JPH0244539A

JPH0244539A - 光メモリ素子用基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0244539A
Application number: JP63194164A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ban; 和夫伴; Kenji Ota; 賢司太田; Tetsuya Inui; 哲也乾; Toshiichi Nagaura; 長浦　歳一; Hirotoshi Takemori; 浩俊竹森; Hirotaka Toki; 土岐　弘隆
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1988-08-03
Filing date: 1988-08-03
Publication date: 1990-02-14
Anticipated expiration: 2012-01-29
Also published as: JP2577058B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］本発明は、レーザ光等の光により情報の記録、再生およ
び消去を行う光メモリ素子用基板に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、光メモリ素子は、高密度大容量メモリ素子として
注目されている。このような光メモリ素子は、その機能
形態により再生専用メモリと、追加記録可能メモリと、
書き換え可能メモリとの３種類に大別される。

これら、光メモリ素子のうち、追加記録可能メモリおよ
び書き換え可能メモリとして用いられる光メモリ素子は
、情報の記録、再生および消去を行うための光ビームを
光メモリ素子の所定の位置に案内する必要がある。この
ため、通常は、ガラスまたはプラスチックからなる基板
に、ガイドトラックと、そのガイドトラックが何番目の
トラックかを識別するためのトラック番地を有している
。また、同一トラックの中を複数のセクターに分けて、
情報を管理する場合には、あらかじめセクタ一番地が設
けられている。

基板にガイドトラックを形成した構造例としては、例え
ば、第４図に示すように、基板２１の表面上に互いに平
行に配列され、ガイドトラックとなる複数の案内溝２２
・・・が、案内溝２２・・・同士の間に隆起したランド
２３・・・と交互に配列されたものが知られている。こ
のような案内溝２２・・・の形成された光メモリ素子用
基板においては、トラック番地やセクタ一番地等などあ
らかじめ基板２１上に備えられるべき情報は、基板２１
上の案内溝２２・・・およびランド２３・・・が形成さ
れていない平坦な領域に複数のピット２４・・・からな
るピット列を形成することにより、情報の記録および再
生等がなされている。

そして、上記のような案内溝２２・・・、ランド２３・
・・、およびピット２４・・・が形成された基板２１上
に、真空蒸着、スパッタリング、スピンコード等の方法
により記録媒体を形成し、また、必要に応じて保護用基
板等を積層したり、ハードコート剤等を塗布するなどし
て光メモリ素子が得られる。

ところで、情報は、レーザ光等の光により案内溝２２・
・・上に記録されるので、案内溝２２・・・の形状は、
光ビームのスポットを所定のトラック上に留めておくた
めに必要なトランクサーボ信号特性に大きな影響を与え
る。通常、良質なトラックサーボ信号特性を得るために
基板２１上に形成される案内溝２２・・・の深さは、λ
を光の波長とし、ｎを基板２１の屈折率とすると、λ／
８ｎ付近になるように形成される。一方、ピット２４・
・・は、光ビームのピット２４・・・における回折現象
を利用してトラック番地、セクタ一番地等の情報が読み
取られるように、深さがλ／４ｎ付近に設定されている
。

また、上記のように深さが異なる案内溝２２・・・とピ
ット２４・・・とが形成された光メモリ素子用基板は、
第４図に示すように、基板２１の最上面と、案内溝２２
・・・同士の間に隆起したランド２３・・・の表面とが
同一平面となるように構成されたものが提案されている
。

このような基板２１の作製工程を説明すると、まず、第
５図（ａ）に示すように、ガラス製またはプラスチック
製の基板２５の表面上にピット２４・・・の深さに相当
する厚さに塗布されたレジスト膜２６にレーザ光２７を
照射し、レジスト膜２６に案内溝２２・・・およびピッ
ト２４・・・にそれぞれ対応する案内溝部２６ａ・・・
およびピット部２６ｂ・・・からなるレジストパターン
を形成する。このとき、案内溝部２６ａ・・・を形成す
るレーザ光２７のパワーをピット部２６ｂ・・・を形成
するレーザ光２７のパワーのパワーより小さくすること
により、第５図（ｂ）に示すように、レジスト膜２６に
互いに深さの異なる案内溝部２６ａ・・・とピット部２
６ｂ・・・とが形成゛され、第４図に示すような基板２
１と同様の形状をなす原盤２８が得られる。原盤２８に
おけるピット部２６ｂ・・・は、レジスト膜２６が全て
除去された状態で底面に基板２５の表面が現れている。

