JPH0477972B2 - - Google Patents
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- JPH0477972B2 JPH0477972B2 JP60093589A JP9358985A JPH0477972B2 JP H0477972 B2 JPH0477972 B2 JP H0477972B2 JP 60093589 A JP60093589 A JP 60093589A JP 9358985 A JP9358985 A JP 9358985A JP H0477972 B2 JPH0477972 B2 JP H0477972B2
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- Japan
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- track
- thin film
- memory card
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Links
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は光ビームで情報の記録再生を行う光メ
モリーカードの構造に関する。
モリーカードの構造に関する。
＜従来の技術＞
従来、この種の光記録媒体として、例えば
「Laser Card」（商標）（レーザーカード）と称さ
れる光記録カードがある。これの詳細については
刊行物「Proceedings of SPIE Vol.329p61〜
p68」に記載されているが、ここでは第２図に示
す部分断面図により簡単に説明する。
「Laser Card」（商標）（レーザーカード）と称さ
れる光記録カードがある。これの詳細については
刊行物「Proceedings of SPIE Vol.329p61〜
p68」に記載されているが、ここでは第２図に示
す部分断面図により簡単に説明する。
第２図において、２１は透明基体、２２は記録
薄膜、２３は記録薄膜２２の記録感度を向上させ
るための下地層、２４は裏面保護層、２５は記録
再生のためのレーザービーム、２６は記録された
ピツトである。この従来の光記録カードにおける
記録、再生の方法を述べると、まず情報の記録に
ついては、透明基体２１を通して収束したレーザ
ービーム２５を照射し、記録薄膜２２を溶融蒸発
させることにより行う。これによりピツト２６が
できる。ピツト列の形成は、対物レンズを含む光
学系（図示省略）を移動させながら、レーザービ
ーム２５を情報に応じて点滅させることにより行
う。更に、或るピツト列に隣接して他のピツト列
を形成するためには、光学系をピツト列の間隔分
だけずらした後、同じ動作を繰り返す。
薄膜、２３は記録薄膜２２の記録感度を向上させ
るための下地層、２４は裏面保護層、２５は記録
再生のためのレーザービーム、２６は記録された
ピツトである。この従来の光記録カードにおける
記録、再生の方法を述べると、まず情報の記録に
ついては、透明基体２１を通して収束したレーザ
ービーム２５を照射し、記録薄膜２２を溶融蒸発
させることにより行う。これによりピツト２６が
できる。ピツト列の形成は、対物レンズを含む光
学系（図示省略）を移動させながら、レーザービ
ーム２５を情報に応じて点滅させることにより行
う。更に、或るピツト列に隣接して他のピツト列
を形成するためには、光学系をピツト列の間隔分
だけずらした後、同じ動作を繰り返す。
一方、記録した情報の再生については、レーザ
ービームの出力を記録薄膜が溶融しない程度に弱
めておき、記録ピツトによる反射光量の変化を、
ピツト列に沿つて読み取ることにより行う。この
場合、再生におけるピツト列への光学系の位置決
めは、記録した位置へ光学系を移動させることに
より行うが、光記録カードの出し入れ、光学系の
設定位置からのずれ、等により、レーザービーム
の照射位置が記録ピツトからずれ、信号の再生が
行えなくなつたり、あるいは隣接したピツト列の
信号を検出してしまう可能性がある。
ービームの出力を記録薄膜が溶融しない程度に弱
めておき、記録ピツトによる反射光量の変化を、
ピツト列に沿つて読み取ることにより行う。この
場合、再生におけるピツト列への光学系の位置決
めは、記録した位置へ光学系を移動させることに
より行うが、光記録カードの出し入れ、光学系の
設定位置からのずれ、等により、レーザービーム
の照射位置が記録ピツトからずれ、信号の再生が
行えなくなつたり、あるいは隣接したピツト列の
