JPH05101686A - マイクロコンピユータ - Google Patents

マイクロコンピユータ

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JPH05101686A
JPH05101686A JP28709091A JP28709091A JPH05101686A JP H05101686 A JPH05101686 A JP H05101686A JP 28709091 A JP28709091 A JP 28709091A JP 28709091 A JP28709091 A JP 28709091A JP H05101686 A JPH05101686 A JP H05101686A
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voltage
channel transistor
turned
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J9/00Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
    • H02J9/04Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source
    • H02J9/06Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source with automatic change-over, e.g. UPS systems
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 EPROM内蔵コンピュータにおいて、マイ
クロコンピュータ駆動用電圧が供給されるVcc端子よ
り、データの書込み用電圧が供給されるVpp端子に流れ
るリーク電流を阻止する。 【構成】 データの書込み用電圧Vppが供給されるVpp
端子2と信号線Cとの間に接続されるPチャネルトラン
ジスタTr2をカットオフするPチャネルトランジスタ
Tr7を設けることにより、マイクロコンピュータ駆動
用電圧Vccが供給されるVcc端子1から信号線C,トラ
ンジスタTr2を介してVpp端子2側にリーク電流が流
れないようにする。 【効果】 Vcc端子からVpp端子へのリーク電流を阻止
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製品製造時に
発生するトランジスタ特性等に代表されるパラメータの
仕上がりのバラツキにより生ずるリーク電流を阻止でき
るマイクロコンピュータに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のEPROM(erasable programma
ble ROM;以下,EPROMという)を内蔵するマイ
クロコンピュータにおいては、その内蔵されたEPRO
Mにデータを書込むためにEPROMモードと呼ばれる
モードをもっている。このモードにおいては、マイクロ
コンピュータの端子のもつ機能が単体のEPROMと同
等になり、一般のEPROMライタでデータの書込み読
出しが可能となる様に設計されている。このマイクロコ
ンピュータの内部構成を図3に示す。図3は、EPRO
Mモードにおけるマイクロコンピュータの内部構成図で
あり、マイクロコンピュータモードにおけるCPU(中
央処理装置),RAM(読み書き可能メモリ),周辺回
路等については、EPROMモード時にはアドレスバ
ス,データバスより切り離された状態にあるため、省略
している。図3において、1はVcc端子(第1端子)、
2はVpp端子(第2端子)、3は電圧切替え回路、4は
EPROM制御回路、5はEPROMの書込み読出し回
路、6はEPROM、7はアドレスデコーダ回路、8は
アドレスバス、9はデータバス、10はEPROM制御
端子、11はデータ入出力端子、12はアドレス入力端
子である。なお、図中の矢印は信号の流れを示す。
【0003】次に、従来マイクロコンピュータにおける
EPROMモードの動作について説明する。Vpp端子2
に書込み用電圧Vppが印加され、EPROM制御端子1
0に内部EPROMにデータを書込むための条件を設定
することにより、EPROM制御回路4から電圧切替え
回路3および書込み読出し回路5に、EPROM6に書
込み設定を行うための設定信号(以下、PGMという)
が送出される(この信号はLowレベルからHigh レベル
に変化する)。その送出された信号によって、図4に示
す電圧切替え回路3は、共通配線としての信号線Cの電
圧レベルを駆動用電圧Vccから書込み用電圧Vppに切替
え、書込み読出し回路5はEPROM6に対して書込み
動作を行う。
【0004】ここで、電圧切替え回路3の動作を図4に
ついて説明する。最初に、Vpp端子に書込み用電圧Vpp
が印加されている場合について説明する。なお、Pチャ
