JPS623444A - 光メモリ−カ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は元ビームで情報の記録再生全行なう元メモリー
カードの構造に関する。

く従来の技術〉 従来、この種の光記録カードとしては、例えば、ｒ　Ｉ
、ａｓｅｒ　Ｃａｒｄ　Ｊ　（商標名）と呼ばれるもの
がある。この詳細【ついては、例えば、Ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇｓ　ｏｆ　５ＰＩＥ　Ｖｏｌ、　３２９　Ｐ６１
〜６８に記載されている。この従来の光記録カードの構
造を第３図に示す。＠３図において、１１は透明基体、
１２は記録Ｎ膜、１３は記録薄膜１２の記録感度を向上
させるための下地層、１４は記録薄膜１２および下地層
１３の保護層、１５は記録再生のためのレーザー光、１
６は記録したビットを示す。この従来の光記録カードに
おける記録再生の方法を以下に述べる。まず、情報の記
録は透明基体１１を通して集束したレーザー光を照射し
、記録薄膜１２を溶融蒸発させることによ９行なう。そ
してピット１６列の形成は対物レン、、Ｉ？を含む光学
系を移動させながら、レーザー光を情報に応じて点滅さ
せることによシ行なう。さらに、隣接したピット列を形
成するためには、ピット列の間隔分だけ光学系を移動し
た後、同じ動作をくシ返す。次に、記録した情報の再生
はレーザー光の出口を記録薄膜が溶−しない程度に弱め
て、ピット１６による反射光量の変化をビット列に沿っ
て読み取ることによシ行なう。この従来の光記録カード
の再生において、ビット列への光学系の位置決めは、記
録時と同じ位置へ光学系を移動させることによシ行なわ
れている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、上述した従来の光記録カードにおける光学系の
位置決めは、機椋的な移動のみによって行ない、記録ピ
ットからの反射光による制御機構をもたないため、カー
Ｐの出し入れや光学系の設定位置からのずれ等によシ、
光ビームの照射位置が記録ピットからずれ、信号の再生
が行なえなくなること、あるいは、隣接したビット列の
信号を検出してしまう可能性がある。このため、ピット
の大きさおよびピット間隔をあ″１シ小さくすることは
できない。すなわち、ピットの大きさは１０μｍ１ビツ
ト列の間隔は５０μｍ程度が下限であフ、記録密度とし
ては、名刺大のカードに約５×１０６ビツトである。

本発明は上述した従来技術に鑑み、記録φ再生の動作が
安定に行なえると共に、高記録密度の元メモリーカード
を提供することを目的とする。

〈問題点を解決するだめの手段〉 上述した目的を達成する本発明による光メモリ−カード
は、カード状の透明基体上に記録薄膜を形成した光メモ
リ−カードにおいて、該透明基体上にアドレス情報を記
録したトラックを具備し、各トラックに隣接した部分の
記録薄膜がトラックと直交する方向に複数のビット列と
して情報の記録を行なう情報記録領域であることを特徴
とするものである。

く作　　　用〉 透明基体上にアドレス情報のトラックを具備することに
よシ、焦点制御およびトラックに沿ってトラッキング制
御をかけながら情報の記録再生を行なうことができ、所
定の情報の記録場所を容易に検出できる。

く実　施　例〉 ｖｇ１図、第２図を参照して本発明による光メモリ−カ
ードの一実施例を説明する。第１図は本発明の光メモリ
−カードの構成を示す図であり、第２図はその断面構造
を示す拡大図である。これらの図において、２１はアド
レス情報記録用のトラック、２２はトラック２１への誘
導用の案内溝、２３は記録したビット列、２４は透明基
体、２５は記録薄膜、２６は記録薄膜２５の記録感度を
向上させるための断熱層、２７は記録薄膜２５および断
熱層２６の保護層である。

