JPH0495884A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JPH0495884A
JPH0495884A JP2213389A JP21338990A JPH0495884A JP H0495884 A JPH0495884 A JP H0495884A JP 2213389 A JP2213389 A JP 2213389A JP 21338990 A JP21338990 A JP 21338990A JP H0495884 A JPH0495884 A JP H0495884A
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JP
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fail
memory
defective
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JP2213389A
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English (en)
Inventor
Shigeaki Tamura
繁明 田村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、半導体試験装置におけるメモリIC、メモリ
搭載LSIのメモリ部等のメモリの不良解析方式に関す
る。
[従来の技術] 半導体試験装置において、メモリICの試験中にフェイ
ルが発生すると、メモリICのフェイルアドレスと1対
1に対応したフェイルビットメモリのアドレスにtr 
I P+を書き込み、フェイル情報として記録するのが
一般的である。
従来の単導体試験装置におけるメモリICの不良解析は
、特開昭62−276474号公報に記載のように、メ
モリICの試験終了後、CPU (中央処理装置)から
バスを介してフェイルビットメモリ内容を読み出し行な
っていた。つまり、フェイルビットメモリの内容を全て
読み出し、フェイル情報を見つけると、その時のフェイ
ルビットメモリのアドレスをメモリICのフェイルアド
レスとして解析を行なう。
上記従来の技術は、メモリIC試験終了後、CPUから
フェイルビットメモリにアクセスして、その内容を全て
順次読み出すことが、不良解析の前提であった。すなわ
ち、従来の技術では、不良ビットの存否、救済可否は、
不良ビットメモリの内容をすべて読み呂すことにより、
はじめて可能となる。しかも、これらの作業は、試験終
了後に、CPUがバスを介してフェイルビットメモリに
アクセスすることにより行なわれる。従って、試験結果
が確定するのは、試験終了後、がなりの時間が経過して
からとなる。特に、メモリの容量が大きければ、それだ
け、試験結果の確定は遅くならざるを得ない。
ところが、近年のメモリICの高集積化にともない、フ
ェイルビットメモリのメモリ容量は、膨大なものとなっ
てきている。そのため、フェイルビットメモリ内容の読
み出し時間およびその結果を使って行なう不良解析時間
の増大が問題となってきている。
本発明の目的は、メモリの試験に際し、不良ビットの存
否および不良ビットの救済可否を試験と並行して判定で
き、メモリの試験を高速で行なえる半導体試験装置を提
供することにある。
また、本発明の他の目的は、不良ビットの存否および不
良ビットの救済可否をメモリ試験後に、高速に行なえる
半導体試験装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明の一態様によれば、
試験対象について、不良ビット(フェイルビット)の有
無を検出する測定系と接続され、該測定系からの情報に
基づいて、不良解析を行なう半導体試験装置であって、
上記測定系からの情報に基づき、予め設定した個数の不
良ビットのアドレスを記憶する手段を備えることを特徴
とする半導体試験装置が提供される。
上記アドレスを記憶する手段は、好ましくは、不良ビッ
トのX、Yアドレスを記憶する。
この場合、上記測定系により検出される不良ビットにつ