ネルトランジスタ,Nチャネルトランジスタおよびダイ
オードの閾値をそれぞれVtp,Vtn,Vtdとする。ま
た、Va 〜Vf を各信号線a〜fの電位とする。読出し
時PGMはLowレベルであるので、Nチャネルトランジ
スタTr6はオフ,これによりPチャネルトランジスタ
Tr3はオフになる。また、NチャネルトランジスタT
r5はオン、これによりPチャネルトランジスタTr4
はオンになる。このとき各信号線の電位は、Va =Vpp
−Vtd,Vb =0,Vc =Vcc,Vd =Vpp−Vtd,V
e =Vcc,Vf =PGM=0となる。
【0005】書込み時PGMはHigh レベル(駆動用電
圧Vcc)であるので、NチャネルトランジスタTr6が
オンで、PチャネルトランジスタTr3がオンとなる。
また、NチャネルトランジスタTr5がオフで、Pチャ
ネルトランジスタTr4がオフとなる。このとき各信号
線a〜fの電位は、Va =0,Vb =Vpp−Vtd,Vc
=Vpp,Vd =Vpp−Vtd,Ve =0,Vf =PGM=
ccとなる。以上のように、PGMのLow,High レベ
ルの信号に合わせて、共通配線としての信号線cの電位
c が駆動用電圧Vccと書込み用電圧Vppに切替わるこ
とがわかる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のEPROMを内
蔵するマイクロコンピュータでは、第2端子としてのV
pp端子を、マイクロコンピュータのEPROMモードで
使用する場合にも、マイクロコンピュータにおける何等
かの機能をもつ端子と兼用することになる。したがって
マイクロコンピュータにおいては、単体のEPROMで
は存在しないVpp端子にLowレベルすなわち0〔V〕が
印加される場合がある。ただし、実際上単体のEPRO
Mでは、Vpp端子が専用端子として存在しており、Vpp
のレベルの下限はVccとしている。
【0007】次にマイクロコンピュータモードにおい
て、EPROMモード時にVpp端子となる端子に0
〔V〕を印加した場合の電源切替え回路の動作につい
て、図4を用いて説明する。ここでPGMはVpp端子の
電圧レベルが駆動用電圧Vcc以上にならなければ発生し
ないような回路構成となっているため0〔V〕となる。
これらの条件により各信号線a〜fの電位は、Va =V
cc−Vtd,Vb =0,Vc =Vcc,Vd =Vcc−Vtd
e =Vccとなる。このときPチャネルトランジスタT
r2のVgs(ゲート・ソース間電圧)は−Vtdとなる
が、|Vtd|≧|Vtp|となった場合にPチャネルトラ
ンジスタTr2がオン状態に遷移し、Vcc端子からPチ
ャネルトランジスタTr1を通り信号線Cを経てVpp
子に向かって電流が流れる。このことは、マイクロコン
ピュータにとって電源電流を増加させることになる。特
に、スタンバイ状態(マイクロコンピュータの機能をす
べて停止した状態)における電流(以下、リーク電流と
いう)が多大になり製品にとって致命的な不具合にな
る。
【0008】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、従来のEPROMモードのも
つ機能、特性に何等の影響を与えることなく、Vcc端子
からVpp端子へのリーク電流を無くすことのできる回路
をもつマイクロコンピュータを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この第1の発明に係るマ
イクロコンピュータは、図1で示すように、第1端子
(Vcc端子1)に供給されるマイクロコンピュータ駆動
用の駆動用電圧Vccを共通配線(信号線C)に供給する
第1スイッチング素子(PチャネルトランジスタTr
1)と、第2端子(Vpp端子2)に供給され、かつ上記
駆動用電圧よりも高い書込み用電圧を共通配線に供給す
る第2スイッチング素子(PチャネルトランジスタTr
2)と、上記第1,第2スイッチング素子のいずれかを
選択してオンする選択手段Wとから成る電圧切替え回路
と、上記駆動用電圧により、すでに書込まれたデータが
読出し可能で、上記書込み用電圧により、外部からのデ
ータが書込み可能なEPROMとを少なくとも備えたマ
イクロコンピュータにおいて、上記第1スイッチング素
子がオンで、上記第2スイッチング素子がオフのとき
に、上記共通配線に現われる駆動用電圧にもとづき第2
スイッチング素子を介して第2端子側に電流が流れるの
を阻止するリーク電流阻止手段15を備えた。この第2
の発明に係るマイクロコンピュータは、図2で示すよう
に、上記リーク電流阻止手段は、第1端子と第2スイッ
チング素子の制御入力側との間に接続され、かつ第2端
子の電圧が0のときに導通して第2スイッチング素子を
カットオフするトランジスタ(Pチャネルトランジスタ
Tr7)より成る。この第3の発明に係るマイクロコン
ピュータは、図2で示すように、上記選択手段Wは、上
記第1端子に供給される電圧が、逆流防止用の第1ダイ
