JP2637445B2 - 光メモリ素子用基板 - Google Patents

光メモリ素子用基板

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JP2637445B2
JP2637445B2 JP62332647A JP33264787A JP2637445B2 JP 2637445 B2 JP2637445 B2 JP 2637445B2 JP 62332647 A JP62332647 A JP 62332647A JP 33264787 A JP33264787 A JP 33264787A JP 2637445 B2 JP2637445 B2 JP 2637445B2
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哲也 乾
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光等の光により情報の記録、再生、
および消去等を行うことのできる光メモリ素子に適用さ
れる光メモリ素子用基板に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、光メモリ素子は、高密度大容量メモリ素子とし
て注目されている。
このような光メモリ素子は、その機能形態により、再
生専用メモリと、追加記録可能メモリと、書き換え可能
メモリとの3種類に大別される。
これら光メモリ素子のうち、追加記録可能メモリおよ
び書き換え可能メモリとして用いられる光素子は、情報
の記録、再生、および消去を行う光ビームを光メモリ素
子の所定の位置に案内するために、通常、ガラスまたは
プラスチックからなる基板に、ガイドトラックと、その
ガイドトラックが何番目のトラックかを識別するための
トラック番地とを有している。また、同一トラックの中
を複数のセクターに分けて、情報を管理する場合には、
あらかじめセクター番地等が設けられている。
基板にガイドトラックを形成した構造例としては、例
えば第3図に示したように、基板1の表面上に互いに平
行に配列された複数の案内溝2…を条設し、ガイドトラ
ックとなるこれら案内溝2…同士の間に形成された部位
を記録トラック3…として利用したものが知られてい
る。このようなガイドトラックをなす案内溝2…、およ
び記録トラック3…の形成された光メモリ素子用基板に
おいては、トラック番地やセクター番地など予め基板1
に備えられるべき情報は、上記の記録トラック3…上に
複数のピット4…からなるピット列を形成することによ
り、情報の記録および再生等がなされている。
そして、上記のような案内溝2…およびピット4…等
の形成された基板1上に、真空蒸着、スパッタリング、
スピンコート等の方法により記録媒体を形成し、また必
要に応じて保護用基板等を積層したり、ハードコート剤
を塗布するなどして、光メモリ素子が作製される。
ところで、情報は、レーザ光等の光(光ビームのスポ
ット径は1.4μm)により記録トラック3…上に記録さ
れるので、この記録トラック3…と隣接して基板1に形
成される案内溝2…の形状は、記録した情報の読み出し
信号特性に影響を与える。さらに、上記した案内溝2…
の形状は、高速アクセスに必要なトラックカウント信号
特性、および光ビームのスポットを所定の記録トラック
3…上に留めておくために必要なトラックサーボ信号特
性にも影響を与える。このような理由によって、上記し
た信号特性をすべて満足させるような案内溝2…の溝幅
は、通常0.3〜0.5μm程度とされている。
一方、基板1にピット4…で形成されたトラック番地
およびセクター等の情報は、レーザ光等の光ビームによ
り、ピット4…形成箇所での光の回折現象を利用して読
み出される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
光ビームがピット4…の形成箇所を通過するときの反
射光量は、第4図(a)(b)に示すように変化する。
すなわち、光ビームのスポットが、a点→b点→c点へ
と移動したとき、光ビームのスポットがピット4…上に
位置(b点位置)するときの反射光量I1と、ピット4…
を外れて位置(a点位置およびc点位置)するときの反
射光量I4とに大きな差異を生じ、この反射光量の差を利
用して再生信号を得るものであり、このような反射光量
の差がピット4…形成箇所での再生信号の品質を決定す
ることになる。
ところが、前述したように、記録トラック3…におけ
るピット4の両側には、0.3〜0.5μm程度の溝幅を有す
る案内溝2…が形成されているので、ピット4…形成箇
所での回折効率が低下することになり、その結果、反射
