JPS61253652A - 光メモリ−カ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光ビームで情報の記録再生を行う元メモリーカ
ードの構造に関する。

〈従来の技術〉 従来、この種の光記録媒体として１例えばｒＬａｓｅｒ
　ＣａｒｄＪ　（商標）（レーザーカード）と称される
光記録カードがある。これの詳細については刊行物ｒｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　５ＰＩＥ　Ｖｏｌ、３２
９ｐ６１−ｐ６８Ｊに記載されているが、ここでは第２
図に示す部分断面図面の簡単な説明する０ 第２図において、２１は透明基体、２２は記録薄膜、２
３は記録薄膜２２の記録感度を向上させるための下地層
、２４は裏面保護層。

２５は記録再生のためのレーザービーム、２６は記録さ
れたビットである。この従来の光記録カードにおける記
録、再生の方法を述べると、まず情報の記録については
、透明基体２１を通して収束したレーザービーム２５を
照射し、記録薄膜２２を溶融蒸発させることにより行う
。これによりビット２６ができる。ビット列の形成は、
対物レンズを含む光学系（図示省略）を移動させながら
、レーザービーム２５を情報に応じて点滅させることに
より行う。更に、成るピット列に隣接して他のビット列
を形成するためには、光学系をピット列の間隔分だけず
らした後、同じ動作を繰り返す。

一方、記録した情報の再生については、レーザービーム
の出力を記録薄膜が溶融しない程度に弱めておき、記録
ビットによる反射光ｌの変化を、ピット列に沿って読み
取ることによυ行う。この場合、再生におけるピット列
への光学系の位置決めは、記録した位置へ光学系を移動
させることにより行うが１元記録カードの出し入れ、光
学系の設定位置からのずれ、等により、レーザービーム
の照射位置が記録ビットからずれ、信号の再生が行えな
くなったり、あるいは隣接したピット列の信号を検出し
てしまう可能性があるー 〈発明が解決しようとする問題点〉 このため従来では、ビットの大きさ及びピット列の間隔
をあまシ小さくすることができなかった。即ち、ビット
の大きさはｌＯμｍ程度、ピット列の間隔は５０μｍ　
程度が下限であシ、記録密度としては名刺大の元記録カ
ードに約５　Ｘ　１０’ビツトである。

本発明は上述した従来技術に鑑み、記録と再生の動作が
安定に行えると共に、高記録密度の元メモリーカードを
提供することを目的とする。

く問題点を解決する丸めの手段〉 上記目的を達成する本発明の光メモリ−カードは、カー
ド状の基体に、記録場所を指定するための案内溝及び記
録薄膜を具備するものでおシ、好ましくは案内溝が分岐
路を有するものである。

く作　　　用〉 案内溝があることにより、当該案内溝に沿って情報の記
録再生を行えるので、ビット径及びピット列間隔を大き
くとる必要がなくなる。これにより、記録再生の動作が
安定化し、記録密度が高くなる０特に、案内溝が分岐路
を備えるものである場合は１分岐路毎に案内溝選択をく
シかえずことにより、所定の案内溝を容易に検出するこ
とができる。

く実　施　例〉 第１図に本発明↓る光メモリ−カードの一実施例を示す
。

第１図においては、１１は透明基体、１２は記録薄膜、
１３は記録薄膜１２の感度を向上させるための下地層、
１４は記録薄膜１２及び下地層１３に対する保護層、１
５は案内溝、１６は案内溝１５に沿って記録したビット
である。案内溝１５には分岐路１５ａを設け１分岐路を
たどることにより、記録再生を行うべき所定の案内ｍｌ
　５　ｂ　（以下、これをトラックと称す）に到る構造
になっている。

なお、第１図では分岐を３段としであるが。

ｎ段の分岐を設けることにより、２ｎ　本のトラックを
形成することができる０ 次に、本発明の光メモリ−カードを製造する方法を説明
する。製造は従来の元ディスク製造方法に類似しておシ
、まずガラス板上にフォトレジストによって所望の案内
溝を形成して溝原版を作製する。即ち、ガラス−板上に
スピンコードによってフォトレジストを所定の厚さに塗
布し１次いで、がラス板上のフォトレジストの案内溝を
形成すべき位置を集光レーザービームによって露光する
。これを現像することにより、案内溝が形成された原版
ができる。

次に、この溝原版に電極用して銀もしくはニッケルを蒸
着した後、ニッケル電鋳によってスタンバを作製する。

次に、このスタンパを用いてアクリル樹脂等の透明プラ
スチック材料に、射出成形法、２Ｐ（フォトポリマ）法
等の方法によって溝を転写する。これにより、案内溝１
５を有する光メモリ−カードの透明基体１１が得られる
。次に、ＴｅもしくはＴｅ化合物等からなる記録薄膜１
２を透明基体１１に形成し、更に、Ｃ８２等の光吸収が
小さく且つ低熱伝導率の物質からなる下地層１３及びア
クリル系光硬化樹脂等のプラスチック材料からなる保護
層１４を順に形成する。これにより、第１図に示した元
メモリーカードが得られる。

次に、情報の記録と再生について説明する。

本発明の元メモリーカードにおける記録再生線、従来の
元ディスクの記録再生と同様の方法を適用でき１例えば
半導体レーザーを用いた光学ヘッドによυ、焦点制御及
びトラッキング制御をかけて行う。但し、案内溝工５に
分岐路１５ａを有する場合は、分岐点における進路選択
の機能を記録再生装置に付加させれは良い。