オード(ダイオードD1),第3トランジスタ(Pチャ
ネルトランジスタTr3)および第5トランジスタ(N
チャネルトランジスタTr5)を介してアースされる第
1直列回路W1と、上記第2端子に供給される電圧が、
逆流防止用の第2ダイオード(ダイオードD2),第4
トランジスタ(PチャネルトランジスタTr4)および
第6トランジスタ(NチャネルトランジスタTr6)を
介してアースされる第2直列回路W2とを有している。
【0010】
【作用】この第1の発明におけるマイクロコンピュータ
は、第2端子に0〔V〕印加時に、第2スイッチング素
子のゲート電位を駆動用電圧Vccまで引き上げて第2ス
イッチング素子を完全に遮断(カットオフ状態)として
第1端子側から第2端子側に流れるリーク電流をリーク
電流阻止手段で阻止する。この第2の発明におけるマイ
クロコンピュータは、リーク電流阻止手段をトランジス
タで構成し、第2端子が0〔V〕のときはそのトランジ
スタを導通状態にして第2スイッチング素子を完全に遮
断し、第2端子に書込み電圧が加えられた時には、トラ
ンジスタを遮断状態にすることによって、リーク電流を
阻止する。この第3の発明におけるマイクロコンピュー
タは、上記選択手段が第5トランジスタのオンにより第
4トランジスタをオンし、第6トランジスタのオンによ
り第3トランジスタをオンするように接続され、外部か
らのEPROM書込み設定信号により第6トランジスタ
をオンとし、第5トランジスタをインバータを介して制
御することによりオフするように構成され、第5トラン
ジスタのオンにより第1トランジスタをオフ、第6トラ
ンジスタのオンにより第2トランジスタをオフする。こ
のことによりEPROMに対し、駆動用電圧または書込
み用電圧を選択して供給する。
【0011】
【実施例】以下この発明の一実施例を図を参照して説明
する。図1は、この第1の発明の一実施例を示す回路ブ
ロック図である。図1において、1は第1端子としての
cc端子、2は第2端子としてのVpp端子、3は電圧切
替え回路、15はリーク電流阻止手段、Cは共通配線と
しての信号線、Wは選択手段、Tr1,Tr2は第1ス
イッチング素子,第2スイッチング素子としてのPチャ
ネルトランジスタ、INV1はインバータである。この
電圧切替え回路3は、上述した図3の電圧切替え回路に
対応している。なお、1,2,Tr1,Tr2,INV
1については、従来のもの(図4)と同じ機能をもつた
め同符号を付しており、以下の説明については簡単のた
め省略する。
【0012】リーク電流阻止手段15は、Pチャネルト
ランジスタTr1がオンで、PチャネルトランジスタT
r2がオフのときに、信号線Cに現われる駆動用電圧V
ccにもとづき、PチャネルトランジスタTr1からPチ
ャネルトランジスタTr2を介してVpp端子側に電流が
流れるのを阻止する。この第1の発明のマイクロコンピ
ュータによると、Vpp端子2に0〔V〕が印加された時
に、リーク電流阻止手段15によって、Pチャネルトラ
ンジスタTr2のゲート電位を駆動用電圧Vccまで引き
上げ、PチャネルトランジスタTr2の電位を完全に遮
断(カットオフ)状態とし、Vcc端子1側からVpp端子
2側に流れるリーク電流を阻止する。
【0013】図2は、この第2,第3の発明の実施例を
示す回路図である。この第2の発明のマイクロコンピュ
ータでは、リーク電流阻止手段15を1個のトランジス
タで構成した。図2において、Tr7はPチャネルトラ
ンジスタである。PチャネルトランジスタTr7は、ソ
ースが駆動用電圧Vccと接続され、ゲートがVpp端子2
およびPチャネルトランジスタTr1のソースと接続さ
れ、ドレインがPチャネルトランジスタTr1のゲート
と接続されている。
【0014】この第3の発明のマイクロコンピュータで
は、選択手段Wを図2のように構成した。図2におい
て、D1,D2は逆流防止用のダイオード、Tr3,T
r4はPチャネルトランジスタ、Tr5,Tr6はNチ
ャネルトランジスタ、a,b,d,eは信号線であり、
他は図1と同じものである。ダイオードD1は、アノー
ドが駆動用電圧Vccと接続され、カソードがダイオード
D2のカソードおよびPチャネルトランジスタTr3,
Tr4のソースと接続されている。一方、ダイオードD
2はアノードが書込み用電圧Vppと接続されている。P
チャネルトランジスタTr3は、ゲートがPチャネルト
ランジスタTr1のゲートと接続され、ドレインがNチ
ャネルトランジスタTr5のドレインと接続されてい
る。PチャネルトランジスタTr4は、ゲートがPチャ
ネルトランジスタTr2のゲートと接続され、ドレイン
がNチャネルトランジスタTr6のドレインと接続され
ている。NチャネルトランジスタTr5は、ゲートがイ
ンバータINV1の出力と接続され、Nチャネルトラン
ジスタTr6はゲートがインバータINV1の入力およ
びPGMと接続されている。したがって、ダイオードD
1と、PチャネルトランジスタTr3と、Nチャネルト
