JPH0512998Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は筒形コンデンサに関し、特に、コン
デンサ本体の両端に金属キヤツプが嵌着された筒
形コンデサに関する。

［従来の技術］ 第３図と第４図はこの考案の背景となる従来の
筒形コンデンサの一例を示す断面図である。この
筒形コンデンサ１では、円筒状の誘電性セラミツ
ク素体２の内周面及び外周面に内面電極３及び外
面電極４がそれぞれ形成され、さらにセラミツク
素体２の両端に内面電極３及び外面電極４の接続
端子となる金属キヤツプ５及び６がそれぞれ嵌着
されている。この金属キヤツプ５，６には、その
全面に半田メツキ７が施されており、金属キヤツ
プ５，６と内外面電極３，４とは、コンデンサ本
体１１の両端に金属キヤツプ５，６を嵌合した
後、加熱炉に通しすことにより、上記金属キヤツ
プ５，６の内面側に施された半田メツキ７で半田
結合される。さらに、金属キヤツプ５と６の間に
は、防湿及び電気的絶縁等のための、エポキシ樹
脂等から成る保護膜８が施される。

このような従来のコンデンサ１は、例えば、プ
リント基板に搭載し、接着された後、プリント基
板を半田フローすることによつて、プリント基板
上の回路に半田結合される。

［考案が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の半田接着時には、プリン
ト基板が約240〜270℃の温度に約10秒間晒される
ので、コンデンサ本体及び金属キヤツプ５，６が
ほぼ前記温度に上昇する。このとき、前記金属キ
ヤツプ５，６の表面に施された半田メツキ７が溶
融する。これと同時に、前記セラミツク素体２の
中空部の空気が膨張する。次いで、前記セラミツ
ク素体２が加熱状態から開放され、急激に冷却す
る。この冷却過程に於て、溶融した半田メツキ７
はまだ溶融状態のままであり、この状態でセラミ
ツク素体２の中空部の空気が収縮し始めるので、
中空部が減圧状態になり、溶融状態の半田が上記
中空部内に吸引される。このため、半田が内面電
極３に近接し、若しくは接触して、コンデンサの
絶縁性の劣化や短絡を生ずると言う問題があつ
た。

そこで、本考案の目的は、金属キヤツプの開放
端部の端面に半田メツキが施されずに、半田に濡
れにくい状態にすることによつて、上記問題を解
消することのできる筒形コンデンサを提供するこ
とにある。

［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するための本考案の
要旨は、筒形のセラミツク素体、前記セラミツク
素体の内周面から外周面の一端寄りにわたつて連
続的に設けれれた内面電極及びセラミツク素体の
外周面に設けられた外面電極とから成るセラミツ
クコンデンサ本体と、前記素体の両端に嵌着さ
れ、内面電極と外面電極にそれぞれ半田で接着さ
れた金属キヤツプとを有する筒形コンデンサにお
いて、金属キヤツプの開放端部の縁部の少なくと
も端面に半田メツキが施されてない金属キヤツプ
を有する筒形コンデンサである。

［作用］ 上記本考案による筒形コンデンサでは、接続端
子となる金属キヤツプの開放端部の縁部に半田メ
ツキが施されてないので、その部分は半田に濡れ
にくい状態となつている。このため、半田が溶融
した状態において、中空部が減圧状態になつて
も、金属キヤツプの外表面側の溶融した半田が上
記開放縁部で遮断されて、コンデンサの中空部へ
吸引され、流入するのが防止される。

［実施例］ 次ぎに、図面を参照しながら、本考案の実施例
について具体的に説明する。

第１図、第２図は本考案の実施例に係る筒形チ
ツプコンデンサ及びその製造方法を説明するため
のもので、第１図は電極が設けられたコンデンサ
本体１１と金属キヤツプ５，６が分離された状態
を示す。第２図は完成した筒形セラミツクチツプ
コンデンサを示す。

コンデンサ本体１１は第１図と第２図に示すよ
うに、筒形のセラミツク素体２の内周面１３から
外周面１４の一端側に亙つて内面電極３を設け、
且つ内面電極３の上記内周面１３の部分に対向さ
せて、セラミツク素体２の外周面１４に外面電極
４を設けて構成されている。内面電極３、及び外
面電極４は、銀、銅、ニツケル等で形成される。

図示の実施例では、筒形セラミツク素体２の両
端部２ａ，２ｂが丸みをもつように研磨加工され
ており、この部分に形成された内面電極３の導出
部３ａの厚みを均一にすることができる。また、
このように端部２ａ，２ｂが丸みをおびていれ
ば、金属キヤツプ５，６の嵌着を容易に行なうこ
とができる。