まず記録の際には、第１図において案内溝１５の幹に当
る初期設定位＊　１５　ｃに、記録再生ヘッドが設足さ
れ、焦魚制御及びトラッキング制御がかけられる。次に
所定のトランク１５ｂに入るために、ヘッドを溝と平行
方向に移動させる。そして分岐点に達成すると。

予め装置にａご録させておいた順序に従って所定の分岐
路１５ａに進入する　ように、１％と垂直方向にヘッド
がわずかに動くように信号を加える。この動作を分岐に
達する毎に繰シ返すことにより、所足のトランク１５ｂ
にヘッドが導入され、情報の記録が可能な状態となる。

以上のトラッキング動作においては。

後述する再生の際と同じく、記録薄膜１２が溶融蒸発し
ない程度に、レーザービームの出力を勃めておく。

かくして所望のトランク１５ｂにヘッドが導入されたら
、トラック１５ｂに沿ってヘッドを移動しながら、記録
信号に従ってパルス状にレーザービームの出力を増大さ
せ、記録薄膜１２にビットを形成する。

再生の際には、トラッキング動作は記録の場合と同様に
行い、所定のトラック１５ｂに達したら、ヘッドをトラ
ック１５ｂに沿って移動させながらピットによる反射光
量の変化を読み取る。

なお記録、再生いずれの場合も、トランク１５ｂ間の移
動は、 （１）隣接したトラックへは、トラック間隔分だけヘッ
ドを移動させる信号をヘッドに加えること、また。

（２）離れたトラックへは、一旦初期設定位置１５ｃヘ
ヘッドを戻し、再びトラッキング動作を行うことも可能
である。

本発明による元メモリーカードの具体例を説明する。

〔具体例１〕 ガラス板上にスピンコードによってフォトレノストを塗
布したのち、集束したアルゴンレーザ元で露光し、現像
することによって深さ７００Ａの案内篩を形成した。こ
の際、トランク幅は０．６μｍ、トラック間隔は２＊５
ｔｔｍとし、また１２段の分岐を設けることにより、ト
ラック数を４０９６とした。この溝原版の溝形成部分は
幅がＩ　Ｏ，２４ｍで、長さは８０ｍのストライプ状と
した。

次にこの１１！！原版上にニッケルを真９蒸着し九のち
、ニッケル電鋳によってスタンパを作製した。次に射出
成形法により、ポリカーがネート基板に＃ｌを転写して
、９　Ｑ＆Ｘ　５５訪。

の名刺大の透明基体１１を作製した。この透明基体１１
の案内溝形成部分に記録薄膜１２として、Ｃ８２・Ｔｅ
薄膜を、プラズマ重合法により４００ＡＯ洋さに形成し
た。更に、下地ｆ＃１３としてＣ８２薄膜をプラズマ重
合法によって２００ＯＡの厚さに形成し、次いで保護層
１４としてエポキシ系の光硬化性樹脂を３０μｍ　の厚
さに形成した。

かくして得た元メモリーカードを、半導体レーザーを用
いた記録再生装置にかけてトラッキング実験を行ったと
ころ、所定のトラック１５ｂを確実に検出することがで
きた。

次に、トラック１５ｂ上への信号記録を賦与たところ、
レーザーパワーがカード上で６ｎｌＷ、パルス＠　ｌ　
００　ｎ５ｅｃで１直径約１μｍのピントが記録され、
上記寸法の元メモＩＪ−カードに１．６　Ｘ　１０’ビ
ツトの情報を記録可能であることが確認さｎた。

更に、コード情報の記録再生を試みたところ、トラッキ
ング動作及びトランクに沿った記録再生動作を確認でき
、且つ良好な品質の再生信号を得友。

〔具体例２〕 前の具体例１と同様の方法により、トランク幅帆６１１
ｍ、トラック間隔１．６μｍの案内溝原版を作製した。

但し、案内溝の分岐は１５段でトランク数を３２７６８
本とし、５５馳Ｘ９０−の名刺大のほぼ全面にトランク
を形成した。

この案内溝原版から具体例１と同様の方法によって元メ
モリーカードを作製した。かくして得た元メモリーカー
ドについて具体例１と同様の記録再生実験を行ったとこ
ろ、トラック１５ｂに沿った記録の動作を確認し。

１．３　Ｘ　１０’ビツトの情報を記録でき且つ良好な
品質の再生信号を得た。

〈発明の効果〉 本発明の元メモリーカードによれば、案内溝に沿って情
報の記録、再生を行うことができるため、トラッキング
動作が容易且つ安定であシ、高密度記録が可能である。

特に案内溝が分岐路を有する場合は、トラッキング動作
が一層容易に且つ安定になる。

また、記録方式が光による記録？３ｖ膜の穴あけである
ため、記録の長期安定性に優れている。このため、現在
使用されている磁気カードに置き替り得ることはもちろ
ん、パーソナルコンピュータ用のデータあるいはソフト
の記録に用いる等、種々の応用が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る元メモＩＪ　＋カード
の構成を示す部分断面図、第２図は従来の光記録カード
の構成を示す部分断面図でろる。 図　面　中、 １１は透明基体、１２は記録薄膜、Ｉ３は下地層、１４
は保護層、１５は案内溝、１５Ｂは分岐路、１５ｂはト
ラック、１５ｅは初期設定位置、１６はビットである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）カード状の基体に、記録場所を指定するための案
   内溝及び記録薄膜を具備した光メモリーカード。
2. （２）特許請求の範囲第１項において、前記案内溝が分
   岐路を有し、分岐路における案内溝の選択により情報の
   記録再生のための所定の案内溝を検出するようになつて
   いる光メモリーカード。