いて、Xアドレスのみが同一である不良ビットが複数個
あることを検出する手段と、上記測定系により検出され
る不良ビットについて、Yアドレスのみが同一である不
良ビットが複数個あることを検出する手段とを設けるこ
とが好ましい。
また1本発明の一態様によれば、試験対象について、不
良ビットの有無を検出する測定系と接続され、該測定系
からの情報に基づいて、不良解析を行なう半導体試験装
置であって、上記測定系からの情報に基づき、予め設定
した個数の不良ビットのアドレスを記憶する手段と、上
記測定系からの情報が、上記記憶手段に既に格納されて
いるアドレスについてのものか否か判定する手段と、該
判定の結果、異なるアドレスについての情報である場合
のみ、その情報にもとづく不良ビットを計数する手段と
を備えることを特徴とする半導体試験装置が提供される
上記計数する手段は、計数値が比較値に達したか否か判
定する判定部を設けることが好ましい。
上記各態様は、においで、好ましくは、不良ビットをア
ドレス対応に記録するフェイルビットメモリを備える。
また、上記不良ビットのアドレスを記憶する手段は、不
良ビットのアドレスをXアドレスとYアドレスに分けて
記録する記録部と、前記Xアドレスと同一アドレス、前
記Yアドレスと同一アドレスが、前記フェイルビットメ
モリに記録済みか否かを判定し、前記メモリのXアドレ
ス、Yアドレスに対応した判定結果を計数する計数手段
とを設けることが好ましい。
また、本発明は、不良ビット救済の冗長ラインを有する
メモリを試験対象とする場合に好ましく適用される。こ
の場合、上記アドレスを記憶する手段は、該冗長ライン
数分のアドレスを記憶することができる記憶容量を持つ
ように設定されることが好ましい。
上記不良ビットのアドレスを記憶する手段は、不良ビッ
トのX、Yアドレスを記憶する構成とすると共に、Xア
ドレス、Yアドレス共、異なる不良アドレスの数が、比
較値に達したか否か判定する判定部を設けることができ
る。
また、上記他の目的を達成するため、本発明の一態様に
よれば、試験対象について、不良ビットの有無を検出す
る測定系と接続され、該測定系からの情報に基づいて、
不良解析を行なう半導体試験装置であって、不良ビット
をアドレス対応に記録するフェイルビットメモリと、上
記フェイルビットメモリに対し、読み出しアドレスを発
生するアドレス発生部と、上記フェイルビットメモリか
ら読みだしたデータに基づき、予め設定した個数の不良
ビットのアドレス(例えば、x、yアドレス)を記憶す
るアドレス記憶部と、上記アドレス発生部を起動すると
共に、上記フェイルビットメモリから読みだされる不良
ビット情報を監視し。
不良ビットがあったとき、上記アドレス発生部が出力し
ているアドレスを上記アドレス記憶部に記憶させるよう
制御する制御部とを備えることを特徴とする半導体試験
装置が提供される。
[作 用コ 本発明による不良解析は、メモリICの試験中に発生し
たフェイル情報を元にリアルタイムにフェイルアドレス
(Xアドレス、Yアドレス)の記録を行なう。これによ
り、フェイルビットメモリを読みださずに、フェイルア
ドレスを知ることができる。従って、測定と平行して、
高速に不良解析を行なうことができる。
また、XおよびYのそれぞれについて、複数ビットの不
良があるか否かが検出されるので、不良ビット救済のた
めのメモリの冗長ラインの割り当てを容易に行なえる。
さらに、フェイルアドレスの記憶を、メモリの冗長ライ
ン数分用意しておくことにより、不良ビットのアドレス
が、この記憶容量を超えて生じた場合、救済できないこ
とが直ちに判明する。従って、不良ビット救済可否の判
定が、試験対象についての測定をすべて行なわずに判明
することがあるので、試験をその段階で中止でき、無駄
な試験時間を費やすことが防止される。
なお、フェイルアドレス毎のフェイルアドレスカウント
を行なうことにより、不良ビットの救済を行なう際に、
いずれのラインを冗長ラインに割り当てると効率的な救
済ができるかの判断が容易となる。不良ビットのアドレ
スカウントは、フェイルビットメモリの内容を参照しな
がら行なえば、同一アドレスの二重カウントの心配はな
い。
以上のような方式により、メモリICの不良解析、不良
