JPH0499382A - ヘテロバイポーラトランジスタ - Google Patents
ヘテロバイポーラトランジスタInfo
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- JPH0499382A JPH0499382A JP21787290A JP21787290A JPH0499382A JP H0499382 A JPH0499382 A JP H0499382A JP 21787290 A JP21787290 A JP 21787290A JP 21787290 A JP21787290 A JP 21787290A JP H0499382 A JPH0499382 A JP H0499382A
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- Pending
Links
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 title claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、化合物半導体を用いたヘテロバイポーラト
ランジスタ （ＨＢＴ）に係り、特にそのエピタキシャ
ル構造に関するものである。
ランジスタ （ＨＢＴ）に係り、特にそのエピタキシャ
ル構造に関するものである。
第２図は、例えばベース層としてＡｌＧａＡｓ層を用い
た場合のへテロバイポーラ１−ランジス々の典型的なエ
ピタキシャル構造を示す図である。
た場合のへテロバイポーラ１−ランジス々の典型的なエ
ピタキシャル構造を示す図である。
この図において、１は厚さ１０００六でｎ”−Ｉｎ。
Ｇ ａ 、−ｚ Ａ ｓ （ｚ ＝０．５ ）からなる
コンタクト層であり、配線金属とオーミック接続をする
ためのものである。２は厚さ１０００人で・ｎ Ａ
Ｉ Ｘ Ｇ ａｔ−ｘ Ａ ｓ （ｘ＝０．３）から
なるエミッタ層、２ａは前記エミッタ層２とベース層の
ポテンシャル整合を図るためのグレーデッ）・層で、厚
さ１０００＾のｎ−Ａ ／、Ｇ ａ、 ＸＡＳ （Ｘ＝
０．３〜０．１ ）から構成されている。１３は厚さ５
００＾でｐ４ＡＩｗＧａＨ−ｘＡｓ （ｘ＝０．１〜
０）からなるベース層、４は厚さ１ｐｒｎでｎ−−Ｇａ
Ａ、ｓおよびｎ＋ＧａＡｓからなるコレクタ層、５はＧ
ａＡｓがらなろ基板であり、グＬ・−プツト層２ａおよ
びベス層１３内においては、ＡＩの組成比Ｘがエミッタ
側からコＬ・フタ側にかけて減少している。
コンタクト層であり、配線金属とオーミック接続をする
ためのものである。２は厚さ１０００人で・ｎ Ａ
Ｉ Ｘ Ｇ ａｔ−ｘ Ａ ｓ （ｘ＝０．３）から
なるエミッタ層、２ａは前記エミッタ層２とベース層の
ポテンシャル整合を図るためのグレーデッ）・層で、厚
さ１０００＾のｎ−Ａ ／、Ｇ ａ、 ＸＡＳ （Ｘ＝
０．３〜０．１ ）から構成されている。１３は厚さ５
００＾でｐ４ＡＩｗＧａＨ−ｘＡｓ （ｘ＝０．１〜
０）からなるベース層、４は厚さ１ｐｒｎでｎ−−Ｇａ
Ａ、ｓおよびｎ＋ＧａＡｓからなるコレクタ層、５はＧ
ａＡｓがらなろ基板であり、グＬ・−プツト層２ａおよ
びベス層１３内においては、ＡＩの組成比Ｘがエミッタ
側からコＬ・フタ側にかけて減少している。
・＼テロバイポーラトランジスタを製作する場合には、
ベース層１３の表面およびコしクク層４の表面を工・ソ
チングにより面出しして金属接続をする必要がある。し
かし、上記のような従来のエピタキシャル構造を用いる
場合には、エミッタ層２とベース層１３およびグレーデ
ツド層２ａの主構成元素が同一種であるため、ベース面
出しをエツチング速度と時間によってのみ行わなければ
ならず、＄１１１１１が非常に困難であるという問題点
があった。また、素子性能を向上するためにベース層を
１４Ｍ化する必要があるが、従来のエピタキシャル構造
ではベース層１３の面出しが困難になるため、これ以上
の薄膜化が困難であるという問題点があった。さらに、
ベース層１３は、Ｂｅを添加してｐ型化しているが、Ｂ
ｅを添加していくとグレーデツド層２ａおよびコレクタ
層４との格子整合が取れにくくなるため、ｐ型層の高濃
度化に限界があるという問題点もあった。
ベース層１３の表面およびコしクク層４の表面を工・ソ
チングにより面出しして金属接続をする必要がある。し
かし、上記のような従来のエピタキシャル構造を用いる
場合には、エミッタ層２とベース層１３およびグレーデ
ツド層２ａの主構成元素が同一種であるため、ベース面
出しをエツチング速度と時間によってのみ行わなければ
ならず、＄１１１１１が非常に困難であるという問題点
があった。また、素子性能を向上するためにベース層を
１４Ｍ化する必要があるが、従来のエピタキシャル構造
ではベース層１３の面出しが困難になるため、これ以上
の薄膜化が困難であるという問題点があった。さらに、
ベース層１３は、Ｂｅを添加してｐ型化しているが、Ｂ
ｅを添加していくとグレーデツド層２ａおよびコレクタ
層４との格子整合が取れにくくなるため、ｐ型層の高濃
度化に限界があるという問題点もあった。
この発明は、上記のような従来の問題点を解決するため
になされたもので、ベース層の面出しが容易で、かつ薄
膜化、ｐ型層の高濃度化が可能なヘテロバイポーラトラ
ンジスタを得ることを目的とする。
になされたもので、ベース層の面出しが容易で、かつ薄
