JPH0496004A - 高na光ファイバ用クラッド材 - Google Patents
高na光ファイバ用クラッド材Info
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- JPH0496004A JPH0496004A JP2213723A JP21372390A JPH0496004A JP H0496004 A JPH0496004 A JP H0496004A JP 2213723 A JP2213723 A JP 2213723A JP 21372390 A JP21372390 A JP 21372390A JP H0496004 A JPH0496004 A JP H0496004A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高NA光フアイバ用クラツド材に関するもの
である。
である。
(従来の技術)
近年、ビル内の太陽光伝送に例示されるように、光ファ
イバをエネルギー伝送に使用する試みがおこなわれるよ
うになってきた。このような用途に適応し得る光ファイ
バに要求される重要な特性は、そのNA (開口数が大
きいことである。NAの大きな光ファイバは供給された
光がファイバにはいる割合が太き(なり、それ故に、供
給光を有効に活用できるという利点を有することになる
。
イバをエネルギー伝送に使用する試みがおこなわれるよ
うになってきた。このような用途に適応し得る光ファイ
バに要求される重要な特性は、そのNA (開口数が大
きいことである。NAの大きな光ファイバは供給された
光がファイバにはいる割合が太き(なり、それ故に、供
給光を有効に活用できるという利点を有することになる
。
NAの大きな光ファイバを製造するためには、コアとク
ラッドの屈折率の差を大きく採ることが必要であり、ク
ラッドとして屈折率の低い含フッ素のポリマーをコアに
コーティングすることがおこなわれている。
ラッドの屈折率の差を大きく採ることが必要であり、ク
ラッドとして屈折率の低い含フッ素のポリマーをコアに
コーティングすることがおこなわれている。
かかる含フッ素のポリマーとしては従来フルオロシリコ
ーンを用いる例が知られていて、米国特許4.431.
264号明細書(特開昭56−62206号公報)には
クラッドとしてフッ素含有量52%以下のフルオロシリ
コーンを用いることが開示されている。しかしながら、
このフルオロシリコーンは本質的に粘度の高いフルオロ
シリコーンガムであるために、その使用において、コア
にコーティングする際に溶媒を必要とし、コーティング
の際に揮発する溶媒がファイバに欠陥を生ぜしめるとい
う問題がある。
ーンを用いる例が知られていて、米国特許4.431.
264号明細書(特開昭56−62206号公報)には
クラッドとしてフッ素含有量52%以下のフルオロシリ
コーンを用いることが開示されている。しかしながら、
このフルオロシリコーンは本質的に粘度の高いフルオロ
シリコーンガムであるために、その使用において、コア
にコーティングする際に溶媒を必要とし、コーティング
の際に揮発する溶媒がファイバに欠陥を生ぜしめるとい
う問題がある。
また、付加型硬化のフルオロシリコーンをクラツド材と
して用いた例においては、クラツド材の機械特性が不十
分であるために、製造中や後加工中に、クラツド材が剥
離したりファイバが断線するといった問題点があった。
して用いた例においては、クラツド材の機械特性が不十
分であるために、製造中や後加工中に、クラツド材が剥
離したりファイバが断線するといった問題点があった。
特開昭62−7006には、無溶媒でフルオロシリコー
ンをコーティングする方法が記載されているが、この物
もクラツド材の機械特性が不十分であるという問題点を
有していた。
ンをコーティングする方法が記載されているが、この物
もクラツド材の機械特性が不十分であるという問題点を