ビット救済の可否判定を高速で行なえる。
[実施例コ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1A図は本発明の半導体試験装置の全体構成を示すブ
ロック図である。
本実施例の試験装置は、試験対象であるメモリICl3
に接続されて不良ビット有無等を測定する測定系14と
、この測定系14から出力されるフェイル情報を記録す
るためのフェイルビットメモリ10と、上記測定系14
およびフェイルビットメモリ10に接続されて不良解析
および不良ビット救済の可否判定を行なう不良解析部1
1と、本実施例装置の制御を行なうCPU (中央処理
装置)12とを備えて構成される。
測定系14は、例えば、マイクロコンピュータシステム
等により構成され、試験対象のメモリICl3に対する
試験データの書き込み、および読み出し、また、読み出
したデータから誤りの有無を調べ、不良ビットを検出し
て、そのアドレスと共にフェイル情報を出力する。試験
は、例えば、オールit O7+のデータを書き込んで
、読み呂し時に“1”になっているか否か、また、この
逆のパターン、さらに、種々のデータパターンを書き込
んで、読み出しデータが書き込みパターンに一致するか
、否か等の各種のモードで実行される。
フェイルビットメモリ10は、メモリICl3とアドレ
スが1対1に対応したビットメモリとして構成されてい
る。このフェイルビットメモリ1oには、測定系14に
よりメモリICl3のフェイル情報が記録される(例え
ば不良に対応するビットにだけ“1”が書き込まれる)
不良解析部11は、フェイルビットメモリ10および測
定系14に接続され、また、バス13を介してCPU1
2に接続されている。不良解析部11は、メモ、すIC
l3の試験中に不良解析、不良ビット救済の可否判定を
行なう。
この不良解析部11は、基本的な機能として、第1B図
に示すように、測定系14から入力されるフェイル情報
とフェイルビットメモリ内の同一アドレスにおける記憶
内容とを比較して二重カウントを防止する手段として機
能する比較手段110と、上記比較手段110からの出
力を計数して総フェイルアドレス数を求めるフェイルア
ドレス計数手段120と、不良解析情報のフェイルアド
レスおよびフェイルアドレス数を格納する不良解析情報
格納手段130a、130bとを備える。
不良解析情報格納手段130a、130bは、それぞれ
フェイルアドレス格納部131a、13 lbと、フェ
イルアドレスカウント部132a。
132bとを有している。
CPUI2は、バス13を介してフェイルビットメモリ
10、測定系14にも接続されている。
次に、第2図、第3図、第4図を使って、本実施例をさ
らに詳細に説明する。
第2図は不良解析部の一実施例、第3図はメモリICの
試験結果例、第4図は第3図(a)、’(b)の試験結
果時の第2図の動作内容を示すタイムチャートである。
第2図に示す不良解析部は、フェイルアドレス計数手段
として機能するフェイルアドレスカウンタ2oと、フェ
イルアドレスおよびフェイル情報を格納し、不良解析情
報格納手段として機能する不良解析情報格納部21a、
21bと、フェイルアドレスの上記不良解析情報格納部
21a、21bへの取込みを制御するフェイルアドレス
取込み制御部45と、比較手段110として機能するア
ンドゲート42と、上記フェイル情報の該不良解析情報
格納部21a、21bへの取込みタイミングを制御する
回路を構成するアンドゲート44およびDフリップフロ
ップ回路43とを備えて構成される。
フェイルアドレスカウンタ20は、メモリICl3の試
験中に発生した、フェイルアドレス数をカウントする。
同一アドレスで複数回、フェイルが発生した場合につい
ては1”とカウントする。フェイルアドレスカウンタ2
0は、普通のカウンタ201と、比較値の設定を行なう
比較値設定部202と、カウント値が比較値に達したこ
とを検出する機能を持つ判定回路203とを備える。こ
れは、メモリICl3の試験中、フェイルアドレスカウ
ント値が予め設定した値に達した場合、CPU12に割
り込み信号を発し、メモリICl3の試験を中止するた
めに使える。