光量の差を大きくとれず、したがって良質なピット再生
信号が得られないという問題点を有していた。
このような問題点を解決する方法として、第5図に示
すように、記録トラック3…上にピット4…が形成され
ていない部位に対応した両側の箇所にのみ案内溝2…を
形成し、ピット4…が形成されている部位にはその両側
に案内溝を形成しない基板構造が考えられる。
しかしながら、上記の基板構造によれば、ピット4…
の長さが短い場合には有効であるものの、ピット4…の
長さが長く形成されている場合には、第5図に示すよう
に、光ビームのスポットがピット4…上を移動する間
に、a→b→c→dへと移動して所定の記録トラック3
…上から外れてしまうという問題を招来することにな
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本第1発明に係る光メモリ素子用基板は、上記の問題
点を解決するために、光ビーム用のガイドトラックとな
る案内溝が所定の間隔をおいて互いに平行に配列され、
かつ各案内溝間の記録トラック上に予め備えられるべき
情報に対応するピット列が形成された光メモリ素子用基
板において、上記ピットの両側に上記ピットと同等の長
さを有する案内溝が形成されている一方、ピットの前後
に隣接して形成される非ピット領域の両側には上記の案
内溝が形成されていないことを特徴としているものであ
る。
また、本第2発明に係る光メモリ素子用基板は、上記
の問題点を解決するために、光ビーム用のガイドトラッ
クとなる案内溝が所定の間隔をおいて互いに平行に配列
され、かつ各案内溝間の記録トラック上に予め備えられ
るべき情報に対応するピット列が形成された光メモリ素
子用基板において、上記ピットの両側に上記ピットと同
等の長さを有する案内溝が形成され、かつ、ピットの前
後に隣接して形成される非ピット領域の両側に上記の案
内溝よりも溝幅の狭い補助案内溝が形成されていること
を特徴としているものである。
〔作 用〕
本第1発明の構成によれば、上記のように、ピットの
両側にこれと同等の長さを有する案内溝が形成されてい
るので、光ビームは所定の記録トラックから外れること
なく記録トラック上にスポット照射される。これによ
り、上記記録トラック上に形成されたピットからの再生
信号を確実に得ることができる。
また、ピットの前後に隣接して形成される非ピット領
域の両側には上記案内溝が形成さてれいないので、上記
非ビット領域での光ビームの反射光量は、上記非ピット
領域の両側に上記案内溝が形成された場合よりも多くな
る。これにより、記録トラック上に形成されたピットで
の光ビームの反射光量と、このピットの前後に隣接して
形成される非ピット領域での光ビームの反射光量との差
が大きくなる。その結果、ピットからの再生信号の振幅
を大きく確保することが可能となり、高品質の再生信号
特性を得ることができる。
本第2発明の構成によれば、ピットの両側にこれと同
等の長さを有する案内溝が形成されているので、光ビー
ムは所定の記録トラックから外れることなく記録トラッ
ク上にスポット照射される。これにより、上記と同様、
上記記録トラック上に形成されたピットからの再生信号
を確実に得ることができる。
特に、上記構成によれば、ピットの前後に隣接して形
成される非ピット領域の両側に、上記の案内溝よりも溝
幅の狭い補助案内溝が形成されているので、例えばピッ
ト同士間の距離が長く設定されている場合でも、光ビー
ムが所定の記録トラックから外れるようなことがなく、
記録トラック上に形成されたピットからの再生信号を確
実に得ることができる。
また、上記非ピット領域の両側に上記補助案内溝が形
成されているので、上記非ピット領域での光ビームの反
射光量は、上記非ピット領域の両側に上記案内溝が形成
されない上述の第1発明に比べると若干低下するが、上
記非ピット領域の両側に案内溝が形成された従来の場合
と比べると確実に多くなる。これにより、記録トラック
上に形成されたピットでの光ビームの反射光量と、この
ピットの前後に隣接して形成される非ピット領域での光
ビームの反射光量との差が従来よりも大きくなる。その
結果、従来に比べ、ピットからの再生信号の振幅を大き
く確保することが可能となり、高品質の再生信号特性を
得ることができる。
〔実施例1〕 本発明の一実施例を第1図に基づいて説明すれば、以
下の通りである。
第1図(a)に示すように、ガラス製またはプラスチ
ック製の基板10の表面に、光ビーム用のガイドトラック
となる複数の案内溝11…が溝幅方向に所定の間隔をおい
て互いに平行に配列されている。これら案内溝11…同士
の間には記録トラック12…が形成される。この各記録ト