有していた。
(発明の解決しようとする課題)
本発明の目的は、室温において100,000CP以下
の付加型硬化のフルオロシリコーンをクラツド材として
用いることにより、無溶媒でコアへのコーティングをお
こない、溶媒揮発に起因するファイバ欠陥を皆無にする
ことである。
の付加型硬化のフルオロシリコーンをクラツド材として
用いることにより、無溶媒でコアへのコーティングをお
こない、溶媒揮発に起因するファイバ欠陥を皆無にする
ことである。
本発明の別の目的は、付加型硬化のフルオロシリコーン
にレジン成分を導入することにより、機械特性の優れた
物とすることである。
にレジン成分を導入することにより、機械特性の優れた
物とすることである。
(課題を解決するための手段)
即ち、本発明は、下記成分A〜Dを含む組成物からなり
、且つ室温における粘度が10,000CP以下である
、熱により硬化可能な高NA光ファイバクラッド材を提
供するものである。
、且つ室温における粘度が10,000CP以下である
、熱により硬化可能な高NA光ファイバクラッド材を提
供するものである。
A、下記式
(式中、Viはビニル基、R2はパーフルオロアルキル
基またはパーフルオロエーテル基を示し、1.mは正の
整数、nはO又は正の整数であってn/ l +m+n
<0.02を満足する。) で表わされるビニル基含有フルオロシリコーン。
基またはパーフルオロエーテル基を示し、1.mは正の
整数、nはO又は正の整数であってn/ l +m+n
<0.02を満足する。) で表わされるビニル基含有フルオロシリコーン。
B、該組成物を硬化させるに十分な量の、1分子中に平
均2個以上の珪素結合水素原子を有するシリコーン。
均2個以上の珪素結合水素原子を有するシリコーン。
C,R31O+、s単位(Rは置換または非置換の一価
の飽和または不飽和基である)およびSiO□単位の少
なくとも1種を必須成分とするシリコーンレジン。
の飽和または不飽和基である)およびSiO□単位の少
なくとも1種を必須成分とするシリコーンレジン。
D、該組成物の硬化を促進するに十分な量の遷移金属触
媒。
媒。
本発明における成分Aは上記式で表わされるビニル基含
有フルオロシリコーンであって、式中のR1にて示され
るパーフルオロアルキル基またはパーフルオロエーテル
基は炭素数4以上の長鎖のパーフルオロアルキル基また
はパーフルオロエーテル基であるのが、クラツド材の屈
折率を下げ、高NAの光ファイバを得るという点におい
て好ましい。特に炭素数4以上のパーフルオロアルキル
基が好ましい。さらに、l / mは4以上であるのが
好ましく、またnは望ましくはOであるが、クラツド材
の機械特性を変化させるために、n/ 1 +m+n<
0.02の範囲で導入してもよい。而して、n/1+m
+nが0.02より大きいビニル基含有フルオロシリコ
ーンの使用はクラツド材としては脆いものとなる。成分
Aのビニル基含有フルオロシリコーンは単独重合体、あ
るいは例えばRf基を異にする2種類以上の共重合体な
どいずれであってもよい。
有フルオロシリコーンであって、式中のR1にて示され
るパーフルオロアルキル基またはパーフルオロエーテル
基は炭素数4以上の長鎖のパーフルオロアルキル基また
はパーフルオロエーテル基であるのが、クラツド材の屈
折率を下げ、高NAの光ファイバを得るという点におい
て好ましい。特に炭素数4以上のパーフルオロアルキル
基が好ましい。さらに、l / mは4以上であるのが
好ましく、またnは望ましくはOであるが、クラツド材
の機械特性を変化させるために、n/ 1 +m+n<
0.02の範囲で導入してもよい。而して、n/1+m
+nが0.02より大きいビニル基含有フルオロシリコ
ーンの使用はクラツド材としては脆いものとなる。成分
Aのビニル基含有フルオロシリコーンは単独重合体、あ
るいは例えばRf基を異にする2種類以上の共重合体な
どいずれであってもよい。