不良解析情報格納部21a、21bは、上記測定系から
の情報に基づき、予め設定した個数の不良ビットのX、
Yアドレスを記憶する手段として機能し、両者は同一の
構成を有している。ここでは、21aの構成について説
明する。
不良解析情報格納部21aは、フェイルXアドレスを記
録するレジスタ22aおよびフェイルYアドレスを記録
するレジスタ23aと、フェイルXアドレスをカウント
するフェイルXアドレスカウンタ26aおよびフェイル
YアドレスをカウントするフェイルYアドレスカウンタ
27aと、上記レジスタ22aおよび23aに対するク
ロックの入力条件を選定するアンドゲート28aと、上
記レジスタ22aの内容と入力するアドレスとを比較す
る比較回路24aおよび上記レジスタ23aの内容と入
力するアドレスとを比較する比較回路25aと、この比
較回路24aの出力値に応じてフェイル情報のフェイル
Xアドレスカウンタ26aへの入力を制御するアンドゲ
ート29aおよび比較回路25aの出力値に応じてフェ
イル情報のフェイルYアドレスカウンタ27aへの入力
を制御するアンドゲート40aと、上記比較回路24a
および25aの出力によりフェイルアドレス取込み制御
部45を制御するノアゲート41aとを備えている。
このような構成により、不良解析情報格納部21a、2
1bは、メモリICl3の試験中、発生したメモリIC
l3のフェイルアドレスを格納し、また、そのアドレス
毎のフェイルアドレス数をカウントする。フェイルアド
レス数の定義は。
フェイルアドレスカウンタ20と同様である。
本実施例では、前記のように、第2図において。
フェイル情報の記録場所は、21a、21bの2組であ
るが、2組という数には特に意味はなく、目的に応じて
最適な個数を備えるものとする。
なお、不良解析情報格納部21a、21bにおけるフェ
イルアドレスの記録、フェイルアドレスのカウントは、
Xアドレス、Yアドレスそれぞれ別々に行なう。第2図
には記載してないが、試験開始前にメモリICのアドレ
ス構成に応じ、マトリックス回路等を使用して、Xアド
レス、Yアドレスを割り付ければよい。Xアドレスの記
録はレジスタ22a、22b (各々複数ビット)、カ
ウントはカウンタ26a、26bで行なう。Yアドレス
の記録はレジスタ23a、23b (各々複数ビット)
、カウントはカウンタ27a、27bで行なう。
以下、具体的な例を使って本実施例の動作を説明する。
第3図の(a)、(b)はメモリICの試験結果であり
、(a)は途中結果、(b)は最終結果を示すものと仮
定する。例えば、同図(a)は、メモリICにオールI
I O”を書き込み、読み出したところ、アドレス(X
O,Y2)でフェイルが発生したこと、同図(b)は、
オール111 IIを書き込み、読み出したところ、ア
ドレス(XO,Yl)(XO,Y2)(Xi、 Yl)
 (X2. Yl) (X3. Yl)でフェイルが発
生したことを示す。
第4図は前記第3図(a)以降、同図(b)の試験結果
を得るまでの様子を示すタイムチャートである。
先ず、(a)の試験結果が、既に不良解析情報格納部2
1aに記録されている。つまり、フェイルXアドレス2
2a、フェイルXアドレス23aにはフェイルアドレス
としてそれぞれXO,Y2が格納され、フェイルXアド
レスカウンタ26a、フェイル子アドレスカウンタ27
aにはフェイルアドレス数としてそれぞれ“1″、11
1 IIが記録されている。
第4図においては、次にメモリICのアドレス(XO,
YO)、(XO,Yl)・・・(X3.Yl)、(X3
.Y2)の順に、読み出した様子を示す。
フェイル情報は、各アドレスにおけるメモリICの試験
結果であり、110 IIはパス、II I IIはフ
ェイルを示す。フェイルビットメモリのリード情報は、
前記アドレスに対応するフェイルビットメモリ10の内
容を読み出したものであり、ここでは、(a)の試験内
容を示す。
本実施例の特徴は、前記のように、試験中のメモリIC
のアドレスに対応するフェイルビットメモリの内容を読
み出し、これを基にフェイルアドレス数をカウントする
ことにある。このため、同一アドレスで複数回、フェイ
ルが発生した場合についても、正確なカウントが行なえ