信号を検出してしまう可能性がある。
＜発明が解決しようとする問題点＞
このため従来では、ピツトの大きさ及びピツト
列の間隔をあまり小さくすることができなかつ
た。即ち、ピツトの大きさは10μｍ程度、ピツト
列の間隔は50μｍ程度が下限であり、記録密度と
しては名刺大の光記録カードに約５×106ビツト
である。
列の間隔をあまり小さくすることができなかつ
た。即ち、ピツトの大きさは10μｍ程度、ピツト
列の間隔は50μｍ程度が下限であり、記録密度と
しては名刺大の光記録カードに約５×106ビツト
である。
本発明は上述した従来技術に鑑み、記録と再生
の動作が安定に行えると共に、高記録密度の光メ
モリーカードを提供することを目的とする。
の動作が安定に行えると共に、高記録密度の光メ
モリーカードを提供することを目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞
上記目的を達成する本発明の光メモリーカード
は、カード状の基体に、記録場所を指定するため
の案内溝及び記録薄膜を具備し、前記案内溝は分
岐路を有して１つの幹から複数本の案内溝に分岐
しており、分岐路の選択により前記複数本の案内
溝のうちから情報の記録再生のための所定の案内
溝が検出されることを特徴とするものである。
は、カード状の基体に、記録場所を指定するため
の案内溝及び記録薄膜を具備し、前記案内溝は分
岐路を有して１つの幹から複数本の案内溝に分岐
しており、分岐路の選択により前記複数本の案内
溝のうちから情報の記録再生のための所定の案内
溝が検出されることを特徴とするものである。
＜作用＞
案内溝の幹から分岐点毎に分岐路を選択して、
分岐した複数本の案内溝のうちから任意の案内溝
を検出し、この検出した案内溝に沿つて情報の記
録再生を行う。これにより、ピツト径及びピツト
列間隔を大きくとることなく記録再生の動作が安
定化し、分岐した複数本の案内溝の間隔を小さく
するほど、記録密度が高くなる。分岐した複数本
の案内溝のうち、いずれかの案内溝の記録再生が
終了したのちに他の案内溝を検出するには、幹ま
たは分岐点まで戻つて再び分岐路の選択を行つた
り、あるいは案内溝の間隔毎に移動すれば良い。
分岐した複数本の案内溝のうちから任意の案内溝
を検出し、この検出した案内溝に沿つて情報の記
録再生を行う。これにより、ピツト径及びピツト
列間隔を大きくとることなく記録再生の動作が安
定化し、分岐した複数本の案内溝の間隔を小さく
するほど、記録密度が高くなる。分岐した複数本
の案内溝のうち、いずれかの案内溝の記録再生が
終了したのちに他の案内溝を検出するには、幹ま
たは分岐点まで戻つて再び分岐路の選択を行つた
り、あるいは案内溝の間隔毎に移動すれば良い。
＜実施例＞
第１図に本発明よる光メモリーカードの一実施
例を示す。
例を示す。
第１図においては、１１は透明基体、１２は記
録薄膜、１３は記録薄膜１２の感度を向上させる
ための下地層、１４は記録薄膜１２及び下地層１
３に対する保護層、１５は案内溝、１６は案内溝
１５に沿つて記録したピツトである。案内溝１５
には分岐路１５ａを設け、分岐路をたどることに
より、記録再生を行うべき所定の案内溝１５ｂ
（以下、これをトラツクと称す）に到る構造にな
つている。なお、第１図では分岐を３段としてあ
るが、ｎ段の分岐を設けることにより、2n本のト
ラツクを形成することができる。
録薄膜、１３は記録薄膜１２の感度を向上させる
ための下地層、１４は記録薄膜１２及び下地層１
３に対する保護層、１５は案内溝、１６は案内溝
１５に沿つて記録したピツトである。案内溝１５
には分岐路１５ａを設け、分岐路をたどることに
より、記録再生を行うべき所定の案内溝１５ｂ
（以下、これをトラツクと称す）に到る構造にな
つている。なお、第１図では分岐を３段としてあ
るが、ｎ段の分岐を設けることにより、2n本のト
ラツクを形成することができる。
次に、本発明の光メモリーカードを製造する方
法を説明する。製造は従来の光デイスク製造方法
に類似しており、まずガラス板上にフオトレジス
トによつて所望の案内溝を形成して溝原版を作製
する。即ち、ガラス板上にスピンコートによつて
フオトレジストを所定の厚さに塗布し、次いで、
ガラス板上のフオトレジストの案内溝を形成すべ
き位置を集光レーザービームによつて露光する。
これを現像することにより、案内溝が形成された
原版ができる。
法を説明する。製造は従来の光デイスク製造方法
に類似しており、まずガラス板上にフオトレジス
トによつて所望の案内溝を形成して溝原版を作製
する。即ち、ガラス板上にスピンコートによつて
