JPH05135362A

JPH05135362A - 情報の記録用部材及び記録装置

Info

Publication number: JPH05135362A
Application number: JP3299026A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Miyauchi; 靖宮内; Motoyasu Terao; 元康寺尾; Jiichi Miyamoto; 治一宮本; Shigenori Okamine; 成範岡峯
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1991-11-14
Filing date: 1991-11-14
Publication date: 1993-06-01

Abstract

(57)【要約】【目的】情報を読み出す時間を短くし、かつ大容量のＲ
ＯＭ領域とＲＡＭ領域が混在した情報の記録用部材及び
それに用いる記録装置を提供すること。【構成】ＲＯＭ情報トラック４１間にＲＡＭ情報トラッ
ク４２を設けたため、情報の呼び出し及び記録が瞬時に
かつ確実にできるようになった。また、トラッキング用
の溝及び溝間にも情報が入れられるため、記録容量も大
幅に大きくなった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光等によって、
例えば電子計算機のデータやファクシミリ信号やディジ
タルオーディオ信号等のディジタル情報を再生したり、
あるいはリアルタイムで記録することが可能な情報の記
録用部材及びそれに記録するための記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディジタル画像やディジタルデー
タを記録したＣＤ−ＲＯＭ（再生専用コンパクトディス
ク）の普及が電子出版を中心に急速に進められている。
また、ユーザが情報を記録又は記録の書き換えすること
ができる書き込み可能型光ディスクも最近になって多く
使われるようになってきた。そして、日経エレクトロニ
クス、５３６巻、第３０４頁（１９９１）に記載のよう
に、再生専用（ＲＯＭ）領域と書き込み可能（ＲＡＭ）
領域とが混在した光ディスクの開発が進められている。
このＲＯＭ領域とＲＡＭ領域とが混在した光ディスク
は、ディスクの半径方向に大きく２つに分けてＲＯＭ領
域とＲＡＭ領域とを設けている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のＲＯＭ領域とＲ
ＡＭ領域が混在した光ディスクを用いて、ＲＯＭ領域と
ＲＡＭ領域とを交互に読み出す場合には２つの領域の距
離が離れているため、高速動作が困難であるという問題
があった。また、１つの光ディスクにＲＯＭ領域とＲＡ
Ｍ領域を設けるため、それぞれの容量が少なく、特に、
光ディスクを小型化した場合は容量不足となるという問
題があった。

【０００４】本発明の目的は、情報の呼び出し、記録が
短時間に行うことができ、大容量のＲＯＭ領域とＲＡＭ
領域とが混在した情報の記録用部材を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、そのような情報の記録用部材
に記録を行うための記録装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、（１）エネ
ルギービームの照射によって情報を記録する書き込み可
能領域と情報が記録された再生専用領域とを有する情報
の記録用部材において、上記再生専用領域は、上記情報
の記録用部材の読み出し光との相対的な移動方向に直角
な方向に対して複数設けられ、上記再生専用領域と再生
専用領域との間の少なくとも一部分に書き込み可能領域
が設けられたことを特徴とする情報の記録用部材、
（２）上記１記載の情報の記録用部材において、上記再
生専用領域の少なくとも一部分は、情報信号に応じた凹
部又は凸部を有することを特徴とする情報の記録用部
材、（３）上記１又は２記載の情報の記録用部材におい
て、上記情報の記録用部材の少なくとも一部に、上記再
生専用領域を構成する情報トラックと上記書き込み可能
領域を構成する情報トラックとが交互に配置されたこと
を特徴とする情報の記録用部材、（４）上記１から３の
いずれか一に記載の情報の記録用部材において、上記再
生専用領域を構成する情報トラックと上記書き込み可能
領域を構成する情報トラックは、それぞれアドレス信号
を有することを特徴とする情報の記録用部材、（５）上
記３記載の情報の記録用部材において、サンプルサーボ
方式におけるサーボ信号が少なくとも書き込み可能領域
を構成する情報トラックに設けられたことを特徴とする
情報の記録用部材、（６）上記３記載の情報の記録用部
材において、上記再生専用領域を構成する情報トラック
と上記書き込み可能領域を構成する情報トラックとのト
ラッキングのために溝が設けられ、該溝は隣接する２本
を１対としてスパイラル状に形成されたことを特徴とす
る情報の記録用部材、（７）上記１から４のいずれか一
又は６に記載の情報の記録用部材において、上記再生専
用領域を構成する情報トラックと上記書き込み可能領域
を構成する情報トラックとのトラッキングのために溝が
設けられ、該情報トラックの一方は該溝に、他方は該溝
と溝の間にそれぞれ設けられたことを特徴とする情報の
記録用部材、（８）上記７記載の情報の記録用部材にお
いて、上記情報トラックは、いずれも少なくともその一
部分にアドレス信号を有することを特徴とする情報の記
録用部材、（９）上記８記載の情報の記録用部材におい
て、上記情報トラックの一方に設けられたアドレス信号
の領域と、該情報トラックと隣接する他方の情報トラッ
クに設けられたアドレス信号の領域とは、互いに接しな
い位置に設けられたことを特徴とする情報の記録用部
材、（１０）上記１から９のいずれか一に記載の情報の
記録用部材において、上記再生専用領域を構成する情報
トラックと上記書き込み可能領域を構成する情報トラッ
クの幅は、いずれも情報の読み出し光のビームスポット
の読み出し可能領域の直径より大きいことを特徴とする
情報の記録用部材、（１１）上記１から１０のいずれか
一に記載の情報の記録用部材において、上記書き込み可
能領域が形成されるための記録膜の、上記エネルギービ
ームの入射する側に、エネルギービームの照射によって
エネルギービームの透過率が高くなる色素を含んだ層が
配置されたことを特徴とする情報の記録用部材、（１
２）上記１から１１のいずれか一に記載の情報の記録用
部材において、上記書き込み可能領域が形成されるため
の記録膜がＴｂ−Ｔｅ−Ｃｏを主成分とする光磁気記録
膜であることを特徴とする情報の記録用部材によって達
成される。

