JPH01171136A

JPH01171136A - 光メモリ素子用基板

Info

Publication number: JPH01171136A
Application number: JP62332647A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ban; 和夫伴; Kenji Ota; 賢司太田; Toshihisa Deguchi; 出口　敏久; Tetsuya Inui; 哲也乾
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1987-12-25
Filing date: 1987-12-25
Publication date: 1989-07-06
Anticipated expiration: 2012-08-06
Also published as: JP2637445B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、レーザ光等の光により情報の記録、再生、お
よび消去等を行うことのできる光メモリ素子に適用され
る光メモリ素子用基板に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、光メモリ素子は、高密度大容量メモリ素子として
注目されている。

このような光メモリ素子は、その機能形態により、再生
専用メモリと、追加記録可能メモリと、書き換え可能メ
モリとの３種類に大別される。

これら光メモリ素子のうち、追加記録可能メモリおよび
書き換え可能メモリとして用いられる光メモリ素子は、
情報の記録、再生、および消去を行う光ビームを光メモ
リ素子の所定の位置に案内するために、通常、ガラスま
たはプラスチックからなる基板に、ガイドトラックと、
そのガイドトラックが何番目のトラックかを識別するた
めのトランク番地とを有している。また、同一トラック
の中を複数のセクターに分けて、情報を管理する場合に
は、あらかじめセクタ一番地等が設けられている。

基板にガイドトラックを形成した構造例としては、例え
ば第３図に示したように、基板１の表面上に互いに平行
に配列された複数の案内溝２・・・を条設し、ガイドト
ラックとなるこれら案内溝２・・・同士の間に形成され
た部位を記録トラック３・・・とじて利用したものが知
られている。このようなガイドトラックをなす案内溝２
・・・、および記録トラック３・・・の形成された光メ
モリ素子用基板においては、トラック番地やセクタ一番
地など予め基板ｌに備えられるべき情報は、上記の記録
トラック３・・・上に複数のピット４・・・からなるピ
ット列を形成することにより、情報の記録および再生等
がなされている。

そして、上記のような案内溝２・・・およびピット４・
・・等の形成された基板１上に、真空蒸着、スパッタリ
ング、スピンコード等の方法により記録媒体を形成し、
また必要に応じて保護用基板等を積層したり、ハードコ
ート剤を塗布するなどして、光メモリ素子が作製される
。

ところで、情報は、レーザ光等の光（光ビームのスポッ
ト径は１．４μｍ）により記録トランク３・・・上に記
録されるので、この記録トラック３・・・と隣接して基
板ｌに形成される案内溝２・・・の形状は、記録した情
報の読み出し信号特性に影響を与える。さらに、上記し
た案内溝２・・・の形状は、高速アクセスに必要なトラ
ックカウント信号特性、および光ビームのスポットを所
定の記録トラック３・・・上に留めておくために必要な
トラックサーボ信号特性にも影響を与える。このような
理由によって、上記した信号特性をすべて満足させるよ
うな案内溝２・・・の溝幅は、通常０．３〜０．５μｍ
程度とされている。

一方、基板１にピット４・・・で形成されたトラック番
地およびセクター等の情報は、レーザ光等の光ビームに
より、ピット４・・・形成箇所での光の回折現象を利用
して読み出される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

光ビームがピット４・・・の形成箇所を通過するときの
反射光量は、第４図（ａ）（ｂ）に示すように変化する
。すなわち、光ビームのスポットが、８点−す点＝Ｃ点
へと移動したとき、光ビームのスポットがピット４・・
・上に位置（ｂ点位置）するときの反射光量■１と、ピ
ット４・・・を外れて位置（ａ点位置およびＣ点位置）
するときの反射光量■４とに大きな差異を生じ、この反
射光量の差を利用して再生信号を得るものであり、この
ような反射光量の差がピット４・・・形成箇所での再生
信号の品質を決定することになる。

ところが、前述したように、記録トランク３・・・にお
けるピット４・・・の両側には、０．３〜０．　５μｍ
程度の溝幅を有する案内溝２・・・が形成されているの
で、ピット４・・・形成箇所での回折効率が低下するこ
とになり、その結果、反射光量の差を大きくとれず、し
たがって良質なピント再生信号が得られないという問題
点を有していた。

このような問題点を解決する方法として、第５図に示す
ように、記録トラック３・・・上にピット４・・・が形
成されていない部位に対応した両側の箇所にのみ案内溝
２・・・を形成し、ピット４・・・が形成されている部
位にはその両側に案内溝を形成しない基板構造が考えら
れる。

