JPH0511456A - 光構造化方法 - Google Patents
光構造化方法Info
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- JPH0511456A JPH0511456A JP3353044A JP35304491A JPH0511456A JP H0511456 A JPH0511456 A JP H0511456A JP 3353044 A JP3353044 A JP 3353044A JP 35304491 A JP35304491 A JP 35304491A JP H0511456 A JPH0511456 A JP H0511456A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限
度を越える構造物の製造を可能とし、その際高い透過
性、サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び高
感度がもたらされる構造物を製造する。 【構成】 サブミクロン範囲で構造物を製造するに当た
り、基板上に、第１又は第２アミンと反応する官能基及
びＮブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、
露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤 とから
なるフォトレジスト層を施し、フォトレジスト層を乾燥
し、フォトレジスト層を画像に応じて露光し、露光した
フォトレジスト層を熱処理し、こうして処理したフォト
レジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフ
ォトレジスト構造物とし、フォトレジスト構造物を、第
１又は第２アミンを含む化学試薬で処理し、その際現像
時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの範囲で起こさせ
る。
度を越える構造物の製造を可能とし、その際高い透過
性、サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び高
感度がもたらされる構造物を製造する。 【構成】 サブミクロン範囲で構造物を製造するに当た
り、基板上に、第１又は第２アミンと反応する官能基及
びＮブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、
露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤 とから
なるフォトレジスト層を施し、フォトレジスト層を乾燥
し、フォトレジスト層を画像に応じて露光し、露光した
フォトレジスト層を熱処理し、こうして処理したフォト
レジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフ
ォトレジスト構造物とし、フォトレジスト構造物を、第
１又は第２アミンを含む化学試薬で処理し、その際現像
時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの範囲で起こさせ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサブミクロン範囲の構造
物を製造する光構造化方法に関する。
物を製造する光構造化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】欧州特許出願公開第０３８８４８４号明
細書からサブミクロン範囲の構造物を製造するために水
性アルカリで現像可能の高解像性フォトレジストが公知
である。このレジストは現像可能のベースポリマー及び
光活性成分（並びに場合によっては他の一般的な添加
物）からなるが、その際ベースポリマーは現像可能な、
また従って溶解を助ける基として無水官能基を有してい
る。ＤＵＶ透過性でありまた一層法にも二層法にも適し
ている無水物含有ベースポリマーは有利には１０〜５５
モル％の無水マレイン酸を含み、アリルトリメチルシラ
ン及びスチロール並びに場合によっては他のモノマー、
例えばマレインイミドを共重合又は三重合することによ
って得られる。
細書からサブミクロン範囲の構造物を製造するために水
性アルカリで現像可能の高解像性フォトレジストが公知
である。このレジストは現像可能のベースポリマー及び
光活性成分（並びに場合によっては他の一般的な添加
物）からなるが、その際ベースポリマーは現像可能な、
また従って溶解を助ける基として無水官能基を有してい
る。ＤＵＶ透過性でありまた一層法にも二層法にも適し
ている無水物含有ベースポリマーは有利には１０〜５５
モル％の無水マレイン酸を含み、アリルトリメチルシラ
ン及びスチロール並びに場合によっては他のモノマー、
例えばマレインイミドを共重合又は三重合することによ
って得られる。
【０００３】光活性成分としてジアゾナフトキノン又は
ジアゾケトン誘導体を含むこの種のベースポリマーを有
するフォトレジストはＤＵＶ露光、例えば波長２４８ｎ
ｍで露光する場合、寸法通りに露光するには約７０〜８
０ｍＪ／ｃｍ2 の線量を必要とする。この比較的高い線
量は製造ライン・例えば高集積マイクロエレクトロニク
スデバイス用の場合僅かな装填量では経費のかさむ露光
装置（ステッパー）を長時間保持する必要があることか
ら、すなわちこの製造に際して一般に＜２０ｍＪ／ｃｍ
2 の感度が必要であることから欠点である。更に、二層
法において上記形式のシリコン含有レジストを使用する
場合酸素プラズマ中での構造物転移後ボトムレジスト中
には、トップレジスト中の構造物に比べて１０％以上寸
法を欠いたサブミクロン構造物が得られるという問題が
生じる。これは製造上許容し得ないことである。
ジアゾケトン誘導体を含むこの種のベースポリマーを有
するフォトレジストはＤＵＶ露光、例えば波長２４８ｎ
ｍで露光する場合、寸法通りに露光するには約７０〜８
０ｍＪ／ｃｍ2 の線量を必要とする。この比較的高い線
量は製造ライン・例えば高集積マイクロエレクトロニク
スデバイス用の場合僅かな装填量では経費のかさむ露光
装置（ステッパー）を長時間保持する必要があることか
ら、すなわちこの製造に際して一般に＜２０ｍＪ／ｃｍ
2 の感度が必要であることから欠点である。更に、二層
法において上記形式のシリコン含有レジストを使用する
場合酸素プラズマ中での構造物転移後ボトムレジスト中
には、トップレジスト中の構造物に比べて１０％以上寸
法を欠いたサブミクロン構造物が得られるという問題が
生じる。これは製造上許容し得ないことである。
【０００４】欧州特許出願公開第０３９５９１７号明細
書からは、サブミクロン構造物のフォトリソグラフィー
転移を二層法で行う光構造化法が公知である。この方法
では無水物含有ベースポリマー又はレジストの長所を利
用し、また同時に寸法通りの転移を可能とする。すなわ
ち二層法でボトムレジストに正確なマスク寸法が再生さ
れる。これはトップレジスト中の無水物含有構造物を、
酸素プラズマ中での構造物転移に際して生じる寸法損失
に正確に一致する範囲で、化学的に拡大することによっ
て得られる。しかしこの方法の場合にもトップレジスト
の構造化には比較的高い線量、すなわち約９０ｍＪ／ｃ
ｍ2 （ＤＵＶ領域で）を必要とする。
書からは、サブミクロン構造物のフォトリソグラフィー
転移を二層法で行う光構造化法が公知である。この方法
では無水物含有ベースポリマー又はレジストの長所を利
用し、また同時に寸法通りの転移を可能とする。すなわ
ち二層法でボトムレジストに正確なマスク寸法が再生さ
れる。これはトップレジスト中の無水物含有構造物を、
酸素プラズマ中での構造物転移に際して生じる寸法損失
に正確に一致する範囲で、化学的に拡大することによっ
て得られる。しかしこの方法の場合にもトップレジスト
の構造化には比較的高い線量、すなわち約９０ｍＪ／ｃ
ｍ2 （ＤＵＶ領域で）を必要とする。
【０００５】更に上記の光構造化法によって初めて、使
用されるリソグラフィー法の物理的分解限度によって設
定されるよりも小さい構造物寸法を製造する可能性が開
かれた。すなわちフォトレジスト構造物中においてその
溝幅は分解限度以下にまで縮小される。これは無水物含
有レジスト構造物をほぼ数ナノメータから数ミクロメー
タまで化学的に拡大することによって達成され、これに
より相応する溝の狭窄化がもたらされる。一層法でも二
層法でも可能であるこの処理方法の場合、光活性成分と
してジアゾケトン誘導体を有するレジストを使用する
が、しかしこのレジストは感度に関して製造要件を満足
するものではない。
用されるリソグラフィー法の物理的分解限度によって設
定されるよりも小さい構造物寸法を製造する可能性が開
かれた。すなわちフォトレジスト構造物中においてその
溝幅は分解限度以下にまで縮小される。これは無水物含
有レジスト構造物をほぼ数ナノメータから数ミクロメー
タまで化学的に拡大することによって達成され、これに
より相応する溝の狭窄化がもたらされる。一層法でも二
層法でも可能であるこの処理方法の場合、光活性成分と
してジアゾケトン誘導体を有するレジストを使用する
が、しかしこのレジストは感度に関して製造要件を満足
するものではない。
【０００６】欧州特許出願公開第０１０２４５０号明細
書（又はこれに相当する米国特許第４４９１６２８号明
細書）からポジ又はネガ作用のレジスト組成物が公知で
あり、この場合従来のレジストの不十分な感度に関する
問題はいわゆる化学的強化の構想で対処している。更に
このレジスト組成物は、酸に不安定な基を含むポリマー
及び露光時に酸を遊離する光開始剤を有している。この
場合アルカリ可溶性基、例えばフェノール性ＯＨ基（ビ
ニルフェノール−ポリマー中の）を有するベースポリマ
ーを使用するが、これは酸分解可能の基、例えば第３ブ
チル基又は第３ブトキシカルボニル基によってブロック
されている。従ってこのポリマーはまずアルカリ不溶性
である。ＤＵＶ光線、電子線又はＸ線で露光した際に強
酸を生じる光開始剤（又は光酸）としてはいわゆるクリ
ベロ（Ｃｒｉｖｅｌｌｏ）塩、すなわちトリフェニルス
ルホニウム−ヘキサフルオロホスフェートのようなオニ
ウム塩を使用する。
書（又はこれに相当する米国特許第４４９１６２８号明
細書）からポジ又はネガ作用のレジスト組成物が公知で
あり、この場合従来のレジストの不十分な感度に関する
問題はいわゆる化学的強化の構想で対処している。更に
このレジスト組成物は、酸に不安定な基を含むポリマー
及び露光時に酸を遊離する光開始剤を有している。この
場合アルカリ可溶性基、例えばフェノール性ＯＨ基（ビ
ニルフェノール−ポリマー中の）を有するベースポリマ
ーを使用するが、これは酸分解可能の基、例えば第３ブ
チル基又は第３ブトキシカルボニル基によってブロック
されている。従ってこのポリマーはまずアルカリ不溶性
である。ＤＵＶ光線、電子線又はＸ線で露光した際に強
酸を生じる光開始剤（又は光酸）としてはいわゆるクリ
ベロ（Ｃｒｉｖｅｌｌｏ）塩、すなわちトリフェニルス
ルホニウム−ヘキサフルオロホスフェートのようなオニ
ウム塩を使用する。
【０００７】上記形式のレジスト組成物の高感度は、露
光に続く熱処理（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋ
ｅ）で、露光時に光酸から製造された唯一のプロトン
が、従って１個の光子によって、触媒的に多くの酸分解
