JP3053680B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に絶縁層の上に半導体成長層を有する構造の
半導体装置の製造方法に係る。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路において、一般的には、
シリコン基板の上にエピタキシャル成長層を形成し、こ
のエピタキシャル成長層に回路を形成している。ところ
で、このような構造においては、シリコン基板とエピタ
キシャル成長層がＰＮ接合を形成し、容量を有すること
となる。このＰＮ接合部の容量は、素子の動作速度を低
下させるものである。したがって、高速動作を要求され
る素子の形成には適さない構造であった。

【０００３】この問題を解決するため、近年、シリコン
基板上に絶縁層を形成し、その上にさらにシリコン単結
晶層を形成すること（ＳＯＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒＯｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術）が望まれてい
る。すなわち、シリコン単結晶層をシリコン基板から絶
縁することにより、シリコン単結晶層に形成した半導体
素子とシリコン基板とのＰＮ接合をなくそうとするもの
である。

【０００４】図７に、ＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌ
ａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）法による従来の
ＳＯＩ技術を示す（Ｌａｔｅｒａｌ Ｅｐｉｔａｘｉａ
ｌＯｖｅｒｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ
ＳｉＯ₂ ：Ｄ．Ｄ．Ｒａｔｈｍａｎｅｔ．ａｌ．：Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＥＬＥＣＴＯＲＯ−ＣＨＥＭＩＣ
ＡＬ ＳＯＣＩＥＴＹ ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ ＳＣ
ＩＥＮＣＥ ＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ、１９８２年
１０月号、２３０３頁）。

【０００５】まず、半導体基板２の上面にシリコン酸化
膜４を成長させる。次に、フォトレジストを用いてシリ
コン酸化膜４をエッチングし、シードウィンドウ６を開
ける（図７（ａ）参照）。さらに、このシードウィンド
ウ６から縦方向へ、シリコンの選択エピタキシャル成長
を行う。これに引き続いて、横方向のエピタキシャル成
長を行い、シリコン酸化膜４の上にエピタキシャル層８
を形成する（図７（ｂ）参照）。このようにすれば、エ
ピタキシャル層８とシリコン基板２とのＰＮ接合面がシ
ードウィンドウ６の大きさまで小さくできる。したがっ
て、ＰＮ接合容量を小さくすることができ、素子動作の
高速化を図ることができる。

【０００６】また、ＳＥＮＴＡＸＹ法と呼ばれる方法も
ある（米原隆大他、新しいＳＯＩ−Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ
Ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ Ｅｐｉｔａｘｙ、１９８７年
（秋季）第４８回応用物理学会講演予稿集、１９ｐ−Ｑ
−１５、５８３頁）。これは、シリコン酸化膜等の絶縁
層に結晶成長のシリコン核を人工的に複数形成して、そ
れぞれの核よりエピタキシャル成長を行う方法である。
核として、微小面積のシリコン窒化膜を形成して用いる
方法や、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）
法によって核形成を行う方法等が検討されている。この
方法によれば、エピタキシャル層とシリコン基板とを酸
化膜によって絶縁することができ、上記のような接合容
量の問題を解決することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のＳＯＩ技術には、次のような問題があっ
た。図７に示すＥＬＯ法においては、接合部が小さくな
っているとは言うものの、完全に接合部がなくなってい
るのではない。したがって、さらなる素子の高速化が阻
まれていた。

【０００８】一方、ＳＥＮＴＡＸＹ法によれば、エピタ
キシャル層とシリコン基板が絶縁されたものを得ること
ができ、上記のような問題はない。しかしながら、ＳＥ
ＮＴＡＸＹ法によれば、複数設けられたそれぞれの核よ
り成長するエピタキシャル層の面方位が異なっていた。
エピタキシャル層の面方位が異なると、酸化レート等の
特性が異なることとなって、所望の特性を有する素子を
均一に形成できないという問題を生じていた。