ラック12…上には、トラック番地やセクター番地など予
め基板10に備えられるべき情報が記録される複数のピッ
ト13…が形成されており、これらピット13…は、所定の
間隔をおいて縦列されていて、これによってピット列が
形成されている。
上記の各ピット13…は、記録トラック12…方向に延長
した長溝形状に形成されており、少なくとも各ピット13
…の両側には上記案内溝11…が形成されている。そし
て、これら各ピット13…とその両側に形成される案内溝
11…とは、同等の長さを有しており、またピット列にお
けるピット13…同士間の非ピット領域の両側には、上記
の案内溝11…が形成されていない構造をなしている。
上記の構成において、レーザ光の光ビームが第1図
(a)に示す基板10の記録トラック12…上をa点→b点
→c点→d点へと移動した場合、第1図(b)に示すよ
うに、光ビームのスポットがa点位置にあるときは記録
トラック12…の両側に案内溝11…が形成されているの
で、光ビームの反射光量はI3となる。
次に、光ビームのスポットがb点位置に来たときは、
記録トラック12…上にピット13…が形成されておらず、
しかも記録トラック12…の両側にも案内溝11…が形成さ
れていない領域に位置しているので、光ビームの反射光
量はI2となり、上記のa点位置のときよりも多くの反射
光量が得られる。
次に、光ビームのスポットがc点位置に来たときは、
記録トラック12…上にピット13…が形成され、かつその
両側に案内溝11…が形成されているので、このc点位置
での反射光量はI1となって、上記b点位置のときよりも
反射光量が極端に低下する。
さらに、光ビームのスポットがd点位置に来たときに
は、上記b点位置のときと同量の反射光量I2が得られ
る。
すなわち、ピット13…の両側にはこれと同等の長さを
有する案内溝11…が形成される一方、ピット列のピット
13…同士間における非ピット領域の両側には案内溝11…
が形成されていないので、ピット13…の形成されている
位置に光ビームのスポットが位置しているとき(c点位
置)と、このピット13…の前後に隣接した非ピット領域
に光ビームのスポットが位置しているとき(b点位置お
よびd点位置)とでは、反射光量の差(I2−I1)を最大
に大きくとることが可能となる。これによって、高い品
質の再生信号を得ることができる。
換言すれば、ピット13…の前後に隣接した非ピット領
域(b点位置およびd点位置)では、記録トラック12…
上の両側に案内溝11…が形成されている位置(a点位
置)よりも多くの反射光量(I2−I3)を確保できるの
で、それだけ、ピット13…が形成されている位置(c点
位置)での反射光量I1との間で大きな差をとることが可
能となり、これによって高い品質の再生信号が得られる
のである。
〔実施例2〕 本発明の他の実施例を第2図に基づいて説明する。な
お、実施例1と同様の機能を有する部位には同じ符号を
付記して、その説明を省略する。
ピット13…の両側に形成される案内溝11…の長さがそ
の溝幅方向に隣接するピット13…と同等の長さを有し、
かつピット列のピット13…同士間における非ピット領域
の両側には、ピット13…の両側に位置する案内溝11…よ
りも溝幅の狭い補助案内溝14…が形成されており、この
補助案内溝14…と案内溝11…とが溝長方向に連設される
ことによって連続した溝形状をなすように構成されてい
る。
上記案内溝11…の溝幅寸法は、具体的には0.3〜0.5μ
mに設定される一方、補助案内溝14…の溝幅寸法は、具
体的には案内溝11…の溝幅寸法の70%程度に設定される
が、その具体的数値を問うものではない。
本実施例においては、ピット13…同士間の非ピット領
域の両側に案内溝11…が形成されていない実施例1の場
合に比して、ピット13…同士間での反射光量が若干低下
してピット13…からの再生信号の振幅も幾らか小さくな
るものの、ピット13…同士間の非ピット領域の両側に形
成される溝は、溝幅の狭い補助案内溝14…であるから、
反射光量の減少は可及的に抑制され、従来例に比してピ
ットからの再生信号の振幅も十分な大きさを確保するこ
とが可能となる。したがって、従来例に比して、ピット
13…同士間の非ピット領域での反射光量と、ピット13…
上での反射光量との差を大きくとることができるのであ
る。
本実施例の構造は、特に、ピット13…同士間の距離が
長く設定され、光ビームが移動する間にそのスポットが
記録トラック12…上から外れる虞れのある場合に有効で
ある。
なお、記録トラック12…上に形成されたピット13…の
配列状態に応じて、第1図に示す実施例1の基板構造