可能の基を分解すること、すなわち多数のアルカリ可溶
性基を遊離するということによって説明することができ
る。これに対して光活性成分としてジアゾ化合物を含む
従来のレジストは１光子当り最高で１個のアルカリ可溶
性の酸基を製造し得るに過ぎない。上記レジスト組成物
に関しては、ＵＶ照射の場合５〜５５ｍＪ／ｃｍ2 に達
するか又は電子線照射では１０μＣ／ｃｍ2 の感度が示
される。更にこの組成物は高いコントラストを示す。し
かしこれらの系の場合寸法通りの構造物転移が不可能な
こと、幅の狭い溝、すなわち分解限度よりも小さい幅の
溝を製造できないことまたＤＵＶ透過性又は基板エッチ
ング処理に対する耐食性が極めて小さいことが欠点であ
る。
光に続く熱処理（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋ
ｅ）で、露光時に光酸から製造された唯一のプロトン
が、従って１個の光子によって、触媒的に多くの酸分解
可能の基を分解すること、すなわち多数のアルカリ可溶
性基を遊離するということによって説明することができ
る。これに対して光活性成分としてジアゾ化合物を含む
従来のレジストは１光子当り最高で１個のアルカリ可溶
性の酸基を製造し得るに過ぎない。上記レジスト組成物
に関しては、ＵＶ照射の場合５〜５５ｍＪ／ｃｍ2 に達
するか又は電子線照射では１０μＣ／ｃｍ2 の感度が示
される。更にこの組成物は高いコントラストを示す。し
かしこれらの系の場合寸法通りの構造物転移が不可能な
こと、幅の狭い溝、すなわち分解限度よりも小さい幅の
溝を製造できないことまたＤＵＶ透過性又は基板エッチ
ング処理に対する耐食性が極めて小さいことが欠点であ
る。
【０００８】欧州特許出願公開第０２３４３２７号明細
書（又はこれに相当する米国特許第４８３７１２４号及
び同第４９１２０１８号明細書）から、ＤＵＶ及びエキ
シマレーザ−リソグラフィー用フォトレジスト組成物は
公知であるが、この場合も同様に化学的補強の考えに基
づき作業する。そのためにレジスト組成物は潜在光酸１
〜５０％及び膜形成可能のイミド基を含むポリマー５０
〜９９％を、共に溶剤中に溶解して有している。この場
合十分な数のイミド基は、このポリマーをアルカリ不溶
性にするために酸不安定性基でブロックされている。こ
の種の基はオキシカルボニル基、特に第３ブトキシカル
ボニル基である。酸不安定性基は光酸により、記載され
たようにして分解され、それによりポリマーは、その際
生じるイミド基によってアルカリ可溶性となる。このレ
ジスト組成物の利点は改良された解像能であるが、しか
しこれは欧州特許出願公開第０１０２４５０号明細書に
よるレジスト組成物と同じ欠点を有する。更に重合類似
の反応による酸不安定性基の導入は制御不能でありまた
再生不能に進行し、従って定量的に行われないという欠
点を有する。
書（又はこれに相当する米国特許第４８３７１２４号及
び同第４９１２０１８号明細書）から、ＤＵＶ及びエキ
シマレーザ−リソグラフィー用フォトレジスト組成物は
公知であるが、この場合も同様に化学的補強の考えに基
づき作業する。そのためにレジスト組成物は潜在光酸１
〜５０％及び膜形成可能のイミド基を含むポリマー５０
〜９９％を、共に溶剤中に溶解して有している。この場
合十分な数のイミド基は、このポリマーをアルカリ不溶
性にするために酸不安定性基でブロックされている。こ
の種の基はオキシカルボニル基、特に第３ブトキシカル
ボニル基である。酸不安定性基は光酸により、記載され
たようにして分解され、それによりポリマーは、その際
生じるイミド基によってアルカリ可溶性となる。このレ
ジスト組成物の利点は改良された解像能であるが、しか
しこれは欧州特許出願公開第０１０２４５０号明細書に
よるレジスト組成物と同じ欠点を有する。更に重合類似
の反応による酸不安定性基の導入は制御不能でありまた
再生不能に進行し、従って定量的に行われないという欠
点を有する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、二層
法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造
物（溝又は孔）の製造を可能とし、その際高い透過性、
サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び（ＤＵ
Ｖ領域で＜２０ｍＪ／ｃｍ2 の）高感度、すなわちＵＶ
光線並びに電子線及びＸ線に対しても高い感度がもたら
される、構造物の製法を提供することにある。
法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造
物（溝又は孔）の製造を可能とし、その際高い透過性、
サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び（ＤＵ
Ｖ領域で＜２０ｍＪ／ｃｍ2 の）高感度、すなわちＵＶ
光線並びに電子線及びＸ線に対しても高い感度がもたら
される、構造物の製法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、 ａ）基板上に、第１又は第２アミンと反応することので
きる官能基及びＮブロックされたイミド基を有するポリ
マー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な
溶剤とからなるフォトレジスト層を施し、 ｂ）フォトレジスト層を乾燥し、 ｃ）フォトレジスト層を画像に応じて露光し、 ｄ）露光したフォトレジスト層を熱処理し、 ｅ）こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ
又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、 ｆ）レジスト線を拡大しかつ耐食性を得るためにフォト
レジスト構造物を、第１又は第２アミンを含む化学試薬
で処理し、現像時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの
範囲で起こさせることによって解決される。
ば、 ａ）基板上に、第１又は第２アミンと反応することので
きる官能基及びＮブロックされたイミド基を有するポリ
マー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な
溶剤とからなるフォトレジスト層を施し、 ｂ）フォトレジスト層を乾燥し、 ｃ）フォトレジスト層を画像に応じて露光し、 ｄ）露光したフォトレジスト層を熱処理し、 ｅ）こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ
又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、 ｆ）レジスト線を拡大しかつ耐食性を得るためにフォト
レジスト構造物を、第１又は第２アミンを含む化学試薬
で処理し、現像時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの
範囲で起こさせることによって解決される。
【００１１】本発明方法の場合、２つの異なる種類の官
能基を有するポリマー成分を含むフォトレジストを使用
することが重要である。これらの２種の基は第１及び第
２アミンと反応する基とＮブロックされたイミド基であ
る。後者は、水素原子が酸分解可能の保護基によって代
えられている（酸イミドの）ＮＨ基である。これらの両
官能基は異なるポリマー中に存在していてもよいが、同
一ポリマー中に存在することが有利である。
能基を有するポリマー成分を含むフォトレジストを使用
することが重要である。これらの２種の基は第１及び第
２アミンと反応する基とＮブロックされたイミド基であ
る。後者は、水素原子が酸分解可能の保護基によって代
えられている（酸イミドの）ＮＨ基である。これらの両
官能基は異なるポリマー中に存在していてもよいが、同
一ポリマー中に存在することが有利である。
【００１２】更に本発明に基づく方法の場合、現像時に
一定の暗損傷が生じることは重要である。この暗損傷は
２０〜１００ｎｍの範囲内であり、有利には暗損傷は約
５０ｎｍである。
一定の暗損傷が生じることは重要である。この暗損傷は
２０〜１００ｎｍの範囲内であり、有利には暗損傷は約
５０ｎｍである。
【００１３】暗損傷を起こさせるには以下の３つの方法
を使うことができるが、それらは個々にも又は一緒にも
使用可能である。 −フォトレジストの乾燥時の温度／時間−組合わせ（工
程ｂ） −フォトレジストの熱処理時の温度／時間−組合わせ
（工程ｄ） −現像の温度及び期間並びに現像剤の種類及び場合によ
っては濃度（工程ｅ）
を使うことができるが、それらは個々にも又は一緒にも
使用可能である。 −フォトレジストの乾燥時の温度／時間−組合わせ（工
程ｂ） −フォトレジストの熱処理時の温度／時間−組合わせ
（工程ｄ） −現像の温度及び期間並びに現像剤の種類及び場合によ
っては濃度（工程ｅ）
【００１４】初めの２つの方法では、例えばホットプレ
ート上でレジストを加熱する際の温度／時間−組合わせ
を、湿式現像に際して所望の暗損傷が起こるように選択
する。この２つの場合、すなわちレジストの乾燥（ｐｒ
ｅｂａｋｅ）及び熱処理（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ
ｂａｋｅ）に際して、加熱を有利には６０〜１６０℃
の温度範囲内で、有利には１０〜１５０秒の時間内で行
う。その際保護基が熱分解する。湿式現像は一般に５℃
から５０℃の温度で１５〜３００秒間行う。その際水性
アルカリ現像剤、例えばテトラメチル水酸化アンモニウ
ムを含む現像剤の濃度は０．０５〜１モルである。
ート上でレジストを加熱する際の温度／時間−組合わせ
を、湿式現像に際して所望の暗損傷が起こるように選択
する。この２つの場合、すなわちレジストの乾燥（ｐｒ
ｅｂａｋｅ）及び熱処理（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ
ｂａｋｅ）に際して、加熱を有利には６０〜１６０℃
の温度範囲内で、有利には１０〜１５０秒の時間内で行
う。その際保護基が熱分解する。湿式現像は一般に５℃
から５０℃の温度で１５〜３００秒間行う。その際水性
アルカリ現像剤、例えばテトラメチル水酸化アンモニウ
ムを含む現像剤の濃度は０．０５〜１モルである。
【００１５】本発明に基づく方法は、前記のように一層
法で行うことができる。この場合露光波長に対して透過
性である使用フォトレジストは必ずしも基板エッチング
処理に対して耐性である必要はない。しかしこの方法は
二層レジスト法によって行うことも有利である。そのた
めには基板上にまず基板エッチング処理に対して耐性の
レジストからなる層を施す。従ってこのレジスト、いわ
ゆるボトムレジストは芳香族構造物を有し、これには一
般にノボラックを使用する。引続きボトムレジストを加
熱する。その際ノボラックの交叉結合が生じ、これによ
りレジストはトップレジスト溶剤に対して不溶性とな
る。
法で行うことができる。この場合露光波長に対して透過
性である使用フォトレジストは必ずしも基板エッチング
処理に対して耐性である必要はない。しかしこの方法は
二層レジスト法によって行うことも有利である。そのた
めには基板上にまず基板エッチング処理に対して耐性の
レジストからなる層を施す。従ってこのレジスト、いわ