成分Bは、1分子中に平均2個以上の珪素結合水素原子
を有する化合物であり、成分Aのビニル基との間にハイ
ドロシリレーションと呼ばれる反応を起こし、該組成物
は硬化される。
を有する化合物であり、成分Aのビニル基との間にハイ
ドロシリレーションと呼ばれる反応を起こし、該組成物
は硬化される。
成分Bの構造は、特に限定されるものでないが、Aとの
相溶性を確実にするために、Aと共通のRt基を含むこ
とが望ましい。Bは該組成物を硬化させるに十分な量を
使用すればよく、通常はAのビニル基に対して珪素結合
水素原子が0.5〜2.0の範囲で使用すればよい。
相溶性を確実にするために、Aと共通のRt基を含むこ
とが望ましい。Bは該組成物を硬化させるに十分な量を
使用すればよく、通常はAのビニル基に対して珪素結合
水素原子が0.5〜2.0の範囲で使用すればよい。
成分Bのシリコーンとして好適なものは、例えば
(式中のRloは炭素数4以上のパーフルオロアルキル
基あるいはパーフルオロエーテル基、x、y、zは2以
上の整数であってX/Y〉4である。) (式中のR2”は炭素数4以上のパーフルオロアルキレ
ン基あるいはパーフルオロエーテル基)などが挙げられ
る。
基あるいはパーフルオロエーテル基、x、y、zは2以
上の整数であってX/Y〉4である。) (式中のR2”は炭素数4以上のパーフルオロアルキレ
ン基あるいはパーフルオロエーテル基)などが挙げられ
る。
成分Cは、クラツド材の機械特性を向上させる成分であ
り、R31O+、s単位(Rは置換または非置換の一価
の飽和または不飽和基である)およびSiO*単位の少
なくとも1種を必須成分とするシリコーンレジンである
。かかる成分Cは、成分Aとの相溶性を確実にするため
成分Aで説明したR、基を有するものが望ましい。
り、R31O+、s単位(Rは置換または非置換の一価
の飽和または不飽和基である)およびSiO*単位の少
なくとも1種を必須成分とするシリコーンレジンである
。かかる成分Cは、成分Aとの相溶性を確実にするため
成分Aで説明したR、基を有するものが望ましい。
また、成分Cは上記R31O+、 s単位、5iOa単
位の他にR55iO0,単位、RfSiO+、 s単位
(Rは上記に同じ)を有していてもよい。
位の他にR55iO0,単位、RfSiO+、 s単位
(Rは上記に同じ)を有していてもよい。
さらに、成分Cは成分A、Bと共加橋させると特に機械
特性がはかれるので、珪素結合水素原子や珪素結合ビニ
ル基を含むことが望ましい。
特性がはかれるので、珪素結合水素原子や珪素結合ビニ
ル基を含むことが望ましい。
成分Cの使用量は特に限定されないが、成分100部に
対して5〜40部が機械特性その他の面で好適な量とし
て用いられる。
対して5〜40部が機械特性その他の面で好適な量とし
て用いられる。
成分りの遷移金属触媒は、該組成物の硬化を促進する化
合物であり、通常へキサクロロ白金酸などの白金化合物
、あるいはこれらの化合物と比較的低分子量のビニル基
含有オルガノシロキサンとの錯体が用いられる。成分り
の使用量は該組成物の硬化を促進するに十分な量を使用
すれば良いが、通常は1〜100 ppmの範囲であれ
ば充分である。
合物であり、通常へキサクロロ白金酸などの白金化合物
、あるいはこれらの化合物と比較的低分子量のビニル基
含有オルガノシロキサンとの錯体が用いられる。成分り
の使用量は該組成物の硬化を促進するに十分な量を使用
すれば良いが、通常は1〜100 ppmの範囲であれ
ば充分である。
さらに上記成分の他に、室温において成分A〜Dを混合
して調整した組成物をクラツド材として、コアにコーテ
ィングし高温で硬化されるまでの間、室温における硬化
の進行を制御し、粘度を適度に保持するために用いられ
る抑制剤を含んでいてもよい。かかる抑制剤の好適な化
合物として、3−メチル−1−ブチン−3−オール等の
アセチレン化合物、有機チッソ化合物、有機リン化合物
、イオン含有化合物、ビニルシロキサンなどを例示する