【０００６】上記他の目的は、（１３）エネルギービー
ムの照射によって情報を記録する書き込み可能領域と情
報が記録された再生専用領域とを有する情報の記録用部
材に、情報の書き込み、読み出しを行う記録装置におい
て、再生専用領域の所望の情報と該情報が書き始められ
ている位置を収納するメモリ、記録する情報を該メモリ
の内容と比較する手段及び該比較に基づいて記録する情
報の書き始めの位置を決定する手段を有することを特徴
とする記録装置、（１４）上記１３記載の記録装置にお
いて、上記記録する情報の書き始めの位置を決定する手
段は、上記メモリに収納された情報の内の該記録する情
報と関連する情報が書き始められている位置から、エネ
ルギービームの走査方向に対して直角方向の書き込み可
能領域と再生専用領域との幅の合計の１／５以内の範囲
に、上記書き始めの位置を決定する手段であることを特
徴とする情報の記録装置、（１５）エネルギービームの
照射によって情報を記録する書き込み可能領域と情報が
記録された再生専用領域とを有する情報の記録用部材
に、情報の書き込み、読み出しを行う記録装置におい
て、再生専用領域の所望の情報と該情報が書き始められ
ている位置を収納するメモリ、記録する情報を該メモリ
の内容と比較する手段、該比較に基づいて、該メモリに
書き込むための再生専用領域の情報を決定する手段、該
再生専用領域の情報の該メモリへの書き込みを制御する
手段よりなることを特徴とする記録装置によって達成さ
れる。

【０００７】上述のように本発明の情報の記録用部材
は、ＲＯＭ領域とＲＯＭ領域との間の少なくとも一部分
にＲＡＭ領域を設けてある。これにより、ＲＯＭ領域と
ＲＡＭ領域とを交互に読み出す場合においても高速に読
み出すことができ、また、ＲＯＭ領域から情報を再生し
ながら瞬時にＲＡＭ領域に記録することも、ＲＡＭ領域
で情報を編集中に必要な情報をＲＯＭ領域から瞬時に呼
びだすことも可能となった。特に、ＲＡＭ領域に情報を
記録する場合、予めＲＯＭ領域の所望の情報、例えば内
容の目次と目次の各項目に対応する情報を一旦装置内の
半導体メモリ等に記憶しておき、必要に応じてその内容
を読み出して、関連する情報を持ったＲＯＭ領域がディ
スク内に存在する場合にはそのＲＯＭ領域近くのＲＡＭ
領域に記録することが好ましい。

【０００８】また、上記（１）項において、上記再生専
用領域は、上記情報の記録用部材の読み出し光との相対
的な移動方向に直角な方向に対して複数設けられるとい
うことは、情報の記録用部材がディスク状の形態で情報
トラックがスパイラル状の場合、再生専用領域がスパイ
ラル状で連続していても、ディスク一周ごとに別の領域
であるとみなし、複数の再生専用領域が設けられたとす
るものである。つまり、情報の記録用部材の読み出し光
との相対的な移動方向に直角な方向とはディスクの半径
方向であり、この方向に複数の再生専用領域が設けられ
ることをいうものである。

【０００９】新しい情報をそれと関連する情報を持った
ＲＯＭ領域の近くのＲＡＭ領域に記録する場合、関連す
る情報を持ったＲＯＭ領域の先頭の位置から、ＲＡＭ領
域とＲＯＭ領域の幅の合計（エネルギービームの走査方
向に対して直角方向の幅の合計）の１／５以内の範囲で
できるだけ上記先頭の位置に近いところに書き込む方
が、ＲＯＭ情報とＲＡＭ情報の両者間の情報のやり取り
を短時間で行なうことができるため好ましい。特に、１
／１０の範囲内に記録を行なう方が好ましい。

