JPH05105523A - 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 - Google Patents
熱分解窒化ほう素成形体の製造方法Info
- Publication number
- JPH05105523A JPH05105523A JP3298524A JP29852491A JPH05105523A JP H05105523 A JPH05105523 A JP H05105523A JP 3298524 A JP3298524 A JP 3298524A JP 29852491 A JP29852491 A JP 29852491A JP H05105523 A JPH05105523 A JP H05105523A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- graphite
- pbn
- pyrolytic
- boron nitride
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は基材からの不純物の混入がなく、
高い寸法精度をもつ熱分解窒化ほう素成形体の製造方法
の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による熱分解窒化ほう素成形体の製
造方法は、アンモニアとハロゲン化ほう素とを熱分解反
応させて基体上に生成物を析出させる熱分解窒化ほう素
成形体の製造方法において、熱分解窒化ほう素を析出さ
せる基体として熱分解グラファイトまたは熱分解グラフ
ァイトをコートしたグラファイト基体を使用することを
特徴とするものである。
高い寸法精度をもつ熱分解窒化ほう素成形体の製造方法
の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による熱分解窒化ほう素成形体の製
造方法は、アンモニアとハロゲン化ほう素とを熱分解反
応させて基体上に生成物を析出させる熱分解窒化ほう素
成形体の製造方法において、熱分解窒化ほう素を析出さ
せる基体として熱分解グラファイトまたは熱分解グラフ
ァイトをコートしたグラファイト基体を使用することを
特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱分解窒化ほう素成形体
の製造方法、特には基材からの不純物の混入がなく、高
い寸法精度で熱分解窒化ほう素成形体を製造する方法に
関するものである。
の製造方法、特には基材からの不純物の混入がなく、高
い寸法精度で熱分解窒化ほう素成形体を製造する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱分解窒化ほう素（以下ＰＢＮと略記す
る）の成形体がアンモニアとハロゲン化ほう素とを熱分
解反応させ、この生成物を基体上に析出させた後、基材
から剥離するという方法で作られることはよく知られて
いるところであるが、この熱分解反応は通常1,600 〜2,
000 ℃という高温下、10トール以下という減圧下で行な
われている。
る）の成形体がアンモニアとハロゲン化ほう素とを熱分
解反応させ、この生成物を基体上に析出させた後、基材
から剥離するという方法で作られることはよく知られて
いるところであるが、この熱分解反応は通常1,600 〜2,
000 ℃という高温下、10トール以下という減圧下で行な
われている。
【０００３】ここに使用される基体は通常グラファイト
製のものとされ、このものはこの上に生成されるＰＢＮ
との分離を良好とするために鏡面仕上げしたものとされ
るが、それでもこのグラファイト基体の表面には小さな
凹凸が無数に存在するために、これにＰＢＮが析出され
るとこの境界でＰＢＮとの反応またはアンカー効果など
の相互作用によって基体とＰＢＮとの固着が起り、これ
はゆ着と呼ばれている。
製のものとされ、このものはこの上に生成されるＰＢＮ
との分離を良好とするために鏡面仕上げしたものとされ
るが、それでもこのグラファイト基体の表面には小さな
凹凸が無数に存在するために、これにＰＢＮが析出され
るとこの境界でＰＢＮとの反応またはアンカー効果など
の相互作用によって基体とＰＢＮとの固着が起り、これ
はゆ着と呼ばれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そして、ＰＢＮ成形体