ランジスタTr5が第1直列回路W1を構成し、ダイオ
ードD2と、PチャネルトランジスタTr4と、Nチャ
ネルトランジスタTr6が第2直列回路W2を構成して
いる。
【0015】次に、この発明の動作について図2を参照
して説明する。図3ですでに説明したように、EPRO
M6に対しては、Vcc端子1からの駆動用電圧Vccまた
はVpp端子2からの書込み用電圧Vppを電圧切替え回路
3で切替えて供給する。Vpp端子2に書込み用電圧Vpp
が印加されている場合は、読出し時PGMがLowレベル
〔0〔V〕〕のため、NチャネルトランジスタTr6は
オフで、PチャネルトランジスタTr3はオフになる。
このとき、NチャネルトランジスタTr5はオンで、P
チャネルトランジスタTr4はオンとなり、Pチャネル
トランジスタTr2がオン、PチャネルトランジスタT
r1がオンとなる。一方、書込みPGMがHigh レベル
のときは、NチャネルトランジスタTr6がオンで、P
チャネルトランジスタTr3がオンとなる。このとき、
NチャネルトランジスタTr5がオフで、Pチャネルト
ランジスタTr4がオフとなり、Pチャネルトランジス
タTr2がオフ、PチャネルトランジスタTr1がオフ
となる。
【0016】Vpp端子2の書込み用電圧Vpp=0
〔V〕、PGM=0〔V〕の時の各点の電位は、Pチャ
ネルトランジスタTr7が導通状態となるので、ダイオ
ードの閾値Vtd,Pチャネルトランジスタの閾値Vtpに
関係なく、Va =Vcc,Vb =0,Vc =Vcc,Vd
cc, Ve =Vcc,Vf =PGM=0となる。したがっ
て、PチャネルトランジスタTr2が遮断状態のとき
に、Vcc端子1からPチャネルトランジスタTr2を通
してVpp端子2に流れるリーク電流はなくなる。また、
pp端子=書込み用電圧Vpp時には、Pチャネルトラン
ジスタTr7は遮断状態となり、Pチャネルトランジス
タTr7のない状態、つまり従来の回路と回路的に同等
になる。
【0017】
【発明の効果】この第1の発明によれば、リーク電流阻
止手段を設けたので、従来の電源切替え回路のもつ機
能、および特性を変更することなく、プロセスパラメー
タのバラツキ(|Vtd|≧|Vtp|)により発生する第
1端子から共通配線を介して第2端子に流れるリーク電
流を阻止できる効果がある。この第2の発明によれば、
リーク電流阻止手段をトランジスタのみで構成したの
で、第1の発明の効果に加えて、簡単な構成で集積回路
化が容易になる効果がある。この第3の発明によれば、
選択手段をダイオードとトランジスタで構成したので、
集積回路化が容易になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この第1の発明の一実施例による電圧切替え回
路の回路ブロック図である。
【図2】この第2,第3の発明の一実施例による電圧切
替え回路の回路図である。
【図3】図1または図2の回路を組込んだマイクロコン
ピュータの構成図である。
【図4】従来の技術の一例を示す電圧切替え回路の回路
図である。
【符号の説明】
1 Vcc端子(第1端子) 2 Vpp端子(第2端子) 3 電圧切替え回路 4 EPROM制御回路 5 書込み読出し回路 6 EPROM 7 アドレスデコーダ回路 8 アドレスバス 9 データバス 10 EPROM制御端子 11 データ入出力端子 12 アドレス入力端子 Tr1〜Tr7 トランジスタ INV1 インバータ D1,D2 ダイオード a〜f 信号線

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1端子に供給されるマイクロコンピュ
    ータ駆動用の駆動用電圧を共通配線に供給する第1スイ
    ッチング素子と、第2端子に供給されかつ上記駆動用電
    圧よりも高い書込み用電圧を共通配線に供給する第2ス
    イッチング素子と、上記第1,第2スイッチング素子の
    いずれかを選択してオンする選択手段とから成る電圧切
    替え回路と、上記駆動用電圧により、すでに書込まれた
    データが読出し可能で、上記書込み用電圧により、外部
    からのデータが書込み可能なEPROMとを少なくとも
    備えたマイクロコンピュータにおいて、上記第1スイッ
    チング素子がオンで、上記第2スイッチング素子がオフ
    のときに、上記共通配線に現われる駆動用電圧にもとづ
    き第2スイッチング素子を介して第2端子側に電流が流
    れるのを阻止するリーク電流阻止手段を備えたことを特
    徴とするマイクロコンピュータ。
  2. 【請求項2】 上記リーク電流阻止手段は、第2端子と
    第2スイッチング素子の制御入力側との間に接続され、
    かつ第2端子の電圧が0のときに導通して第2スイッチ
    ング素子をカットオフするトランジスタより成ることを
    特徴とする請求項第1項記載のマイクロコンピュータ。
  3. 【請求項3】 上記選択手段は、上記第1端子に供給さ