【００１０】また、情報の記録用部材の容量を向上させ
るためには、ＲＯＭ領域を構成する情報トラックとＲＡ
Ｍ領域を構成する情報トラック（以下それぞれＲＯＭ情
報トラック、ＲＡＭ情報トラックという）の少なくとも
一部分が交互に並ぶようにすればよい。この時、好まし
くはＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情報トラックの両方の
少なくとも一部分にアドレス信号を設ける。これにより
情報に応じてどちらの情報トラックへもレーザのビーム
スポットを移動することができる。これは、ＲＯＭ情報
を読む場合にはＲＯＭ情報トラックに、ＲＡＭ情報を読
む場合あるいはＲＡＭ情報トラックに書き込む場合には
ＲＡＭ情報トラックに、命令に応じてビームスポットを
位置決めする制御手段を用いることにより行うことがで
きる。また、サンプルサーボ方式を用いる場合には、少
なくともＲＡＭ情報トラックにサーボ信号を設けること
により、安定にトラッキングをかけることができる。

【００１１】また、ＲＯＭ領域の少なくとも一部分には
情報信号に応じて凸部又は凹部を形成することが好まし
い。例えば、トラッキング用の溝上をＲＡＭ情報トラッ
クとし、溝間をＲＯＭ情報トラックとし、ＲＯＭ情報ト
ラックに情報に応じた凸部又は凹部が形成されていると
き、この凸部又は凹部がある場所では干渉と回折により
反射光量が低くなる。このような形状の差による反射光
量変化を利用する方が再生出力信号を大きくとることが
でき好ましい。

【００１２】連続的なトラッキングガイド（溝等）を用
いる連続サーボ方式をとる光ディスクの場合には、トラ
ックピッチを狭くして、トラック（溝あるいは溝間）１
本おきにＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情報トラックを交
互に設けることにより記録密度を向上させることができ
る。この時、トラッキング用の溝を２本づつ一対にして
スパイラル状に設けた方が好ましい。これにより、例え
ばＲＯＭ情報トラックから情報を読み出すとき、ディス
ク一回転毎にトラックジャンプする必要はなく、そのま
ま同じ情報トラックにトラッキングをかけることができ
る。

【００１３】また、ＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情報ト
ラックの少なくとも一部分を、トラッキング用の溝内
（溝上）及び溝間（溝と溝の間）のどちらかに対応させ
て、それぞれ設けてもよい。この時、光磁気ディスクの
場合は、溝間をＲＡＭ情報トラックとした方が、溝形状
の影響を受けにくいためノイズレベルが小さくて好まし
い。相変化ディスクの場合には、書き換え時の溝形状の
断熱効果により消え残りが小さくすることができるた
め、ＲＡＭ情報トラックをトラッキング用の溝内に設け
た方が好ましい。ここで、ＲＯＭ情報トラックやＲＡＭ
情報トラックの少なくとも一方が数本づつ固まって設け
られていても差し支えない。

【００１４】また、少なくともトラッキング用の溝内及
び溝間の両方にアドレス信号を設けることにより、目的
（命令）に応じてどちらへでもレーザのビームスポット
を移動することができる。これは、例えば、ＲＯＭ情報
を溝内に、ＲＡＭ情報を溝間に対応させている場合、Ｒ
ＯＭ情報を読む場合には溝内に、ＲＡＭ情報を読む場合
あるいはＲＡＭ情報トラックに書き込む場合には溝間
に、また、ＲＯＭ情報を溝間に、ＲＡＭ情報を溝内に対
応させている場合、ＲＯＭ情報を読む場合には溝間に、
ＲＡＭ情報を読む場合あるいはＲＡＭ情報トラックに書
き込む場合には溝内に、命令に応じてビームスポットを
位置決めする制御手段を用いればよい。この時、少なく
とも溝内及び溝間の両方に設けたそれぞれのアドレスの
領域をお互いに接しないようにした。これにより、隣の
アドレス領域からのクロストークがほとんどなくなっ
た。

【００１５】ＲＡＭ情報トラック上にある情報を読み出
す場合、ＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情報トラックが隣
接し、読み出し用のレーザビームのスポット径よりもＲ
ＡＭ情報トラック幅が狭いと、隣接しているＲＯＭ情報
トラックの情報も同時に読み出され、ＲＡＭ情報トラッ
ク上に記録されている情報は読み出し困難となる。この
問題は、与えられた読み出し時のビームスポットの幅よ
りも情報トラックの幅を大きくすることにより解決でき
る。しかし、情報トラックの幅を大きくすることは記録
容量を少なくすることになる。そこで読み出し時のビー
ムスポットにおける読み出し可能領域の幅を読み出そう
とする情報トラック幅よりも小さくすることが好まし
い。ここで、読み出し可能領域とは、ビームスポットの
うち信号を読み出すことができる有効な領域をいい、情
報光強度（記録膜に記録されている情報を読み出した光
の強度）がピークの１／ｅ²以上の領域である。