の製造時にこのゆ着が発生すると、ＰＢＮ成形体と基体
との剥離が困難となり、剥離して得られるＰＢＮ成形体
には部分的な変形や寸法に誤差が発生するために使用す
ることができなくなるという不利が生じるし、このゆ着
がひどいときには、ＰＢＮ成形体と基材との分離ができ
なくなるためにグラファイト基材も使い捨てになり、経
済的に不利になるという欠点がある。
の製造時にこのゆ着が発生すると、ＰＢＮ成形体と基体
との剥離が困難となり、剥離して得られるＰＢＮ成形体
には部分的な変形や寸法に誤差が発生するために使用す
ることができなくなるという不利が生じるし、このゆ着
がひどいときには、ＰＢＮ成形体と基材との分離ができ
なくなるためにグラファイト基材も使い捨てになり、経
済的に不利になるという欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決したＰＢＮ成形体の製造方法に関するも
のであり、これはアンモニアとハロゲン化ほう素とを熱
分解反応させて基体上に生成物を析出させるＰＢＮ成形
体の製造方法において、ＰＢＮを析出させる基体として
熱分解グラファイトまたは熱分解グラファイトをコート
したグラファイト基体を使用することを特徴とするもの
である。
利、欠点を解決したＰＢＮ成形体の製造方法に関するも
のであり、これはアンモニアとハロゲン化ほう素とを熱
分解反応させて基体上に生成物を析出させるＰＢＮ成形
体の製造方法において、ＰＢＮを析出させる基体として
熱分解グラファイトまたは熱分解グラファイトをコート
したグラファイト基体を使用することを特徴とするもの
である。
【０００６】すなわち、本発明者らはＰＢＮ成形体の製
造におけるＰＢＮと基体とのゆ着を防止する方法につい
て種々検討した結果、ここに使用する基体を熱分解グラ
ファイト（以下ＰＧと略記する）製のものとするか、あ
るいは従来から使用されているグラファイト基体の表面
をこのＰＧでコートしたものとすると、この基体の表面
が非常に緻密質な鏡面となるためにＰＢＮと基体とがゆ
着せず、ＰＢＮ成形体との分離がスムーズに行なわれる
ようになるということを見出し、このＰＧの成形法など
の研究を進めて本発明を完成させた。以下にこれをさら
に詳述する。
造におけるＰＢＮと基体とのゆ着を防止する方法につい
て種々検討した結果、ここに使用する基体を熱分解グラ
ファイト（以下ＰＧと略記する）製のものとするか、あ
るいは従来から使用されているグラファイト基体の表面
をこのＰＧでコートしたものとすると、この基体の表面
が非常に緻密質な鏡面となるためにＰＢＮと基体とがゆ
着せず、ＰＢＮ成形体との分離がスムーズに行なわれる
ようになるということを見出し、このＰＧの成形法など
の研究を進めて本発明を完成させた。以下にこれをさら
に詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は、ＰＢＮ成形体の製造方法に関するも
のであり、これはＰＢＮ成形体の製造方法においてアン
モニアとハロゲン化ほう素との熱分解反応で生成したＰ
ＢＮを析出させる基体をＰＧまたはＰＧをコートしたグ
ラファイト基体とすることを特徴とするものであり、こ
れによればＰＢＮ成形体と基体とのゆ着を防止すること
ができるので、目的とするＰＢＮ成形体を容易に寸法精
度よく、かつ純度よく得ることができるという有利性が
与えられる。
のであり、これはＰＢＮ成形体の製造方法においてアン
モニアとハロゲン化ほう素との熱分解反応で生成したＰ
ＢＮを析出させる基体をＰＧまたはＰＧをコートしたグ
ラファイト基体とすることを特徴とするものであり、こ
れによればＰＢＮ成形体と基体とのゆ着を防止すること
ができるので、目的とするＰＢＮ成形体を容易に寸法精
度よく、かつ純度よく得ることができるという有利性が
与えられる。
【０００８】本発明によるＰＢＮ成形体の製造方法は前
記したように、アンモニアとハロゲン化ほう素、たとえ
ば三塩化ほう素、三フッ化ほう素とを10トール以下の減
圧化に1,600 〜2,000 ℃に加熱して熱分解反応させて発
生したＰＢＮを析出させるための基体を、ＰＧまたはＰ
Ｇをコートしたグラファイト基体からなるものとするも
のとするものである。
記したように、アンモニアとハロゲン化ほう素、たとえ
ば三塩化ほう素、三フッ化ほう素とを10トール以下の減