フオトレジストを所定の厚さに塗布し、次いで、
ガラス板上のフオトレジストの案内溝を形成すべ
き位置を集光レーザービームによつて露光する。
これを現像することにより、案内溝が形成された
原版ができる。
次に、この溝原版に電極用して銀もしくはニツ
ケルを蒸着した後、ニツケル電鋳によつてスタン
パを作製する。次に、このスタンパを用いてアク
リル樹脂等の透明プラスチツク材料に、射出成形
法、2P（フオトポリマ）法等の方法によつて溝を
転写する。これにより、案内溝１５を有する光メ
モリーカードの透明基体１１が得られる。次に、
TeもしくはTe化合物等からなる記録薄膜１２を
透明基体１１に形成し、更に、CS2等の光吸収が
小さく且つ低熱伝導率の物質からなる下地層１３
及びアクリル系光硬化樹脂等のプラスチツク材料
からなる保護層１４を順に形成する。これによ
り、第１図に示した光メモリーカードが得られ
る。
ケルを蒸着した後、ニツケル電鋳によつてスタン
パを作製する。次に、このスタンパを用いてアク
リル樹脂等の透明プラスチツク材料に、射出成形
法、2P（フオトポリマ）法等の方法によつて溝を
転写する。これにより、案内溝１５を有する光メ
モリーカードの透明基体１１が得られる。次に、
TeもしくはTe化合物等からなる記録薄膜１２を
透明基体１１に形成し、更に、CS2等の光吸収が
小さく且つ低熱伝導率の物質からなる下地層１３
及びアクリル系光硬化樹脂等のプラスチツク材料
からなる保護層１４を順に形成する。これによ
り、第１図に示した光メモリーカードが得られ
る。
次に、情報の記録と再生について説明する。本
発明の光メモリーカードにおける記録再生は、従
来の光デイスクの記録再生と同様の方法を適用で
き、例えば半導体レーザーを用いた光学ヘツドに
より、焦点制御及びトラツキング制御をかけて行
う。但し、分岐点における進路選択の機能を記録
再生装置に付加させておく。
発明の光メモリーカードにおける記録再生は、従
来の光デイスクの記録再生と同様の方法を適用で
き、例えば半導体レーザーを用いた光学ヘツドに
より、焦点制御及びトラツキング制御をかけて行
う。但し、分岐点における進路選択の機能を記録
再生装置に付加させておく。
まず記録の際には、第１図において案内溝１５
の幹に当る初期設定位置１５ｃに、記録再生ヘツ
ドが設定され、焦点制御及びトラツキング制御が
かけられる。次に所定のトラツク１５ｂに入るた
めに、ヘツドを溝と平行方向に移動させる。そし
て分岐点に達成すると、予め装置に記録させてお
いた順序に従つて所定の分岐路１５ａに進入する
ように、溝と垂直方向にヘツドがわずかに動くよ
うに信号を加える。この動作を分岐に達する毎に
繰り返すことにより、所定のトラツク１５ｂにヘ
ツドが導入され、情報の記録が可能な状態とな
る。以上のトラツキング動作においては、後述す
る再生の際と同じく、記録薄膜１２が溶融蒸発し
ない程度に、レーザービームの出力を弱めてお
く。
の幹に当る初期設定位置１５ｃに、記録再生ヘツ
ドが設定され、焦点制御及びトラツキング制御が
かけられる。次に所定のトラツク１５ｂに入るた
めに、ヘツドを溝と平行方向に移動させる。そし
て分岐点に達成すると、予め装置に記録させてお
いた順序に従つて所定の分岐路１５ａに進入する
ように、溝と垂直方向にヘツドがわずかに動くよ
うに信号を加える。この動作を分岐に達する毎に
繰り返すことにより、所定のトラツク１５ｂにヘ
ツドが導入され、情報の記録が可能な状態とな
る。以上のトラツキング動作においては、後述す
る再生の際と同じく、記録薄膜１２が溶融蒸発し
ない程度に、レーザービームの出力を弱めてお
く。
かくして所望のトラツク１５ｂにヘツドが導入
されたら、トラツク１５ｂに沿つてヘツドを移動
しながら、記録信号に従つてパルス状にレーザー
ビームの出力を増大させ、記録薄膜１２にピツト
を形成する。
されたら、トラツク１５ｂに沿つてヘツドを移動
しながら、記録信号に従つてパルス状にレーザー
ビームの出力を増大させ、記録薄膜１２にピツト
を形成する。
再生の際には、トラツキング動作は記録の場合
と同様に行い、所定のトラツク１５ｂに達した
ら、ヘツドをトラツク１５ｂに沿つて移動させな
がらピツトによる反射光量の変化を読み取る。
と同様に行い、所定のトラツク１５ｂに達した
ら、ヘツドをトラツク１５ｂに沿つて移動させな
がらピツトによる反射光量の変化を読み取る。
なお記録、再生いずれの場合も、トラツク１５
ｂ間の移動は、 (1) 隣接したトラツクへは、トラツク間隔分だけ
ヘツドを移動させる信号をヘツドに加えるこ