ゆるボトムレジストは芳香族構造物を有し、これには一
般にノボラックを使用する。引続きボトムレジストを加
熱する。その際ノボラックの交叉結合が生じ、これによ
りレジストはトップレジスト溶剤に対して不溶性とな
る。
【００１６】次いで本発明方法に相応してボトムレジス
ト上に、トップレジストとしてフォトレジストを施す。
このレジストは酸素プラズマ中での乾式現像に対して必
ずしも耐食性である必要はない。トップレジストを、記
載したようにして乾燥し、露光し、熱処理し、湿式現像
し、化学的に後処理する。次いで化学的後処理後のフォ
トレジスト構造物を更に異方性の酸素含有プラズマ中で
エッチングし、これによりボトムレジスト中への構造物
転移が生じる。
ト上に、トップレジストとしてフォトレジストを施す。
このレジストは酸素プラズマ中での乾式現像に対して必
ずしも耐食性である必要はない。トップレジストを、記
載したようにして乾燥し、露光し、熱処理し、湿式現像
し、化学的に後処理する。次いで化学的後処理後のフォ
トレジスト構造物を更に異方性の酸素含有プラズマ中で
エッチングし、これによりボトムレジスト中への構造物
転移が生じる。
【００１７】本発明方法の場合、画像に応じた露光（工
程ｃ）に際して、露光範囲内で光開始剤から酸が形成さ
れる。更に露光後の熱処理（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅｂａｋｅ）によって保護基は酸の触媒作用で分解す
る。その際まずアルカリ不溶性のポリマーがアルカリ可
溶性となる。すなわちレジストは露光範囲内で現像可能
となる。アルカリ現像に続く化学的後処理によって（ト
ップ）レジスト線を拡大する。すなわち（トップ）レジ
ストの溝又は孔は狭窄化される。一層法では同時に、芳
香化合物含有試薬の使用によって基板のエッチング処理
に対する耐食性が形成され、また二層法では、珪素含有
試薬の使用によって酸素プラズマ中での乾式現像に対す
る耐食性がもたらされる。
程ｃ）に際して、露光範囲内で光開始剤から酸が形成さ
れる。更に露光後の熱処理（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒ
ｅｂａｋｅ）によって保護基は酸の触媒作用で分解す
る。その際まずアルカリ不溶性のポリマーがアルカリ可
溶性となる。すなわちレジストは露光範囲内で現像可能
となる。アルカリ現像に続く化学的後処理によって（ト
ップ）レジスト線を拡大する。すなわち（トップ）レジ
ストの溝又は孔は狭窄化される。一層法では同時に、芳
香化合物含有試薬の使用によって基板のエッチング処理
に対する耐食性が形成され、また二層法では、珪素含有
試薬の使用によって酸素プラズマ中での乾式現像に対す
る耐食性がもたらされる。
【００１８】第１及び第２アミンと反応し得るポリマー
成分の官能基は有利には無水カルボン酸基である。その
他に特にエポキシ基及びエステル基も考慮される。この
無水物基を含む有利なものは、場合によっては置換され
ていてもよい無水マレイン酸であり、この形式の他の化
合物は例えば無水イタコン酸（イタコン酸＝メチレン琥
珀酸）である。これらのポリマーは環状の無水物官能基
（その際これらは主鎖又は側鎖中に配置されていてもよ
い）並びに非環状のすなわち線状の無水物官能基を有し
ていてもよい。一連の相応するモノマー、例えば無水ア
クリル酸又はメタクリル酸及び無水ビニルフタル酸は欧
州特許出願公開第０３８８４８４号明細書から公知であ
る。
成分の官能基は有利には無水カルボン酸基である。その
他に特にエポキシ基及びエステル基も考慮される。この
無水物基を含む有利なものは、場合によっては置換され
ていてもよい無水マレイン酸であり、この形式の他の化
合物は例えば無水イタコン酸（イタコン酸＝メチレン琥
珀酸）である。これらのポリマーは環状の無水物官能基
（その際これらは主鎖又は側鎖中に配置されていてもよ
い）並びに非環状のすなわち線状の無水物官能基を有し
ていてもよい。一連の相応するモノマー、例えば無水ア
クリル酸又はメタクリル酸及び無水ビニルフタル酸は欧
州特許出願公開第０３８８４８４号明細書から公知であ
る。
【００１９】ポリマー成分のイミド基は有利には第３ブ
トキシカルボニル基、すなわち−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｃ
Ｈ3 ）3 （Ｂｏｃ基）及び／又は第３ブチル基でブロッ
クされている。一種の保護基として作用するこれらの基
は酸不安定性であり、従ってこれらは酸によって分解さ
れる。このイミド基を含むものは、有利には場合によっ
ては置換されていてもよいマレインイミドである。もう
１つの他の可能なイミド基はポリマー中に例えばグルタ
ルイミド単位の形で存在することができる。Ｂｏｃブロ
ックされたマレインイミドの製法はドイツ連邦共和国特
許出願公開第４０４０９９９号明細書（Ｎ−第３ブトキ
シカルボニル−マレインイミド）の対象である。
トキシカルボニル基、すなわち−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｃ
Ｈ3 ）3 （Ｂｏｃ基）及び／又は第３ブチル基でブロッ
クされている。一種の保護基として作用するこれらの基
は酸不安定性であり、従ってこれらは酸によって分解さ
れる。このイミド基を含むものは、有利には場合によっ
ては置換されていてもよいマレインイミドである。もう
１つの他の可能なイミド基はポリマー中に例えばグルタ
ルイミド単位の形で存在することができる。Ｂｏｃブロ
ックされたマレインイミドの製法はドイツ連邦共和国特
許出願公開第４０４０９９９号明細書（Ｎ−第３ブトキ
シカルボニル−マレインイミド）の対象である。
【００２０】ポリマー成分を製造するため、Ｎ−第３ブ
トキシカルボニル−又はＮ−第３ブチル−マレインイミ
ドと重合させるコモノマーとしては欧州特許出願公開第
０３８８４８４号明細書から公知であるような化合物を
使用することができる。その際重合は有利にはラジカル
法で開始される。ポリマーは近及び深ＵＶ領域でも高い
透過性において優れており、従って高コントラストＤＵ
Ｖフォトレジストの使用に、例えば波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザ露光装置での露光に極めて適してい
る。
トキシカルボニル−又はＮ−第３ブチル−マレインイミ
ドと重合させるコモノマーとしては欧州特許出願公開第
０３８８４８４号明細書から公知であるような化合物を
使用することができる。その際重合は有利にはラジカル
法で開始される。ポリマーは近及び深ＵＶ領域でも高い
透過性において優れており、従って高コントラストＤＵ
Ｖフォトレジストの使用に、例えば波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザ露光装置での露光に極めて適してい
る。
【００２１】本発明方法では有利には例えばＮ−第３ブ
トキシカルボニル−又はＮ−第３ブチル−マレインイミ
ド／無水マレイン酸コポリマーを使用することができ
る。しかし有利にはＮ−第３ブトキシカルボニル−又は
Ｎ−第３ブチル−マレインイミド、無水マレイン酸及び
スチロール及び／又はアリルトリメチルシランからなる
コポリマーを使用することもできる。本発明方法で使用
できるＮ−第３ブチル−マレインイミドを含むポリマー
はドイツ連邦共和国特許出願公開第４０４０９９６号明
細書（マレインイミド−ポリマー）の対象である。この
場合これらのポリマーはビポリマーとして並びにターポ
リマーとして構成されていてもよい。
トキシカルボニル−又はＮ−第３ブチル−マレインイミ
ド／無水マレイン酸コポリマーを使用することができ
る。しかし有利にはＮ−第３ブトキシカルボニル−又は
Ｎ−第３ブチル−マレインイミド、無水マレイン酸及び
スチロール及び／又はアリルトリメチルシランからなる
コポリマーを使用することもできる。本発明方法で使用
できるＮ−第３ブチル−マレインイミドを含むポリマー
はドイツ連邦共和国特許出願公開第４０４０９９６号明
細書（マレインイミド−ポリマー）の対象である。この
場合これらのポリマーはビポリマーとして並びにターポ
リマーとして構成されていてもよい。
【００２２】光酸として表されている光開始剤としては
本発明方法の場合それ自体は公知の化合物を使用するこ
とができる（これに関しては例えば欧州特許出願公開第
０１０２４５０号及び同第０２３４３２７号明細書参
照）。光開始剤の選択に関して重要なことは、露光時に
酸を遊離するという必要な特性のみである。この場合露
光をＵＶ光線又は電子線又はＸ線で行うが、その際有利
には強酸が形成される。次いで、すなわち露光に続く熱
処理時にこの酸はブロックされたイミド基から第３ブト
キシカルボニル基又は第３ブチル基を脱離させる。この
酸で触媒された脱ブロック化により当初疎水性でアルカ
リ不溶性のポリマーは親水性でアルカリ可溶性になる。
本発明方法の場合それ自体は公知の化合物を使用するこ
とができる（これに関しては例えば欧州特許出願公開第
０１０２４５０号及び同第０２３４３２７号明細書参
照）。光開始剤の選択に関して重要なことは、露光時に
酸を遊離するという必要な特性のみである。この場合露
光をＵＶ光線又は電子線又はＸ線で行うが、その際有利
には強酸が形成される。次いで、すなわち露光に続く熱
処理時にこの酸はブロックされたイミド基から第３ブト
キシカルボニル基又は第３ブチル基を脱離させる。この
酸で触媒された脱ブロック化により当初疎水性でアルカ
リ不溶性のポリマーは親水性でアルカリ可溶性になる。
【００２３】本発明方法の場合光開始剤は有利にはオニ
ウム塩である。クリベロ塩とも称されるこの種の化合物
は例えばジフェニルヨードニウム−及びトリフェニルス
ルホニウム−トリフレート（トリフレートはトリフルオ
ルメタンスルホニル基を表す）である。他の使用可能の
光開始剤は例えばトリアジン誘導体である。この光開始
剤は一般に、無水のフォトレジスト、すなわち溶剤を含
まないレジスト組成物に対して１〜２０重量％の濃度で
使用される。
ウム塩である。クリベロ塩とも称されるこの種の化合物
は例えばジフェニルヨードニウム−及びトリフェニルス
ルホニウム−トリフレート（トリフレートはトリフルオ
ルメタンスルホニル基を表す）である。他の使用可能の
光開始剤は例えばトリアジン誘導体である。この光開始
剤は一般に、無水のフォトレジスト、すなわち溶剤を含
まないレジスト組成物に対して１〜２０重量％の濃度で
使用される。
【００２４】溶剤としてはそれ自体公知のレジスト溶剤
を使用する。溶剤の選択に当たって重要なことは、ポリ
マー成分並びに光開始剤をも溶解する必要のあることが
要求されることだけである。更に公知の被覆法で、欠陥
のないレジスト層を基板上に、例えばシリコンウェハ上
に又はボトムレジストで被覆されたウェハ上に形成させ
なければならない。溶剤としてはシクロヘキサノン又は
メトキシプロピルアセテートが有利であるが、その他に
例えばジエチレングリコールジメチルエーテルも使用す
ることができる。
を使用する。溶剤の選択に当たって重要なことは、ポリ
マー成分並びに光開始剤をも溶解する必要のあることが
要求されることだけである。更に公知の被覆法で、欠陥
のないレジスト層を基板上に、例えばシリコンウェハ上
に又はボトムレジストで被覆されたウェハ上に形成させ
なければならない。溶剤としてはシクロヘキサノン又は
メトキシプロピルアセテートが有利であるが、その他に