【０００９】本発明は、上記に鑑み、絶縁層によって基
板と絶縁されていると共に、面方位が一様なシリコン成
長層を有する半導体装置の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明請求項１の半導体
装置の製造方法は、シリコン基板の上に酸化絶縁層を形
成する絶縁層形成ステップ、酸化絶縁層に種結晶成長用
の開口を設ける開口形成ステップ、酸化絶縁層をマスク
として、前記開口にシリコン種結晶層を形成し、該シリ
コン種結晶層が前記開口から突出してラテラル成長によ
り横方向へ延びるまで成長させる種結晶成長ステップ、
結晶成長に必要なシリコン種結晶層を残しつつ、前記開
口内および開口上部のシリコン種結晶層を除去する種結
晶除去ステップ、種結晶除去ステップにて残されたシリ
コン種結晶層の周囲を酸化してシリコン種結晶層とシリ
コン基板との接続を断つ酸化ステップ、シリコン種結晶
層の表面を露出させる種結晶露出ステップ、シリコン種
結晶層に基づいてシリコン成長層を結晶成長させるシリ
コン成長ステップ、シリコン成長層に半導体素子を形成
する素子形成ステップを備えたことを特徴としている。

【００１１】請求項２の半導体装置の製造方法は、シリ
コン基板の上に酸化絶縁層を形成する絶縁層形成ステッ
プ、酸化絶縁層に種結晶成長用の開口を設ける開口形成
ステップ、酸化絶縁層をマスクとして、前記開口に炭化
シリコン種結晶層を形成し、該炭化シリコン種結晶層が
前記開口から突出してラテラル成長により横方向へ延び
るまで成長させる種結晶成長ステップ、結晶成長に必要
な炭化シリコン種結晶層を残しつつ、前記開口内および
開口上部の炭化シリコン種結晶層を除去する種結晶除去
ステップ、種結晶除去ステップにて残された炭化シリコ
ン種結晶層の周囲を酸化して炭化シリコン種結晶層とシ
リコン基板との接続を断つ酸化ステップ、炭化シリコン
種結晶層の表面を露出させる種結晶露出ステップ、炭化
シリコン種結晶層に基づいてシリコン成長層を結晶成長
させるシリコン成長ステップ、シリコン成長層に半導体
素子を形成する素子形成ステップを備えたことを特徴と
している。

【００１２】請求項３の半導体装置の製造方法は、請求
項１，２記載の開口形成ステップにおいて、開口の口壁
を内側に向かって傾斜して形成することを特徴としてい
る。

【００１３】

【作用】請求項１，２の製造方法では、いずれも種結晶
成長ステップにおいて、酸化絶縁層の開口から種結晶層
が突出して横方向に延びるまでラテラル成長を行う。こ
れにより、突出した各シリコン種結晶層は、同じ面方位
を有するものとなる。次に、種結晶除去ステップにおい
て、結晶成長に必要な種結晶層を残しつつ、前記開口内
および開口上部の種結晶を除去する。その後、酸化ステ
ップにおいて、種結晶除去ステップにて残された種結晶
層の周囲を酸化して種結晶層とシリコン基板の接続を断
つようにしている。したがって、シリコン基板上の酸化
絶縁層の上に、同じ面方位を有する種結晶層が形成され
る。種結晶層表面の酸化膜を除き、種結晶層を成長させ
れば、シリコン基板とは絶縁され、均一な面方位を有す
るシリコン結晶成長層を得ることができる。

【００１４】また、上記のように、種結晶除去ステップ
において、結晶成長に必要な種結晶層を残しつつ、開口
内および開口上部の種結晶層を除去しているから、酸化
ステップにより種結晶層とシリコン基板接続を断つ際
に、直接開口を酸化でき、開口内で独自に絶縁層を成長
させることができる。そのため、開口の巾に制限を受け
なくて済み、開口の巾を広くできる。よって、種結晶層
の積層欠陥を抑制でき、良好な結晶性を得、しかも種結
晶層の島の巾も大きく取れる。

【００１５】請求項３の製造方法では、開口形成ステッ
プにおいて、開口の口壁を内側に向かって傾斜して形成
するから、種結晶の成長の際に、酸化絶縁層との界面に
欠陥が発生しても、種結晶の成長はこれを受けての成長
より、中央部の欠陥の少ない結晶の横方向の成長の方が
大きくなり、種結晶層の積層欠陥を防止しつつ、種結晶
層のラテラル成長をより促進させることが可能となる。