と、また、 (2) 離れたトラツクへは、一旦初期設定位置１５
ｃへヘツドを戻し、再びトラツキング動作を行
うことも可能である。
ｂ間の移動は、 (1) 隣接したトラツクへは、トラツク間隔分だけ
ヘツドを移動させる信号をヘツドに加えるこ
と、また、 (2) 離れたトラツクへは、一旦初期設定位置１５
ｃへヘツドを戻し、再びトラツキング動作を行
うことも可能である。
本発明による光メモリーカードの具体例を説明
する。
する。
具体例 １
ガラス板上にスピンコートによつてフオトレジ
ストを塗布したのち、集束したアルゴンレーザ光
で露光し、現像することによつて深さ700Åの案
内溝を形成した。この際、トラツク幅は0.6μｍ、
トラツク間隔は2.5μｍとし、また12段の分岐を設
けることにより、トラツク数を4096とした。この
溝原版の溝形成部分は幅が10.24mmで、長さは80
mmのストライブ状とした。
ストを塗布したのち、集束したアルゴンレーザ光
で露光し、現像することによつて深さ700Åの案
内溝を形成した。この際、トラツク幅は0.6μｍ、
トラツク間隔は2.5μｍとし、また12段の分岐を設
けることにより、トラツク数を4096とした。この
溝原版の溝形成部分は幅が10.24mmで、長さは80
mmのストライブ状とした。
次にこの溝原版上にニツケルを真空蒸着したの
ち、ニツケル電鋳によつてスタンパを作製した。
次に射出成形法により、ポリカーボネート基板に
溝を転写して、90mm×55mmの名刺大の透明基体１
１を作製した。この透明基体１１の案内溝形成部
分に記録薄膜１２として、CS2・Te薄膜を、プラ
ズマ重合法により400Åの厚さに形成した。更に、
下地層１３としてCS2薄膜をプラズマ重合法によ
つて2000Åの厚さに形成し、次いで保護層１４と
してエポキシ系の光硬化性樹脂を30μｍの厚さに
形成した。
ち、ニツケル電鋳によつてスタンパを作製した。
次に射出成形法により、ポリカーボネート基板に
溝を転写して、90mm×55mmの名刺大の透明基体１
１を作製した。この透明基体１１の案内溝形成部
分に記録薄膜１２として、CS2・Te薄膜を、プラ
ズマ重合法により400Åの厚さに形成した。更に、
下地層１３としてCS2薄膜をプラズマ重合法によ
つて2000Åの厚さに形成し、次いで保護層１４と
してエポキシ系の光硬化性樹脂を30μｍの厚さに
形成した。
かくして得た光メモリーカードを、半導体エー
ザーを用いた記録再生装置にかけてトラツキング
実験を行つたところ、所定のトラツク１５ｂを確
実に検出することができた。
ザーを用いた記録再生装置にかけてトラツキング
実験を行つたところ、所定のトラツク１５ｂを確
実に検出することができた。
次に、トラツク１５ｂ上への信号記録を試みた
ところ、レーザーパワーがカード上で６ｍＷ、パ
ルス幅100nsecで、直径約1μｍのピツトが記録さ
れ、上記寸法の光メモリーカードに1.6×108ビツ
トの情報を記録可能であることが確認された。
ところ、レーザーパワーがカード上で６ｍＷ、パ
ルス幅100nsecで、直径約1μｍのピツトが記録さ
れ、上記寸法の光メモリーカードに1.6×108ビツ
トの情報を記録可能であることが確認された。
更に、コード情報の記録再生を試みたところ、
トラツキング動作及びトラツクに沿つた記録再生
動作を確認でき、且つ良好な品質の再生信号を得
た。
トラツキング動作及びトラツクに沿つた記録再生
動作を確認でき、且つ良好な品質の再生信号を得
た。
具体例 ２
前の具体例１と同様の方法により、トラツク幅
0.6μｍ、トラツク間隔1.6μｍの案内溝原版を作製
した。但し、案内溝の分岐は15段でトラツク数を
32768本とし、55mm×90mmの名刺大のほぼ全面に
トラツクを形成した。
0.6μｍ、トラツク間隔1.6μｍの案内溝原版を作製
した。但し、案内溝の分岐は15段でトラツク数を
32768本とし、55mm×90mmの名刺大のほぼ全面に
トラツクを形成した。
この案内溝原版から具体例１と同様の方法によ
つて光メモリーカードを作製した。かくして得た
光メモリーカードについて具体例１と同様の記録
再生実験を行つたところ、トラツク１５ｂに沿つ
た記録の動作を確認し、1.3×109ビツトの情報を
記録でき且つ良好な品質の再生信号を得た。
つて光メモリーカードを作製した。かくして得た
光メモリーカードについて具体例１と同様の記録
再生実験を行つたところ、トラツク１５ｂに沿つ
た記録の動作を確認し、1.3×109ビツトの情報を
記録でき且つ良好な品質の再生信号を得た。
＜発明の効果＞
本発明の光メモリーカードによれば、案内溝に
沿つて情報の記録、再生を行うことができるた