圧化に1,600 〜2,000 ℃に加熱して熱分解反応させて発
生したＰＢＮを析出させるための基体を、ＰＧまたはＰ
Ｇをコートしたグラファイト基体からなるものとするも
のとするものである。
【０００９】このＰＧ基体はメタン、プロパン、ベンゼ
ンなどの炭化水素の熱分解反応によって得ることがで
き、この熱分解反応は10トール以下の減圧下に1,200 〜
1,800℃に加熱することが必要とされるが、この熱分解
反応によって成形されたＰＧ基体はその表面が非常に緻
密質な鏡面になり、小さな凹凸もないので、この表面に
ＰＢＮを析出させても、ＰＢＮとこの基体との間にゆ着
が起ることはなく、したがってこの表面に成形されたＰ
ＢＮ成形体はこの基体から容易に剥離できるし、このよ
うにして取得されたＰＢＮ成形体は寸法精度が従来法に
くらべて一ケタ向上するし、これはまたグラファイト基
体からの不純物の混入もないので純度の高いものになる
という有利性が与えられる。
ンなどの炭化水素の熱分解反応によって得ることがで
き、この熱分解反応は10トール以下の減圧下に1,200 〜
1,800℃に加熱することが必要とされるが、この熱分解
反応によって成形されたＰＧ基体はその表面が非常に緻
密質な鏡面になり、小さな凹凸もないので、この表面に
ＰＢＮを析出させても、ＰＢＮとこの基体との間にゆ着
が起ることはなく、したがってこの表面に成形されたＰ
ＢＮ成形体はこの基体から容易に剥離できるし、このよ
うにして取得されたＰＢＮ成形体は寸法精度が従来法に
くらべて一ケタ向上するし、これはまたグラファイト基
体からの不純物の混入もないので純度の高いものになる
という有利性が与えられる。
【００１０】しかし、このＰＧ基体はこの全体を上記し
た熱分解反応で形成させることは工業的に可成り困難が
あるので、これは従来からＰＢＮ成形体の製造に使用さ
れているグラファイト基体にＰＧをコートしたものとし
てもよく、これによればグラファイト基体の表面に存在
していた無数の小さな凹凸がなくなるので、この境界に
おけるＰＢＮとの反応、アンカー効果などの相互作用に
よるゆ着がなくなり、ＰＢＮ成形体の離型が容易に行な
われるようになる。
た熱分解反応で形成させることは工業的に可成り困難が
あるので、これは従来からＰＢＮ成形体の製造に使用さ
れているグラファイト基体にＰＧをコートしたものとし
てもよく、これによればグラファイト基体の表面に存在
していた無数の小さな凹凸がなくなるので、この境界に
おけるＰＢＮとの反応、アンカー効果などの相互作用に
よるゆ着がなくなり、ＰＢＮ成形体の離型が容易に行な
われるようになる。
【００１１】このグラファイト基体に対するＰＧコート
は、グラファイト基体をメタン、プロパン、ベンゼンな
どの炭化水素雰囲気とし、これを10トール以下の減圧下
に1,200 〜1,800 ℃に加熱してこの炭化水素をＣＶＤ法
などで熱分解反応させ、ここに生成したＰＧをグラファ
イト基体にコーティングさせればよいが、このＰＧ膜厚
は５μm 未満ではグラファイト表面の凹凸によるアンカ
ー効果を防止することができないので、５μm 以上とす
ることが必要とされるが、これは好ましくは20〜50μm
とすることがよい。
は、グラファイト基体をメタン、プロパン、ベンゼンな
どの炭化水素雰囲気とし、これを10トール以下の減圧下
に1,200 〜1,800 ℃に加熱してこの炭化水素をＣＶＤ法
などで熱分解反応させ、ここに生成したＰＧをグラファ
イト基体にコーティングさせればよいが、このＰＧ膜厚
は５μm 未満ではグラファイト表面の凹凸によるアンカ
ー効果を防止することができないので、５μm 以上とす
ることが必要とされるが、これは好ましくは20〜50μm
とすることがよい。
【００１２】このようにして作られたＰＧをコートした
グラファイト基体は、このＰＧ面が滑らかな膜であり、
非常に緻密質な鏡面であることから、このＰＧ面に析出
されたＰＢＮ成形体は容易にこの基体から剥離できる
し、このものはグラファイト表面から浮き出るグラファ
イト粉末が表面から放出されることもないので、ＰＢＮ
成形体に不純物の混入することもなくなり、寸法精度も
すぐれたものになるし、この基体はくり返し使用するこ
とができるという有利性が与えられる。
グラファイト基体は、このＰＧ面が滑らかな膜であり、
非常に緻密質な鏡面であることから、このＰＧ面に析出
されたＰＢＮ成形体は容易にこの基体から剥離できる
