JPS6035695B2 - メモリ試験方式 - Google Patents

メモリ試験方式

Info

Publication number
JPS6035695B2
JPS6035695B2 JP55107196A JP10719680A JPS6035695B2 JP S6035695 B2 JPS6035695 B2 JP S6035695B2 JP 55107196 A JP55107196 A JP 55107196A JP 10719680 A JP10719680 A JP 10719680A JP S6035695 B2 JPS6035695 B2 JP S6035695B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
address
data
check
written
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55107196A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5733497A (en
Inventor
博 石川
久雄 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP55107196A priority Critical patent/JPS6035695B2/ja
Publication of JPS5733497A publication Critical patent/JPS5733497A/ja
Publication of JPS6035695B2 publication Critical patent/JPS6035695B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリ試験方法に関し、特にメモリのアドレス
系の障害検出に有効なメモリ試験方法に関する。
従来、半導体記憶装置等のメモリ群にハード障害がある
か否かを試験する場合、メモリに書込まれるべきデータ
にパリティ等のチェックビットを付加した後、チェック
ビットが付加されたデータをメモリの指定アドレスに書
込み、次いで、書込まれたデータを読み出してパリティ
チェック等のデータチェックを行っている。
しかしながら、メモリの全アドレスのうちの限られた少
数アドレスに対するデータの書き込み読み出しチェック
を行うだけでは、指定アドレスに正確にデータが書込ま
れたか、否か、或いは指定アドレスから正確に読出され
たか杏かは判定できない。すなわち、アドレス系の障害
は潜在する可能性がある。指定アドレスに対する書込み
または指定アドレスからの読出いこ障害があるかどうか
を確かめるためには、メモリの全アドレスについて異な
るデータで上記の書込みと読出しの試験を行わなければ
ならず、時間がかかりすぎるので、通常のデータ処理を
中断することなくこのような試験を行うことは実質的に
不可能である。従って、メモリのアドレス系にハ−ド障
害があるか否かを、データの書込み・論出し試験とは別
に行う必要がある。
従釆の、メモリのアドレス系の試験方法としては、後述
するように、例えば、アドレスデータにも同様にチェッ
クビットを付加し、メモリにこのアドレスデータを入力
する直前でチェックを行う方式、或いは、同一のアドレ
ス選択回路を2つ設けて、2つのアドレス選択回路の出
力が一致しているか否かをメモリにアドレスデータを入
力する直前でチェックする方式等が知られている。しか
しながら、これらの従来のアドレス系の試験方式では、
アドレス選択回路の障害は検出可能であるが、メモリ本
体のアドレス系の障害は依然として潜在する可能性があ
る。メモリ本体を含めたアドレス系の試験のためには、
前述のデータの書込み・読出し試験と同様にメモリの全
アドレスについてアドレス試験を行う必要があり、同様
に時間がかかりすぎるのみならず、この試験のために、
メモリの種類に応じた専用のICテスタを用意してエー
ジング処理を行ったり、メモリの種類に応じたメモリ試
験プログラムを用意して診断処理を行ったりしなければ
ならないので、上記の従来のアドレス系の試験方式によ
ればメモリの試験に要する費用が大となるという問題が
ある。本発明は上記の従来技術における問題にかんがみ
てなされたものであり、その目的は、メモリ試験方法に
おいて、メモリを2つ以上に分割し、分割された各メモ
リに対応するアドレス選択回路から同一のアドレス信号
を供給するという構想に基づき、通常のデ−タ処理を中
断することなく、かつICテスタや試験プログラムを不
要として、低価格で、アドレス系の試験を含むメモリの
試験を行うことを可能にすることにある。
前述の目的を達成するために、本発明においては、チェ
ックビットを含む複数ビットのデータが書込み・読出し
されるメモリ、該メモリへの書込みデータにチェックビ
ットを付加するチェックビット付加回路、該メモリへの
書込みおよび該メモリからの読出しを制御するアドレス
分配部、および該チェックビットを含む読出しデータの
正常性を試験する誤り検出回路を具備するメモリシステ
ムにおいて、該メモリを少なくとも2つに分割し、前記
アドレス分配部を該分割されたメモリの各々に1つずつ
対応させて設け、該アドレス分配部のすべてに同一のア
ドレスデータを入力して該分割されたメモリの各々のア
ドレスを指定してデータの書込み・議出しを行うことに
より、該メモリおよび該アドレス分配部の正常性を前記
誤り検出回路によって試験することを特徴とするメモリ
試験方式が提供される。
以下、添附の図面に基づいて、従釆技術との対比におい
て本発明の1実施例を説明する。
第1図は従来のメモリ試験方式の1例を示すブロック線
図である。
第1図において、書込みデータWDはメモリ1の指定さ
れたアドレスに書込まれると共に、パリティ発生回路3
に入力される。パリティ発生回路3において入力書込み
デー外こ基づいてチェックビットが形成され、このチェ
ックビットは上記指定されたアドレスに書込まれる。ア
ドレスの指定はアドレス分配部5によって行われる。こ
のようにして書込まれたデータの議出しは、やはりアド
レス分配部5によって行われ、読出されたデータRDは
パリティチェック回路7においてパリティチェックが行
われ、データが正しく謙出されたか否かがチェックされ
る。このチェックによってデータの書込みおよび議出し
が正しく行われたか否かがチェックされる。ところが、
もし、メモリー内のアドレス系またはアドレス分配部5
にハード障害があったとしても、書込みおよび説出しに
際しては、書込みアドレスおよび読出しアドレスが異な
るだけであり、書込み動作および読出し動作そのものは
これらアドレス系のハード障害の有無に関係なく一見正
常に行われる。このようなアドレス系のハード障害を検