しかしながら、上記の基板構造によれば、ピット４・・
・の長さが短い場合には有効であるものの、ピット４・
・・の長さが長く形成されている場合には、第５図に示
すように、光ビームのスポットがピット４・・・上を移
動する間に、３−＋　ｌ）　−＊　Ｃ→ｄへと移動して
所定の記録トラック３・・・上から外れてしまうという
問題を招来することになる。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光メモリ素子用基板は、上記の問題点を解決す
るために、光ビーム用のガイドトラックとなる案内溝が
所定の間隔をおいて互いに平行に配列され、かつ各案内
溝間の記録トランク上にピット列が形成された光メモリ
素子用基板において、上記ピットの両側に形成される案
内溝の長さがピットと同等の長さを有し、かつピット列
のピット同士間における非ピッ）　Ｏｆｆ域の両側には
、上記の案内溝が形成されていないか、若しくはピット
の両側に位置する案内溝よりも溝幅の狭い補助案内溝が
形成されて上記案内溝と補助案内溝とが溝長方向に連設
されていることを特徴としているものである。

〔作　用〕

上記のように、ビット形成領域の両側にこれと同等の長
さを有する案内溝が形成され、かつ非ピッ）　６Ｎ域の
両側には案内溝を形成しないか、若しくは、非ピッ）　
ｐｍ域の両側に溝幅の狭い補助案内溝が形成されている
構造をなしているので、所定の記録トラック上から光ビ
ームのスポットが外れる虞れはなくなる。そのうえ、記
録トラック上に形成されたピット形成領域での光ビーム
の反射光量と、このピットの前後に隣接して形成される
非ピント領域での光ビームの反射光量との差を大きくと
ることができるので、ピットからの再生信号の振幅を大
きく確保することが可能となり、これによって高い品質
の再生信号特性を得ることができることになる。

〔実施例１〕本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。

第１図（ａ）に示すように、ガラス製またはプラスチッ
ク類の基板１０の表面に、光ビーム用のガイドトラック
となる複数の案内溝１１・・・が溝幅方向に所定の間隔
をおいて互いに平行に配列されている。これら案内？！
４１１・・・同士の間には記録トランク１２・・・が形
成される。この各記録トラック１２・・・上には、トラ
ック番地やセクタ一番地など予め基板１０に備えられる
べき情報が記録される複数のピット１３・・・が形成さ
れており、これらピット１３・・・は、所定の間隔をお
いて縦列されていて、これによってピント列が形成され
ている。

上記の各ピット１３・・・は、記録トランク１２・・・
方向に延長した長溝形状に形成されており、少なくとも
各ピット１３・・・の両側には上記案内溝１１・・・が
形成されている。そして、これら各ピット１３・・・と
その両側に形成される案内溝１１・・・とは、同等の長
さを有しており、またピット列におけるピット１３・・
・同士間の非ビット領域の両側には、上記の案内溝１１
・・・が形成されていない構造をなしている。

上記の構成において、レーザ光の光ビームが第１図（ａ
）に示す基板１０の記録トラック１２・・・上を３点−
す点−〇点＝ｄ点へと移動した場合、第１図（ｂ）に示
すように、光ビームのスポットがａ点位置にあるときは
記録トラック１２・・・の両側に案内溝１１・・・が形
成されているので、光ビームの反射光量は■３となる。

次に、光ビームのスポットがｂ点位置に来たときは、記
録トラック１２・・・上にピット１３・・・が形成され
ておらず、しかも記録トラック１２・・・の両側にも案
内溝１１・・・が形成されていない領域に位置している
ので、光ビームの反射光量はＩｔとなり、上記のａ点位
置のときよりも多くの反射光量が得られる。

次に、光ビームのスポットがＣ点位置に来たときは、記
録トラック１２・・・上にピット１３・・・が形成され
、かつその両側に案内溝１１・・・が形成されているの
で、このＣ点位置での反射光量はＩ、となって、上記す
点位置のときよりも反射光量が極端に低下する。

さらに、光ビームのスポットがｄ点位置に来たときには
、上記す点位置のときと同量の反射光量Ｉ２が得られる
。

すなわち、ピット１３・・・の両側にはこれと同等の長
さを有する案内４１１・・・が形成される一方、ビット
列のピット１３・・・同士間における非ピント領域の両
側には案内溝１１・・・が形成されていないので、ピッ
ト１３・・・の形成されている位置に光ビームのスポッ
トが位置しているとき（Ｃ点位置）と、このピット１３
・・・の前後に隣接した非ピット領域に光ビームのスポ
ットが位置しているとき（ｂ点位置およびｄ点位置）と
では、反射光量の差（ｒｚ　−Ｉｔ　’）を最大に大き
くとることが可能となる。これによって、高い品質の再
生信号を得ることができる。

換言すれば、ピット１３・・・の前後に隣接した非ピッ
ト領域（ｂ点位置およびｄ点位置）では、記録トラック
１２・・・上の両側に案内溝１１・・・が形成されてい
る位置（ａ点位置）よりも多（の反射光量（Ｉ　Ｚ　　
　Ｉ　ｆｆ　）を確保できるので、それだけ、ピット１
−３・・・が形成されている位置（Ｃ点位置）での反射
光１　ｒ　＋　との間で大きな差をとることが可能とな
り、これによって高い品質の再生信号が得られるのであ
る。

