JPH05121317A - Soi構造形成方法 - Google Patents
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Abstract
層を、絶縁層の上に得ることを目的とする。 【構成】 図1Aに示すように、シリコン基板2の表面
を酸化して絶縁膜である酸化シリコン膜4を成長させ
る。次に、レジスト6を用いて、シリコン酸化層4をエ
ッチングして、開口10を形成する。その後、レジスト
6を除去する。次に、この開口10からシリコンの種結
晶層11を選択的にエピタキシャル成長させる(図1
D)。次に、フッ酸によって、酸化シリコン膜4をエッ
チバックする。このエッチバックによって、図1Eに示
すように、種結晶層11の側面14が露出する。その
後、この種結晶層11からエピタキシャル成長を行う。
この際に、種結晶層11の側面14が露出しているの
で、横方向への成長が十分に行われる。したがって、よ
り広い面積の平坦なエピタキシャル成長層16を得るこ
とができる。
Description
teral Overgrowth)法によるエピタキシャル成長法に関
するものであり、特に制御の容易なSOI構造形成方法
に関するものである。
目的として、絶縁層の上にエピタキシャル成長層を形成
することが行われている。これを、SOI(Semiconduct
or OnInsulator)構造と呼ぶ。
growth)法による従来のSOI技術を示す(Lateral Ep
itaxial Overgrowth of Silicon on SiO2 : D.D.Rathma
n et. al. : JOURNAL OF ELECTRO-CHEMICAL SOCIETY SO
LID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY、1982年10月号、23
03頁)。まず、半導体基板2の上面にシリコン酸化膜4
を成長させる。次に、図3Bに示すように、その上にレ
ジスト6を塗布する。さらに、フォトマスクを用いて露
光、現像を行い、レジスト6に開口8を形成する(図3
C)。次に、レジスト6をマスクとして、シリコン酸化
層4をエッチングして、開口10を形成する(図3
D)。
エピタキシャル成長を行う(図3E)。さらに成長を続
けることにより、図3Fに示すようなエピタキシャル成
長層12が得られる。
ような従来のSOI構造形成方法には、次のような問題
点があった。
を行い、その後は横方向への成長を行わねばならなかっ
た。したがって、成長条件の制御が困難であり、大面積
あるいは厚いエピタキシャル成長層を得ることができな
かった。
きく、平坦なエピタキシャル成長層を得ることが困難で
あった。
て、所望のエピタキシャル成長層を容易に得ることので
きるSOI構造形成方法を提供することを目的とする。
造形成方法は、半導体基板の表面に絶縁膜を形成する酸
化膜形成ステップ、絶縁膜に開口を形成する開口形成ス
テップ、開口に種結晶層を形成する種結晶層形成ステッ
プ、半導体基板の表面に絶縁膜を残しつつ、絶縁膜の一
部を取り除き、種結晶層の側面を露出させる絶縁膜一部
除去ステップ、種結晶層に基づいて、絶縁膜上にエピタ
キシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成ス
テップ、を備えたことを特徴としている。
結晶層形成ステップの後、エピタキシャル成長層形成ス
テップの前に、種結晶層の上面に成長阻止層を形成する
成長阻止層形成ステップを設けたこと、を特徴としてい
る。
形成した後、半導体基板の表面に絶縁膜を残しつつ、絶
縁膜の一部を取り除き、種結晶層の側面を露出させ、さ
らにその後エピタキシャル成長を行うようにしている。
したがって、種結晶層の側面をどの程度露出させるかに
より、横方向への成長を制御することができる。請求項
2のSOI構造形成方法は、種結晶層形成ステップの
後、エピタキシャル成長層形成ステップの前に、種結晶
層の上面に成長阻止層を形成する成長阻止層形成ステッ
プを設けている。したがって、平坦なエピタキシャル成
長層を得ることができる。
造形成方法の過程を示す。まず、図1Aに示すように、
シリコン基板2の表面を酸化して絶縁膜である酸化シリ
コン膜4を成長させる。次に、図1Bに示すように、レ
ジスト6を塗布する。次に、フォトマスクを用いて露
光、現像を行い、レジスト6に開口8を形成する(図1
C)。次に、レジスト6をマスクとして、シリコン酸化
層4をエッチングして、開口10を形成する。その後、
レジスト6を除去する。
層11を選択的にエピタキシャル成長させる。図1Dに
示すように、種結晶層11が開口10とほぼ同じ高さま
で達したところで成長を止める。種結晶層11が開口1
0より僅かにへこんだ状態でもよいし、僅かに突出した
状態でもよい。
をエッチバックする。このエッチバックによって、図1
Eに示すように、種結晶層11の側面14が露出する。
その後、この種結晶層11からエピタキシャル成長を行