し、このものはグラファイト表面から浮き出るグラファ
イト粉末が表面から放出されることもないので、ＰＢＮ
成形体に不純物の混入することもなくなり、寸法精度も
すぐれたものになるし、この基体はくり返し使用するこ
とができるという有利性が与えられる。
【００１３】なお、本発明によるＰＢＮ成形体の製造に
当っては、グラファイト基体を1,200 〜1,800 ℃に加熱
し、ここにメタン、プロパン、ベンゼンなどの炭化水素
のガスまたは蒸気を供給し、10トール以下の減圧下に熱
分解反応させてグラファイト基体にＰＧをコートしたの
ち、この系にアンモニアとハロゲン化ほう素を供給し、
10トール以下の減圧下に1,600 〜2,000 ℃で熱分解反応
させ、生成したＰＢＮをこの基体上に析出させ、反応終
了後に常温まで冷却してから、ＰＢＮ成形体を分離する
という方法で行なってもよく、これによればグラファイ
ト成形体のＰＧコートとＰＢＮ成形体の製法を連続して
行なうことができる。
当っては、グラファイト基体を1,200 〜1,800 ℃に加熱
し、ここにメタン、プロパン、ベンゼンなどの炭化水素
のガスまたは蒸気を供給し、10トール以下の減圧下に熱
分解反応させてグラファイト基体にＰＧをコートしたの
ち、この系にアンモニアとハロゲン化ほう素を供給し、
10トール以下の減圧下に1,600 〜2,000 ℃で熱分解反応
させ、生成したＰＢＮをこの基体上に析出させ、反応終
了後に常温まで冷却してから、ＰＢＮ成形体を分離する
という方法で行なってもよく、これによればグラファイ
ト成形体のＰＧコートとＰＢＮ成形体の製法を連続して
行なうことができる。
【００１４】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１ 真空炉の中に直径100mm φ、高さ100mm のグラファイト
基体を設置し、炉内を1,600 ℃、１トール以下の減圧と
してここにプロパンガスを供給し、炉内を10トール以下
に保持してプロパンガスを熱分解させ、発生したＰＧを
グラファイト基体にコーティングして、ＰＧが20μm の
厚さにコートされたグラファイト基体を作った。
基体を設置し、炉内を1,600 ℃、１トール以下の減圧と
してここにプロパンガスを供給し、炉内を10トール以下
に保持してプロパンガスを熱分解させ、発生したＰＧを
グラファイト基体にコーティングして、ＰＧが20μm の
厚さにコートされたグラファイト基体を作った。
【００１５】ついで、同じ真空炉中にこのＰＧをコート
したグラファイト基体を設置し、炉内を1,800 ℃、１ト
ール以下の減圧としてここにアンモニアガス３リットル
／分と三塩化ほう素の１リットル／分を供給し、炉内を
10トール以下に保持してアンンモニアと三塩化ほう素の
熱分解反応を10時間行なわせ、生成したＰＢＮをグラフ
ァイト基体上に析出させて、ＰＢＮ成形体を作り、反応
終了後常温まで冷却してからＰＢＮ成形体をグラファイ
ト基体から分離したところ、ＰＢＮ成形体は容易に剥離
することができ、得られたＰＢＮ成形体の分離率、寸法
誤差、外観をしらべたところ、後記する表１に示したと
おりの結果が得られた。
したグラファイト基体を設置し、炉内を1,800 ℃、１ト
ール以下の減圧としてここにアンモニアガス３リットル
／分と三塩化ほう素の１リットル／分を供給し、炉内を
10トール以下に保持してアンンモニアと三塩化ほう素の
熱分解反応を10時間行なわせ、生成したＰＢＮをグラフ
ァイト基体上に析出させて、ＰＢＮ成形体を作り、反応
終了後常温まで冷却してからＰＢＮ成形体をグラファイ
ト基体から分離したところ、ＰＢＮ成形体は容易に剥離
することができ、得られたＰＢＮ成形体の分離率、寸法
誤差、外観をしらべたところ、後記する表１に示したと
おりの結果が得られた。
【００１６】実施例２〜６ 真空炉の中に直径100mm φ、高さ100mm のグラファイト
基体を設置し、炉内を1,600 ℃、１トール以下の減圧と
してここにプロパンガスを供給し、炉内を10トール以下
に保持してプロパンガスを５時間熱分解して発生したＰ
Ｇをグラファイト基体に20μm の厚さでコーティングし
たのち、プロパンガスの供給を停止した。
基体を設置し、炉内を1,600 ℃、１トール以下の減圧と
してここにプロパンガスを供給し、炉内を10トール以下
に保持してプロパンガスを５時間熱分解して発生したＰ