例えばジエチレングリコールジメチルエーテルも使用す
ることができる。
【００２５】本発明方法で使用されるフォトレジストは
１〜５ｍＪ／ｃｍ2の感度を有する。上記成分の他にこ
れらのフォトレジストは他の添加物を含んでいてもよ
い。そのような添加物としては例えば増感剤があるが、
これによりレジストは近ＵＶ領域での露光に対して例え
ば３６５ｎｍで感光可能にされる。この場合適当な増感
剤は特にペリレンである。
１〜５ｍＪ／ｃｍ2の感度を有する。上記成分の他にこ
れらのフォトレジストは他の添加物を含んでいてもよ
い。そのような添加物としては例えば増感剤があるが、
これによりレジストは近ＵＶ領域での露光に対して例え
ば３６５ｎｍで感光可能にされる。この場合適当な増感
剤は特にペリレンである。
【００２６】本発明方法によりポジ及びネガの構造物を
製造することができるが、これは湿式現像に際して、露
光された範囲、すなわち画像に応じて露光されたフォト
レジスト層の親水性でアルカリ可溶性の範囲を溶出する
現像剤を使用するか又は未露光の範囲、すなわち疎水性
でアルカリ不溶性の範囲を溶出する現像剤を使用するか
による。これは第１の場合は水性アルカリ現像剤であ
り、第２の場合は有機溶剤、すなわち特にアニソール、
トルオール及びキシロールのような比較的高沸点の有機
溶剤の形の液状有機媒体である。更に本発明方法は一層
レジスト法（湿式現像）でもまた二層レジスト法（湿式
及び乾式現像）でも使用することができる。
製造することができるが、これは湿式現像に際して、露
光された範囲、すなわち画像に応じて露光されたフォト
レジスト層の親水性でアルカリ可溶性の範囲を溶出する
現像剤を使用するか又は未露光の範囲、すなわち疎水性
でアルカリ不溶性の範囲を溶出する現像剤を使用するか
による。これは第１の場合は水性アルカリ現像剤であ
り、第２の場合は有機溶剤、すなわち特にアニソール、
トルオール及びキシロールのような比較的高沸点の有機
溶剤の形の液状有機媒体である。更に本発明方法は一層
レジスト法（湿式現像）でもまた二層レジスト法（湿式
及び乾式現像）でも使用することができる。
【００２７】一層法では有利には、第３ブトキシカルボ
ニル基又は第３ブチル基及び無水カルボン酸基の他に付
加的に更に芳香族基を有するポリマーを使用する。この
種のポリマーは簡単な方法で、例えば無水マレイン酸及
びＮ−第３ブトキシカルボニル又はＮ−第３ブチル−マ
レインイミドをスチロールのような芳香族モノマーとま
た場合によっては１個又は数個の他のモノマー、例えば
アリルトリメチルシランとラジカル重合させることによ
って得ることができる。しかしまた例えば欧州特許出願
公開第０３８８４８４号明細書から公知であるような他
の芳香族モノマーも使用することができる。この場合各
モノマーの混合比によって、ポリマー中における第３ブ
トキシカルボニル−又は第３ブチル−マレインイミドの
モル量並びにまた他のモノマーのモル量も容易にかつ再
生可能に制御することができる。一層法では第３ブトキ
シカルボニル−又は第３ブチル−マレインイミド１０〜
５５モル％、無水マレイン酸１０〜５５モル％及びスチ
ロール１０〜５５モル％からなるターポリマーを使用す
るのが有利である。その際個々の成分の量は合計して１
００％になる量である。
ニル基又は第３ブチル基及び無水カルボン酸基の他に付
加的に更に芳香族基を有するポリマーを使用する。この
種のポリマーは簡単な方法で、例えば無水マレイン酸及
びＮ−第３ブトキシカルボニル又はＮ−第３ブチル−マ
レインイミドをスチロールのような芳香族モノマーとま
た場合によっては１個又は数個の他のモノマー、例えば
アリルトリメチルシランとラジカル重合させることによ
って得ることができる。しかしまた例えば欧州特許出願
公開第０３８８４８４号明細書から公知であるような他
の芳香族モノマーも使用することができる。この場合各
モノマーの混合比によって、ポリマー中における第３ブ
トキシカルボニル−又は第３ブチル−マレインイミドの
モル量並びにまた他のモノマーのモル量も容易にかつ再
生可能に制御することができる。一層法では第３ブトキ
シカルボニル−又は第３ブチル−マレインイミド１０〜
５５モル％、無水マレイン酸１０〜５５モル％及びスチ
ロール１０〜５５モル％からなるターポリマーを使用す
るのが有利である。その際個々の成分の量は合計して１
００％になる量である。
【００２８】二層法では有利には、第３ブトキシカルボ
ニル基又は第３ブチル基及び無水カルボン酸基の他に付
加的に更に珪素含有基を有するポリマーを使用する。こ
の種のポリマーは簡単な方法で、例えば無水マレイン酸
及びＮ−第３ブトキシカルボニル又はＮ−第３ブチル−
マレインイミドをアリルトリメチルシランのような珪素
含有モノマーとまた場合によっては１個又は数個の他の
モノマー、例えばスチロールとラジカル重合させること
によって得ることができる。しかしまた例えば欧州特許
出願公開第０３８８４８４号明細書から公知であるよう
な他の珪素含有モノマーも使用することができる。この
場合各モノマーの混合比によって、ポリマー中における
第３ブトキシカルボニル−又は第３ブチル−マレインイ
ミドのモル量並びにまた他のモノマーのモル量も容易に
かつ再生可能に制御することができる。二層法では第３
ブトキシカルボニル−又は第３ブチル−マレインイミド
１０〜５５モル％、無水マレイン酸１０〜５５モル％及
びアリルトリメチルシラン１０〜５５モル％からなるタ
ーポリマーを使用するのが有利である。その際個々の成
分の量は合計して１００％になる量である。
ニル基又は第３ブチル基及び無水カルボン酸基の他に付
加的に更に珪素含有基を有するポリマーを使用する。こ
の種のポリマーは簡単な方法で、例えば無水マレイン酸
及びＮ−第３ブトキシカルボニル又はＮ−第３ブチル−
マレインイミドをアリルトリメチルシランのような珪素
含有モノマーとまた場合によっては１個又は数個の他の
モノマー、例えばスチロールとラジカル重合させること
によって得ることができる。しかしまた例えば欧州特許
出願公開第０３８８４８４号明細書から公知であるよう
な他の珪素含有モノマーも使用することができる。この
場合各モノマーの混合比によって、ポリマー中における
第３ブトキシカルボニル−又は第３ブチル−マレインイ
ミドのモル量並びにまた他のモノマーのモル量も容易に
かつ再生可能に制御することができる。二層法では第３
ブトキシカルボニル−又は第３ブチル−マレインイミド
１０〜５５モル％、無水マレイン酸１０〜５５モル％及
びアリルトリメチルシラン１０〜５５モル％からなるタ
ーポリマーを使用するのが有利である。その際個々の成
分の量は合計して１００％になる量である。
【００２９】本発明方法は特に、欧州特許出願公開第０
３９５９１７号明細書から公知であるような方法に有利
に使用することができる。すなわちフォトレジスト構造
物の幅を変えるのに使用することができる。これは二層
法での寸法通りの構造物転移の際にまた溶解限度を越え
る構造物の製造時に行う。両方法の場合レジストポリマ
ーを選択するに当たって重要なことは、ポリマーが無水
物含有基又は第１又は第２アミンと自発的に反応する他
の基（特にアミノシロキサンの形の）を有していること
である。
３９５９１７号明細書から公知であるような方法に有利
に使用することができる。すなわちフォトレジスト構造
物の幅を変えるのに使用することができる。これは二層
法での寸法通りの構造物転移の際にまた溶解限度を越え
る構造物の製造時に行う。両方法の場合レジストポリマ
ーを選択するに当たって重要なことは、ポリマーが無水
物含有基又は第１又は第２アミンと自発的に反応する他
の基（特にアミノシロキサンの形の）を有していること
である。
【００３０】
【実施例】本発明を以下に実施例に基づき更に詳述す
る。
る。
【００３１】例 １
ターポリマー（Ｎ−第３ブトキシカルボニル−マレイン
イミド／無水マレイン酸／スチロール）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中に溶かしたＮ−第３ブトキシ
カルボニル−マレインイミド５．４２ｇ（２７．５ｍモ
ル）、無水マレイン酸２．７ｇ（２７．５ｍモル）、ス
チロール５．２ｇ（５０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニト
リル０．１７ｇ（１．０４ｍモル）の溶液を、保護ガス
雰囲気下に１時間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、
反応混合物を石油ベンジン３５０ｍｌに滴下することに
より、その際生じたターポリマーを沈澱させた。濾過
し、真空中で乾燥した後、無色の芳香族ポリマー１１．
８ｇが得られた。 1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりターポリ
マー中のモノマー比は約１：１：２であることが確認さ
れた。
イミド／無水マレイン酸／スチロール）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中に溶かしたＮ−第３ブトキシ
カルボニル−マレインイミド５．４２ｇ（２７．５ｍモ
ル）、無水マレイン酸２．７ｇ（２７．５ｍモル）、ス
チロール５．２ｇ（５０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニト
リル０．１７ｇ（１．０４ｍモル）の溶液を、保護ガス
雰囲気下に１時間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、
反応混合物を石油ベンジン３５０ｍｌに滴下することに
より、その際生じたターポリマーを沈澱させた。濾過
し、真空中で乾燥した後、無色の芳香族ポリマー１１．
８ｇが得られた。 1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりターポリ
マー中のモノマー比は約１：１：２であることが確認さ
れた。
【００３２】例 ２
ターポリマー（Ｎ−第３ブチル−マレインイミド／無水
マレイン酸／スチロール）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブチル−マレイン
イミド４．２１ｇ（２７．５ｍモル）、無水マレイン酸
２．７ｇ（２７．５ｍモル）、スチロール５．２ｇ（５
０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニトリル０．１７ｇ（１．
０４ｍモル）の溶液を、保護ガス雰囲気下に１時間加熱
沸騰させた。室温に冷却した後、反応混合物を石油ベン
ジン３５０ｍｌに滴下することにより、その際生じたタ
ーポリマーを沈澱させた。濾過し、真空中で乾燥した
後、無色の芳香族ポリマー１１．５ｇが得られた。 1Ｈ
−ＮＭＲ分光分析によりターポリマー中のモノマー比は
約１：１：２であることが確認された。
マレイン酸／スチロール）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブチル−マレイン
イミド４．２１ｇ（２７．５ｍモル）、無水マレイン酸
２．７ｇ（２７．５ｍモル）、スチロール５．２ｇ（５
０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニトリル０．１７ｇ（１．
０４ｍモル）の溶液を、保護ガス雰囲気下に１時間加熱
沸騰させた。室温に冷却した後、反応混合物を石油ベン