次に、本発明の光メモリ−カードの製造方法を以下に述
べる。本発明の光メモリ−カーＰの製造方法は従来の光
ディスクの製造方法と類似してお）、まず、ガラス板上
にフォトレジストによシ案内溝およびアドレス情報を記
録し、ガラス原版を作製する。すなわち、ガラス板上に
スピンコード等により、フォトレジストを塗布した後、
集光レーザービームによってフォトレジストの案内溝形
成位置を露光し、さらに、アドレス情報の記録位置を記
録信号に従って露光する。これを現像することによシ、
案内溝およびアドレス情報が記録されたガラス原版が作
られる。アドレス情報の記録形式としては、各トラック
２１を複数のセクタ２８に分割し、各セクタ２８毎にセ
クタの開始位置を示すセクタマークおよびセクタの番地
を示すＩＤ信号を記録し、残シの部分はトラッキングの
ための直流溝としておく。次に、このガラス原版に電極
用として銀もしくはニッケルを蒸着した後、ニッケル電
鋳によってスタンパを作製する。次Ｋ、スタンパを用い
てアクリル樹脂等のプラスチック材料に射出成形法、２
Ｐ（フォト・ポリマ）法等の方法によシ、案内溝および
アドレス情報のトラックを転写し、光メモリ−カードの
透明基体２４が得られる。次に、ＴｅもしくはＴｅ化合
物等からなる記録薄膜２５を形成する。さらに、Ｃ８ｓ
等の光吸収°が小さく且つ低熱伝導率の物質からなる断
熱層２６およびアクリル系光硬化樹脂等のプラスチック
材料からなる保護層２７を形成する。これによシ、本発
明の光メモリ−カーＰが得られる。

次に、本発明の光メモリ−カードによる情報の記録およ
び再生の方法を述べる。本発明の光メモリ−カードにお
ける情報の記録および再生の方法は、従来の光ディスク
の記録Φ再生の方法と類似しておシ、牛導体レーザを用
いた光学ヘッドによシ焦点制御およびトラック制御をか
けて行なう。記録・再生いずれの場合にも、まず、光メ
モリ−カードが装置【装着されると、光学ヘッドは所定
のトラック２１への誘導用の案内溝２２の上にセットさ
れる。本発明の光メモリ−カーＰにおけるトラック２工
の間隔は０．５閣程度であシ、分岐した誘導路２２の間
隔はカーＰ端で５０μｍ程度であるから、機械的な移動
のみで光学ヘラＰを分岐した誘導路２２の間に位置決め
することが可能である。次に焦点制御およびトラック制
御をかけると同時に光学ヘッドをトラック２１と平行方
向に移動させると、光学ヘラＰは誘導用の案内溝２２に
トラッキングされた後、所定のトラック２１に導かれる
。

さらに光学ヘッドは所定のトラック２１上を移動しなが
ら、トラック２１に記録されたアドレス信号を読み取っ
ていく。そして、所定のセクター２８に達したら、その
セクタ２８の先頭に戻って、情報の記録・再生が可能な
状態となる。以上のトラッキング動作は後に述べる再生
の際と同じく、記録薄膜２５が溶融しない程度にレーザ
光の出力を弱めて行なう。

次に、記録の際には、光学ヘッドのトラッキング用ヘッ
ド駆動回路に電圧を加え、光学ヘッドをトラック２１と
垂直方向に移動させながら、記録信号に従ってノξルス
状にレーザ光の出力を増大させ、各トラック２１に隣接
した情報記録領域２９の記録薄膜２５にピットを形成す
る。トラッキング用ヘッド駆動回路によるヘッドの可動
範囲は一般に帆５■程度であるから、ビット列２３の長
さは０．５　ｗｍとする。次のビット列２３を形成する
ためには、最初の記録ピットの位置に戻った後、ピット
列間隔分だけ光学ヘッドをトラック２１と平行方向に移
動した後、同様の動作をくシ返す。以下、同様にして、
ビット列２３を形成することにより、所定のセクタ２８
における記録動作を完了する。

再生の場合には、ビット列２３に沿って光学ヘラＰを移
動しながら、ビットによる反射光量の変化を読み取る。

同一トラック２１上の別のセクタ２８で記録番再生を行
な５ｓ合には、一旦光学ヘッＰをトラック２１上に戻し
、トランク２１に沿ってアドレス信号を読み取っていき
、所定のセクタ２８を検出した後、同様の動作を〈シ返
す。また別のトラック２１へ移動する場合にば、光学ヘ
ッドを所定のトラック２１への誘導用の案内溝２２の上
に移動した後、同様の動作をくシ返す。

ところで、各トラック２１の間のビット列２３が形成さ
れる情報記録領域２９の透明基体２４上に、ト、ラック
２１と直交する方向に情報記録用の案内溝（図示省略）
を予め形成しておくと良い。これによジ、この案内溝上
の記録Ｈ膜２５上に、この案内溝に沿って情報の記録を
行うことができ、記録・再生の動作が更に安定し、且つ
高記録密度化する。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。

〔実施例１〕ガラス板上にスピンコードによりフォトレ
ジストを塗布した後、集束したアルゴンレーザ光で露光
し、現像することにより、案内溝およびアドレス信号を
記録したガラス原版を作製した。案内溝の深さは７００
Ａ１幅は０．６μｍとし、アドレス信号は同寸法で長さ
１μｍの溝の有無として記録した。

