JPH05102373A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05102373A JPH05102373A JP25789791A JP25789791A JPH05102373A JP H05102373 A JPH05102373 A JP H05102373A JP 25789791 A JP25789791 A JP 25789791A JP 25789791 A JP25789791 A JP 25789791A JP H05102373 A JPH05102373 A JP H05102373A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- gate
- semiconductor device
- inclination
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体チップとリ−ドフレ−ムとを合成樹脂で
一体的に成形してなる樹脂封止型の半導体装置で、パッ
ケ−ジのゲ−ト部分のリ−ドフレ−ムに傾斜をつけた半
導体装置。 【効果】モ−ルド樹脂が上下均等に流れるためタブ浮き
が発生せず、よってエッヂショ−トやクラック、ワイヤ
−のたるみなどの発生を防ぐことが出来る。また、上下
ゲ−トの様に金型の大幅な改造が必要なく、またゲ−ト
ブレイク性についても良好となる。このため、信頼性の
高い半導体装置を得ることが出来る。
一体的に成形してなる樹脂封止型の半導体装置で、パッ
ケ−ジのゲ−ト部分のリ−ドフレ−ムに傾斜をつけた半
導体装置。 【効果】モ−ルド樹脂が上下均等に流れるためタブ浮き
が発生せず、よってエッヂショ−トやクラック、ワイヤ
−のたるみなどの発生を防ぐことが出来る。また、上下
ゲ−トの様に金型の大幅な改造が必要なく、またゲ−ト
ブレイク性についても良好となる。このため、信頼性の
高い半導体装置を得ることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、さら
に詳しくは、半導体チップとリ−ドフレ−ムとを合成樹
脂で一体的に成形してなる樹脂封止型の半導体装置に関
するものである。
に詳しくは、半導体チップとリ−ドフレ−ムとを合成樹
脂で一体的に成形してなる樹脂封止型の半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、周知のように集積回路が
形成された半導体チップの電極と、これに対応したリ−
ドフレ−ムの各インナ−リ−ドとを接続し、ついで各リ
−ドの先端部で形成されたアウタ−リ−ドを残して射出
成形機により合成樹脂で一体的に成形する。そして成形
された樹脂パッケ−ジの外側において各リ−ドを切断
し、必要に応じてリ−ドを適宜折曲げて半導体装置を製
造している。
形成された半導体チップの電極と、これに対応したリ−
ドフレ−ムの各インナ−リ−ドとを接続し、ついで各リ
−ドの先端部で形成されたアウタ−リ−ドを残して射出
成形機により合成樹脂で一体的に成形する。そして成形
された樹脂パッケ−ジの外側において各リ−ドを切断
し、必要に応じてリ−ドを適宜折曲げて半導体装置を製
造している。
【０００３】第４図は例えば特開昭６１−３１００号公
報に記載された従来の半導体装置の一例を示す斜視図で
ある。図において、３はリ−ドフレ−ム２のダイパッ
ド、４はリ−ドフレ−ム２のアウタ−リ−ドで、ダイパ
ッド３の四辺に対向して等間隔に外方に向かって配設さ
れている。５はダイパッド３の中央部に接着された半導
体チップで、その電極とこれに対応するインナ−リ−ド
４ａとは、それぞれワイヤ６により接続されている。
報に記載された従来の半導体装置の一例を示す斜視図で
ある。図において、３はリ−ドフレ−ム２のダイパッ
ド、４はリ−ドフレ−ム２のアウタ−リ−ドで、ダイパ
ッド３の四辺に対向して等間隔に外方に向かって配設さ
れている。５はダイパッド３の中央部に接着された半導
体チップで、その電極とこれに対応するインナ−リ−ド
４ａとは、それぞれワイヤ６により接続されている。
【０００４】上記のようにしてインナ−リ−ド４ａが接
続された半導体チップ５は、アウタ−リ−ド４を残して
リ−ドフレ−ム２と共に、エポキシ樹脂の如き合成樹脂
により一体的にモ−ルディングされて樹脂パッケ−ジ７
により封止され、半導体装置１が構成される。
続された半導体チップ５は、アウタ−リ−ド４を残して
リ−ドフレ−ム２と共に、エポキシ樹脂の如き合成樹脂
により一体的にモ−ルディングされて樹脂パッケ−ジ７
により封止され、半導体装置１が構成される。
【０００５】ところで、上記のような半導体装置１は、
従来は封止樹脂をモ−ルド金型の下型から注入していた
ため図５（ａ）の様に流れ樹脂の粘度のため力２がかか
る。そのため図５（ｂ）の様にダイパッドが浮くタブ浮
きなる不良が発生していた。また、半導体装置は、高集
積化、高機能化等の要請から、半導体チップの配線が微
細化されると共に半導体チップそのものも大型化し、特
に最近では客先の使用に応じて製造する分野が拡大して
おり、高機能化によるＩ／Ｏピンの増大に伴って半導体
装置は益々多ピン化し、大型化する傾向にあるため益々
タブ浮きなる不良が顕著になってきた。
従来は封止樹脂をモ−ルド金型の下型から注入していた
ため図５（ａ）の様に流れ樹脂の粘度のため力２がかか
る。そのため図５（ｂ）の様にダイパッドが浮くタブ浮
きなる不良が発生していた。また、半導体装置は、高集
積化、高機能化等の要請から、半導体チップの配線が微
細化されると共に半導体チップそのものも大型化し、特
に最近では客先の使用に応じて製造する分野が拡大して