【００１６】

【実施例】本出願人は、絶縁層によって基板と絶縁され
ていると共に、面方位が一様なシリコン成長層を有する
半導体装置の製造方法として、図５，６に示す製造方法
を先に提案した。図５に示す製造方法は、まずシリコン
基板２の上にシリコン酸化層４を形成する（図５（ａ）
参照）。次に、このシリコン酸化層４に開口１４を設け
る（図５（ｄ）参照）。そして、開口１４からわずかに
突出するまでシリコンを成長させ、シリコン種結晶層１
６を形成する（図５（ｅ）参照）。しかる後、シリコン
種結晶層１６の表面に窒化膜１８を形成した後、酸化を
行う（図５（ｇ）参照）。これにより、開口１４の底部
にてフィールド酸化層２０が結合し、シリコン種結晶層
１６がシリコン基板２から絶縁される（図５（ｈ）参
照）。その後、このシリコン種結晶層１６からエピタキ
シャル成長を行いシリコン成長層２２を得る（図５
（ｉ）参照）。この成長層２２に、素子を形成するとい
った方法である。

【００１７】一方、図６に示す製造方法は、まずシリコ
ン基板２の上にシリコン酸化層４を形成する（図６
（ａ）参照）。次に、このシリコン酸化層４に開口１４
を設ける（図６（ｄ）参照）。そして、開口１４から突
出するまで炭化シリコンを成長させ、炭化シリコン種結
晶層１６を形成し（図６（ｅ）参照）、酸化を行う。こ
れにより、開口１４の下部にてフィールド酸化層２０が
結合し、炭化シリコン種結晶層１６がシリコン基板２か
ら絶縁される（図６（ｆ）参照）。その後、この炭化シ
リコン種結晶層１６からエピタキシャル成長を行い炭化
シリコン成長層２２を得る（図６（ｈ）参照）。この成
長層２２に、素子を形成するというものである。

【００１８】ところが、上記の技術は、シリコン酸化層
４を横方向へ延ばし、開口１４を塞ぐためには、開口１
４の巾または径は２μｍ以下としなければならず、開口
巾に制限を受ける。このため、種結晶は、その成長の際
にシリコン酸化層４との界面に発生する欠陥成長の影響
を受けて、欠陥の少ない中央部の結晶の成長割合が少な
くなり、積層欠陥が多くなるので、種結晶層１６は良好
な結晶性を得にくい。また、開口１４の巾を２μｍ以下
と広くできないから、種結晶層１６の島の巾をあまり大
きく取れず、種結晶のエピタキシャル成長に時間を要す
る等の問題が発見された。そこで、本出願人は、係る欠
点を解消した製造方法を創案した。

【００１９】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説
明する。本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を図１に示す。まず、シリコン基板２を酸素気流中に置
いて高温とし、表面を熱酸化する。これにより、図１
（ａ）に示すように、シリコン基板２の上部表面に酸化
絶縁層であるシリコン酸化層（ＳｉＯ₂）４が形成され
る。このシリコン酸化層４は、例えば２００ｎｍ程度の
厚さに薄く形成することが好ましい。後述するシリコン
種結晶層１６の成長時に、酸化層４との界面が少なくな
り、品質のよい種結晶を形成できるからである。

【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン
酸化層４の上にフォトレジスト１０を塗布する。そし
て、フォトレジスト１０の上にマスクを置いて紫外線露
光した後、現像して、図１（ｃ）のようにフォトレジス
ト１０の所望の位置に開口部１２を形成する。この状態
において、フォトレジスト１０をマスクとして、シリコ
ン酸化層４の等方性エッチングを行う。しかる後、硫酸
と過酸化水素の混合液により、フォトレジスト層１０を
除去する。これにより、図１（ｄ）に示すように、その
口壁が内側に向かって傾斜した種結晶成長用の開口１４
が形成される。