トラック間隔は０．５１　ｗｍで１００本のトラックを
形成した。また、トラック長は８０■とし、５ｗごと１
６のセクタに分割した。次に、このガラス原版にニッケ
ルを真空蒸着した後、ニッケル電鋳によυヌタンパを作
製した。次に、射出成形法によシポリカーゼネート基板
に案内溝２２とトラック２１を転写し、９０■Ｘ５５ｍ
の名刺大の透明基体２４を作製した。次に、記録薄膜２
５としてＣ８２・Ｔｅ薄膜をプラズマ重合法により４ｏ
ｏｕの厚さに形成した後、断熱層２６としてＣ８ｚ薄膜
をプラズマ重合法により２０００Ａの厚さに形成した。

さらに、保護層２７としてエポキシ系の光硬化性樹脂を
３０μｍの厚さに形成した。

かくして得た光メモリ−カードを半導体レーザを用いた
記録再生装置に装着し、トラッキング実験を試みた。す
ると、光学ヘッドが所定ノドラック２１にトラッキング
された後、所定のセクタ２８を確実に検出できることを
確認した。所定のセクタ検出に要する時間は１秒以下で
あシ、カードの出し入れに対しても動作は安定であった
。次に、情報記録領域２９への信号記録を試みたところ
、レーザノクワーがカード上で６　ｍＷ　、　ノＲルス
＠１０ｎｓｅｃで直径約１μｍのピットが形成された。

１本のピット列には２５０ビツトの情報が記録され、ピ
ット列の間隔は２．５μｍで１セクタ当たり５Ｘ１０５
ビツト、名刺大の元メモリーカード１枚に８×１０８ビ
ツトの情報を記録可能であることを確認した。さらに、
コード情報の記録再生を試みたところ、情報記録領域で
の記録再生の動作を確認し、かつ、良好な品質の再生信
号を得た。

〔実施例２〕ガラス板上にスピンコードによシフオドレ
ジストを塗布した後、集束したアルゴンレーザ光で露光
し、現像することによシ、案内溝およびアドレス情報を
記録した。

本実施例では誘導用の案内溝２２のほかに、情報記録領
域２９にトラック２１と垂直方向に情報記録用の案内溝
を誘導用案内溝２２と同様に形成した。情報記録用案内
溝のピッチは１．６μｍとし、１セクタ当たり３１２０
本の案内溝を形成し、その他の寸法は〔実施例１〕と同
様とした。以下、〔実施例１〕と同様の方法によシ光メ
モリーカードを作製した。

かくして得た元メモリーカードについて、〔実施例１〕
と同様のトラッキング実験を試みたところ、光学ヘッド
がＰｆｒ定のトラック２１にトラッキングされた後、所
定のセクタ２８を確実に検出できることを確認した。次
に、〔実施例１〕と同様の記録・再生を試みたところ、
情報記録用案内溝に沿った記録・再生の動作を確認し、
かつ、良好な品質の再生信号を得た。本実施例の光メモ
リ−カードには、１セクタ当たり７．８　Ｘ　１０５ビ
ツト、名刺大の光メモリ−カー）′１枚に１．２Ｘ１０
９ビツトの情報が記録可能であった。

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明の元メモリーカードによれ
ば、所定のトラックを検出した後、アドレス信号を記録
したトラックに沿って所定のセクタを検出することがで
きるため、所定の記録・再生場所の検出が容易である。

さらに、トラックに隣接した情報記録領域の部分に、ト
ラッキング用のヘッド駆動信号に電圧を加えてヘッドを
移動させながら記録再生動作を行なうことができるため
、記録・再生の動作が容易で高密度記録が可能であると
いう利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモリ−カードの構成を示す説明図
、第２図は第１図の断面構造を示す拡大図である。第３
図は従来の光記録カードの構造を示す部分断面図である
。 図面中、２１・・・アドレス情報記録用トラック、２２
・・・誘導用の案内溝、２３・・・ピット列、２４・・
・透明基体、２５・・・記録＊ｉ、２６・・・断熱層、
２７・・・保護層、２８・・・セクタ、２９・・・情報
記録領域。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）カード状の透明基体上に記録薄膜を形成した光メ
   モリーカードにおいて、該透明基体上にアドレス情報を
   記録したトラックを具備し各トラックに隣接した部分の
   記録薄膜がトラックと直交する方向に複数のピット列と
   して情報の記録を行なう情報記録領域であることを特徴
   とする光メモリーカード。
2. （２）各トラックに隣接した情報記録領域の透明基体が
   トラックと直交する方向に情報記録用の案内溝を具備し
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光メモ
   リーカード。