Ｇをグラファイト基体に20μm の厚さでコーティングし
たのち、プロパンガスの供給を停止した。
【００１７】ついで、この炉の温度を 1,800℃まで昇温
させ、ここにアンモニアガス３リットル／分と三塩化ほ
う素１リットル／分を供給し、炉内を10トール以下に保
持してアンモニアと三塩化ほう素との熱分解を10時間行
なわせて生成したＰＢＮをグラファイト基体上に析出さ
せてＰＢＮ成形体を作り、反応終了後常温まで冷却して
からＰＢＮ成形体をグラファイト基体から分離したとこ
ろ、ＰＢＮ成形体は容易に剥離することができ、得られ
たＰＢＮ成形体の分離率、寸法誤差、外観をしらべたと
ころ、後記する表１に示したとおりの結果が得られた。
させ、ここにアンモニアガス３リットル／分と三塩化ほ
う素１リットル／分を供給し、炉内を10トール以下に保
持してアンモニアと三塩化ほう素との熱分解を10時間行
なわせて生成したＰＢＮをグラファイト基体上に析出さ
せてＰＢＮ成形体を作り、反応終了後常温まで冷却して
からＰＢＮ成形体をグラファイト基体から分離したとこ
ろ、ＰＢＮ成形体は容易に剥離することができ、得られ
たＰＢＮ成形体の分離率、寸法誤差、外観をしらべたと
ころ、後記する表１に示したとおりの結果が得られた。
【００１８】また、これについてはプロパンガスの熱分
解時間を調整してグラファイト基体に対するＰＧの厚さ
を５〜50μm にしたもの（実施例３〜５）、またこのグ
ラファイト基体を直径100mm φ、高さ100mm のＰＧ製の
ものとしたもの（実施例６）について実施例２と同じよ
うに処理してＰＢＮ成形体を作り、この成形体の分離
率、寸法誤差、外観をしらべたところ、後記する表１に
示したとおりの結果が得られた。
解時間を調整してグラファイト基体に対するＰＧの厚さ
を５〜50μm にしたもの（実施例３〜５）、またこのグ
ラファイト基体を直径100mm φ、高さ100mm のＰＧ製の
ものとしたもの（実施例６）について実施例２と同じよ
うに処理してＰＢＮ成形体を作り、この成形体の分離
率、寸法誤差、外観をしらべたところ、後記する表１に
示したとおりの結果が得られた。
【００１９】比較例 実施例１におけるＰＧのコーティングしたグラファイト
基体をＰＧコートしていない従来公知のグラファイト基
体とし、この基体を用いて実施例１と同じ方法でＰＢＮ
成形体を作ったところ、このＰＢＮ成形体はグラファイ
ト基体とゆ着したためにこの成形体の剥離が難しく、こ
の分離率、寸法誤差、外観についてはつぎの表１に示し
たとおりの結果が得られた。
基体をＰＧコートしていない従来公知のグラファイト基
体とし、この基体を用いて実施例１と同じ方法でＰＢＮ
成形体を作ったところ、このＰＢＮ成形体はグラファイ
ト基体とゆ着したためにこの成形体の剥離が難しく、こ
の分離率、寸法誤差、外観についてはつぎの表１に示し
たとおりの結果が得られた。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明はＰＢＮ成形体の製造方法に関す
るもので、これは前記したようにアンモニアとハロゲン
化ほう素とを熱分解反応させて基体上に生成物を析出さ
せるＰＢＮ成形体の製造方法において、ＰＢＮを析出さ
せる基体をＰＧまたはＰＧをコートしたグラファイト基
体とすることを特徴とするものであるが、これによれば
ＰＧが滑らかで非常に緻密質な鏡面をもつものである
し、このＰＧでコートしたグラファイト基体はその表面
に存在している小さな凹凸がこのＰＧの被覆でなくなる
ので、これを基体とするとＰＢＮ成形体と基体とがゆ着
しなくなり、したがってＰＢＮ成形体の剥離が容易とな
るのでその分離率、寸法精度が向上され、得られる成形
体も外観のよいものになるし、これはまたグラファイト
基体から分離されるグラファイト粉末のような不純物に
よる汚染もなくなるので純度の高いものになるという有
利性が与えられる。
るもので、これは前記したようにアンモニアとハロゲン
化ほう素とを熱分解反応させて基体上に生成物を析出さ
せるＰＢＮ成形体の製造方法において、ＰＢＮを析出さ
せる基体をＰＧまたはＰＧをコートしたグラファイト基
体とすることを特徴とするものであるが、これによれば
ＰＧが滑らかで非常に緻密質な鏡面をもつものである
し、このＰＧでコートしたグラファイト基体はその表面
に存在している小さな凹凸がこのＰＧの被覆でなくなる