おり、高機能化によるＩ／Ｏピンの増大に伴って半導体
装置は益々多ピン化し、大型化する傾向にあるため益々
タブ浮きなる不良が顕著になってきた。
【０００６】この結果、次のような問題が発生する。
【０００７】 ワイヤ−と半導体素子が接触するエッジショ−ト 半導体素子上下の封止樹脂厚が違うため発生するクラ
ックやそれに伴う信頼性の低下 耐湿性の低下 ワイヤ−のたるみ等のダメ−ジ そこで、上記の問題に対処するため、従来はインナ−リ
−ド４ａにポリイミドテ−プを貼ったり，図６の様にタ
ブ浮きを防ぐために上下の金型からモ−ルド樹脂を入れ
ていた。（上下ゲ−ト）
ックやそれに伴う信頼性の低下 耐湿性の低下 ワイヤ−のたるみ等のダメ−ジ そこで、上記の問題に対処するため、従来はインナ−リ
−ド４ａにポリイミドテ−プを貼ったり，図６の様にタ
ブ浮きを防ぐために上下の金型からモ−ルド樹脂を入れ
ていた。（上下ゲ−ト）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来は
タブ浮きを防止するために上下ゲ−トを用いたり、ポリ
イミドテ−プを貼っていたため、ポリイミドテ−プを貼
るためコストがかかったり、上下ゲ−トを用いた場合モ
−ルド金型の大幅な改造や、ゲ−トブレイクが困難であ
るなどの不具合が発生する。
タブ浮きを防止するために上下ゲ−トを用いたり、ポリ
イミドテ−プを貼っていたため、ポリイミドテ−プを貼
るためコストがかかったり、上下ゲ−トを用いた場合モ
−ルド金型の大幅な改造や、ゲ−トブレイクが困難であ
るなどの不具合が発生する。
【０００９】本発明は、上記の課題を解決すべくなされ
たもので、ポリイミドテ−プを用いず、モ−ルド金型の
改造無しで封止樹脂を上下均等に流しタブ浮きの発生を
防ぐことを目的としたものである。
たもので、ポリイミドテ−プを用いず、モ−ルド金型の
改造無しで封止樹脂を上下均等に流しタブ浮きの発生を
防ぐことを目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体装置はパッケ−ジのゲ−ト部分のリ
−ドフレ−ムに傾斜をつけたことを特徴とする。
め、本発明の半導体装置はパッケ−ジのゲ−ト部分のリ
−ドフレ−ムに傾斜をつけたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】パッケ−ジのゲ−ト部分のリ−ドフレ−ムに傾
斜を付けたことにより、モ−ルド樹脂が上下均等に流れ
るためタブ浮きが発生せず、よってエッヂショ−トやク
ラック、ワイヤ−のたるみなどの発生を防ぐことが出来
る。また、上下ゲ−トの様に金型の大幅な改造が必要な
く、またゲ−トブレイク性についても良好である。
斜を付けたことにより、モ−ルド樹脂が上下均等に流れ
るためタブ浮きが発生せず、よってエッヂショ−トやク
ラック、ワイヤ−のたるみなどの発生を防ぐことが出来
る。また、上下ゲ−トの様に金型の大幅な改造が必要な
く、またゲ−トブレイク性についても良好である。
【００１２】
【実施例】本発明は半導体装置のタブ浮きを防止するた
め、パッケ−ジのゲ−ト部分のリードフレームに傾斜を
設ける事により、ポリイミドテ−プを貼ることなくタブ
浮きを防ぎ、金型の改造無しで樹脂が上下均等に流れる
ようにしたものである。
め、パッケ−ジのゲ−ト部分のリードフレームに傾斜を
設ける事により、ポリイミドテ−プを貼ることなくタブ
浮きを防ぎ、金型の改造無しで樹脂が上下均等に流れる
ようにしたものである。
【００１３】図１（ａ）、図１（ｂ）は本発明の一実施
例を示すもので、リードフレーム製作時に半導体装置１
内のダイパッド３のゲ−ト方向のコ−ナ−部にスタンピ
ング等で傾斜８を設け、ゲ−トから流れ込んだ樹脂７が
図１（ａ）のように前記傾斜８に当たることにより強制
的に上方向に流れ、結果として上下均等に樹脂が流れる
ことになる。
例を示すもので、リードフレーム製作時に半導体装置１
内のダイパッド３のゲ−ト方向のコ−ナ−部にスタンピ
ング等で傾斜８を設け、ゲ−トから流れ込んだ樹脂７が
図１（ａ）のように前記傾斜８に当たることにより強制
的に上方向に流れ、結果として上下均等に樹脂が流れる
ことになる。
【００１４】図２（ａ）、図２（ｂ）は本発明の別の実
施例を示すもので、リ−ドフレ−ム製作時に半導体装置
１内のゲ−ト方向のタブ吊りリ−ド９に樹脂受け１０を
設け、更にその樹脂受け１０に傾斜８を付けることによ
り樹脂７が前記樹脂受け１０に当たり傾斜のため強制的
に上方向に流れ、図１と同様に上下均等に流れることに
なる。
施例を示すもので、リ−ドフレ−ム製作時に半導体装置
１内のゲ−ト方向のタブ吊りリ−ド９に樹脂受け１０を
設け、更にその樹脂受け１０に傾斜８を付けることによ
り樹脂７が前記樹脂受け１０に当たり傾斜のため強制的
に上方向に流れ、図１と同様に上下均等に流れることに
なる。
【００１５】更に、図３（ａ）、図３（ｂ）の実施例
は、半導体装置１内のゲ−ト方向のダムバ−１１に樹脂
の通る穴１２を開け、更に前記ダムバ−１１に樹脂受け
１０を設けることにより、樹脂７は前記穴１２を通り、
樹脂受け１０に当たることにより図１，図２と同様に上
下均等に流れる。尚、著者の実験によれば、通常の下ゲ
−トで下に約７０％、上に約３０％の樹脂が流れるが、
図３の例で見ると、下に約５５％、上に約４５％にま
で、改善される。
は、半導体装置１内のゲ−ト方向のダムバ−１１に樹脂
の通る穴１２を開け、更に前記ダムバ−１１に樹脂受け
１０を設けることにより、樹脂７は前記穴１２を通り、
樹脂受け１０に当たることにより図１，図２と同様に上
下均等に流れる。尚、著者の実験によれば、通常の下ゲ
−トで下に約７０％、上に約３０％の樹脂が流れるが、