ジン３５０ｍｌに滴下することにより、その際生じたタ
ーポリマーを沈澱させた。濾過し、真空中で乾燥した
後、無色の芳香族ポリマー１１．５ｇが得られた。 1Ｈ
−ＮＭＲ分光分析によりターポリマー中のモノマー比は
約１：１：２であることが確認された。
【００３３】例 ３
ターポリマー（Ｎ−第３ブトキシカルボニル−マレイン
イミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラン）の
製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブトキシカルボニ
ル−マレインイミド４．３４ｇ（２２ｍモル）、無水マ
レイン酸３．２４ｇ（３３ｍモル）、アリルトリメチル
シラン５．７１ｇ（５０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニト
リル０．１７ｇ（１．０４ｍモル）の溶液を保護ガス雰
囲気下に１時間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、反
応混合物を石油ベンジン３５０ｍｌに滴下することによ
り、その際生じたターポリマーを沈澱させた。濾過し、
真空中で乾燥した後無色の珪素含有ポリマー１０．２ｇ
が得られる。 1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりターポリマー
中のモノマー比は約２：３：４．５であることが確認さ
れた。
イミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラン）の
製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブトキシカルボニ
ル−マレインイミド４．３４ｇ（２２ｍモル）、無水マ
レイン酸３．２４ｇ（３３ｍモル）、アリルトリメチル
シラン５．７１ｇ（５０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニト
リル０．１７ｇ（１．０４ｍモル）の溶液を保護ガス雰
囲気下に１時間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、反
応混合物を石油ベンジン３５０ｍｌに滴下することによ
り、その際生じたターポリマーを沈澱させた。濾過し、
真空中で乾燥した後無色の珪素含有ポリマー１０．２ｇ
が得られる。 1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりターポリマー
中のモノマー比は約２：３：４．５であることが確認さ
れた。
【００３４】例 ４
ターポリマー（Ｎ−第３ブチル−マレインイミド／無水
マレイン酸／アリルトリメチルシラン）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブチル−マレイン
イミド３．３７ｇ（２２ｍモル）、無水マレイン酸３．
２４ｇ（３３ｍモル）、アリルトリメチルシラン５．７
１ｇ（５０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニトリル０．１７
ｇ（１．０４ｍモル）の溶液を、保護ガス雰囲気下に１
時間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、反応混合物を
石油ベンジン３５０ｍｌに滴下することにより、その際
生じたターポリマーを沈澱させた。濾過し、真空中で乾
燥した後、無色の珪素含有ポリマー１１．７ｇが得られ
た。1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりターポリマー中のモノ
マー比は約２：３：４．５であることが確認された。
マレイン酸／アリルトリメチルシラン）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブチル−マレイン
イミド３．３７ｇ（２２ｍモル）、無水マレイン酸３．
２４ｇ（３３ｍモル）、アリルトリメチルシラン５．７
１ｇ（５０ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニトリル０．１７
ｇ（１．０４ｍモル）の溶液を、保護ガス雰囲気下に１
時間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、反応混合物を
石油ベンジン３５０ｍｌに滴下することにより、その際
生じたターポリマーを沈澱させた。濾過し、真空中で乾
燥した後、無色の珪素含有ポリマー１１．７ｇが得られ
た。1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりターポリマー中のモノ
マー比は約２：３：４．５であることが確認された。
【００３５】例 ５
クオーターポリマー（Ｎ−第３ブトキシカルボニル−マ
レインイミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラ
ン／スチロール）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブトキシカルボニ
ル−マレインイミド４．３４ｇ（２２ｍモル）、無水マ
レイン酸３．２４ｇ（３３ｍモル）、アリルトリメチル
シラン２．８６ｇ（２５ｍモル）、スチロール２．６１
ｇ（２５ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニトリル０．１７ｇ
（１．０４ｍモル）の溶液を、保護ガス雰囲気下に１時
間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、反応混合物を石
油ベンジン３５０ｍｌに滴下することにより、その際生
じたクオーターポリマーを沈澱させた。濾過し、真空中
で乾燥した後、無色の芳香族珪素含有ポリマー１０．８
ｇが得られた。 1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりクオーター
ポリマー中のモノマー比は約２：３：２：２であること
が確認された。
レインイミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラ
ン／スチロール）の製造 ジエチルケトン５０ｍｌ中のＮ−第３ブトキシカルボニ
ル−マレインイミド４．３４ｇ（２２ｍモル）、無水マ
レイン酸３．２４ｇ（３３ｍモル）、アリルトリメチル
シラン２．８６ｇ（２５ｍモル）、スチロール２．６１
ｇ（２５ｍモル）及びアゾイソ酪酸ニトリル０．１７ｇ
（１．０４ｍモル）の溶液を、保護ガス雰囲気下に１時
間加熱沸騰させた。室温に冷却した後、反応混合物を石
油ベンジン３５０ｍｌに滴下することにより、その際生
じたクオーターポリマーを沈澱させた。濾過し、真空中
で乾燥した後、無色の芳香族珪素含有ポリマー１０．８
ｇが得られた。 1Ｈ−ＮＭＲ分光分析によりクオーター
ポリマー中のモノマー比は約２：３：２：２であること
が確認された。
【００３６】例 ６
ターポリマー（Ｎ−第３ブトキシカルボニル−マレイン
イミド／無水マレイン酸／スチロール）及びジフェニル
ヨードニウム−トリフレートを有するフォトレジスト 例１により製造したターポリマー４．５ｇを室温でジフ
ェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一緒にシ
クロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液を１８
００ｒｐｍで４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８
０℃で１分間ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ
１μｍのレジスト層が得られた。
イミド／無水マレイン酸／スチロール）及びジフェニル
ヨードニウム−トリフレートを有するフォトレジスト 例１により製造したターポリマー４．５ｇを室温でジフ
ェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一緒にシ
クロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液を１８
００ｒｐｍで４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８
０℃で１分間ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ
１μｍのレジスト層が得られた。
【００３７】例 ７
ターポリマー（Ｎ−第３ブチル−マレインイミド／無水
マレイン酸／スチロール）及びジフェニルヨードニウム
−トリフレートを有するフォトレジスト 例２により製造したターポリマー４．５ｇを室温でジフ
ェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一緒にシ
クロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液を２０
００ｒｐｍで４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８
０℃で１分間ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ
１μｍのレジスト層が得られた。
マレイン酸／スチロール）及びジフェニルヨードニウム
−トリフレートを有するフォトレジスト 例２により製造したターポリマー４．５ｇを室温でジフ
ェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一緒にシ
クロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液を２０
００ｒｐｍで４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８
０℃で１分間ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ
１μｍのレジスト層が得られた。
【００３８】例 ８
ターポリマー（Ｎ−第３ブチル−マレインイミド／無水
マレイン酸／アリルトリメチルシラン）及びジフェニル
ヨードニウム−トリフレートを有するフォトレジスト 例４により製造したターポリマー４．５ｇを室温でジフ
ェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一緒にシ
クロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液を３５
００ｒｐｍで、予め厚さ１．３μｍのボトムレジスト層
（２３０℃で加熱したノボラックレジスト）を施された
４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８０℃で１分間
ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ０．３２μｍ
のレジスト層が得られた。
マレイン酸／アリルトリメチルシラン）及びジフェニル
ヨードニウム−トリフレートを有するフォトレジスト 例４により製造したターポリマー４．５ｇを室温でジフ
ェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一緒にシ
クロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液を３５
００ｒｐｍで、予め厚さ１．３μｍのボトムレジスト層
（２３０℃で加熱したノボラックレジスト）を施された
４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８０℃で１分間
ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ０．３２μｍ
のレジスト層が得られた。
【００３９】１４０℃で１分間乾燥することにより、厚
さ０．３μｍのレジスト層が得られた。
さ０．３μｍのレジスト層が得られた。
【００４０】例 ９
クオーターポリマー（Ｎ−第３ブトキシカルボニル−マ
レインイミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラ
ン／スチロール）及びジフェニルヨードニウム−トリフ
レートを有するフォトレジスト 例５により製造したクオーターポリマー４．５ｇを室温
でジフェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一
緒にシクロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液
を４０００ｒｐｍで、予め厚さ１．３μｍのボトムレジ
スト層（２３０℃で加熱したノボラックレジスト）を施
された４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８０℃で
１分間ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ０．３
２μｍのレジスト層が得られた。
レインイミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラ
ン／スチロール）及びジフェニルヨードニウム−トリフ
レートを有するフォトレジスト 例５により製造したクオーターポリマー４．５ｇを室温
でジフェニルヨードニウム−トリフレート０．５ｇと一
緒にシクロヘキサノン４０ｍｌに溶かした。次いで溶液
を４０００ｒｐｍで、予め厚さ１．３μｍのボトムレジ
スト層（２３０℃で加熱したノボラックレジスト）を施
された４″−シリコンウェハ上に遠心塗布し、８０℃で
１分間ホットプレート上で乾燥した。その際厚さ０．３
２μｍのレジスト層が得られた。
【００４１】１４０℃で１分間乾燥することにより、厚
さ０．３μｍのレジスト層が得られた。
さ０．３μｍのレジスト層が得られた。
【００４２】例 １０
ＤＵＶ光感度及びコントラストの測定
例６により製造した一層レジスト層を、２４８ｎｍでグ
レーウエッジマスク（Ｄｉｔｒｉｃ Ｏｐｔｉｃｓ−Ｗ
ｉｌｍ．Ｄｉｖ．社製）により接触露光した。露光後ウ
ェハを１１０℃に加熱したホットプレート上に１分間載
せ、引続き市販の現像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（Ｔｏｋ
ｙｏ Ｏｈｋａ社製）中で１２０秒間現像した。次いで
現像したウェハを流水下に洗浄し、１００℃で１分間ホ
ットプレート上で乾燥した。接触露光したウェハは１．
９ｍＪ／ｃｍ2 の感度及び−γ＞６の極めて高いコント
ラストを示した。マスク上の微細構造物、１μｍ脚部及
び溝が精密に解像された。露光されなかった箇所の層損
傷は認められなかった。
レーウエッジマスク（Ｄｉｔｒｉｃ Ｏｐｔｉｃｓ−Ｗ
ｉｌｍ．Ｄｉｖ．社製）により接触露光した。露光後ウ
ェハを１１０℃に加熱したホットプレート上に１分間載
せ、引続き市販の現像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（Ｔｏｋ
ｙｏ Ｏｈｋａ社製）中で１２０秒間現像した。次いで
現像したウェハを流水下に洗浄し、１００℃で１分間ホ
ットプレート上で乾燥した。接触露光したウェハは１．
９ｍＪ／ｃｍ2 の感度及び−γ＞６の極めて高いコント
ラストを示した。マスク上の微細構造物、１μｍ脚部及
び溝が精密に解像された。露光されなかった箇所の層損
傷は認められなかった。
【００４３】例７により製造した一層レジスト層を有す
る、接触露光しまた１２０℃で熱処理したウェハは１．
３ｍＪ／ｃｍ2の感度及び−γ＞５の極めて高いコント
ラストを示した。マスク上の微細構造物はこの場合にも
精密に解像され、露光されなかった箇所に層損傷は生じ
なかった。
る、接触露光しまた１２０℃で熱処理したウェハは１．
３ｍＪ／ｃｍ2の感度及び−γ＞５の極めて高いコント
ラストを示した。マスク上の微細構造物はこの場合にも
精密に解像され、露光されなかった箇所に層損傷は生じ
なかった。
【００４４】例 １１
ＤＵＶ光構造化
例６により製造した一層レジスト層をＫｒＦエキシマレ
ーザ投影露光装置（露光波長２４８ｎｍ、開口数０．３
７、解像力０．３５μｍ）で１８ｍＪ／ｃｍ2 の線量で
画像に応じて露光した。露光後ウェハを１１０℃に加熱
したホットプレート上に１分間載せ、引続き市販の現像
剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（ ＴｏｋｙｏＯｈｋａ社製）
中で１２０秒間現像した。次いで現像したウェハを流水
下に洗浄し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥
した。急勾配の側面を有する構造物を０．３５μｍまで
良好に解像することができた。
ーザ投影露光装置（露光波長２４８ｎｍ、開口数０．３
７、解像力０．３５μｍ）で１８ｍＪ／ｃｍ2 の線量で
画像に応じて露光した。露光後ウェハを１１０℃に加熱
したホットプレート上に１分間載せ、引続き市販の現像
剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（ ＴｏｋｙｏＯｈｋａ社製）
中で１２０秒間現像した。次いで現像したウェハを流水
下に洗浄し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥
した。急勾配の側面を有する構造物を０．３５μｍまで
良好に解像することができた。
【００４５】例７により製造した一層レジスト層を有す
る、１０ｍＪ／ｃｍ2で画像に応じて露光しまた１２０
℃で熱処理したウェハの場合、同様に急勾配の側面を有
する構造物を０．３５μｍまで良好に解像することがで
きた。
る、１０ｍＪ／ｃｍ2で画像に応じて露光しまた１２０
℃で熱処理したウェハの場合、同様に急勾配の側面を有
する構造物を０．３５μｍまで良好に解像することがで
きた。
【００４６】例 １２
ＤＵＶ光感度及びコントラストの測定
例９により製造した二層レジスト層を、２４８ｎｍでグ
レーウエッジマスク（Ｄｉｔｒｉｃ Ｏｐｔｉｃｓ−Ｗ
ｉｌｍ．Ｄｉｖ．社製）により接触露光した。露光後ウ
ェハを１１０℃に加熱したホットプレート上に１分間載
せ、引続き市販の現像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（Ｔｏｋ
ｙｏ Ｏｈｋａ社製）中で９０秒間現像した。次いで現
像したウェハを流水下に洗浄し、１００℃で１分間ホッ
トプレート上で乾燥した。接触露光したウェハは１．７
ｍＪ／ｃｍ2の感度及び−γ＞７の極めて高いコントラ
ストを示した。マスク上の微細構造物、１μｍ脚部及び
溝が精密に解像された。レジスト層（例９参照）を８０
℃で前記のように乾燥した場合、露光されなかった箇所
の層損傷は認められなかった。１４０℃で乾燥した場合
露光されなかった箇所の層損傷は４０ｎｍであった。
レーウエッジマスク（Ｄｉｔｒｉｃ Ｏｐｔｉｃｓ−Ｗ
ｉｌｍ．Ｄｉｖ．社製）により接触露光した。露光後ウ
ェハを１１０℃に加熱したホットプレート上に１分間載
せ、引続き市販の現像剤ＮＭＤ−Ｗ２．３８％（Ｔｏｋ
ｙｏ Ｏｈｋａ社製）中で９０秒間現像した。次いで現
像したウェハを流水下に洗浄し、１００℃で１分間ホッ
トプレート上で乾燥した。接触露光したウェハは１．７
ｍＪ／ｃｍ2の感度及び−γ＞７の極めて高いコントラ
ストを示した。マスク上の微細構造物、１μｍ脚部及び
溝が精密に解像された。レジスト層（例９参照）を８０
℃で前記のように乾燥した場合、露光されなかった箇所
の層損傷は認められなかった。１４０℃で乾燥した場合
露光されなかった箇所の層損傷は４０ｎｍであった。
【００４７】例８により製造した二層レジスト層を有す
る、接触露光しまた１２０℃で熱処理したウェハは１．
１ｍＪ／ｃｍ2の感度及び−γ＞６の極めて高いコント
ラストを示した。マスク上の微細構造物はこの場合にも
精密に解像された。レジスト層（例８参照）を８０℃で
前記のように乾燥した場合、露光されなかった箇所に層
損傷は認められなかった。１４０℃で乾燥した場合露光
されなかった箇所の層損傷は３５ｎｍであった。
る、接触露光しまた１２０℃で熱処理したウェハは１．
１ｍＪ／ｃｍ2の感度及び−γ＞６の極めて高いコント
ラストを示した。マスク上の微細構造物はこの場合にも
精密に解像された。レジスト層（例８参照）を８０℃で
前記のように乾燥した場合、露光されなかった箇所に層
損傷は認められなかった。１４０℃で乾燥した場合露光
されなかった箇所の層損傷は３５ｎｍであった。
【００４８】例 １３
ＤＵＶ光構造化
例９により製造した二層レジスト層（８０℃で乾燥）を
ＫｒＦエキシマレーザ投影露光装置（露光波長２４８ｎ
ｍ、開口数０．７３、解像力０．３５μｍ）で１２ｍＪ
／ｃｍ2 の線量で画像に応じて露光した。露光後ウェハ
を１１０℃に加熱したホットプレート上に１分間載せ、
引続き市販の現像剤ＮＭＲ−Ｗ２．３８％（Ｔｏｋｙｏ
Ｏｈｋａ社製）中で９０秒間現像した。次いで現像し
たウェハを流水下に洗浄し、１００℃で１分間ホットプ
レート上で乾燥した。急勾配の側面を有する構造物を
０．２５μｍまで良好に解像することができた。
ＫｒＦエキシマレーザ投影露光装置（露光波長２４８ｎ
ｍ、開口数０．７３、解像力０．３５μｍ）で１２ｍＪ
／ｃｍ2 の線量で画像に応じて露光した。露光後ウェハ
を１１０℃に加熱したホットプレート上に１分間載せ、
引続き市販の現像剤ＮＭＲ−Ｗ２．３８％（Ｔｏｋｙｏ
Ｏｈｋａ社製）中で９０秒間現像した。次いで現像し
たウェハを流水下に洗浄し、１００℃で１分間ホットプ
レート上で乾燥した。急勾配の側面を有する構造物を
０．２５μｍまで良好に解像することができた。
【００４９】例８により製造した二層レジスト層（８０
℃で乾燥）を有する、８ｍＪ／ｃｍ2 で画像に応じて露
光しまた１２０℃で熱処理したウェハの場合、同様に急
勾配の側面を有する構造物を０．２５μｍまで良好に解
像することができた。
℃で乾燥）を有する、８ｍＪ／ｃｍ2 で画像に応じて露
光しまた１２０℃で熱処理したウェハの場合、同様に急
勾配の側面を有する構造物を０．２５μｍまで良好に解
像することができた。
【００５０】例 １４
ボトムレジスト中のマスク構造物の寸法通りの結像
例９により製造した二層レジスト層を例１３に相応して
１８ｍＪ／ｃｍ2の線量で画像に応じて露光し、熱処理
し（１１０℃）、現像し、乾燥した。その際相応するマ
スク寸法よりも０．１μｍ狭いレジスト構造物（脚部）
が得られた。この構造物を、最良には末端位にアミノプ
ロピル基を有するオリゴマー線状ジメチルシロキサン８
重量部、１−メトキシ−２−プロパノール８６重量部及
