線0.075mm、外径0.22mm、シ−ルド層厚
さ0.01mm、ワイヤ用絶縁層の材質フッ素樹脂の同
軸ワイヤを数値制御布線機によって、配線密度2本/
2.54mm、ワイヤピッチ0.45mmの配線ル一ル
で所望のパタ−ンに布線した。
67(日立化成工業株式会社、商品名)の表面に所望の
エッチングレジストを形成し、導通孔6、8となる部分
の不要の銅箔をエッチング除去して、グランド層を形成
した回路板を作製する。前記組成物1を厚さ100μm
のドライフィルムにし、150℃・10kg/cm2 ・
10分間のプレス条件で回路板の表面にラミネ一トし、
芯線0.075mm、外径0.22mm、シ−ルド層厚
さ0.01mm、ワイヤ用絶縁層の材質フッ素樹脂の同
軸ワイヤを数値制御布線機によって、配線密度2本/
2.54mm、ワイヤピッチ0.45mmの配線ル一ル
で所望のパタ−ンに布線した。
【0017】この基板表面に、前記組成物iiを厚さ18
0μmのドライフィルムにしたものを、15℃・10k
g/cm2 /10分間のプレス条件でラミネ−トした
後、さらに、18μmの銅箔を重ね合せ、170℃・3
0kg/cm2 の条件で90分間加圧加熱して積層一体
化した。次に、導通孔6以外の部分にエッチングレジス
トを形成し、不要な銅をエッチング除去後、エッチング
レジストを剥離して、プラズマエッチング用レジストと
して銅箔層15を形成した。この基板全体に、CF4 /
02 =8/2のガスによるプラズマを圧力0.8Tor
r、出力100Wの条件で35分間照射し、プラズマエ
ッチング加工穴14、14’を形成した。
0μmのドライフィルムにしたものを、15℃・10k
g/cm2 /10分間のプレス条件でラミネ−トした
後、さらに、18μmの銅箔を重ね合せ、170℃・3
0kg/cm2 の条件で90分間加圧加熱して積層一体
化した。次に、導通孔6以外の部分にエッチングレジス
トを形成し、不要な銅をエッチング除去後、エッチング
レジストを剥離して、プラズマエッチング用レジストと
して銅箔層15を形成した。この基板全体に、CF4 /
02 =8/2のガスによるプラズマを圧力0.8Tor
r、出力100Wの条件で35分間照射し、プラズマエ
ッチング加工穴14、14’を形成した。
【0018】次に、この基板を洗浄、触媒付与、発着促
進後、無電解銅めっき液Hid−410(日立化成工業
株式会社、商品名)に10時間浸漬して、厚さ25μm
の銅めっき層を形成した。次に導通孔6の形成部のみに
エッチングレジストを形成し、不要な銅めっき層をエッ
チング除去したこの基板と、エッチドフォイル法で作製
した内層板とガラス・ボリイミド製プリブしグGIA−
67N(日立化成工業株式会社、商品名)と銅箔を重
ね、180℃・30kg/cm2 の条件で90分加圧加
熱し、積層一体化した後、基板の所望の箇所に直径0.
8mmのドリルで穴あけをし、洗浄、触媒付与、密着促
進後、無電解銅めっきを行い、孔内壁と銅箔表面に約3
5μmの無電解銅めっき層を形成し、パッドや部品実装
端子など必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不
要な銅をエッチシグ除去した。
進後、無電解銅めっき液Hid−410(日立化成工業
株式会社、商品名)に10時間浸漬して、厚さ25μm
の銅めっき層を形成した。次に導通孔6の形成部のみに
エッチングレジストを形成し、不要な銅めっき層をエッ
チング除去したこの基板と、エッチドフォイル法で作製
した内層板とガラス・ボリイミド製プリブしグGIA−
67N(日立化成工業株式会社、商品名)と銅箔を重
ね、180℃・30kg/cm2 の条件で90分加圧加
熱し、積層一体化した後、基板の所望の箇所に直径0.