【００１６】小さいビームスポット径を得るには、発振
波長の短いレーザビームを用いればよい。ビームスポッ
ト径はレーザの波長と比例関係にあり、レーザの発振波
長を短くすることにより、ビームスポット径を小さくで
きる。またレーザとＳＨＧ（ｓｅｃｏｎｄｈａｒｍｏ
ｎｉｃｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）素子を用いて波長を小
さくすることができる。

【００１７】また、この他に情報を読み出すレーザビー
ムのスポット径を見かけ上小さくすれば、隣接するＲＯ
Ｍ情報トラックあるいはＲＡＭ情報トラックの信号が混
合しにくく、望ましい。この方法としては、例えば、Ｒ
ＡＭ情報トラックをトラッキング用の溝内に設け、ＲＯ
Ｍ情報トラックを溝間に設け、ＲＡＭ領域に相変化記録
膜を用いた場合、記録膜のレーザビーム入射側にナフタ
ロシアニン等の色素を含んだ層を配置すればよい。

【００１８】この色素は、あるしきい値を越える程度の
レーザ光が照射されると基底状態にある色素分子が変化
し、それ以上は光を吸収しなくなる性質をもっている。
そのため、読み出し光が照射されていない場所では、色
素の透過率が低いため相変化記録膜に記録されている情
報は読み出すことはできない。そして読み出し光程度の
弱い光の照射を行なうことにより、その中心部分の色素
の透過率が高くなり記録膜に記録した情報が読み出せる
ことになる。ナフタロシアニン色素を含んだ層を用いた
場合、透過率が高くなる領域は、約０．８μｍφ程度で
あり、次に読もうとしている同一トラック上の記録情報
及び隣のＲＯＭ情報トラックの情報は読み出されない。
このため、従来に比べて記録点密度が２倍、線密度が２
倍となり、トータルで容量が４倍となる。ただし、隣の
ＲＯＭ情報トラックにもレーザビームは照射されている
ため、ＲＯＭ情報トラックの凹凸による反射光量変化が
生じクロストークとしてエラーを生じる可能性があるた
め、レーザビームを照射しない時、あるいはレーザビー
ムがしきい値より弱いときディスクの反射率（レーザビ
ームの入射側）がほぼゼロになる様にディスク構造を設
計した。これにより隣の情報トラックからの影響はなく
なった。

【００１９】情報を読み出すレーザビームのスポット径
を見かけ上小さくする他の方法して次のような方法があ
る。ＲＡＭ領域を形成する光磁気記録膜を２層以上の磁
性層で構成し、そのうちの１層を他の層を見えなくする
マスクとして用いる。まず、基板側の磁性層（下の層）
は、保磁力の大きな材料を用い、記録層とする。レーザ
を記録時のパワーで照射したときには、キュリー温度を
超えて磁化を失い、温度が低下するに従って記録用外部
磁界の方向に磁化される。常温に戻ったあとには磁化の
方向を維持する。また、この記録層の上の層は、記録層
に比べてキュリー温度が低く、保磁力も小さい材料を用
い再生層とした。この際再生層は読み出し時のパワーで
十分な時間照射すれば磁化反転が起こる。また、初期化
磁界によっても磁化方向を反転させることができる。

【００２０】読み出しを行なう時には、初期化磁界を使
ってすべての記録膜の記録点を一旦覆う。すなわち、再
生層の磁化を一定の方向に向けて記録膜の磁化の方向が
読み出されないようにする。次に読み出し光による熱を
利用して、ビームスポット径よりも小さい一つの記録点
の上の再生層の部分だけマスクを外し、信号を読み出
す。このように見かけ上ビームスポットを小さくするこ
とにより、容量を大幅に大きくすることができる。

【００２１】この時、隣のＲＯＭ情報トラックにもビー
ムスポットが照射されているが、ＲＡＭ情報トラックか
らの読み出し方法とＲＯＭ情報トラックからの読み出し
方法が異なるためエラーが生じる問題はない。この検出
方法を説明する。まず、光磁気記録膜のＲＡＭ情報トラ
ックに読み出し光を照射すると、磁気信号の方向に対応
して、レーザの反射光の偏光面の方向が、正・逆方向に
わずかに回転する（カー効果）。偏光ビームスプリッタ
により偏光方向によって、このレーザビームの戻り光の
２つの受光素子への配分を変化させる。すなわち、入射
した光が正方向に変化していれば、一方の受光素子に多
くの光を配分し、逆方向に変化していれば、他方の受光
素子に多くの光を分配する。２つの受光素子は、この分
配された光をそれぞれの光量に比例したレベルの電気信
号に変換するため、両受光素子の発生する電気信号レベ
ルの差を計算し、その答えがプラス（正）かマイナス
（負）かにより、信号を読み取る。また、ＲＯＭ情報ト
ラックに形成されているピット（凹部）上に読み出し光
を照射すると、ピットの有無に対応して、反射全光量が
増減する。つまり、ＲＯＭ情報トラックにピットが存在
せず平坦であれば、反射されたレーザビームはそのまま
受光素子に向かうが、レーザビームのスポット内にピッ
トがある場合には、ピットによりレーザビームは回折さ
れ、受光素子に向かう光量は減少する。この増減を、２
つの受光素子が受けた光の量の合計、すなわち、電気信
号の和の増減で、信号を検知する。このように光磁気デ
ィスクの場合には、偏光面回転と光の増減の両信号を読
み取れるピックアップを用いることにより、ＲＯＭ情報
トラックからの情報とＲＡＭ情報トラックからの情報を
分離して検出することが可能である。