び水６重量部からなる珪素含有試薬で６０秒間処理し、
次いでイソプロパノールで洗浄し、乾燥した。その際相
応するマスク寸法よりも０．０３μｍ幅広のレジスト構
造物が得られた。引続きウェハをプラズマ反応器内で酸
素プラズマを用いてエッチング（ガス圧６ｍトル、バイ
アス電圧４１０Ｖ）すると、精密なマスク寸法及び直角
側面を有するボトムレジスト構造物が得られた。レジス
ト層（例９参照）を８０℃で乾燥した場合、構造物は
０．４５μｍまで、また１４０℃で乾燥した場合、構造
物は０．２５μｍまで寸法通り解像することができた。
１８ｍＪ／ｃｍ2の線量で画像に応じて露光し、熱処理
し（１１０℃）、現像し、乾燥した。その際相応するマ
スク寸法よりも０．１μｍ狭いレジスト構造物（脚部）
が得られた。この構造物を、最良には末端位にアミノプ
ロピル基を有するオリゴマー線状ジメチルシロキサン８
重量部、１−メトキシ−２−プロパノール８６重量部及
び水６重量部からなる珪素含有試薬で６０秒間処理し、
次いでイソプロパノールで洗浄し、乾燥した。その際相
応するマスク寸法よりも０．０３μｍ幅広のレジスト構
造物が得られた。引続きウェハをプラズマ反応器内で酸
素プラズマを用いてエッチング（ガス圧６ｍトル、バイ
アス電圧４１０Ｖ）すると、精密なマスク寸法及び直角
側面を有するボトムレジスト構造物が得られた。レジス
ト層（例９参照）を８０℃で乾燥した場合、構造物は
０．４５μｍまで、また１４０℃で乾燥した場合、構造
物は０．２５μｍまで寸法通り解像することができた。
【００５１】例８により製造した二層レジスト層を有す
る、１１ｍＪ／ｃｍ2で画像に応じて露光しまた１２０
℃で熱処理したウェハの場合、珪素含有試薬で４０秒間
処理した後同様に構造物を０．４５μｍ又は０．２５μ
ｍまで寸法通りに解像することができた。
る、１１ｍＪ／ｃｍ2で画像に応じて露光しまた１２０
℃で熱処理したウェハの場合、珪素含有試薬で４０秒間
処理した後同様に構造物を０．４５μｍ又は０．２５μ
ｍまで寸法通りに解像することができた。
【００５２】例 １５
狭いレジスト溝の製造
例９により製造した二層レジスト層（１４０℃で乾燥）
を例１３に相応して画像に応じて露光（線量１２ｍＪ／
ｃｍ2 ）し、熱処理（１１０℃）し、現像し、乾燥し
た。その際得られたレジスト構造物は精密な相応するマ
スク寸法を示した。この構造物を例１４に相応する珪素
含有試薬で１２０秒間処理し、次いでイソプロパノール
で洗浄し、乾燥した。その際相応するマスク寸法よりも
０．２８μｍ狭いレジスト溝が得られた。引続きウェハ
をプラズマ反応器内で酸素プラズマを用いてエッチング
（ガス圧６ｍトル、バイアス電圧４１０Ｖ）すると、相
応するマスク寸法よりも０．２５μｍ狭い直角側面を有
するボトムレジスト溝が得られた。こうして例えば０．
３５μｍのマスク寸法を有する溝から、０．１μｍの幅
を有するボトムレジスト溝が得られた。すなわち使用し
た露光技術の解像限度をはるかに下回る構造物が得られ
た。
を例１３に相応して画像に応じて露光（線量１２ｍＪ／
ｃｍ2 ）し、熱処理（１１０℃）し、現像し、乾燥し
た。その際得られたレジスト構造物は精密な相応するマ
スク寸法を示した。この構造物を例１４に相応する珪素
含有試薬で１２０秒間処理し、次いでイソプロパノール
で洗浄し、乾燥した。その際相応するマスク寸法よりも
０．２８μｍ狭いレジスト溝が得られた。引続きウェハ
をプラズマ反応器内で酸素プラズマを用いてエッチング
（ガス圧６ｍトル、バイアス電圧４１０Ｖ）すると、相
応するマスク寸法よりも０．２５μｍ狭い直角側面を有
するボトムレジスト溝が得られた。こうして例えば０．
３５μｍのマスク寸法を有する溝から、０．１μｍの幅
を有するボトムレジスト溝が得られた。すなわち使用し
た露光技術の解像限度をはるかに下回る構造物が得られ
た。
【００５３】例８により製造した二層レジスト層（１４
０℃で乾燥）を有する、８ｍＪ／ｃｍ2 で画像に応じて
露光しまた１２０℃で熱処理したウェハの場合、珪素含
有試薬で１００秒間処理した後相応する構造物が得られ
た。
０℃で乾燥）を有する、８ｍＪ／ｃｍ2 で画像に応じて
露光しまた１２０℃で熱処理したウェハの場合、珪素含
有試薬で１００秒間処理した後相応する構造物が得られ
た。
【００５４】例 １６
二層レジスト層に関する例１４及び１５に記載したと類
似する方法で、芳香化合物含有試薬、すなわち珪素不含
の試薬を使用して、一層レジスト層で処理することがで
きた。このため例１１に相応して実施した。珪素含有試
薬と同様アミノ基を有する適当な芳香化合物含有試薬は
例えば１，３−ジアミノメチルベンゾール１０重量部、
１−メトキシ−２−プロパノール８６重量部及び水６重
量部からなる。一層レジスト層の製造は例えば例８に相
応して、すなわちターポリマー（Ｎ−第３ブチル−マレ
インイミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラ
ン）を使用して行った。しかし相応する方法でターポリ
マー（Ｎ−第３ブトキシカルボニルーマレインイミド／
無水マレイン酸／アリルトリメチルシラン）を使用する
こともできる（例３参照）。
似する方法で、芳香化合物含有試薬、すなわち珪素不含
の試薬を使用して、一層レジスト層で処理することがで
きた。このため例１１に相応して実施した。珪素含有試
薬と同様アミノ基を有する適当な芳香化合物含有試薬は
例えば１，３−ジアミノメチルベンゾール１０重量部、
１−メトキシ−２−プロパノール８６重量部及び水６重
量部からなる。一層レジスト層の製造は例えば例８に相
応して、すなわちターポリマー（Ｎ−第３ブチル−マレ
インイミド／無水マレイン酸／アリルトリメチルシラ
ン）を使用して行った。しかし相応する方法でターポリ
マー（Ｎ−第３ブトキシカルボニルーマレインイミド／
無水マレイン酸／アリルトリメチルシラン）を使用する
こともできる（例３参照）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ライナー ロイシユナー
ドイツ連邦共和国 8520 エルランゲン
ドムプフアツフシユトラーセ 144
(72)発明者 レカイ ゼチ
ドイツ連邦共和国 8551 レツテンバツハ
ワイエルシユトラーセ 14
(72)発明者 ジークフリート ビルクレ
ドイツ連邦共和国 8552 ヘヒシユタツト
フアイト‐シユトツス‐シユトラーセ
46
(72)発明者 ヘルムート アーネ
ドイツ連邦共和国 8551 レツテンバツハ
ハイデシユトラーセ ６
(72)発明者 エバーハルト キユーン
ドイツ連邦共和国 8551 ヘムホーフエン
ベルクシユトラーセ 32
Claims (10)
- 【請求項１】 サブミクロン範囲の構造物を製造するに
当たり、 ａ）基板上に、第１又は第２アミンと反応することので
きる官能基及びＮブロックされたイミド基を有するポリ
マー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な
溶剤とからなるフォトレジスト層を施し、 ｂ）フォトレジスト層を乾燥し、 ｃ）フォトレジスト層を画像に応じて露光し、 ｄ）露光したフォトレジスト層を熱処理し、 ｅ）こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ
又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、 ｆ）レジスト線を拡大しかつ耐食性を得るためにフォト
レジスト構造物を、第１又は第２アミンを含む化学試薬
で処理し、 現像時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの範囲で起こ
させることを特徴とするサブミクロン範囲の構造物の光
構造化方法。 - 【請求項２】 基板上にまず基板エッチング処理に対し
て耐性のレジスト層を施しかつ加熱し、フォトレジスト
構造物を化学試薬で処理した後（工程ｆ）、異方性の酸
素含有プラズマ中でエッチングすることを特徴とする請
求項１記載の方法。 - 【請求項３】 一定の暗損傷を、乾燥時（工程ｂ）及び
熱処理時（工程ｄ）の温度／時間−組合わせによって及
び／又は現像の温度及び期間並びに現像剤の種類及び場
合によっては濃度（工程ｅ）によって起こさせることを
特徴とする請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 官能性基として無水カルボン酸基を有す
るポリマー成分を使用することを特徴とする請求項１な
いし３の１つに記載の方法。 - 【請求項５】 無水カルボン酸基を含むものが無水マレ
イン酸であることを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 第３ブトキシカルボニル基によってブロ
ックされたイミド基を有するポリマー成分を使用するこ
とを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の方法。 - 【請求項７】 第３ブチル基によってブロックされたイ
ミド基を有するポリマー成分を使用することを特徴とす
る請求項１ないし５の１つに記載の方法。 - 【請求項８】 イミド基を有するものがマレインイミド
であることを特徴とする請求項６又は７記載の方法。 - 【請求項９】 Ｎ−第３ブトキシカルボニル−又はＮ−
第３ブチル−マレインイミド／無水マレイン酸−コポリ
マーを使用することを特徴とする請求項４ないし８の１
つに記載の方法。 - 【請求項１０】 Ｎ−第３ブトキシカルボニル−又はＮ
−第３ブチル−マレインイミド、無水マレイン酸及びス
チロール及び／又はアリルトリメチルシランを含むコポ
リマーを使用することを特徴とする請求項４ないし８の
１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4040998.8 | 1990-12-20 | ||
| DE4040998 | 1990-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511456A true JPH0511456A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3067871B2 JP3067871B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=6420918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353044A Expired - Lifetime JP3067871B2 (ja) | 1990-12-20 | 1991-12-18 | 光構造化方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5250375A (ja) |
| EP (1) | EP0492253B1 (ja) |
| JP (1) | JP3067871B2 (ja) |
| DE (1) | DE59108680D1 (ja) |
| ES (1) | ES2101710T3 (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5366852A (en) * | 1992-09-21 | 1994-11-22 | Shipley Company, Inc. | Methods for treating photoresists |