る。例えば、アドレス(XO,Y2)ではフェイルが発
生しているが、フェイルビットメモリの読み出し結果が
“1”であるので、フェイルアドレスカウンタ20のカ
ウントアツプは行なわない。そして、最終的に、フェイ
ルアドレスカウンタ20には合計のフェイルアドレス数
115 IIと記録される。これは第3図の(b)の不
良内容を正確に表している。
次に、不良解析情報格納部21a、21bにおけるフェ
イルアドレスの格納、フェイルアドレス数のカウント方
法について説明する。
不良解析情報格納部21aのフェイルアドレスの格納は
、メモリICの試験中、最初にフェイルが発生したアド
レスについて行なう。不良解析情報格納部21bは、同
21aが既にアドレスを格納状態にあり、かつ、フェイ
ルの発生したアドレスが同21aに格納済みのアドレス
とXアドレス、Yアドレス共、異なる場合に、アドレス
を格納する。
ここで2次のフェイルアドレスが入力されると、Xアド
レス、Yアドレスいずれか一方のみ一致する場合は、そ
のフェイルアドレスの格納は行なわない。一方、Xアド
レスのみ一致する場合はフェイルXアドレスカウンタ2
6aを、Yアドレスのみ一致する場合はフェイル子アド
レスカウンタ27aをカウントアツプ(+1)する。た
だし、これには、フェイルビットメモリの読み出し結果
が“O”という条件がつく。Xアドレス、Yアドレス共
、一致した場合は、当然フェイルビットメモリの内容が
1”であるので何も行なわない。
このように、アドレスをXアドレスとYアドレスに分け
、一方、アドレスのみ一致した場合は。
フェイルアドレスの格納は行なわず、フェイルアドレス
のカウントアツプのみにとどめるため、フェイルアドレ
ス格納レジスタ数は大幅に削減できる。これは、不良解
析情報格納部21bについても同様である。
その結果、最終的には、不良解析情報格納部21a、2
1bへ、以下のような記録が行なわれる。例えば、不良
解析情報格納部21a内には、フェイルアドレスとして
XアドレスはXO,YアドレスはY2が格納され、フェ
イルカウント数はそれぞれ2回、1回である。また、不
良解析情報格納部21b内には、フェイルアドレスとし
てXアドレスはXl、YアドレスはYlが格納され。
フェイルカウント数はそ九ぞれ′1″、It 3 II
である。
つまり、本実施例によれば、メモリICの試験終了時に
、アドレス(XO,Y2)、(Xl。
Yl)でフェイルが発生し、かつ、XアドレスのXOの
フェイルアドレス数は2ヶ以上、YアドレスのYlのフ
ェイルアドレス数は3ヶ以上という不良解析結果が得ら
れる。また、不良ビット救済用の冗長ラインは、Xアド
レスのX01YアドレスのYlに割り付ければ良いこと
が瞬時に分かる。
以上のように、本実施例によれば、メモリICの試験終
了時に、フェイルビットメモリ内容を読み出すことなく
、メモリICの不良解析、不良ビット救済情報が得られ
る。
次に、本発明の他の実施例について、第5図、第6図を
使って説明する。
第5図は不良解析部の一実施例、第6図は第3図(a)
 、 (b)の試験結果時の第6図の動作内容を示すタ
イムチャートである。
本実施例の基本的構成は、上記実施例と同様に第1図に
示すように構成される。ただ、不良解析情報格納部の構
成が上記第2図に示すものより簡単になっている。
本実施例ではメモリICの不良ビット救済情報収拾を主
目的に、フェイルアドレスの記録のみにとどめ、フェイ
ルアドレスのカウントは行なわない、従って、メモリI
Cの試験中にフェイルビットメモリ1oの内容を参照す
る必要はなく、前記実施例に比べ簡単化される。なお、
第5図はメモリICの冗長ラインがXアドレス、Yアド
レスそれぞれ1本の場合を仮定している。
(以下余白) 第5図に示す不良解析部は、フェイルアドレス格納部5
1a、51bと、救済不可の不良ビットの発生を検出し
て割込み信号を出力するオーバーフロー検出部66と、
フェイル情報の上記フェイルアドレス格納部51a、5
1bへの取込みを制御するフェイルアドレス取込み制御
部65とを備えている。
フェイルアドレス格納部51aおよび51bは同様の構
成を有する。フェイルアドレス格納部51aは、フェイ
ルXアドレスを記録するレジスタ52aおよびフェイル