と、第2図に示す実施例2の基板構造とを、一枚の光メ
モリ素子用基板に併存させてもよいことは勿論である。
〔発明の効果〕
本第1発明に係る光メモリ素子用基板は、以上のよう
に、光ビーム用のガイドトラックとなる案内溝が所定の
間隔をおいて互いに平行に配列され、かつ各案内溝間の
記録トラック上に予め備えられるべき情報に対応するピ
ット列が形成された光メモリ素子用基板において、上記
ピットの両側に上記ピットと同等の長さを有する案内溝
が形成されている一方、ピットの前後に隣接して形成さ
れる非ピット領域の両側には上記の案内溝が形成されて
いない構成である。
これにより、所定の記録トラック上から光ビームのス
ポットが外れることはなくなり、しかも、記録トラック
上に形成されたピットでの光ビームの反射光量と、この
ピットの前後に隣接して形成される非ピット領域での光
ビームの反射光量との差を大きくとることができるの
で、ピットからの再生信号の振幅を大きく確保すること
が可能となり、高い品質の再生信号特性を得ることがで
きるという効果を奏する。
また、本第2発明に係る光メモリ素子用基板は、以上
のように、光ビーム用のガイドトラックとなる案内溝が
所定の間隔をおいて互いに平行に配列され、かつ各案内
溝間の記録トラック上に予め備えられるべき情報に対応
するピット列が形成された光メモリ素子用基板におい
て、上記ピットの両側に上記ピットと同等の長さを有す
る案内溝が形成され、かつ、ピットの前後に隣接して形
成される非ピット領域の両側に上記の案内溝よりも溝幅
の狭い補助案内溝が形成されている構成である。
これにより、たとえ、ピット同士間の距離が長く設定
されている場合でも、光ビームは所定の記録トラックか
ら外れることなく記録トラック上にスポット照射され
る。しかも、記録トラック上に形成されたピットでの光
ビームの反射光量と、このピットの前後に隣接して形成
される非ピット領域での光ビームの反射光量との差が従
来よりも大きくなる。したがって、上記構成によれば、
ピットからの再生信号の振幅を大きく確保することが可
能となり、従来よりも高い品質の再生信号特性を得るこ
とができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すものであって、第1図
(a)は光メモリ素子用基板の要部平面図、第1図
(b)は第1図(a)に対応した光ビームのスポット位
置と反射光量との関係を示すグラフである。第2図は本
発明の他の実施例を示す光メモリ素子用基板の要部平面
図である。第3図および第4図は従来例を示すものであ
って、第3図は従来例の光メモリ素子用基板を示す要部
斜視図、第4図(a)はその要部平面説明図、第4図
(b)は第4図(a)に対応した光ビームのスポット位
置と反射光量との関係を示すグラフである。第5図は本
発明に至る過程で案出された基板構造の要部平面図であ
る。 10は基板、11は案内溝、12は記録トラック、13はピッ
ト、14は補助案内溝である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乾 哲也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−255846(JP,A) 特開 平1−150247(JP,A) 特開 昭62−78740(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光ビーム用のガイドトラックとなる案内溝
    が所定の間隔をおいて互いに平行に配列され、かつ各案
    内溝間の記録トラック上に予め備えられるべき情報に対
    応するピット列が形成された光メモリ素子用基板におい
    て、 上記ピットの両側に上記ピットと同等の長さを有する案
    内溝が形成されている一方、ピットの前後に隣接して形
    成される非ピット領域の両側には上記の案内溝が形成さ
    れていないことを特徴とする光メモリ素子用基板。
  2. 【請求項2】光ビーム用のガイドトラックとなる案内溝
    が所定の間隔をおいて互いに平行に配列され、かつ各案
    内溝間の記録トラック上に予め備えられるべき情報に対
    応するピット列が形成された光メモリ素子用基板におい
    て、 上記ピットの両側に上記ピットと同等の長さを有する案
    内溝が形成され、かつ、ピットの前後に隣接して形成さ
    れる非ピット領域の両側に上記の案内溝よりも溝幅の狭
    い補助案内溝が形成されていることを特徴とする光メモ
    リ素子用基板。
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