膜化、ｐ型層の高濃度化が可能なヘテロバイポーラトラ
ンジスタを得ることを目的とする。
この発明に係るヘテロバイポーラトランジスタは、Ｇａ
Ａｓからなる基板と、この基板上に形成されたＧａＡｓ
からなるコレクタ層と、このコし・クク層上に形成され
、ＡＩの組成比がエミッタ側からコレクタ側にかけて減
少する１ｎＡ／ＧａＡｓからなるベース層と、このベー
ス層上に形成されたＡｌＧａＡｓからなるグレーデツト
層と、このグレーデツド層上に形成されたＡｊ’ＧａＡ
ｓからなるエミッタ層と、乙のエミッタ層上に形成され
たＩ ｎＧａＡｓからなるコンタクト層とを有するもの
である。
Ａｓからなる基板と、この基板上に形成されたＧａＡｓ
からなるコレクタ層と、このコし・クク層上に形成され
、ＡＩの組成比がエミッタ側からコレクタ側にかけて減
少する１ｎＡ／ＧａＡｓからなるベース層と、このベー
ス層上に形成されたＡｌＧａＡｓからなるグレーデツト
層と、このグレーデツド層上に形成されたＡｊ’ＧａＡ
ｓからなるエミッタ層と、乙のエミッタ層上に形成され
たＩ ｎＧａＡｓからなるコンタクト層とを有するもの
である。
この発明においては、ＡｌＧａＡｓからなるグレーデツ
ト層までを選択的にエツチングすることにより、ベース
層の面出しが行われる。また、Ｉｎの存在によって、ベ
ース層内のｐ型不純物を高濃度化してもグレーデツト層
およびコレクタ層との格子整合が損なわれない。
ト層までを選択的にエツチングすることにより、ベース
層の面出しが行われる。また、Ｉｎの存在によって、ベ
ース層内のｐ型不純物を高濃度化してもグレーデツト層
およびコレクタ層との格子整合が損なわれない。
以上、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の・＼テロバイポーラｌ−ランリスク
の一実施例のエピタキシャル構造を示す図である１、こ
の図において、第２図と同一符号は同一のものを示す、
３はｐ’−Ｉｎｖ（ＡｌｘＧａ１−、）＋−Ａｓ （
ｘ＝０．１〜０．ｙ＝任意）からなるベス層であり、Ａ
Ｉの組成比χがエミッタ側からコレクタ側にかけて減少
している。
の一実施例のエピタキシャル構造を示す図である１、こ
の図において、第２図と同一符号は同一のものを示す、
３はｐ’−Ｉｎｖ（ＡｌｘＧａ１−、）＋−Ａｓ （
ｘ＝０．１〜０．ｙ＝任意）からなるベス層であり、Ａ
Ｉの組成比χがエミッタ側からコレクタ側にかけて減少
している。
次に、動作について説明する。
ｐ−Ｔ ｎ Ａ ／ Ｇ ａ Ａ ｓをベース層３とし
て用いた場合は、ベース層３にのみＩｎが存在している
ことになる。そのため、例えばＥＣＲ等に代表されるド
ライエツチングを用いれば、プラズマ発光分析を併用し
てＩｎの発光を検出したところでエツチングを止めるこ
とにより、エツチング状況の終端検出が可能となるため
、ベース層３の面出しが容易となる。また、ベース層３
の面出しの制御性が上記のように改善されるため、ベー
ス層３の薄膜化が可能となり、素子性能の高性能化が可
能となる。さらに、Ｉｎを主構成元素の一部に用いてい
ることからベース層３を狭ギャップ化でき、素子の高性
能化が可能となる。また、ＢｅＯ高濃度化に伴う格子不
整合をＩｎにより緩和することができるため、素子性能
の高性能化が可能となる。。
て用いた場合は、ベース層３にのみＩｎが存在している
ことになる。そのため、例えばＥＣＲ等に代表されるド
ライエツチングを用いれば、プラズマ発光分析を併用し
てＩｎの発光を検出したところでエツチングを止めるこ
とにより、エツチング状況の終端検出が可能となるため
、ベース層３の面出しが容易となる。また、ベース層３
の面出しの制御性が上記のように改善されるため、ベー
ス層３の薄膜化が可能となり、素子性能の高性能化が可
能となる。さらに、Ｉｎを主構成元素の一部に用いてい
ることからベース層３を狭ギャップ化でき、素子の高性
能化が可能となる。また、ＢｅＯ高濃度化に伴う格子不
整合をＩｎにより緩和することができるため、素子性能
の高性能化が可能となる。。
以上説明したように、この発明は、ＧａＡｓからなる基
板と、この基板上に形成されたＧａＡｓからなるコレク
タ層と、とのコレクタ層上に形成され、ＡＩの組成比が
エミッタ側からコレクタ側にかけて減少するＩ ｎ Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓからなるベース層き、乙のベース
層上に形成されたＡｌＧａＡｓからなるグし・−デッ）
−層と、このグし・−プツト層上に形成されたＡｌＧａ
Ａｓからなるエミッタ層と、このエミッタ層上に形成さ
れた１ ｎ Ｇ ａ Ａ、 ｓからなるコンタクト層と
を有するので、ベース層の面出しの制御性が向上し、ベ
ース層の薄膜化が可能になるほか、不純物の高濃度化が
可能になるため、ヘテロバイポーラ１〜ラシじ・スフの
高性能化が図れるという効果かあろ１゜
板と、この基板上に形成されたＧａＡｓからなるコレク
タ層と、とのコレクタ層上に形成され、ＡＩの組成比が
エミッタ側からコレクタ側にかけて減少するＩ ｎ Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓからなるベース層き、乙のベース
層上に形成されたＡｌＧａＡｓからなるグし・−デッ）
−層と、このグし・−プツト層上に形成されたＡｌＧａ
Ａｓからなるエミッタ層と、このエミッタ層上に形成さ