子アドレスを記録するレジスタ53aと、上記レジスタ
52a、53aの内容と入力されるアドレスとを各々比
較する比較回路54a、55aと、入力アドレスが記憶
されているXアドレス(Yアドレス)とのみ一致するこ
とを検出するアンドゲート59a (60a)と、Xア
ドレス、Yアドレスの一方のみが一致する場合に対応し
てセットされるXアドレスセレクト回路56aおよびY
アドレス上198回路57aと、上記比較回路54a、
55aの出力により上記フェイルアドレス取込み制御部
65を制御するノアゲート61aとを備えている。
上記オーバーフロー検出部66は、上記フェイルアドレ
ス取込み制御部65の出力により制御されてフェイル情
報を取込むアンドゲート67と、このアンドゲート67
の出力によりセットされるフリップフロップ回路68と
、上記フェイルアドレス格納部51a、51bのXアド
レスセレクト回路56a、56bの出力の論理積をとる
アンドゲート62と、Yアドレス上198回路57a。
57bの出力の論理積をとるアンドゲート63と、上記
フリップフロップ回路68、アンドゲート62.63の
出力の論理和をとって割込み信号を出力するオアゲート
回路からなる判定回路64とを有している。
次に1本実施例の動作について、詳細に説明する。
まず、フェイルが発生すると、フェイルアドレス格納部
51a内のレジスタ52a、53aに、フェイルアドレ
スを格納する。ここでは、(XO。
Y2)であるとする。
次に、フェイルが発生すると、そのアドレスを上記レジ
スタ52a、53a内に記録済みのアドレスと比較し、
Xアドレスのみ一致した場合はXアドレスセレクト回路
56a、Xアドレスのみ一致した場合はYアドレス上1
98回路57aにJ(131が書き込まれる。
第6図においては、アドレス(XO,Yl)でXアドレ
スセレクト回路56aに“1”が書き込まれている。こ
れは、不良ビット救済のため、XアドレスのXOに冗長
ラインを1本割り出てることを意味する。つまり、本実
施例では、Xアドレス、Xアドレスの同一アドレス方向
に2ビツト以上のフェイルが発生した場合は冗長ライン
を割り当てる。この2ビツトという数は、そのものには
特に意味はなく、冗長ライン本数に応じて最適値を選択
する。
次に、アドレス(XO,Y2)でフェイルが発生するが
、これは、フェイルアドレス格納部51a内に記録済み
のアドレスと同一のため、何も行なわない。
次に、アドレス(Xi、Yl)でフェイルが発生するが
、これは51a内に記録済みのアドレスとXアドレス、
Xアドレス共、異なるため、フェイルXアドレスbをレ
ジスタ52b、フェイルXアドレストをレジスタ53b
に格納する。
次にアドレス(X2.Yl)でXアドレスセレクト回路
57bに111 Nが書き込まれる。これは、不良ビッ
ト救済のため、XアドレスのYlに冗長ラインを1本割
り当てることを意味する。つまり、この時点で冗長ライ
ンは全て使用したことになる。
その後、アドレス(X3.Yl)でフェイルが発生する
が、前記Y1に割り当てた冗長ラインで救済可能のため
何も行なわない。
次に、アドレス(X3.Y2)でフェイルが発生し、Y
アドレス上198回路57aにII I PIが書き込
まれる。これはYアドレスY2に冗長ラインを割り付け
る必要が生じたことを意味するが、既に、冗長ライン本
数に余裕はなく、不良ビット救済不可と判断し、CPU
I2に割り込み信号を発する。
なお、オーバーフロー検出部66は、Xアドレス、Xア
ドレス共、異なる3つ目のアドレスでフェイルが発生し
た場合、それを検出し不良ビット救済不可を示す割り込
み信号をCPU12に発する。
つまり、本実施例によれば、メモリICの試験中に不良
ビット救済可否判定ができる。
次に、本発明のさらに他の実施例を第7図、第8図を使
って説明する。
第7図は不良解析部の一実施例、第8図はその動作内容
を示すタイムチャートである。
本実施例は、前記2つの実施例とは異なり、メモリIC
の試験中に不良解析するのではなく、メモリICの試験
終了後、高速にフェイルビットメモリ10の内容を読み
出し、解析を行なうものである。
第7図に示す実施例は、フェイルビットメモリ10と、