【００２２】そのため、例えば従来と同じビームスポッ
ト径でも、ＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情報トラックを
それぞれ溝内及び溝間に対応して設けることにより、容
量を２倍にすることができる。この時、溝内及び溝間の
両方にアドレス信号を設けた場合には、どちらも電気信
号の和の増減でアドレス信号を検出するため、お互いの
アドレス信号の領域を接しないように設ける必要があ
る。

【００２３】このような情報の記録用部材では、ＲＯＭ
情報トラックの情報は混入しないため、従来と同じビー
ムスポット径でも、ＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情報ト
ラックをそれぞれ溝内及び溝間に対応させることによ
り、容量を２倍近くにすることができる。

【００２４】本発明でのＲＡＭ領域が形成されるための
記録膜としては、１回だけ書き込みができるタイプも何
度でも書き換えができるタイプもいずれも用いられる。
例えば、穴あけタイプの記録膜、高速結晶化が可能な結
晶−非晶質相変化光記録膜、非晶質−非晶質間変化を利
用する記録膜、結晶系や結晶粒経の変化等の結晶−結晶
間相変化記録膜及び光磁気記録膜等が用いられるが他の
記録膜を用いてもよい。特に、光磁気記録膜やレーザ光
照射により既存の情報を消去しながら新しい情報を記録
する、いわゆる１ビームオーバーライトが可能な相変化
光記録膜は、本発明に用いるのに適している。

【００２５】例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏを主成分とする
光磁気記録膜、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓのうちより選ばれる少な
くとも１種類の元素を３０〜８５原子％含有するカルコ
ゲン化物、例えばＩｎ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅを主成分とするカルコゲン化物からなる記
録膜、Ｉｎ−Ｓｂを主成分とする記録膜等を用いること
は好ましい。また、これらとは記録原理の異なる記録媒
体を本発明を適用することもできる。

【００２６】また、記録部材の形状は、ディスク状のみ
ならず、テープ状、カード状等の種々の形態ものが使用
可能である。記録用エネルギービームとしてはレーザ光
等の光ビームに限らず、記録膜の性質に応じ、その他電
子ビーム、イオンビーム等のエネルギービームも使用可
能である。

【００２７】本発明に用いるビームスポットの数は１つ
に限らない。例えば、２つのビームスポットを用いるこ
とにより、１つのビームスポットでＲＯＭ領域の情報を
読み出しながらもう１つのビームスポットでリアルタイ
ムでＲＡＭ領域に記録することもできる。また、１つの
ビームスポットで記録再生を行ない、もう１つのビーム
スポットで記録が確実に行なえたかの確認（ベリファ
イ）をすることも可能である。

【００２８】

【作用】本発明では、従来技術のようにディスクをＲＡ
Ｍ領域とＲＯＭ領域とに２分割しないで、ＲＯＭ領域と
ＲＯＭ領域との間の少なくとも一部分にＲＡＭ領域を設
けた。そのためＲＯＭ領域とＲＡＭ領域とが近く、両者
間の情報のやり取りを短時間で行うことができる。さら
に、確実に情報のやり取りを行なうために、ＲＡＭ領域
に記録を行なう場合には、少なくとも関連する情報をも
ったＲＯＭ領域の近くにあるＲＡＭ領域に記録を行う。
この時、関連する情報を持ったＲＯＭ領域の先頭（レー
ザビームの走査方向に対して直角方向の幅の中心）か
ら、ディスク全体におけるＲＡＭ領域とＲＯＭ領域の幅
の合計（レーザビームの走査方向に対して直角方向の幅
の合計）の１／５以内の範囲に記録を行なうことが好ま
しい。特に、１／１０の範囲内に記録を行なうことがよ
り好ましい。この時、ＲＯＭ領域の内容はＲＡＭ領域に
記録を行なう前に、一旦装置内の半導体メモリ等に記憶
させておき、必要に応じてＲＯＭ領域の内容を呼び出
す。