【００２１】図１（ｄ）の状態で、開口１４にシリコン
単結晶のエピタキシャル成長を行い、図１（ｅ）のよう
にシリコン種結晶層１６を形成する。この際のエピタキ
シャル成長においては、ラテラル方向（横方向）への成
長を促進し、縦方向の成長を１μｍ以下に抑えるように
制御する。この種結晶層１６の成長の際に、シリコン酸
化層４との界面において、積層欠陥が生じる恐れがあ
る。したがって、上記のように、開口１４の口壁を内側
に向かって傾斜して形成する（開口１４にスロープをつ
ける）ことにより、図２の如く、シリコン種結晶の横方
向（図２中、矢印方向）の成長が促進されるため、積層
欠陥を防ぐことができる。すなわち、シリコン酸化層４
との界面に欠陥が発生しても、種結晶の成長はこれを受
けての成長より、中央部の欠陥の少ない結晶の横方向の
成長の方が大きいので、積層欠陥が少なくなる。また、
エピタキシャル成長は、例えば９００℃〜１１００℃の
範囲内とできるだけ低温で行う方が好ましい。このよう
に、低温でエピタキシャル成長を行うことにより、積層
欠陥を抑制できるからである。さらに、（１００）のシ
リコン基板に、（１００）方向に矩形パターンでシリコ
ン酸化層４を形成すれば、積層欠陥が抑制できる。ま
た、成長を行う前に、シリコン酸化層４の開口１４の側
壁に、薄いポリシリコンや窒化シリコン膜を付け、格子
整合性を良くすれば、さらに積層欠陥を抑えることがで
きる。上記のようにして形成したシリコン種結晶層１６
のそれぞれは、同じ面方位を有する。

【００２２】次に、図１（ｆ）に示すように、シリコン
種結晶層１６およびシリコン酸化層４上にフォトレジス
ト１９を塗布する。そして、シリコン種結晶層１６上に
塗布されたフォトレジスト１９の前記開口１４に対応す
る部分にマスクを置いて紫外線露光した後、現像して、
図１（ｇ）のように開口部１９ａを形成する。この状態
において、フォトレジスト１９をマスクとして、結晶成
長に必要なシリコン種結晶層１６を残しつつ、前記開口
１４内および開口１４上部のシリコン種結晶層１６に対
してエッチングを行い除去する。この際、開口１４内の
種結晶層１６のエッチング領域は、開口１４で一部を残
すかたちでもよく、あるいはシリコン基板２との界面ま
で除去するかたちでのもよい。また、シリコン種結晶層
１６とシリコン酸化層４とでは、エッチングレートが異
なっているため、シリコン酸化層４は残る。

【００２３】そして、図１（ｈ）に示すように、硫酸と
過酸化水素の混合液によりフォトレジスト層１９を除去
する。次に、酸化処理を行う。これにより、シリコン酸
化層４および図１（ｇ）の工程で残された結晶成長に必
要なシリコン種結晶層１６の周囲が酸化され、フィール
ド酸化層２０が形成される。酸化により、図１（ｉ）に
示すように、開口１４はフィールド酸化層４で接続さ
れ、種結晶層１６とシリコン基板２との接続が断たれ
る。

【００２４】そして、シリコン種結晶層１６をエッチン
グ除去して生じた凹部にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）２１を充填し（図１（ｊ）参照）、エッチバッ
クによりシリコン種結晶層１６が平坦化されて露出する
ようＳＯＧ２１およびフィールド酸化層２０を除去する
（図１（ｋ）参照）。その後、シリコン種結晶層１６を
種結晶として、エピタキシャル成長を行う。この際のエ
ピタキシャル成長においては、横方向への成長が大きく
なるように制御を行う。この制御の仕方は、例えばシリ
コン種結晶層１６の上面部分に、例えばＳｉＯ₂ 膜を形
成して、エピタキシャル成長をさせればよい。成長を続
けると、各種結晶層１６から成長した層が互いに接続す
る。このようにして得られるのが、図１（ｌ）の構造で
ある。

【００２５】シリコン成長層であるエピタキシャル成長
層２２は、フィールド酸化層２０によって、シリコン基
板２と絶縁されている。したがって、シリコン基板２と
の間でＰＮ接合による静電容量を生じることがない。す
なわち、各エピタキシャル成長層２２に素子（トランジ
スタ、ＦＥＴ等）を形成すれば、静電容量による低速化
を招かず、高速素子を得ることができる。さらに、ＰＮ
接合による静電容量がないので、高周波特性が良く、ラ
ッチアップ特性を向上させることができる。