8mmのドリルで穴あけをし、洗浄、触媒付与、密着促
進後、無電解銅めっきを行い、孔内壁と銅箔表面に約3
5μmの無電解銅めっき層を形成し、パッドや部品実装
端子など必要な箇所にエッチングレジストを形成し、不
要な銅をエッチシグ除去した。
【0019】実施例2 厚さ35μmの両面粗化銅箔に前記組成物iiiを厚さ1
00μm塗布し、120℃・30分後、160℃・30
分間加熱する。次に、表面エッチングレジストを形成
し、導通孔6、8となる部分の銅箔をエッチング除去し
てグランド層を形成した回路板を作製する。前記組成物
iを厚さ100μmのドライフィルムにし、150℃・
10kg/cm2 ・10分間のプレス条件で回路板の表
面にラミネ−トする。そして、実施例1の同軸ワイヤの
表面に厚さ10μmのエポキシ/ナイロン系接着層を塗
布したものを数値制御布線機によって配線密度2本/
2.54mm、ワイヤピッチ0.45mmの配線ル一ル
で所望のパタ一ンに布線した。
00μm塗布し、120℃・30分後、160℃・30
分間加熱する。次に、表面エッチングレジストを形成
し、導通孔6、8となる部分の銅箔をエッチング除去し
てグランド層を形成した回路板を作製する。前記組成物
iを厚さ100μmのドライフィルムにし、150℃・
10kg/cm2 ・10分間のプレス条件で回路板の表
面にラミネ−トする。そして、実施例1の同軸ワイヤの
表面に厚さ10μmのエポキシ/ナイロン系接着層を塗
布したものを数値制御布線機によって配線密度2本/
2.54mm、ワイヤピッチ0.45mmの配線ル一ル
で所望のパタ一ンに布線した。
【0020】以降の工程は、実施例1と同様に行った。
このようにして製造した配線板のクロスト一クノイズ
は、下記の測定条件で観察されなかった。一方、シ−ル
ド層を除去したワイヤを用いて製造した従来の配線板の
クロスト一クノイズは4〜4.5%であり、本発明の大
きな効果が確認できた。 (測定条件) 導体間隔 : 0.4mm 平行に設置された導体の長さ : 30cm 誘導パルス電圧 : 5V 誘導パルス巾 : 500ns 誘導パルス立上り時間 : 1ns
このようにして製造した配線板のクロスト一クノイズ
は、下記の測定条件で観察されなかった。一方、シ−ル
ド層を除去したワイヤを用いて製造した従来の配線板の
クロスト一クノイズは4〜4.5%であり、本発明の大
きな効果が確認できた。 (測定条件) 導体間隔 : 0.4mm 平行に設置された導体の長さ : 30cm 誘導パルス電圧 : 5V 誘導パルス巾 : 500ns 誘導パルス立上り時間 : 1ns
【0021】実施例3 両面粗化銅箔張ガラス・ポリイミド積層板MCL−1−
67(日立化成工業珠式会社、商品名)の表面に、所望
のエッチングレジストを形成し、接続金属層6となる箇
所の不要の銅箔をエッチング除去して、グランド層を形
成した回路板を作製した。前記組成物iを厚さ100μ
mのドライフィルムにし、150℃で10分間、10k
g/cm2 のプレス条件で回路板の表面にラミネ−ト
し、芯線の直径が0.075mm、外径が0.22m
m、シ−ルド層の厚さが0.01mm、ワイヤ用絶縁層
の材質がフッ素系樹脂である同軸ワイヤを、数値制御布
線機によって配線密度が2本/2.54mm、ワイヤピ
ッチが0.4mmの配線ル一ルで、所望のパタ−ンに布
線した。
67(日立化成工業珠式会社、商品名)の表面に、所望
のエッチングレジストを形成し、接続金属層6となる箇
所の不要の銅箔をエッチング除去して、グランド層を形
成した回路板を作製した。前記組成物iを厚さ100μ
mのドライフィルムにし、150℃で10分間、10k
g/cm2 のプレス条件で回路板の表面にラミネ−ト
し、芯線の直径が0.075mm、外径が0.22m
m、シ−ルド層の厚さが0.01mm、ワイヤ用絶縁層
の材質がフッ素系樹脂である同軸ワイヤを、数値制御布
線機によって配線密度が2本/2.54mm、ワイヤピ
ッチが0.4mmの配線ル一ルで、所望のパタ−ンに布
線した。
【0022】この基板表面に前記組成物iiを厚さ18
0μmのドライフィルムにしたものを、150℃で10
分間、10kg/cm2 のプレス条件でラミネ一トした
後、さらに、厚さ18μmの銅箔を重ね合せ、170℃
で90分聞、30kg/cm2 の条件で加熱・加圧して
積層一体化した。次に、導通孔6以外の部分にエッチン
グレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去後、エ
ッチングレジストを剥離して、プラズマエッチング用レ