【００２９】本発明の情報の記録用部材では、記憶容量
を増やすために、その少なくとも一部分はＲＯＭ情報ト
ラックとＲＡＭ情報トラックとを交互に配置することが
できる。この場合、情報の内容に応じてそれぞれの情報
トラック間をレーザスポットが瞬時に移動できるよう
に、少なくとも一部分にＲＯＭ情報トラックとＲＡＭ情
報トラックの両方にアドレス信号を設けることが好まし
い。そして、トラッキング用の溝を形成した場合には、
少なくとも一部分に溝内及び溝間の両方にアドレス信号
を設けることにより、例えば、溝間にあるＲＯＭ情報ト
ラックの内容を読んだ後、近くにある溝内のＲＡＭ情報
トラックへレーザスポットを移動させてすぐにかつ確実
に記録することができる。この時、溝内及び溝間のそれ
ぞれのアドレス領域は、隣からのクロストークを防ぐた
めに接しないようにお互いにずらして設ける。また、サ
ンプルサーボ方式によるトラッキングの場合には、サー
ボ信号をＲＡＭ情報トラック上に設けた方が、安定にト
ラッキングをかけることができ好ましい。

【００３０】

【実施例】以下に本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。実施例１図１は、本実施例で用いた、ＲＯＭ領域、ＲＡＭ領域混
在ディスク基板の作製方法を示したものである。

【００３１】まず、光学研磨した厚さ１０ｍｍのガラス
基板１にポジ型ホトレジスト２を塗布し（図１
（ａ））、波長４５７．９ｎｍのアルゴンイオンレーザ
光のパワーを情報の信号に従って変化させることにより
記録する（カッティング）。この時に、各セクターの最
初にセクターマーク、セクターやトラックアドレス等の
情報が入ったアドレスマーク等を記録し、トラッキング
用の溝も記録する（図１（ｂ））。次に、露光部分３
は、現像液で現像することによって溶解し除去され原盤
となる（図１（ｃ））。さらに、原盤上にニッケル層４
をスパッタリング法で形成する（図１（ｄ））。そして
このニッケル層を電極としてニッケルめっきを行って厚
さ約２００μｍの金型（ニッケルスタンパ）５を得る
（図１（ｅ））。このニッケルスタンパ５を型として
（図１（ｆ））、ポリカーボネートの射出成型によりデ
ィスク基板６を作製した（図１（ｇ））。

【００３２】図２は、ディスク基板６の断面を拡大して
模式的に示した斜視図である。トラッキング用の溝間に
ＲＯＭ情報トラック７とＲＡＭ情報トラック８を交互に
設けた場合について示したものである。信号を大きくと
るためＲＯＭ情報トラック７に情報に応じた凹部９を形
成している。

【００３３】次にディスクの作製方法について説明す
る。図３は、本実施例のディスクの構造を示す断面図で
ある。まず、直径１３ｃｍ、厚さ１．１ｍｍのトラッキ
ング用の溝を有する上記ディスク基板６上にマグネトロ
ンスパッタリング法によって厚さ約８０ｎｍのＳｉＮエ
ンハンス層１１を形成した。このＳｉＮエンハンス層１
１上にＴｂＦｅＣｏ系磁気記録膜１２を約２０ｎｍの膜
厚に形成した。次にＳｉＮ層１３を約３５ｎｍの膜厚に
形成した。さらに、この上に真空蒸着法によりでＡｌ反
射層１４を３０ｎｍ蒸着した。さらに、この上に紫外線
硬化樹脂保護層１５を１０μｍ程度設け、磁気ヘッドと
ディスクとの接触によりディスクに傷が付くのを防止し
た。

【００３４】本実施例では、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザ及びＮＡ０．５５の絞り込みレンズを用いて記録・
再生を行った。

【００３５】このディスクへの記録方式は、磁界を入力
信号に従って高速で変調して磁化の方向を強制的に定め
てしまう、「磁界変調オーバーライト方式」を用いた。
すなわち、レーザスポットの位置と同期して移動する磁
気ヘッド１６をディスクを挾んでピックアップと反対側
に設け、磁気ヘッドに流す電流の方向を変化させること
で磁気記録膜１２の磁界方向を変化させる。記録信号
（ヘッド駆動信号）に対応した磁界がレーザスポット付
近に形成されることで、ディスクの書き換え部分がレー
ザスポットから移動してキュリー温度以下に温度が低下
したときに、旧信号の極性にかかわらず、上記の磁界方
向に磁化される。これにより、新しい情報の記録を行な
った。

【００３６】ここで、ＲＡＭ情報トラック上にＲＯＭ情
報トラックの情報の一部分を記録する場合について説明
する。本実施例における装置は、最初にディスク内にど
のような情報があるかを知るために、装置の電源が入る
と同時にディスク内のＲＯＭ領域の内容の目次と目次に
対応する情報が書き始められているディスク上の位置
（アドレス）を読み取り一旦記録装置内の半導体メモリ
に記憶し、そして、このメモリの内容を読み取って、少
なくとも記録しようとする事柄に関連する情報が記録さ
れている領域の先頭の位置を読み出し、その情報トラッ
ク上にレーザスポットを移動させる手段を有している。