【００２６】また、各種結晶層１６の面方位は一様であ
る。このため、エピタキシャル成長層２２の面方位も一
様となる。したがって、酸化レート等が一様となり、エ
ピタキシャル成長層２２に素子を形成する際に、素子の
特性の制御が容易である。なお、開口１４の形状は、必
要とするエピタキシャル成長層２２に応じて、適宜選択
すればよい。例えば、図３に示すように円孔としてもよ
く、図４に示すように格子状のものとしてもよい。但
し、シリコン酸化層４のパターニング方向を（１００）
とすれば、欠陥の発生を抑制することができるので、こ
の点を考慮すればなお良い。

【００２７】さらに、図１（ｌ）のエピタキシャル成長
層２２に素子を形成した後、その上にさらに、図１
（ａ）〜（ｌ）の各ステップを行えば、３次元構造の集
積回路を形成することができる。例えば、図１（ａ）〜
（ｌ）の各ステップを２回繰り返した集積回路では、シ
リコン基板の上に第一フィールド酸化層を介して第一エ
ピタキシャル成長層が形成され、第一エピタキシャル成
長層の上に第二フィールド酸化層を介して第二エピタキ
シャル成長層が設けられる。したがって、第一エピタキ
シャル成長層および第二エピタキシャル成長層にそれぞ
れ回路素子を形成することができ、集積度の高い集積回
路を得ることができる。なお、第一エピタキシャル成長
層に形成された素子から外部に電極を取り出す場合に
は、トレンチを設けてポリシリコン等によって電極と接
続すればよい。また、図１（ａ）〜（ｌ）の各ステップ
を３回以上繰り返して３層以上のエピタキシャル成長層
を有する構造を形成してもよいことは勿論である。

【００２８】また、種結晶として炭化シリコンを使用し
てもよい。この場合は、図１（ｄ）の状態で、開口１４
において露出しているシリコン基板２の表面を炭化す
る。これは、次のステップにおいて炭化シリコン層を成
長させる際に、シリコン基板２と種結晶層（３Ｃ−Ｓｉ
Ｃ）１６との間の格子不整合を減らすためである。すな
わち、シリコン基板２の表面を炭化して、バッファ層と
するためである。その他の工程については、上述したシ
リコンを種結晶とする場合と同様である。

【００２９】このように、本実施例では、結晶成長に必
要な種結晶層１６を残しつつ、開口１４内および開口１
４上部の種結晶層１６をエッチング除去しているから、
酸化処理により種結晶層１６とシリコン基板２の接続を
断つ際に、直接開口１４を酸化でき、開口１４内で独自
にＳｉＯ₂ を成長させることができる。そのため、シリ
コン酸化層４を横方向に成長させて開口１４を塞ぎ、種
結晶層１６とシリコン基板２とを絶縁する必要がない。
よって、開口１４の巾に制限を受けなくて済み、開口１
４の巾を広くできるから、種結晶層１６の積層欠陥を抑
制でき、良好な結晶性を得、しかも種結晶層１６の島の
巾も大きく取れる。

【００３０】また、開口１４にスロープをつけているか
ら、積層欠陥を防止しながら種結晶層１６のラテラル成
長をより促進させることが可能となる。なお、開口１４
の巾が充分に大きくとった場合は、開口１４にスロープ
をつけなくても、種結晶層１６のラテラル成長を促進で
きる。なお、本発明は、上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の範囲内で多くの変更または修正を加え
得ることは勿論である。

【００３１】例えば、種結晶層１６のラテラル成長だけ
進めたい場合は、開口１４から種結晶層１６を突出させ
ながらラテラル成長する際に、種種結晶層１６が開口１
４から僅かに突出した段階でその表面を酸化膜でカバー
すると、種結晶層１６の横（側面）方向の成長が進めら
れる。

【００３２】

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項１，２の製造方法においては、酸化絶縁層の開口か
ら種結晶層が突出して横方向に延びるまでラテラル成長
を行う。これにより、突出した各シリコン種結晶層は、
同じ面方位を有するものとなる。

【００３３】次に、種結晶除去ステップにおいて、結晶
成長に必要な種結晶層を残しつつ、前記開口内および開
口上部の種結晶を除去し、その後酸化ステップにおい
て、種結晶除去ステップにて残された種結晶層の周囲を
酸化して種結晶層とシリコン基板の接続を断ち、種結晶
層から種結晶成長層を成長させる。したがって、シリコ
ン基板とは絶縁され、均一な面方位を有する種結晶成長
層を得ることができる。