ジストとして銅箔層15を形成した。この基板全体に、
CF4 ガスによるプラズマを圧力0.85Torr、出
力150Wの条件で25分間照射し、プラズマエッチン
グ加工穴14、14’を形成した。
0μmのドライフィルムにしたものを、150℃で10
分間、10kg/cm2 のプレス条件でラミネ一トした
後、さらに、厚さ18μmの銅箔を重ね合せ、170℃
で90分聞、30kg/cm2 の条件で加熱・加圧して
積層一体化した。次に、導通孔6以外の部分にエッチン
グレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去後、エ
ッチングレジストを剥離して、プラズマエッチング用レ
ジストとして銅箔層15を形成した。この基板全体に、
CF4 ガスによるプラズマを圧力0.85Torr、出
力150Wの条件で25分間照射し、プラズマエッチン
グ加工穴14、14’を形成した。
【0023】次に、その露出したシ一ルド層を塩化第二
銅溶液でエッチング除去した。この基板を洗浄し、触媒
を付与し、密着促進した後、無電解銅めっき液Hid−
410(日立化成工業株式会社製、商品名)に10時間
浸漬して、厚さ25μmの銅めっき層を形成した。この
とき、同軸線のワイヤ絶縁層にはめっきが析出しなかっ
た。この基板と、エッチドフォイル法で作成した内層板
と、ガラス・ボリイミド製プリフレグGIA−67N
(日立化成工業株式会社製、商品名)と銅箔を重ね、1
80℃で90分間・30kg/cm2 条件で加熱・加圧
して積層一体した後、基板の所望の箇所に直径0.8m
mのドリルで孔あけし、洗浄し、触媒を付与し、密着促
進した後、前述の無電解めっきを行い、孔内壁と銅箔表
面に約35μmの銅めっき層を形成して、パッドや部品
実装端子など、必要な箇所にエッチングレジストを形成
して、不要な銅をエッチング除去し、図2に示す配線板
とし。
銅溶液でエッチング除去した。この基板を洗浄し、触媒
を付与し、密着促進した後、無電解銅めっき液Hid−
410(日立化成工業株式会社製、商品名)に10時間
浸漬して、厚さ25μmの銅めっき層を形成した。この
とき、同軸線のワイヤ絶縁層にはめっきが析出しなかっ
た。この基板と、エッチドフォイル法で作成した内層板
と、ガラス・ボリイミド製プリフレグGIA−67N
(日立化成工業株式会社製、商品名)と銅箔を重ね、1
80℃で90分間・30kg/cm2 条件で加熱・加圧
して積層一体した後、基板の所望の箇所に直径0.8m
mのドリルで孔あけし、洗浄し、触媒を付与し、密着促
進した後、前述の無電解めっきを行い、孔内壁と銅箔表
面に約35μmの銅めっき層を形成して、パッドや部品
実装端子など、必要な箇所にエッチングレジストを形成
して、不要な銅をエッチング除去し、図2に示す配線板
とし。
【0024】このようにして作製した配線板のクロスト
一クノイズは、下記の測定条件では観察されなかった。
また、同軸線の芯線と接続された配線板表面のランド
と、そのすぐ近くにグランド層と接続したランドを設
け、50オ一ムの抵抗で終端したところ、反射による波
形の乱れの発生も観察されなかった。 測定条件 導体間隔 : 0.4mm 平行に配置された導体の長さ : 30cm 誘導パルス電圧 : 5V 誘導パルス巾 : 500ns 誘導パルス立ち上がり時問 : 1ns 以上に説明したように、本発明によって、クロスト−ク
ノイズの抑制に優れ、かつ、反射による障害の抑制を行
うことが容易な配線板を効率的に製造する方法を提供す
ることができる。
一クノイズは、下記の測定条件では観察されなかった。
また、同軸線の芯線と接続された配線板表面のランド
と、そのすぐ近くにグランド層と接続したランドを設
け、50オ一ムの抵抗で終端したところ、反射による波
形の乱れの発生も観察されなかった。 測定条件 導体間隔 : 0.4mm 平行に配置された導体の長さ : 30cm 誘導パルス電圧 : 5V 誘導パルス巾 : 500ns 誘導パルス立ち上がり時問 : 1ns 以上に説明したように、本発明によって、クロスト−ク
ノイズの抑制に優れ、かつ、反射による障害の抑制を行
うことが容易な配線板を効率的に製造する方法を提供す
ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す断面斜視図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す断面斜視図である。
【図3】(a)〜(b)は、それぞれ本発明の一実施例