一方、案内溝部２６ａは、原盤２８の最上面を基準にピ
ット部２６ｂ・・・よりも浅く形成されるので、その底
面はレジスト膜２６となる。

そして、第５図（Ｃ）に示すように、原盤２８上にＮｉ
等の金属膜をスパッタ、蒸着、電鋳等の手法により形成
して、第５図（ｄ）に示すスタンバ−２９が作製される
。このスタンパ−２９を用いてインジェクション法等に
よりプラスチック製の第４図に示す光メモリ素子用基板
が得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、一般に、上記のような光メモリ素子用基板は
上述した手順により作製されるため、作製の過程におい
て第５図（ｂ）に示すように、レジスト膜２６に形成さ
れた案内溝部２６ａ・・・がピット部２６ｂ・・・より
浅くなり、その底面がピット部２６ｂ・・・のように基
板２５の表面とならずレジスト膜２６となる。基板２５
の表面は、ガラス製やプラスチック製であるから滑らか
であるが、レジスト膜２６は、レーザ光２７の照射等に
よって凹凸が生じている。このため、スタンバ−２９に
おける案内溝２２・・・の底面に相当する部分に凹凸が
転写されて、このスタンパ−２９を用いて作製される光
メモリ素子用基板においても案内溝２２・・・の底面に
凹凸が転写されてしまう。

したがって、このような光メモリ素子用基板の案内溝２
２・・・にレーザ光２７によって書き込まれた情報を再
生した場合、案内溝２２・・・の底面が有する凹凸のた
めに再生信号にノイズが生じてしまい、良質な再生信号
を得ることが困難になるという問題点を存していた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る光メモリ素子用基板は、上記の課題を解決
するために、光ビームを導くためのガイドトラックとな
る複数の案内溝と、隣接する案内溝同士の間に隆起する
ランドとが交互に配列され、かつ、案内溝およびランド
が形成されていない領域に複数のピット列が形成された
光メモリ素子用基板において、案内溝およびピットは、
その底面が同一平面上になるように形成され、かつ、ラ
ンドは、その上面が基板の最上面より低く形成されてい
ることを特徴としている。

〔作　用］光メモリ素子においては、上述のように、案内溝の底面
が有する凹凸が、再生信号に悪影響を及ぼす。そこで、
上記の構成により、案内溝をその底面がピットの底面と
を同一平面上になるように形成すれば、案内溝の底面に
作製の過程においてレジスト膜の凹凸を転写されること
はない。また、これによって案内溝は深くなるが、ラン
ドをその上面が基板の最上面より低い位置になるように
設けることにより、案内溝を所定の深さに保つことがで
きる。したがって、ノイズのない良好な再生信号を得る
ことができ、このような光メモリ素子基板を用いれば、
品質の高い光メモリ素子を得ることができる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。

第１図に示すように、ガラスまたはプラス千ンク等の材
質からなる基板１の表面には、複数の案内溝２・・・と
、複数の案内溝２・・・同士の間に隆起しているランド
３・・・とが交互に配列され、また、基板１の表面にお
ける案内溝２・・・およびランド３・・・が設けられて
いない平坦な領域に複数のピット４・・・がピット列と
して形成されている。これら案内溝２・・・およびピッ
ト４・・・の底面は、基板１の最上面から等距離、すな
わち同一平面上にある。

また、案内溝２・・・の深さｄ、およびピット４・・・
の深さｄ２は、良質なトラックサーボ信号特性やトラッ
ク番地、セクタ一番地等の情報を得るために互いに異な
らせる必要があり、λを光の波長、ｎを基板ｌの屈折率
とすると、通常、ｄ、はおよそλ／８ｎ、ｄｚはλ／８
ｎ〜λ／４ｎ程度になる。このため、ランド３・・・を
基板１の最上面より低くなるように形成して、案内溝２
・・・およびピット４・・・の底面が同一平面上にあっ
ても、案内溝２・・・の深さとピント４・・・の深さと
が異なるようになっている。

このような基板１の作製工程を説明すると、まず、第２
図（ａ）に示すように、ガラス製またはプラスチック製
の基板５にピット４・・・の深さに相当する厚さにレジ
スト膜６を塗布し、レーザ光７を照射することにより感
光させたのち現像を施すと、第２図（ｂ）に示すように
、レジスト膜６において案内溝２・・・、ランド３・・
・およびピット４・・・にそれぞれ対応する案内溝部６
ａ・・・、ピット部６ｂからなるレジストパターンの形
成された原盤８が得られる。