    れる電圧が、逆流防止用の第1ダイオード,第3トラン
    ジスタおよび第5トランジスタを介してアースされる第
    1直列回路と、上記第2端子に供給される電圧が、逆流
    防止用の第2ダイオード,第4トランジスタおよび第6
    トランジスタを介してアースされる第2直列回路とを有
    し、第5トランジスタのオンにより第4トランジスタを
    オンし、第6トランジスタのオンにより第3トランジス
    タをオンするように接続され、外部からのEPROM書
    込み設定信号により上記第6トランジスタをオンとし、
    第5トランジスタをインバータを介して制御することに
    よりオフとするように構成され、第5トランジスタのオ
    ンにより第1トランジスタをオフ、第6トランジスタの
    オンにより第2トランジスタをオフするようにして成る
    ことを特徴とする請求項第1項記載のマイクロコンピュ
    ータ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07244990A (ja) * 1994-02-28 1995-09-19 Nec Corp 半導体記憶装置用電源回路
US5550494A (en) * 1994-01-25 1996-08-27 Nippon Steel Corporation Voltage selecting device for receiving a plurality of inputs and selectively outputting one thereof

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5406140A (en) * 1993-06-07 1995-04-11 National Semiconductor Corporation Voltage translation and overvoltage protection
GB9423051D0 (en) * 1994-11-15 1995-01-04 Sgs Thomson Microelectronics A voltage level converter
US5627487A (en) * 1995-06-28 1997-05-06 Micron Technology, Inc. Charge conserving driver circuit for capacitive loads
US6057718A (en) * 1997-02-26 2000-05-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for a charge conserving driver circuit for capacitive loads
DE19816446B4 (de) * 1998-04-14 2005-11-17 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung
DE10006517A1 (de) * 2000-02-15 2001-08-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur mittels einer Steuereinheit gesteuerten Entladung einer auf eine hohe Spannung aufgeladene Kapazität auf eine niedere Spannung
EP1356590B1 (en) 2001-01-09 2011-03-16 Broadcom Corporation Sub-micron high input voltage tolerant input output (i/o) circuit
US6859074B2 (en) * 2001-01-09 2005-02-22 Broadcom Corporation I/O circuit using low voltage transistors which can tolerate high voltages even when power supplies are powered off
US7138836B2 (en) * 2001-12-03 2006-11-21 Broadcom Corporation Hot carrier injection suppression circuit
US20050127874A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 Myoungho Lim Method and apparatus for multiple battery cell management
US7723957B2 (en) * 2005-11-30 2010-05-25 Lg Chem, Ltd. System, method, and article of manufacture for determining an estimated battery parameter vector