【００３４】すなわち、シリコン基板とＰＮ接合を持た
ない種結晶成長層を形成することができ、高速な素子を
有する半導体装置を得ることができる。また、面方位が
一様であるため、素子形成時における制御が容易であ
る。また、種結晶除去ステップにおいて、結晶成長に必
要な種結晶層を残しつつ、開口内および開口上部の種結
晶層を除去しているから、酸化ステップにより種結晶層
とシリコン基板接続を断つ際に、直接開口を酸化でき、
開口内で独自に絶縁層を成長させることができる。その
ため、開口の巾に制限を受けなくて済み、開口の巾を広
くできる。よって、種結晶層の積層欠陥を抑制でき、良
好な結晶性を得、しかも種結晶層の島の巾も大きく取れ
る。

【００３５】請求項３の製造方法では、開口形成ステッ
プにおいて、開口の口壁を内側に向かって傾斜して形成
するから、種結晶の成長の際に、酸化絶縁層との界面に
欠陥が発生しても、種結晶の成長はこれを受けての成長
より、中央部の欠陥の少ない結晶の横方向の成長の方が
大きくなり、種結晶層の積層欠陥を防止しつつ、種結晶
層のラテラル成長をより促進させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す図である。

【図２】同じくその種結晶成長ステップにおける種結晶
の成長状態を示す図である。

【図３】酸化絶縁層に設ける開口の一例を示す図であ
る。

【図４】酸化絶縁層に設ける開口の他の例を示す図であ
る。

【図５】先行技術にによる半導体装置の製造方法を示す
図である。

【図６】他の先行技術にによる半導体装置の製造方法を
示す図である。

【図７】従来のＥＬＯ法によるＳＯＩ技術を示す図であ
る。

【符号の説明】 ２ シリコン基板 ４ シリコン酸化層 １４ 開口 １６ シリコン種結晶層 ２０ フィールド酸化層 ２２ エピタキシャル成長層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/786

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコン基板の上に酸化絶縁層を形成する
   絶縁層形成ステップ、 酸化絶縁層に種結晶成長用の開口を設ける開口形成ステ
   ップ、 酸化絶縁層をマスクとして、前記開口にシリコン種結晶
   層を形成し、該シリコン種結晶層が前記開口から突出し
   てラテラル成長により横方向へ延びるまで成長させる種
   結晶成長ステップ、 結晶成長に必要なシリコン種結晶層を残しつつ、前記開
   口内および開口上部のシリコン種結晶層を除去する種結
   晶除去ステップ、 種結晶除去ステップにて残されたシリコン種結晶層の周
   囲を酸化してシリコン種結晶層とシリコン基板との接続
   を断つ酸化ステップ、 シリコン種結晶層の表面を露出させる種結晶露出ステッ
   プ、 シリコン種結晶層に基づいてシリコン成長層を結晶成長
   させるシリコン成長ステップ、 シリコン成長層に半導体素子を形成する素子形成ステッ
   プを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】シリコン基板の上に酸化絶縁層を形成する
   絶縁層形成ステップ、 酸化絶縁層に種結晶成長用の開口を設ける開口形成ステ
   ップ、 酸化絶縁層をマスクとして、前記開口に炭化シリコン種
   結晶層を形成し、該炭化シリコン種結晶層が前記開口か
   ら突出してラテラル成長により横方向へ延びるまで成長
   させる種結晶成長ステップ、 結晶成長に必要な炭化シリコン種結晶層を残しつつ、前
   記開口内および開口上部の炭化シリコン種結晶層を除去
   する種結晶除去ステップ、 種結晶除去ステップにて残された炭化シリコン種結晶層
   の周囲を酸化して炭化シリコン種結晶層とシリコン基板
   との接続を断つ酸化ステップ、 炭化シリコン種結晶層の表面を露出させる種結晶露出ス
   テップ、 炭化シリコン種結晶層に基づいてシリコン成長層を結晶
   成長させるシリコン成長ステップ、 シリコン成長層に半導体素子を形成する素子形成ステッ
   プを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】請求項１，２記載の開口形成ステップにお
   いて、 開口の口壁を内側に向かって傾斜して形成することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。