れた１ ｎ Ｇ ａ Ａ、 ｓからなるコンタクト層と
を有するので、ベース層の面出しの制御性が向上し、ベ
ース層の薄膜化が可能になるほか、不純物の高濃度化が
可能になるため、ヘテロバイポーラ１〜ラシじ・スフの
高性能化が図れるという効果かあろ１゜
第１図は乙の発明のへテロバイポーラトラノジスタの一
実施例を示すエピクキニ／ヤル構造を示す図、第２図は
従来のヘテ【１ベイポーラ）・ランジスタにおけるエビ
クキ−、ヤル構造を示す図である。 図において、］はココノツク４．２はエミッタ層、２ａ
はグレーデツト層、３および１３はベス層、４はコレク
タ層、５は基板である。 なお、各図中の同一符号は同、−または相当部分をボす
。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）基板
実施例を示すエピクキニ／ヤル構造を示す図、第２図は
従来のヘテ【１ベイポーラ）・ランジスタにおけるエビ
クキ−、ヤル構造を示す図である。 図において、］はココノツク４．２はエミッタ層、２ａ
はグレーデツト層、３および１３はベス層、４はコレク
タ層、５は基板である。 なお、各図中の同一符号は同、−または相当部分をボす
。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）基板
Claims (1)
- ＧａＡｓからなる基板と、この基板上に形成されたＧａ
Ａｓからなるコレクタ層と、このコレクタ層上に形成さ
れ、Ａｌの組成比がエミッタ側からコレクタ側にかけて
減少するＩｎＡｌＧａＡｓからなるベース層と、このベ
ース層上に形成されたＡｌＧａＡｓからなるグレーデッ
ト層と、このグレーデット層上に形成されたＡｌＧａＡ
ｓからなるエミッタ層と、このエミッタ層上に形成され
たＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層とを有することを
特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21787290A JPH0499382A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | ヘテロバイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21787290A JPH0499382A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | ヘテロバイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499382A true JPH0499382A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16711094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21787290A Pending JPH0499382A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | ヘテロバイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499382A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5477066A (en) * | 1992-01-09 | 1995-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Heterojunction bipolar transistor |
| US5625205A (en) * | 1993-06-02 | 1997-04-29 | Nec Corporation | Bipolar transistor circuit |
| CN103022892A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-03 | 武汉电信器件有限公司 | 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP21787290A patent/JPH0499382A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5477066A (en) * | 1992-01-09 | 1995-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Heterojunction bipolar transistor |
| US5625205A (en) * | 1993-06-02 | 1997-04-29 | Nec Corporation | Bipolar transistor circuit |
| CN103022892A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-04-03 | 武汉电信器件有限公司 | 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 |
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