〔実施例２〕本発明の他の実施例を第２図に基づいて説明す　する。

なお、実施例１と同様の機能を有する部位には同じ符号
を付記して、その説明を省略する。

ピット１３・・・の両側に形成される案内溝１１・・・
の長さがその溝幅方向に隣接するピット１３・・・と同
等の長さを有し、かつピット列のピッ）１３・・・同士
間における非ピットｆｆＩ域の両側には、ピット１３・
・・の両側に位置する案内溝１１・・・よりも溝幅の狭
い補助案内溝１４・・・が形成されており、この補助案
内溝１４・・・と案内溝１１・・・とが溝長方向に連設
されることによって連続した溝形状をなすように構成さ
れている。

上記案内溝１１・・・の溝幅寸法は、具体的には０゜３
〜０．５μｍに設定される一方、補助案内溝１４・・・
の溝幅寸法は、具体的には案内溝１１・・・の溝幅寸法
の７０％程度に設定されるが、その具体的数値を問うも
のではない。

本実施例においては、ピット１３・・・同士間の非ビッ
ト領域の両側に案内溝１１・・・が形成されていない実
施例１の場合に比して、ピット１３・・・同士間での反
射光量が若干低下してピット１３・・・からの再生信号
の振幅も幾らか小さくなるものの、ピット１３・・・同
士間の非ピット領域の両側に形成される溝は、溝幅の狭
い補助案内溝１４・・・であるから、反射光量の減少は
可及的に抑制され、従来例に比してピットからの再生信
号の振幅も十分な大きさを確保することが可能となる。

したがって、従来例に比して、ピット１３・・・同士間
の非ピット領域での反射光量と、ピット１３・・・上で
の反射光量との差を大きくとることができるのである。

本実施例の構造は、特に、ピット１３・・・同士間の距
離が長く設定され、光ビームが移動する間にそのスポッ
トが記録トラック１２・・・上から外れる虞れのある場
合に有効である。

なお、記録トラック１２・・・上に形成されたピット１
３・・・の配列状態に応じて、第１図に示す実施例１の
基板構造と、第２図に示す実施例２の基板構造とを、−
枚の光メモリ素子用基板に併存させてもよいことは勿論
である。

〔発明の効果〕

本発明の光メモリ素子用基板は、以上のように、光ビー
ム用のガイドトラックとなる案内溝が所定の間隔をおい
て互いに平行に配列され、かつ各案内溝間の記録トラッ
ク上にピット列が形成された光メモリ素子用基板におい
て、上記ピットの両側に形成される案内溝の長さがピッ
トと同等の長さを有し、かつピット列のピット同士間に
おける非ピッ）　ＳＪＩ域の両側には、上記の案内溝が
形成されていないか、若しくはピントの両側に位置する
案内溝よりも溝幅の狭い補助案内溝が形成されて上記案
内溝と補助案内溝とが溝長方向に連設されている構成で
ある。

これにより、所定の記録トラック上から光ビームのスポ
ットが外れることはなくなり、しかも、記録トラック上
に形成されたビット形成領域での光ビームの反射光量と
、このピットの前後に隣接して形成される非ピット領域
での光ビームの反射光量との差を大きくとることができ
るので、ピントからの再生信号の振幅を大きく確保する
ことが可能となり、高い品質の再生信号特性を得ること
ができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すものであって、第１図
（ａ）は光メモリ素子用基板の要部平面図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）に対応した光ビームのスポット位置と
反射光量との関係を示すグラフである。第２図は本発明
の他の実施例を示す光メモリ素子用基板の要部平面図で
ある。第３図および第４図は従来例を示すものであって
、第３図は従来例の光メモリ素子用基板を示す要部斜視
図、第４図（ａ）はその要部平面説明図、第４図（ｂ）
は第４図（ａ）に対応した光ビームのスポット位置と反
射光量との関係を示すグラフである。第５図は本発明に
至る過程で案出された基板構造の要部平面図である。１０は基板、１１は案内溝、１２は記録トラ・ツク、１
３はピット、１４は補助案内溝である。１１１ｗＪ（ａ）１１　　ｇ（ｂ）ワ　！し−ガ尤のヒ゛−ムｆｉ装置１２図第３１！ｌ第４＠（ａ）Ｗ、４図（ｂ）レープ′丸のビームイ立置

Claims

【特許請求の範囲】１、光ビーム用のガイドトラックとなる案内溝が所定の
間隔をおいて互いに平行に配列され、かつ各案内溝間の
記録トラック上にピット列が形成された光メモリ素子用
基板において、上記ピットの両側に形成される案内溝の長さがピットと
同等の長さを有し、かつ、ピット列のピット同士間にお
ける非ピット領域の両側には、上記の案内溝が形成され
ていないか、若しくはピットの両側に位置する案内溝よ
りも溝幅の狭い補助案内溝が形成されて上記案内溝と補
助案内溝とが溝長方向に連設されていることを特徴とす
る光メモリ素子用基板。