ので、これを基体とするとＰＢＮ成形体と基体とがゆ着
しなくなり、したがってＰＢＮ成形体の剥離が容易とな
るのでその分離率、寸法精度が向上され、得られる成形
体も外観のよいものになるし、これはまたグラファイト
基体から分離されるグラファイト粉末のような不純物に
よる汚染もなくなるので純度の高いものになるという有
利性が与えられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/26 7325−4Ｋ 16/34 7325−4Ｋ (72)発明者 平田 和人 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】アンモニアとハロゲン化ほう素とを熱分解
反応させて基体上に生成物を析出させる熱分解窒化ほう
素成形体の製造方法において、熱分解窒化ほう素を析出
させる基体として熱分解グラファイトまたは熱分解グラ
ファイトをコートしたグラファイト基体を使用すること
を特徴とする熱分解窒化ほう素成形体の製造方法。 - 【請求項２】熱分解グラファイトが化学気相蒸着法によ
り製造されたものである請求項１に記載した熱分解窒化
ほう素成形体の製造方法。 - 【請求項３】アンモニアとハロゲン化ほう素との熱分解
反応がグラファイト基体に熱分解グラファイトをコーテ
ィングする化学気相蒸着反応と連続して行なわれる請求
項１に記載した熱分解窒化ほう素成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298524A JPH05105523A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298524A JPH05105523A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105523A true JPH05105523A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17860845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298524A Pending JPH05105523A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05105523A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1996010100A1 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Advanced Ceramics Corporation | Evaporator having multiple coating |
| WO1996021749A1 (en) * | 1994-09-28 | 1996-07-18 | Advanced Ceramics Corporation | High density flash evaporator |
| JP2013234369A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | グラファイト材に熱分解窒化ほう素をコーティングする方法及びその方法によって得られた被覆物 |
| CN104911877A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 海尔集团公司 | 一种具有框架的热交换器 |
| CN105483642A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-04-13 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种长寿命热解氮化硼坩埚模具的制备方法 |
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-
1991
- 1991-10-17 JP JP3298524A patent/JPH05105523A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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