図３の例で見ると、下に約５５％、上に約４５％にま
で、改善される。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
はリ−ドフレ−ムのゲ−ト部分に傾斜を設けたので樹脂
がその傾斜により上下均等に流れるため、タブ浮き不良
の発生するおそれがなく、したがってエッジショ−ト、
クラック、ワイヤ−のたるみが発生することもない。
はリ−ドフレ−ムのゲ−ト部分に傾斜を設けたので樹脂
がその傾斜により上下均等に流れるため、タブ浮き不良
の発生するおそれがなく、したがってエッジショ−ト、
クラック、ワイヤ−のたるみが発生することもない。
【００１７】個のため、信頼性の高い半導体装置を得る
ことが出来る。
ことが出来る。
【図１】（ａ）と（ｂ）はそれぞれ本発明の実施例を示
す説明図。
す説明図。
【図２】（ａ）は本発明の実施例を示す説明図。（ｂ）
は（ａ）の平面図。
は（ａ）の平面図。
【図３】（ａ）は本発明の実施例を示す説明図。（ｂ）
は（ａ）の平面図。
は（ａ）の平面図。
【図４】一部を断面で示した従来の半導体装置の一例の
斜視図。
斜視図。
【図５】（ａ）と（ｂ）は従来の半導体装置の一例に於
けるタブ浮き不良発生過程を示す説明図。
けるタブ浮き不良発生過程を示す説明図。
１：半導体装置 ２：リードフレーム ３：ダイパッド ４：アウタ−リ−ド ５：半導体チップ ６：ワイヤ− ７：モ−ルド樹脂 ８：傾斜 ９：タブ吊りリ−ド １０：樹脂受け １１：ダムバ− １２：穴
Claims (1)
- 【請求項１】ＩＣチップとリ−ドフレ−ムと金属細線と
を覆うように樹脂モ−ルドをして組み立てる半導体装置
において，ゲ−トの前記リ−ドフレ−ム部分に傾斜を付
けた事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25789791A JPH05102373A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25789791A JPH05102373A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102373A true JPH05102373A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17312712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25789791A Pending JPH05102373A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102373A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144088A (en) * | 1996-07-23 | 2000-11-07 | Infineon Technologies Ag | Leadframe for semiconductor chips and semiconductor module having the lead frame |
| KR20140009799A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 소자의 패키지 및 제조 방법 |
| WO2019216160A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP25789791A patent/JPH05102373A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144088A (en) * | 1996-07-23 | 2000-11-07 | Infineon Technologies Ag | Leadframe for semiconductor chips and semiconductor module having the lead frame |
| KR20140009799A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 소자의 패키지 및 제조 방법 |
| WO2019216160A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
| CN112041984A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-04 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 |
| JPWO2019216160A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2021-03-11 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
| US11217514B2 (en) | 2018-05-09 | 2022-01-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion device |
| CN112041984B (zh) * | 2018-05-09 | 2023-12-22 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法以及电力变换装置 |
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