の各工程を説明するための断面図である。
の各工程を説明するための断面図である。
1 グランド層 2・2' 回路板 3 接着性絶縁層 4 同軸ワイヤ 5 シールド層 6 導通孔 7 芯線 8 導通孔 9 ワイヤ絶縁層 10 電源層 11・11' 絶縁層 12 内層板 13 ワイヤ用接着層 14・14' プラズ
マエッチング加工部 15 プラズマエッチング用レジスト層
マエッチング加工部 15 プラズマエッチング用レジスト層
Claims (1)
- 【請求項1】 グランド層(1)を有する配線板
(2’)、又はグランド層(1)の上に設けられた絶緑
基板(2)、該回路板(2’)又は、絶縁基板(2)の
上に設けられた接着性絶縁層(3)、その表面に所望の
形状に固定された同軸ワイヤ(4)、同軸ワイヤ(4)
をカバ−して設けられた絶縁層(11)、同軸ワイヤ
(4)の芯線(7)と接続された金属膜で内壁が被覆さ
れた導通孔(8)からなる配線板において、前記グラシ
ド層(1)と同軸ワイヤ(4)のシ−ルド層(5)とを
接続するための導通孔(6)又は接続用金属層(6’)
が形成される箇所(14)と、回路と芯線(7)を接続
するための導通孔(8)とが形成される箇所(14’)
の絶縁層(11)を接着性絶縁層(3)と回路板(2)
にプラズマを照射して除去することを特徴とする配線板
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31452091A JPH05152760A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 同軸ワイヤを使用した配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31452091A JPH05152760A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 同軸ワイヤを使用した配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05152760A true JPH05152760A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18054273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31452091A Pending JPH05152760A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 同軸ワイヤを使用した配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05152760A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10027012B2 (en) | 2013-01-30 | 2018-07-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Multilayer wiring plate and method for fabricating same |
KR20200044932A (ko) | 2017-10-16 | 2020-04-29 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 멀티와이어 배선판 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31452091A patent/JPH05152760A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10027012B2 (en) | 2013-01-30 | 2018-07-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Multilayer wiring plate and method for fabricating same |
KR20200044932A (ko) | 2017-10-16 | 2020-04-29 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 멀티와이어 배선판 |
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