第３図に示すように、レジストパターンにおける案内溝
部６ａ・・・は、基板５を回転させながらランド３・・
・となる領域を挾むように２つのレーザ光９・１０がレ
ジスト膜６上に集光されてスポット９ａ・１０ａとなり
、レジスト膜６を感光した後、現像を施すことにより形
成される。基板５は、１回転を終了するとスポット９ａ
・１０ａがスポット９ｂ・１０ｂの位置になるようにレ
ーザ光９・１０を移動する。このように、案内溝部６ａ
・・・は、基板５が１回転を終了するごとにレーザ光９
・１０を順次移動させることによりスパイラル状に形成
される。このような案内溝部６ａ・・・は、レジスト膜
６に照射されるレーザ光９・１０の強度と現像の時間と
を制御することによりランド３・・・に対応するランド
部６Ｃ・・・の高さ、すなわち案内溝部６ａ・・・の深
さが所定の値に設定される。また、レジストパターンに
おけるピット部６ｂ・・・は、レーザ光１１がレジスト
膜６に集光するスポット１１ａによりレジスト膜６を感
光し形成されるとともに、レーザ光１１の強度を制御す
ることにより所定の深さを得ることができる。

そして、第２図（ｃ）に示すように、上記原盤８上にＮ
ｉ等の金属膜をスパッタ、蒸着、電鋳等の手法により形
成して第５図（ｄ）に示すスタンパ−１２が作製され、
このスタンパ−１２を用いてインジェクション法または
キャスティング法等の成形手段により第１図に示す光メ
モリ素子用基板が得られる。

このように、基板１に形成された案内溝２・・・の底面
は、第２図（ｂ）に示す工程においてピット部６ｂ・・
・の底面と同様に基板５のレジスト膜６の塗布面となっ
ており、凹凸を生じることはない。

なお、基板１に形成される案内溝２・・・の形状は問う
ものでなく、本実施例に示したスパイラル状以外にも、
同心円状等が考えられる。

〔発明の効果］本発明に係る光メモリ素子用基板は、以上のように、光
ビームを導くためのガイドトラックとなる複数の案内溝
と、隣接する案内溝同士の間に隆起するランドとが交互
に配列され、かつ、案内溝およびランドが形成されてい
ない領域に複数のピット列が形成された光メモリ素子用
基板において、案内溝およびピットは、その底面が同一
平面上になるように形成され、かつ、ランドは、その上
面が基板の最上面より低く形成されている構成である。

これにより、案内溝はその底面がピットの底面とを同一
平面上になるように形成されているので、案内溝の底面
に作製の過程においてレジスト膜の凹凸を転写されるこ
とはない。また、案内溝は、ランドの上面を基板の最上
面より低い位置に設けられているので、ピットより浅く
形成することができる。それゆえ、良好なトラックサー
ボ信号特性ならびにノイズのない良好な再生信号を得る
ことができるとともに、このような光メモリ素子基板を
用いることにより、品質の高い光メモリ素子を得ること
ができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は光メモリ素子用基板の要部斜視図、第２
図は光メモリ素子用基板の作製工程の一部を示すもので
あって、第２図（ａ）はレジスト膜を塗布した基板にレ
ーザ光を集光する工程を示す説明図、第２図（ｂ）は基
板上にレジストパターンを形成する工程を示す説明図、
第２図（Ｃ）はレジストパターンが形成された基板に金
属膜を形成する工程を示す説明図、第２図（ｄ）は第２
図（ａ）〜（Ｃ）に示す工程によって得られたスタンパ
−の断面図、第３図は、光メモリ素子用基板の作製工程
において基板上に塗布されたレジスト膜にレーザ光を集
光する工程を示す要部説明図である。第４図および第５図は従来例を示すものであって、第４
図は光メモリ素子用基板の要部斜視図、第５図は光メモ
リ素子用基板の作製工程の一部を示すものであって、第
５図（ａ）はレジスト膜を塗布した基板にレーザ光を集
光する工程を示す説明図、第５図（ｂ）は基板上にレジ
ストパターンを形成する工程を示す説明図、第５図（ｃ
）はレジストパターンが形成された基板に金属膜を形成
する工程を示す説明図、第５図（ｄ）は第５図（ａ）〜
（Ｃ）に示す工程によって得られたスタンパ−の断面図
である。１は基板、２は案内溝、３はランド、４はビ・ソトであ
る。

Claims

【特許請求の範囲】１、光ビームを導くためのガイドトラックとなる複数の
案内溝と、案内溝同士の間に隆起するランドとが交互に
配列され、かつ、案内溝およびランドが形成されていな
い領域に複数のピット列が形成された光メモリ素子用基
板において、案内溝およびピットは、その底面が同一平面上になるよ
うに形成され、かつ、ランドは、その上面が基板の最上
面より低く形成されていることを特徴とする光メモリ素
子用基板。