め、トラツキング動作が容易且つ安定であり、高
密度記録が可能である。特に案内溝が分岐路を有
するので、トラツキング動作が一層容易に且つ安
定になる。
沿つて情報の記録、再生を行うことができるた
め、トラツキング動作が容易且つ安定であり、高
密度記録が可能である。特に案内溝が分岐路を有
するので、トラツキング動作が一層容易に且つ安
定になる。
また、記録方式が光による記録薄膜の穴あけで
あるため、記録の長期安定性に優れている。この
ため、現在使用されている磁気カードに置き替り
得ることはもちろん、パーソナルコンピユータ用
のデータあるいはソフトの記録に用いる等、種々
の応用が可能である。
あるため、記録の長期安定性に優れている。この
ため、現在使用されている磁気カードに置き替り
得ることはもちろん、パーソナルコンピユータ用
のデータあるいはソフトの記録に用いる等、種々
の応用が可能である。
第１図は本発明の一実施例に係る光メモリーカ
ードの構成を示す部分断面図、第２図は従来の光
記録カードの構成を示す部分断面図である。 図面中、１１は透明基体、１２は記録薄膜、１
３は下地層、１４は保護層、１５は案内溝、１５
ａは分岐路、１５ｂはトラツク、１５ｃは初期設
定位置、１６はピツトである。
ードの構成を示す部分断面図、第２図は従来の光
記録カードの構成を示す部分断面図である。 図面中、１１は透明基体、１２は記録薄膜、１
３は下地層、１４は保護層、１５は案内溝、１５
ａは分岐路、１５ｂはトラツク、１５ｃは初期設
定位置、１６はピツトである。
Claims (1)
- １ カード状の基体に、記録場所を指定するため
の案内溝及び記録薄膜を具備し、前記案内溝は分
岐路を有して１つの幹から複数本の案内溝に分岐
しており、分岐路の選択により前記複数本の案内
溝のうちから情報の記録再生のための所定の案内
溝が検出されることを特徴とする光メモリーカー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60093589A JPS61253652A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 光メモリ−カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60093589A JPS61253652A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 光メモリ−カ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253652A JPS61253652A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH0477972B2 true JPH0477972B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=14086478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60093589A Granted JPS61253652A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 光メモリ−カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253652A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193556A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-02 | Tdk Corp | 光カ−ド |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60093589A patent/JPS61253652A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193556A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-02 | Tdk Corp | 光カ−ド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61253652A (ja) | 1986-11-11 |
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