【００３７】この時、ＲＯＭ情報トラックはトラック１
本おきに設けられているため、通常のトラッキング用の
溝では１回転ごとに１トラックジャンプしなければ続け
て情報を読むことができない。そこで本実施例では、ト
ラッキング用の溝を対（２本ごと）にして、スパイラル
状に形成したディスク基板を用いた。これにより、ディ
スクの回転ごとに同じ情報トラック上にトラッキングす
ることができるようになっている。

【００３８】つぎに、必要ならばこのＲＯＭ情報の内容
を読み出し、その後これから記録しようとするＲＡＭ情
報トラック上にレーザスポットを移動させた後、上記の
情報を記録した。この時、短時間で情報のやり取りを行
うために、ＲＡＭ情報トラックに記録を行なう場合に
は、少なくとも関連する情報をもったＲＯＭ情報トラッ
クの近くにあるＲＡＭ情報トラックに記録を行った方が
よい。本実施例では、関連する情報を持ったＲＯＭ領域
の先頭から、ディスク全体におけるＲＯＭ領域とＲＡＭ
領域の幅の合計（レーザビームの走査方向に対して直角
方向の幅の合計）の１／５以内の範囲を先頭に記録を行
なう。特に、記録時間を短縮するために１／１０以内の
範囲から記録を行なう方が好ましい。この範囲は以下の
すべての実施例においても同様である。

【００３９】なお、上記の方法は、必要なＲＯＭ情報の
内容を読み出し、ＲＡＭ情報トラック上にこの情報を一
旦記録したが、記録することなく新たに記録しようとす
る内容と混合し、編集して、この内容を上記の位置に記
録してもよい。

【００４０】本実施例では、トラックピッチが１．２μ
ｍと狭いため、ＲＡＭ情報トラックに記録あるいは読み
出し中に、隣のＲＯＭ情報トラックにもビームスポット
が照射されており、ＲＯＭ情報トラックからのクロスト
ークの影響が心配される。特にトラックピッチをさらに
狭くした場合にクロストークが問題となる。しかし、光
磁気記録を行ったディスクでは、磁気記録層からの反射
光全光量を読み出し情報として検出していないため、Ｒ
ＯＭ情報トラックからの反射光光量変化による影響はな
い。これはＲＡＭ情報トラックからの情報とＲＯＭ情報
トラックからの情報のそれぞれの検出方法が異なるため
である。

【００４１】まず、光磁気記録を行ったＲＡＭ情報トラ
ックに読み出し光を照射すると、磁気信号の方向に対応
して、レーザの反射光の偏光面の方向が、正・逆方向に
わずかに回転する（カー効果）。偏光ビームスプリッタ
により偏光方向によって、このレーザビームの戻り光の
２つの受光素子への配分を変化させる。すなわち、入射
した光が正方向に変化していれば、一方の受光素子に多
くの光を配分し、逆方向に変化していれば、他方の受光
素子に多くの光を分配する。２つの受光素子は、この分
配された光をそれぞれの光量に比例したレベルの電気信
号に変換するため、両受光素子の発生する電気信号レベ
ルの差を計算し、その答えがプラス（正）かマイナス
（負）かにより、信号を読み取る。

【００４２】一方、ＲＯＭ情報トラックに形成されてい
るピット（凹部）上に読み出し光を照射すると、ピット
の有無に対応して、反射全光量が増減する。つまり、Ｒ
ＯＭ情報トラックにピットが存在せず平坦であれば、反
射されたレーザビームはそのまま受光素子に向かうが、
レーザビームのスポット内にピットがある場合には、ピ
ットによりレーザビームは回折され、受光素子に向かう
光量は減少する。この増減を、２つの受光素子が受けた
光の量の合計、すなわち、電気信号の和の増減で、信号
を検知する。

【００４３】このように偏光面回転と光の増減の両信号
を読み取れるピックアップを用いることにより、ＲＯＭ
情報トラックからの情報とＲＡＭ情報トラックからの情
報を分離して検出することができた。従って、ＲＯＭ情
報トラックとＲＡＭ情報トラックを大幅に近づけること
ができるため高密度化が容易になる。特に、ＲＯＭ情報
トラックとＲＡＭ情報トラックをそれぞれ溝上及び溝間
に対応して設けることにより、従来と同じビームスポッ
ト径でも、容量を２倍にすることができた。また、ＲＯ
Ｍ情報トラックとＲＡＭ情報トラックをそれぞれ溝間及
び溝上に対応して設けても同様の効果が得られた。スパ
イラル状の情報トラックの場合は、情報トラックの方向
（記録用部材と読み出し光との相対的移動方向）には連
続した領域であるが、これと直角方向は別の領域であ
る、つまり、ディスク一周ごとに別領域であると定義す
る。