ことができる。かかる抑制剤は、上記の使用目的及び高
温における該組成物の迅速な硬化を妨げないという点を
勘案してその適量が用いられる。
して調整した組成物をクラツド材として、コアにコーテ
ィングし高温で硬化されるまでの間、室温における硬化
の進行を制御し、粘度を適度に保持するために用いられ
る抑制剤を含んでいてもよい。かかる抑制剤の好適な化
合物として、3−メチル−1−ブチン−3−オール等の
アセチレン化合物、有機チッソ化合物、有機リン化合物
、イオン含有化合物、ビニルシロキサンなどを例示する
ことができる。かかる抑制剤は、上記の使用目的及び高
温における該組成物の迅速な硬化を妨げないという点を
勘案してその適量が用いられる。
本発明のクラツド材は上記成分A〜Dを混合して調整し
た組成物として室温における粘度は10,000CP以
下であることが重要である。10.000CPを越える
とコアにコーティングする際に溶媒を必要とするように
なる。かかる溶媒の使用は高温でクラツド材を硬化する
際に揮発し、これが光ファイバの欠陥を招くことになる
。
た組成物として室温における粘度は10,000CP以
下であることが重要である。10.000CPを越える
とコアにコーティングする際に溶媒を必要とするように
なる。かかる溶媒の使用は高温でクラツド材を硬化する
際に揮発し、これが光ファイバの欠陥を招くことになる
。
本発明のクラツド材は熱により硬化可能であり、光ファ
イバのクラッドの形成方法としては、例えば石英ガラス
または光学ガラスのコアに調整された組成物を被覆し、
熱硬化反応せしめて硬化体とすることによって行なわれ
る。熱硬化反応における加熱処理条件はクラッド層の厚
さによって異なるが、例えば100μの厚さとすると4
00℃にて2秒間の処理で充分である。
イバのクラッドの形成方法としては、例えば石英ガラス
または光学ガラスのコアに調整された組成物を被覆し、
熱硬化反応せしめて硬化体とすることによって行なわれ
る。熱硬化反応における加熱処理条件はクラッド層の厚
さによって異なるが、例えば100μの厚さとすると4
00℃にて2秒間の処理で充分である。
(作 用)
本発明において、R2はクラツド材の屈折率下げるに有
用であり、これにより高NAの光ファイバを得ることが
できる。またA成分のビニル基にB成分のH−StがD
成分の遷移金属触媒下に付加することにより組成物の硬
化が起こる。さらにC成分はクラツド材の機械特性を向
上させる成分であり、これにより光ファイバの断線がな
(なり後加工も容易になる。
用であり、これにより高NAの光ファイバを得ることが
できる。またA成分のビニル基にB成分のH−StがD
成分の遷移金属触媒下に付加することにより組成物の硬
化が起こる。さらにC成分はクラツド材の機械特性を向
上させる成分であり、これにより光ファイバの断線がな
(なり後加工も容易になる。
(実施例)
合成例1(成分Aの合成)
十分に窒素置換された、撹はん器、温度計、を備えた1
ρの4つロフラスコに、[C4F、C2H4(CH,)
Sin]、 816g (0,89モル) 、 [
(CH,)2SiO]4296.6g (1,0モル)
、Vi(CH3)msiOsi(CHs)zVi4.
6g (0,025モル)を入れた。内温を50℃に保
持した後、CF35O,80,62g (4,13ミリ
モル)を導入した。4時間後にモノマーの消失を確認し
、NaHCOs 6.9g(82,1モル)を入れ反応
を停止した。濾過によりNaHCOmを除去した後、1
80℃/ 3 mmHgで低沸カットをおこなった。得
られた生成物はNMRfIRにより下記式で示される構
造であることが確認され、粘度= 2020CPSであ
った。
ρの4つロフラスコに、[C4F、C2H4(CH,)
Sin]、 816g (0,89モル) 、 [
(CH,)2SiO]4296.6g (1,0モル)
、Vi(CH3)msiOsi(CHs)zVi4.