不良解析部を起動するフリップフロップ回路72と、メ
モリICのアドレスをOから順次出力するアドレス発生
回路75と、フェイルアドレスを記憶するフェイルアド
レスレジスタ74と、該レジスタ74へのフェイルアド
レスの取込みを制御するアンドゲート73と、上記各部
を制御する制御部71とを有する。
この不良解析部は1本実施例では図示しない測定系と接
続されてフェイル情報をフェイルビットメモリ10に取
込む。また、CPU12とも接続されて、フェイル解析
を行なう。
第7図において、メモリICの試験結果がフェイルの場
合、CPUI2は、不良解析部(高速フェイルビットメ
モリ読み出し部)70内のフリップフロップ72へdt
 I P+を書き込み、不良解析部70を起動する。そ
して、CPU12は、フェイルビットメモリ10の内容
を読みだして、フェイルアドレスを探すのではなく、バ
ス13を介して不良解析部70内のフェイルアドレス格
納レジスタ74を読み、フェイルアドレスを直接得る。
CPU12よりフリップフロップ72が起動されると、
制御部71は、アドレス発生回路75を起動する。アド
レス発生回路75は、アドレス“0″からメモリICの
最大アドレスまで順次アドレスを発生する。制御部71
は、フェイルビットメモリ10の出力を監視し、フェイ
ル情報が読み出されると、その際アドレス発生回路75
の発したアドレスをレジスタ74に格納する。そして、
再びアドレス発生回路75を起動し、フェイルビットメ
モリ10の出力を監視する。
ここで、フェイル情報が読み出された場合、レジスタ7
4に格納したフェイルアドレスをCPU12へ受は渡し
たか否かより、動作が異なる。第8図においてアドレス
mが受は渡した場合で、アドレスm+1が受は渡し待ち
の場合である。
つまり、本実施例は、フェイルアドレス格納レジスタ7
4が1組の場合についての記載のため、CPU12への
フェイルアドレスの受は渡しが終了するまでは、レジス
タ74に次のフェイルアドレスを格納することは行なわ
ない。
ここでは、説明の簡単化のため1組のフェイルアドレス
格納レジスタ74としたのであり、複数組のフェイルア
ドレス格納レジスタを持てば、さらに、高速化が図れる
ことはいうまでもない。
一般に、CPU12のバスのアクセス時間、演算速度に
比べ、半導体試験装置に使用するフェイルビットメモリ
のアクセス時間が一桁くらい早いため、メモリICの不
良解析、不良ビット救済情報を短時間で得られる。
上記各実施例では、試験対象としてメモリを用いている
が、本発明は、これに限定されない。内部にアドレスが
付与され、ビット単位等の一定の単位ごとに不良が発生
するような構造の半導体装置等にも適用される。
[発明の効果コ 本発明によれば、メモリIC、メモリ搭載LSIのメモ
リ部の不良解析、不良ビット救済の可否判定が試験中に
行えるため、または、試験終了後に高速に行なえるため
、検査時間および不良解析時間の大幅な短縮が図られる
【図面の簡単な説明】
第1A図は本発明による半導体試験装置の実施例の全体
構成を示すブロック図、第1B図は上記実施例の装置の
不良解析部の構成の概要を示すブロック図、第2図は不
良解析部の一実施例の詳細を示すブロック図、第3図は
メモリICの試験結果例を示す説明図、第4図は第2図
に示す不良解析部の動作内容を示すタイムチャート、第
5図は不良解析部の他の実施例の構成を示すブロック図
、第6図は第5図の動作内容を示すタイムチャート、第
7図は不良解析部の他の実施例の構成を示すブロック図
、第8図は第7図の動作内容を示すタイムチャートであ
る。 11・・・不良解析部、20・・・フェイルアドレスカ
ウンタ、22a、22b、23a、23b−フェイルア
ドレス(X、Yアドレス)格納レジスタ。 26a、26b、27a、26b−=フェイルアドレス
(X、Yアドレス)カウンタ。 第1A図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、試験対象について、不良ビットの有無を検出する測
    定系と接続され、該測定系からの情報に基づいて、不良
    解析を行なう半導体試験装置であって、 上記測定系からの情報に基づき、予め設定した個数の不