金属キヤツプ５，６は、一端が閉じられ、他端
が開放した円筒形のもので、開放端部５ａ，６ａ
の縁面を除く全面に半田メツキ７が施されてい
る。このような半田メツキ７は、金属キヤツプ
５，６の開放端部５ａ，６ａに予めメツキレジス
トを塗布してから半田メツキ７を施すか、或は半
田メツキ７を施した後、開放端部５ａ，６ａの半
田メツキ７を削除する方法により形成することが
できる。

上記のようなコンデンサ本体１１及び金属キヤ
ツプ５，６が用意されたら、次ぎに、第２図に示
されたように、コンデンサ本体１１に金属キヤツ
プを嵌着する。この場合、端部２ａ，２ｂに丸み
があるため、容易に嵌着出来る。金属キヤツプ
５，６の嵌着が終了したら、次ぎに約240〜270℃
の加熱処理を約２分間行い、金属キヤツプ５，６
の内面に施した半田メツキ７で、金属キヤツプ
５，６を各々内面電極３と外面電極４とにそれぞ
れ半田結合する。この際、金属キヤツプ５，６の
外面に施された半田メツキ７も一旦溶融するが、
既に述べた通り、金属キヤツプ５，６の開放端部
５ａ，６ｂに半田がないため、金属キヤツプ５，
６の外面側の溶融した半田が、この部分を通つて
コンデンサ本体１１の中空部へ吸引されることが
無い。従つて、溶融半田の流入により、内面電極
３と外面電極４との間の絶縁特性が劣化すること
がない。

半田付けが終了したら、次ぎにこれを半田融点
以下の約150℃で加熱しながら、エポキシ等の熱
硬化性樹脂の粉末に接触させて樹脂粉末を金属キ
ヤツプ５，６を除いたコンデンサ本体１１の外周
面に付着させ、しかる後、約150℃、約20分の加
熱処理をし、樹脂被覆膜８を形成する。

このようにして製造されたコンデンサは、回路
基板（図示せず）に搭載されて、上記金属キヤツ
プ５，６の部分が回路基板上の半田付ランドに半
田付けされる。このとき、上記金属キヤツプ５，
６の半田接着時と同様にして、金属キヤツプ５，
６の開放端部５ａ，６ａでの溶融半田の遮断作用
により、金属キヤツプ５，６の外表面側の溶融し
た半田がコンデンサ本体１１の内部へ浸入するの
が阻止される。これにより、コンデンサの絶縁特
性の劣化や短絡不良の発生が抑えられる。

第３図と第４図に示された従来の筒形チツプコ
ンデンサと第１図と第２図に示された実施例とに
おける金属キヤツプの半田接着時に発生する内面
電極３と外面電極４との短絡不良率を実際に調べ
た結果では、従来構造の円筒チツプコンデンサの
場合、不良が90ppmの割合で発生していたが、本
考案の実施例では、短絡不良の発生が皆無であつ
た。

なお、上記実施例では、リード線の無いチツプ
形コンデンサについて述べたが、本考案は、キヤ
ツプリード付き筒形コンデンサについても同様に
して適用できる。

［考案の効果］ 以上のように、この考案によれば、円筒コンデ
ンサが回路基板等に半田結合される際、金属キヤ
ツプ５，６の半田メツキ７が溶融しても、同金属
キヤツプ５，６の開放端部５ａ，６ａの少なくと
も端面に半田メツキ７が無いため、金属キヤツプ
５，６の外面側の溶融した半田が同キヤツプ５，
６の開放端部５ａ，６ａからその内面側に浸入す
るのが阻止される。このため、半田がコンデンサ
本体１１の中空部へ吸引、流入されなくなり、も
つて外面電極４と内面電極３との絶縁性の低下に
起因するコンデンサの特性の劣化や上記電極３，
４の短絡等が起こらなくなり、不良の低減が図れ
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例による金属キヤツプの
断面図である。第２図は完成した同実施例による
筒形チツプコンデンサの断面図である。第３図は
従来の筒形チツプコンデンサのコンデンサ本体と
金属キヤツプを分離した状態の断面図である。第
４図は完成した従来の筒型チツプコンデンサの断
面図である。 なお、図面に用いられている符合について、２
はセラミツク素体、３は内面電極、４は外面電
極、５，６は金属キヤツプ、７は半田メツキ、１
１はコンデンサ本体である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 筒形のセラミツク素体、前記セラミツク素体の
   内周面から外周面の一端寄りにわたつて連続的に
   設けれれた内面電極及びセラミツク素体の外周面
   に設けられた外面電極とから成るセラミツクコン
   デンサ本体と、前記素体の両端に嵌着され、内面
   電極と外面電極にそれぞれ半田で接着された金属
   キヤツプとを有する筒形コンデンサにおいて、金
   属キヤツプの開放端面の縁部の少なくとも端面い
   半田メツキが施されてないことを特徴とする金属
   キヤツプを有する筒形コンデンサ。