US7782116B2 (en) * 2008-09-05 2010-08-24 Fairchild Semiconductor Corporation Power supply insensitive voltage level translator
CN106027027B (zh) * 2015-03-24 2019-06-04 快捷半导体(苏州)有限公司 低电压开关控制

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62124700A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Mitsubishi Electric Corp 電源切換回路
JPH023193A (ja) * 1987-12-01 1990-01-08 Sgs Thomson Microelettronica Spa 不揮発性メモリー用電圧供給スイッチングデバイス
JPH02187997A (ja) * 1989-01-16 1990-07-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4763028A (en) * 1981-08-21 1988-08-09 Burr-Brown Corporation Circuit and method for semiconductor leakage current compensation
US4694430A (en) * 1985-03-21 1987-09-15 Sprague Electric Company Logic controlled switch to alternate voltage sources
US4689504A (en) * 1985-12-20 1987-08-25 Motorola, Inc. High voltage decoder
FR2607338A1 (fr) * 1986-11-21 1988-05-27 Eurotechnique Sa Circuit de commutation de tension en technologie mos
JPH0632230B2 (ja) * 1987-03-31 1994-04-27 株式会社東芝 半導体不揮発性記憶装置
JPH06103736B2 (ja) * 1987-05-29 1994-12-14 日本電気株式会社 半導体装置
JPH0715799B2 (ja) * 1987-06-30 1995-02-22 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JPH02177100A (ja) * 1988-12-27 1990-07-10 Nec Corp 半導体記憶装置のテスト回路
JPH0654873B2 (ja) * 1989-09-04 1994-07-20 株式会社東芝 プログラマブル型論理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62124700A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Mitsubishi Electric Corp 電源切換回路
JPH023193A (ja) * 1987-12-01 1990-01-08 Sgs Thomson Microelettronica Spa 不揮発性メモリー用電圧供給スイッチングデバイス
JPH02187997A (ja) * 1989-01-16 1990-07-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550494A (en) * 1994-01-25 1996-08-27 Nippon Steel Corporation Voltage selecting device for receiving a plurality of inputs and selectively outputting one thereof
JPH07244990A (ja) * 1994-02-28 1995-09-19 Nec Corp 半導体記憶装置用電源回路

Also Published As

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DE4227462A1 (de) 1993-04-08
US5350951A (en) 1994-09-27
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DE4227462C2 (de) 1997-05-22

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