出するためには、メモリの全アドレスについて異なるデ
−夕で書込み議出しの試験を行う必要があり、時間がか
かりすぎるため、通常のデータ処理は中断される。そこ
で、アドレス分配部5に入力されるアドレスデー外ま他
のパリティ発生器9にも入力され、それにより発生した
チェックビットをアドレス分配部5に入力されたデータ
に付加し、アドレス分配部5から出力されたアドレスデ
ータを他のパリティチェック回路11でチェックする。
このチェックの結果により、アドレス分配部5は正確に
アドレスデータを出力したか杏かがチェックされる。ア
ドレス系の試験を行う従来の方式の他の1例を第2図に
示す。
第2図においては、2つのアドレス分配部5および6が
設けられており、それぞれのアドレス分配部5,6に同
一のアドレスデータADDIないしADDnが入力され
ている。アドレス分配部5および6の出力はアドレス一
致回路13において、一致しているか否かがチェックさ
れる。チェックの結果不一致であれば、アドレス分配部
5,6のいずれかに障害があることがわかる。しかしな
がら、第1図および第2図に示した従来のメモリ試験方
式によれば、前述した如く、メモリー内のアドレス系に
ハード障害がある場合はそのハード障害の識別のために
多大の時間と費用を要する。本発明は短時間にかつ低価
格でアドレス系の障害を含むメモリの障害検出を行うも
のであり、本発明の1実施例を第3図に基づいて説明す
る。
第3図において、本実施例により、8ビットメモリは2
つの4ビットメモリ1一0および1一1に分割されてお
り、第1の4ビットメモリ1−01こはアドレス分配部
5が対応し、第2の4ビットメモリ1−1にはアドレス
分配部6が対応している。アドレス分配部5および6に
は同一のアドレスデータADDIないしADDnが入力
される。入力ハイウェイ15上を伝送されて来る8ビッ
トの書込みデータWDの上位4ビットは、アドレス分配
部5によって指定された第1の4ビットメモリ1−0の
指定アドレスに書込まれ、下位4ビットはアドレス分配
部6によって指定された第2の4ビットメモリー−1の
指定アドレスに書込まれる。8ビットの書込みデータW
Dはまた、従来と同様にパリティ発生回路3に入力され
、書込みデータWDに基づいてチェックビットが形成さ
れる。
このチェックビットは第2の4ビットメモリ1一1に付
加されたチェックビットエリア17の中の、アドレス指
定部6によって指定されたアドレスに書込まれる。メモ
リ1−0および1ーーからのデータの謙出し‘ま、アド
レス分配部5によって第1のメモIJI−0のアドレス
を指定して上位4ビットを議出し、アドレス分配部6に
よって第2のメモリIー1のアドレスを指定して下位4
ビットとチェックビットを読出すことにより行われる。
読出された読出しデータRDは出力ハイウェイに送出さ
れると共に、パリティチェック回路19に入力され、こ
のパリティチェックによりデータ書込みおよび読出しが
正しく行われたか否かがチェックされる。このチェック
により、データの一部がメモリに正しく書込まれなかっ
た場合や書込まれたデータの一部がメモリから正しく読
出されなかった場合に障害が検出されるのみならず、ア
ドレス分配部5または6に障害があってアドレス指定が
正しく行われなかった場合や、メモリー−0または1一
1のいずれかのアドレス系に障害があって指定されたア
ドレス以外のアドレスに対して書込みまたは議出しがさ
れた場合にも障害が検出される。例えば第3図に示され
るように、アドレス分配部5および6に入力されたアド
レスデータがメモリのi番地を指定しようとするもので
ある場合で、アドレス分配部6に障害があってその出力
のアドレスデータがメモリのi番地を指定してしまう場
合または第1のメモリ1−0のアドレス系に障害があっ
てi番地を指定されたにも拘らずj番地が指定された場
合は、パリティチェック回路19においてパリティエラ
ーが発生し、障害が検出される。以上の本発明の実施例
の説明においては、書込みデータを8ビットとし、8ビ
ットのメモリを2つの4ビットメモリに分割したが、本
発明はこれに限るものではなく、他のビット数のデータ
を用いてもよいし、メモリを2つ以上に分割してそれぞ
れにアドレス分配部を対応させてもよい。
以上の説明から明らかなように、本発明により、通常の
データ処理を中断することなく、かつICテスタや試験
プログラムを不要として低価格で、アドレス系の試験を
含むメモリの試験を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリ試験方式の1例を示すブロック線
図、第2図は従来のメモリ試験方式の他の1例を示すブ
ロック線図、第3図は本発明の1実施例によるメモリ試
験方式を示すブロック線図である。 1:メモリ、3,9,19:パリティ発生回路、5,6
:アドレス分配部、7,11:パリティチェック回路、
13:アドレス一致回路、15:入力ハイウエイ、17
:チェックビットエリア。 第1図 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 チエツクビツトを含む複数ビツトのデータが書込み
    、読出しされるメモリ、該メモリへの書込みデータにチ
    エツクビツトを付加するチエツクビツト付加回路、該メ
    モリへの書込みおよび該メモリからの読出しを制御する
    アドレス分配部、および該チエツクビツトを含む読出し
    データの正常性を試験する誤り検出回路を具備するメモ
    リシステムにおいて、該メモリを少なくとも2つに分割
    し、分割されたメモリの1つにのみ該チエツクビツトを
    書込み、前記アドレス分配部を該分割されたメモリの各
    々に1つずつ対応させて設け、該アドレス分配部のすべ
    てに同一のアドレスデータを入力して該分割されたメモ
    リの各々の同一アドレスを指定してデータの書込み・読
    出しを行い、該誤り検出回路は該分割されたメモリのす
    べてからの読出しデータのパリテイチエツクをすること
    により、該メモリおよびアドレス分配部の正常性を試験
    することを特徴とするメモリ試験方式。
JP55107196A 1980-08-06 1980-08-06 メモリ試験方式 Expired JPS6035695B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55107196A JPS6035695B2 (ja) 1980-08-06 1980-08-06 メモリ試験方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55107196A JPS6035695B2 (ja) 1980-08-06 1980-08-06 メモリ試験方式