6g (0,025モル)を入れた。内温を50℃に保
持した後、CF35O,80,62g (4,13ミリ
モル)を導入した。4時間後にモノマーの消失を確認し
、NaHCOs 6.9g(82,1モル)を入れ反応
を停止した。濾過によりNaHCOmを除去した後、1
80℃/ 3 mmHgで低沸カットをおこなった。得
られた生成物はNMRfIRにより下記式で示される構
造であることが確認され、粘度= 2020CPSであ
った。
合成例2(成分Bの合成)
十分に窒素置換された、撹はん器、温度計、を備えた5
00 mQの4つロフラスコに、[C4F。
00 mQの4つロフラスコに、[C4F。
C2H4CH,)SiO]3150g(0,163モル
) 、 [(CH3)5in]、 9.1g(0,03
1モル)団(CH3)5iO]418.4g(0,07
7モル) 、 (CH−)−3IO3I(CH3)
3 5.52g(0,032モル)を入れた。内温を5
0℃に保持した後、CFsSO−HO,09g (0,
0006モル)を導入した。4時間後にモノマーの消失
を確認し、NaHCO31,00g(0,012モル)
を入れ反応を停止した。濾過によりNaHCOaを除去
した後、得られた生成物をNMRfIRにより調べ、下
記式で示される構造であることを確認した。
) 、 [(CH3)5in]、 9.1g(0,03
1モル)団(CH3)5iO]418.4g(0,07
7モル) 、 (CH−)−3IO3I(CH3)
3 5.52g(0,032モル)を入れた。内温を5
0℃に保持した後、CFsSO−HO,09g (0,
0006モル)を導入した。4時間後にモノマーの消失
を確認し、NaHCO31,00g(0,012モル)
を入れ反応を停止した。濾過によりNaHCOaを除去
した後、得られた生成物をNMRfIRにより調べ、下
記式で示される構造であることを確認した。
合成例3(成分Cの合成)
撹はん器、温度計、を備えた500m1の4つロフラス
コに、 (CHm)msiOsi(CHs)i 7.9
g(0,049モル) 、 Vi(CHs)a 5iO
Si(CHxhVi 36.3g(0,19モル)
、C4FeCJ4(CHs)SL(QCs)Ia)s
200g (0,49gモル) 、5i(OC2H−
)439.2g(0,19モル) 、 CF、SO,H
O,17g (1,13ミリモル)を入れた。内温を5
0℃に保持した後、82057.2g(3,18モル)
を滴下した。4時間後にモノマーの消失を確認した後、
KOHの10%メタノール溶液3.5gを入れ80℃で
3時間反応させた。室温に冷却後、KOHをH3PO4
で中和した。
コに、 (CHm)msiOsi(CHs)i 7.9
g(0,049モル) 、 Vi(CHs)a 5iO
Si(CHxhVi 36.3g(0,19モル)
、C4FeCJ4(CHs)SL(QCs)Ia)s
200g (0,49gモル) 、5i(OC2H−
)439.2g(0,19モル) 、 CF、SO,H
O,17g (1,13ミリモル)を入れた。内温を5
0℃に保持した後、82057.2g(3,18モル)
を滴下した。4時間後にモノマーの消失を確認した後、
KOHの10%メタノール溶液3.5gを入れ80℃で
3時間反応させた。室温に冷却後、KOHをH3PO4
で中和した。
実施例1
合成例1で得た成分A 100gに、合成例3で得た成
分C20g、塩化白金酸の1%イソプロパツール溶液0
.21g、 3−メチル−1−ブチン−3−オール0.
01gを添加し、十分に撹はんした。これに合成例2で
得た成分B 5gをいれ、さらに十分撹はんした。こ
の物の粘度は、1、200CPであった。この組成物を
石英ファイバ(外径200μ)の外周に100μ厚さと
なるようにクラッド層として被覆し、400℃に保持さ
れた加熱硬化炉に導入し、2秒間で通過させることによ
り、石英ガラスの外周にプラスチッククラッドの形成さ
れた光ファイバを得た。得られた光ファイバの特性を測
定した結果、NAは0.51、伝送損失は9db/km
であった。また、クラツド材を金型で硬化させシート状
にした後、物性を測定したところTB・20kg/cm
2、ショア硬度A=38であった。
分C20g、塩化白金酸の1%イソプロパツール溶液0
.21g、 3−メチル−1−ブチン−3−オール0.