| FR2716547A1 (fr) * | 1994-02-24 | 1995-08-25 | Fujitsu Ltd | Procédé pour former un motif de résist et pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur. |
| DE19504434C1 (de) * | 1995-02-10 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Masken |
| US6057084A (en) * | 1997-10-03 | 2000-05-02 | Fusion Systems Corporation | Controlled amine poisoning for reduced shrinkage of features formed in photoresist |
| TW449799B (en) * | 1998-03-09 | 2001-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing a semiconductor device having a fine pattern, and semiconductor device manufactured thereby |
| DE59908549D1 (de) * | 1998-04-24 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch und dessen Verwendung |
| EP1045291A3 (en) * | 1999-02-17 | 2001-01-10 | Infineon Technologies North America Corp. | Method of improving the etch resistance of photoresists |
| TW439119B (en) * | 2000-03-04 | 2001-06-07 | United Microelectronics Corp | Method for forming photoresist pattern |
| JP2002030118A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法 |
| JP2002030116A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法 |
| US6605519B2 (en) * | 2001-05-02 | 2003-08-12 | Unaxis Usa, Inc. | Method for thin film lift-off processes using lateral extended etching masks and device |
| DE10131667B4 (de) * | 2001-06-29 | 2007-05-31 | Infineon Technologies Ag | Negativ Resistprozess mit simultaner Entwicklung und Silylierung |
| DE10131670A1 (de) | 2001-06-29 | 2003-01-16 | Infineon Technologies Ag | Fotoresists mit Reaktionsankern für eine chemische Nachverstärkung von Resiststrukturen für Belichtungen bei 157 nm |
| DE10142600B4 (de) | 2001-08-31 | 2007-05-24 | Infineon Technologies Ag | Siliziumhaltiger Resist für die Fotolithografie bei kurzen Belichtungswellenlängen |
| DE10142590A1 (de) | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße |
| DE10147953B4 (de) * | 2001-09-28 | 2007-06-06 | Infineon Technologies Ag | CARL für Bioelektronik: Substratanbindung über isolierende Schicht |
| DE10153497B4 (de) * | 2001-10-31 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Silylierung von Fotoresists im UV-Bereich |
| DE10156865A1 (de) * | 2001-11-20 | 2003-05-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ausbilden einer Struktur in einem Halbleitersubstrat |
| DE10208448A1 (de) | 2002-02-27 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Lithografieverfahren zur Verringerung des lateralen Chromstrukturverlustes bei der Fotomaskenherstellung unter Verwendung chemisch verstärkter Resists |
| DE10208449A1 (de) | 2002-02-27 | 2003-09-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Erhöhung der Ätzresistenz und zur Verkleinerung der Loch- oder Grabenbreite einer Fotoresiststruktur unter Verwendung von Lösungsmittelsystemen geringer Polarität |
| DE102004025202B4 (de) * | 2004-05-22 | 2008-04-10 | Infineon Technologies Ag | Fotolackverarbeitungsverfahren |
| KR100712999B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 중합체, 이를 포함하는 유기 반사 방지막조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성 방법 |
| JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
| US8637229B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
| US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
| US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
| EP1980911A3 (en) * | 2007-04-13 | 2009-06-24 | FUJIFILM Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
| US8034547B2 (en) * | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
| JP4562784B2 (ja) | 2007-04-13 | 2010-10-13 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液 |
| US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
| KR100989567B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법 |
| US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
| US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
| JP4617337B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| WO2008153110A1 (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Fujifilm Corporation | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
| US8703401B2 (en) * | 2011-06-01 | 2014-04-22 | Jsr Corporation | Method for forming pattern and developer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4837124A (en) * | 1986-02-24 | 1989-06-06 | Hoechst Celanese Corporation | High resolution photoresist of imide containing polymers |
| US4912018A (en) * | 1986-02-24 | 1990-03-27 | Hoechst Celanese Corporation | High resolution photoresist based on imide containing polymers |
| DE58908411D1 (de) * | 1989-03-20 | 1994-10-27 | Siemens Ag | Hochauflösender Photoresist. |
| ES2103262T3 (es) * | 1989-04-24 | 1997-09-16 | Siemens Ag | Procedimiento de fotoestructuracion. |
| DE3913434A1 (de) * | 1989-04-24 | 1990-10-25 | Siemens Ag | Trockenwickelbares resistsystem |
-
1991
- 1991-12-09 DE DE59108680T patent/DE59108680D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-09 ES ES91121084T patent/ES2101710T3/es not_active Expired - Lifetime
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