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5733497A JPS5733497A (en) 1982-02-23
JPS6035695B2 true JPS6035695B2 (ja) 1985-08-16

Family

ID=14452907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55107196A Expired JPS6035695B2 (ja) 1980-08-06 1980-08-06 メモリ試験方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6035695B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4918824B2 (ja) * 2006-08-18 2012-04-18 富士通株式会社 メモリコントローラおよびメモリ制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5733497A (en) 1982-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6636998B1 (en) Semiconductor memory device and parallel bit test method thereof
US5959914A (en) Memory controller with error correction memory test application
US7506226B2 (en) System and method for more efficiently using error correction codes to facilitate memory device testing
EP0451985A2 (en) Built-in self-test technique for content-addressable memories
US20030204795A1 (en) Testing of ECC memories
US4891811A (en) Efficient address test for large memories
US4918693A (en) Apparatus for physically locating faulty electrical components
US5659549A (en) Memory test system having a pattern generator for a multi-bit test
JPS6035695B2 (ja) メモリ試験方式
US5805606A (en) Cache module fault isolation techniques
US7149869B2 (en) Method and apparatus for generating generic descrambled data patterns for testing ECC protected memory
JPS6152758A (ja) メモリのエラ−検出装置
JPH0793225A (ja) メモリチェック方式
JPS585681A (ja) 半導体メモリ試験装置
JPS5911452A (ja) パリテイチエツク回路の試験方式
EP0652568A1 (en) Memory card tester
KR20000000990A (ko) 에러 검출장치
JP2002042485A (ja) 半導体メモリ試験装置
JP3040508B2 (ja) メモリ試験方法
JPH04119434A (ja) パリティ・エラー検出装置
KR0121094B1 (ko) 메모리 테스트 방법
JPH0241119B2 (ja)
JPH0745099A (ja) 半導体集積回路およびその検査方法
JPH04101253A (ja) メモリのecc回路の動作試験方式
JPH0997194A (ja) フェイルメモリのデータ取得装置