JPH05136319A - 気密封止型半導体集積回路装置 - Google Patents

気密封止型半導体集積回路装置

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JPH05136319A
JPH05136319A JP3321221A JP32122191A JPH05136319A JP H05136319 A JPH05136319 A JP H05136319A JP 3321221 A JP3321221 A JP 3321221A JP 32122191 A JP32122191 A JP 32122191A JP H05136319 A JPH05136319 A JP H05136319A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングワイヤループが衝撃、振動等に
より、垂れ下がり変形等の変形を起こすことがあっても
ショートが発生することがないようにする。 【構成】 セラミックケース３上の凹部にチップ１を搭
載し、チップ１上からケース３の凹部の端部にまで拡が
っている絶縁フィルム６を貼着する。絶縁フィルム６は
ボンディングパッド上が開口され、ボンディングワイヤ
の通過経路に切り込みが入れられ、その部分が上に曲げ
られ捲り上がり部７となされる。この捲り上がり部７間
をボンディングワイヤ５を通してボンディングパッド２
とケース３上の外部リード４との間を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気密封止型半導体集積回
路装置に関し、特にボンディングワイヤのループ形状変
形によって不具合が生じないようになされた半導体集積
回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３の（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来
の気密封止型半導体集積回路装置の断面図と平面図であ
る。従来の気密封止型半導体集積回路装置は、図３に示
されるように、半導体素子（以下、チップという）１を
セラミックケース３上にダイボンドし、チップ１上のボ
ンディングパッド２と外部リード４との間をボンディン
グワイヤ５を用いて接続して構成したものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の気密封
止型半導体集積回路装置では、ワイヤボンディング時に
ループ形成に失敗した場合、あるいは、ワイヤボンディ
ング後のハンドリング等により衝撃、振動が加えられる
と、ワイヤループが、垂れ下がり変形Ｘやカール変形Ｙ
を起こしてＡに示すチップエッジショートやＢに示すワ
イヤ間ショートが発生する。
【０００４】この種ショートは検査工程で検出されるこ
ともあるが、その後のハンドリングにより顕在化する場
合もあり、後者の場合、製品の信頼性が著しく損なわれ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の気密封止型半導
体集積回路装置は、複数の外部リードを有するケース
と、ケース上に固着された主表面に複数個のボンディン
グパッドを有する半導体素子と、前記ボンディングパッ
ドと前記外部リードとの間をそれぞれ接続する複数のボ
ンディングワイヤと、前記半導体素子上から前記外部リ
ードの端部にかけて設けられた、前記ボンディングワイ
ヤの通過経路となる部分に切り込みが入れられ、該切り
込みによって自由端となった部分が上方へ曲げられてい
る絶縁フィルムと、を具備するものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１の（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明
の第１の実施例の断面図と平面図である。セラミックケ
ース３には凹部が形成されており、凹部の外側周囲には
外部リード４が設けられている。上表面にボンディング
パッド２が設けられているチップ１はセラミックケース
３の凹部に固着されている。
【０００７】チップ１上およびセラミックケース３上に
は、チップ１から外部リード４のボンディング点の内側
にまで拡がる絶縁フィルム６が貼着されている。
【０００８】絶縁フィルム６には、ボンディングパッド
上に開孔が形成され、またボンディングパッド２と、対
応する外部リード４との間には「コ」の字状の切り込み
が入れられており、そして切り込みの入れられた部分は
上側に曲げられて捲り上がり部７となっている。この切
り込みは、チップ１のエッジ部の外側で入れられてい
る。
【０００９】ボンディングパッド２と外部リード４との
間を接続するボンディングワイヤ５は、絶縁フィルム６
の捲り上がり部間を通過するように配線される。
【００１０】本実施例はこのように構成されているた
め、ワイヤボンディング後のハンドリング等により衝
撃、振動を受け、ワイヤループが、垂れ下がり変形Ｘ、
カール変形Ｙを起こしても、ワイヤのチップエッジとの
接触やワイヤ同士の接触は確実に防止できる。
【００１１】図２の（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明
の第２の実施例を示す断面図と平面図である。本実施例
は、絶縁フィルム６にボンディングパッド２と対応する
外部リード４との間で「Ｌ」字型の切り込みが入れら
れ、この部分が捲り上がり部７となされている。本実施
例によれば、絶縁フィルムの加工が容易化される。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、チップ
表面から外部リード表面にかけて拡がり、ボンディング
ワイヤの通過経路となる部分に切り込みが入れられその
部分が捲り上がり部となされた絶縁フィルムをチップ上
に設け、その捲り上がり部間にボンディングワイヤを通
したものであるので、本発明によれば、ワイヤボンディ
ング後のハンドリング時の衝撃、振動により、ワイヤル
ープが変形を受けてもエッジショート、ワイヤ間ショー
トを起こすことがなくなる。よって、本発明によれば、
歩留りを向上させることができるとともに市場に提供さ
れた後に起こる不良化を防止することができるので、コ
ストダウンを図り製品の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例を示す断面図と平面
図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す断面図と平面
図。
【図３】 従来例の断面図と平面図。
【符号の説明】 １ チップ（半導体素子） ２ ボンディングパッド ３ セラミックケース ４ 外部リード ５ ボンディングワイヤ ６ 絶縁フィルム ７ 捲り上がり部 Ａ チップエッジショート Ｂ ワイヤ間ショート Ｘ 垂れ下がり変形 Ｙ カール変形

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の外部リードを有するケースと、ケ
    ース上に固着された、主表面に複数個のボンディングパ
    ッドを有する半導体素子と、前記ボンディングパッドと
    前記外部リードとの間をそれぞれ接続する複数のボンデ
    ィングワイヤと、前記半導体素子上から前記外部リード
    の端部にかけて設けられた、前記ボンディングワイヤの
    通過経路となる部分に切り込みが入れられ、該切り込み
    によって自由端となった部分が上方へ曲げられている絶
    縁フィルムと、を具備する気密封止型半導体集積回路装
    置。
JP3321221A 1991-11-08 1991-11-08 気密封止型半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JP2872225B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116093058A (zh) * 2023-02-28 2023-05-09 中科华艺(天津)科技有限公司 一种氮化镓半导体抗干扰封装结构

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116093058A (zh) * 2023-02-28 2023-05-09 中科华艺(天津)科技有限公司 一种氮化镓半导体抗干扰封装结构
CN116093058B (zh) * 2023-02-28 2024-01-09 中科华艺(天津)科技有限公司 一种氮化镓半导体抗干扰封装结构

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