    良ビットのアドレスを記憶する手段を備えることを特徴
    とする半導体試験装置。 2、上記アドレスを記憶する手段は、不良ビットのX、
    Yアドレスを記憶するものであり、 上記測定系により検出される不良ビットについて、Xア
    ドレスのみが同一である不良ビットが複数個あることを
    検出する手段と、 上記測定系により検出される不良ビットについて、Yア
    ドレスのみが同一である不良ビットが複数個あることを
    検出する手段とを備える請求項1記載の半導体試験装置
    。 3、試験対象について、不良ビットの有無を検出する測
    定系と接続され、該測定系からの情報に基づいて、不良
    解析を行なう半導体試験装置であって、 上記測定系からの情報に基づき、予め設定した個数の不
    良ビットのアドレスを記憶する手段と、 上記測定系からの情報が、上記記憶手段に既に格納され
    ているアドレスについてのものか否か判定する手段と、 該判定の結果、異なるアドレスについての情報である場
    合のみ、その情報にもとづく不良ビットを計数する手段
    とを備えることを特徴とする半導体試験装置。 4、上記計数する手段は、計数値が比較値に達したか否
    か判定する判定部を設けたことを特徴とする請求項3記
    載の半導体試験装置。 5、不良ビットをアドレス対応に記録するフェイルビッ
    トメモリを備え、 上記不良ビットのアドレスを記憶する手段は、不良ビッ
    トのアドレスをXアドレスとYアドレスに分けて記録す
    る記録部と、前記Xアドレスと同一アドレス、前記Yア
    ドレスと同一アドレスが、前記フェイルビットメモリに
    記録済みか否かを判定し、前記メモリのXアドレス、Y
    アドレスに対応した判定結果を計数する計数手段とを設
    けたことを特徴とする請求項1、2、3または4記載の
    半導体試験装置。 6、不良ビット救済の冗長ラインを有するメモリを試験
    対象とし、上記アドレスを記憶する手段は、該冗長ライ
    ン数分のアドレスを記憶することができる記憶容量を持
    つ請求項1、2、3、4または5記載の半導体試験装置
    。 7、上記不良ビットのアドレスを記憶する手段は、X、
    Yアドレスを記憶するものであり、Xアドレス、Yアド
    レス共、異なる不良アドレスの数が、比較値に達したか
    否か判定する判定部を設けたことを特徴とする請求項1
    、2、3、4、5または6記載の半導体試験装置。 8、試験対象について、不良ビットの有無を検出する測
    定系と接続され、該測定系からの情報に基づいて、不良
    解析を行なう半導体試験装置であって、 不良ビットをアドレス対応に記録するフェイルビットメ
    モリと、 上記フェイルビットメモリに対し、読み出しアドレスを
    発生するアドレス発生部と、 上記フェイルビットメモリから読みだしたデータに基づ
    き、予め設定した個数の不良ビットのアドレスをアドレ
    ス記憶部と、 上記アドレス発生部を起動すると共に、上記フェイルビ
    ットメモリから読みだされる不良ビット情報を監視し、
    不良ビットがあったとき、上記アドレス発生部が出力し
    ているアドレスを上記アドレス記憶部に記憶させるよう
    制御する制御部とを備えることを特徴とする半導体試験
    装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1996026451A1 (en) * 1995-02-24 1996-08-29 Advantest Corporation Bit error measuring instrument
JP2005149707A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Samsung Electronics Co Ltd 検査時間を短縮するフラッシュメモリテスタ及びこれを利用した電気的検査方法

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