う。この際に、種結晶層11の側面14が露出している
ので、横方向への成長が十分に行われる。したがって、
より広い面積の平坦なエピタキシャル成長層16を得る
ことができる。
を調整することにより、エピタキシャル成長層16の広
がり等を制御することができる。
方法を示す。まず、図2Aに示すように、シリコン基板
2の表面を酸化して絶縁膜である酸化シリコン膜4を成
長させる。次に、図2Bに示すように、レジスト6を塗
布する。次に、フォトマスクを用いて露光、現像を行
い、レジスト6に開口8を形成する(図2C)。次に、
レジスト6をマスクとして、シリコン酸化層4をエッチ
ングして、開口10を形成する。その後、レジスト6を
除去する。
層11を選択的にエピタキシャル成長させる。図2Dに
示すように、種結晶層11が開口10とほぼ同じ高さま
で達したところで成長を止める。種結晶層11が開口1
0より僅かにへこんだ状態でもよいし、僅かに突出した
状態でもよい。次に、図1Eに示すように、種結晶層1
1の表面を窒化して、成長阻止層である窒化シリコン膜
18を形成する。
4をエッチバックする。このエッチバックによって、図
1Fに示すように、種結晶層11の側面14が露出す
る。その後、この種結晶層11からエピタキシャル成長
を行う。この際に、種結晶層11の側面14が露出して
いるので、横方向への成長が十分に行われる。その上、
種結晶層11の上面には窒化シリコン膜18が形成され
ているので、上方向への成長が阻止される。すなわち、
より平坦なエピタキシャル成長層16を得ることができ
る。
ン膜18を成長阻止層として用いたが、酸化シリコン膜
等の種結晶層11の成長を阻止するものでもよい。
成長させるようにしたが、炭化シリコンを成長させても
よい。
晶層を形成した後、半導体基板の表面に絶縁膜を残しつ
つ、絶縁膜の一部を取り除き、種結晶層の側面を露出さ
せ、さらにその後エピタキシャル成長を行うようにして
いる。したがって、種結晶層の側面をどの程度露出させ
るかにより、横方向への成長を制御することができる。
すなわち、平坦で面積の広いエピタキシャル成長層を、
絶縁層の上に得ることができる。
層形成ステップの後、エピタキシャル成長層形成ステッ
プの前に、種結晶層の上面に成長阻止層を形成する成長
阻止層形成ステップを設けている。したがって、より平
坦なエピタキシャル成長層を得ることができる。
を示す図である。
法を示す図である。
す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】半導体基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁
膜形成ステップ、 絶縁膜に開口を形成する開口形成ステップ、 開口に種結晶層を形成する種結晶層形成ステップ、 半導体基板の表面に絶縁膜を残しつつ、絶縁膜の一部を
取り除き、種結晶層の側面を露出させる絶縁膜一部除去
ステップ、 種結晶層に基づいて、絶縁膜上にエピタキシャル成長層
を形成するエピタキシャル成長層形成ステップ、 を備えたことを特徴とするSOI構造形成方法。 - 【請求項2】請求項1のSOI構造形成方法において、 種結晶層形成ステップの後、エピタキシャル成長層形成
ステップの前に、種結晶層の上面に成長阻止層を形成す
る成長阻止層形成ステップを設けたこと、 を特徴とするSOI構造形成方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3277496A JPH05121317A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | Soi構造形成方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3277496A JPH05121317A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | Soi構造形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05121317A true JPH05121317A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17584411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3277496A Pending JPH05121317A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | Soi構造形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5417180A (ja) |
JP (1) | JPH05121317A (ja) |
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