01gを添加し、十分に撹はんした。これに合成例2で
得た成分B 5gをいれ、さらに十分撹はんした。こ
の物の粘度は、1、200CPであった。この組成物を
石英ファイバ(外径200μ)の外周に100μ厚さと
なるようにクラッド層として被覆し、400℃に保持さ
れた加熱硬化炉に導入し、2秒間で通過させることによ
り、石英ガラスの外周にプラスチッククラッドの形成さ
れた光ファイバを得た。得られた光ファイバの特性を測
定した結果、NAは0.51、伝送損失は9db/km
であった。また、クラツド材を金型で硬化させシート状
にした後、物性を測定したところTB・20kg/cm
2、ショア硬度A=38であった。
比較例1
実施例1において、成分Aとして100,000CPの
ものを用い、R−113により全体を希釈した他は、同
様の方法により光ファイバを製造した。
ものを用い、R−113により全体を希釈した他は、同
様の方法により光ファイバを製造した。
このものは製造中に溶媒が揮発し、そのためりラッドに
欠陥が多く、伝送損失が30db/kmと大きかった。
欠陥が多く、伝送損失が30db/kmと大きかった。
比較例2
実施例から成分Cを除いた他は、同様の方法により組成
物を得たが、このものはT、=2kg/cn+2、ショ
ア硬度A・3と著しく機械特性の劣るものであり、光フ
アイバ製造中に多数断線が生じた。
物を得たが、このものはT、=2kg/cn+2、ショ
ア硬度A・3と著しく機械特性の劣るものであり、光フ
アイバ製造中に多数断線が生じた。
(発明の効果)
本発明のクラッドとする光ファイバはNAが太き(、エ
ネルギー伝送用ファイバとしての使用した場合、エネル
ギーを効率よ(送れるという利点を有する。また室温に
おいて100.000cp以下であるため溶媒で希釈す
る必要がなく、溶媒の揮発に起因するファイバの欠陥が
なく、伝送損失の低下が少ない。さらに、機械特性の改
良がなされているので、製造中や後加工中に、クラツド
材が剥離したり光ファイバが断線するといったことがな
い。
ネルギー伝送用ファイバとしての使用した場合、エネル
ギーを効率よ(送れるという利点を有する。また室温に
おいて100.000cp以下であるため溶媒で希釈す
る必要がなく、溶媒の揮発に起因するファイバの欠陥が
なく、伝送損失の低下が少ない。さらに、機械特性の改
良がなされているので、製造中や後加工中に、クラツド
材が剥離したり光ファイバが断線するといったことがな
い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記成分A〜Dを含む組成物からなり、且つ室温に
おける粘度が10,000CP以下である、熱により硬
化可能な高NA光ファイバクラッド材。 A、下記式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Viはビニル基、R_fはパーフルオロアルキ
ル基またはパーフルオロエーテル基を 示し、l、mは正の整数、nは0又は正の 整数であってn/l+m+n<0.02を満足する。) で表わされるビニル基含有フルオロシリコーン。 B、該組成物を硬化させるに十分な量の、1分子中に平
均2個以上の珪素結合水素原子を有するシリコーン。 C、RSiO_1_._5単位(Rは置換または非置換
の一価の飽和または不飽和基である)および SiO_2単位の少なくとも1種を必須成分とするシリ
コーンレジン。 D、該組成物の硬化を促進するに十分な量の遷移金属触
媒。 2、R_fが炭素数4以上のパーフルオロアルキル基で
ある請求項1記載の高NA光ファイバクラッド材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2213723A JPH0496004A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 高na光ファイバ用クラッド材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2213723A JPH0496004A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 高na光ファイバ用クラッド材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0496004A true JPH0496004A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16643929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2213723A Pending JPH0496004A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 高na光ファイバ用クラッド材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0496004A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06145527A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-24 | Dow Corning Asia Kk | 剥離性組成物 |
JP2007191504A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物 |
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CN102902008A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-01-30 | 三菱电线工业株式会社 | 聚合物包层光纤及其制造方法 |
JP2013041060A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ポリマークラッド光ファイバ及びその製造方法 |
JP2013048214A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-03-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ダブルクラッド光ファイバ及びその製造方法、並びにダブルクラッド光ファイバ心線の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-08-14 JP JP2213723A patent/JPH0496004A/ja active Pending
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