【００４４】本実施例では、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザを用いたが、これよりも波長の短いレーザを用いた
りＳＨＧとの組合せにより高密度記録再生が可能であ
る。

【００４５】本実施例ではＲＯＭ情報は光検出器群の和
信号から、ＲＡＭ情報は差信号から取り出すのでクロス
トークを生じにくいが、同じトラックピッチでＲＡＭ情
報を全トラックに記録し、光磁気信号で読み出す場合は
クロストークのために読み出し困難であった。

【００４６】ここで２つのビームスポットを用いること
により、１つのビームスポットでＲＯＭ領域の情報を読
み出しながらもう１つのビームスポットでリアルタイム
でＲＡＭ領域に記録することもできた。また、１つのビ
ームスポットで記録再生を行ない、もう１つのビームス
ポットで記録が確実に行なえたかの確認（ベリファイ）
をすることも可能である。

【００４７】本実施例では、基板上にトラッキング用の
溝を形成したが、サンプルサーボ方式の場合には溝を形
成しなくてもよい。この場合も、ＲＯＭ情報トラックと
ＲＡＭ情報トラックを交互に設けることにより、情報の
やり取りがすばやくできる。また、ＲＯＭ情報トラック
やＲＡＭ情報トラックの少なくとも一方が数本づつ固ま
って設けらても差し支えない。

【００４８】実施例２図４は、本実施例のディスクの構造断面図の一例を示し
たものである。まず、直径１３ｃｍ、厚さ１．１ｍｍの
トラッキング用の溝を有するポリカーボネートのディス
ク基板１７上にマグネトロンスパッタリング法によって
厚さ約１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂保護層１８を形成
した。このＺｎＳ−ＳｉＯ₂保護層１８上にスパッタ法
によりＧｅ₂₂Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₀Ｃｏ₂の組成の相変化型の記
録層１９を約２５ｎｍの膜厚に形成した。次にＺｎＳ−
ＳｉＯ₂の中間層２０を約３０ｎｍの膜厚に形成した。
さらに、この上に同一スパッタリング装置内でＡｌ−Ｃ
ｕ反射層２１を１００ｎｍつけた。さらに、この上に紫
外線硬化樹脂保護層２２を設けた。その後、この上に接
着剤層２３を介して、同じ構造のもう一枚のディスクと
の貼りあわせを行った。

【００４９】図５は、ディスク基板１７の断面を拡大し
て模式的に示した斜視図である。トラッキング用の溝に
ＲＯＭ情報トラック２４とＲＡＭ情報トラック２５を交
互に設けてある。ここでは、信号を大きくとるためＲＯ
Ｍ情報トラック２４に情報に応じた凹部２６を形成して
いる。ＲＯＭ情報は凸部に対応させてもよい。

【００５０】このように作製したディスクには次のよう
にして情報の記録・再生・消去を行った。まず全面結晶
化のため、予めディスクにキセノンランプのフラッシュ
光照射によるフラッシュアニール（短時間での全面結晶
化）を行った。これにより記録膜が結晶化してディスク
の反射率が高くなるため、安定にトラッキングをかける
ことができる。次にディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半導体レーザ（波長６７０ｎｍ）の光を記録が行わ
れないレベルに保って、記録ヘッド中のレンズで集光し
て基板１７を通して記録膜１９に照射し、反射光を検出
することによって、トラッキング用の溝の中心に光スポ
ットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。こ
のようにして溝上にトラッキングを行いながら、さらに
記録膜上に焦点が来るように自動焦点合わせを行い、記
録を行う部分では、情報に応じてレーザパワーを変化さ
せた。記録を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを
下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。な
お、記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続さ
れる。

【００５１】このような記録方法は、ＲＡＭ情報トラッ
クにすでに記録されている部分に対して行っても記録さ
れていた情報が新たに記録した情報に書き換えられる。
すなわち本発明の記録膜を用いれば単一の円形光スポッ
トによるオーバーライトが可能である。

【００５２】ここで、ＲＡＭ情報トラック上にＲＯＭ情
報トラックの情報の一部分を記録する場合について説明
する。本実施例では、予め、両方の情報トラック上にア
ドレス信号を設けている。そして、ディスク内のどの場
所になんの情報があるかを一旦外部メモリである記録装
置の半導体メモリ内に記憶しているため、必要な情報を
すぐ呼び出すことができる。まず、ＲＡＭ情報トラック
に記録しようとしている事柄に関連している情報が設け
られているＲＯＭ領域の先頭のＲＯＭ情報トラックの近
くにレーザスポットが移動し、必要な情報を読み出す。
次に、このＲＯＭ領域の近くの未記録ＲＡＭ領域の先頭
のＲＡＭ情報トラック上にレーザスポットが移動し、上
記読み出した情報を記録した。

【００５３】本実施例では、ＲＡＭ情報トラックでの書
き換え時の消え残りを小さくするために、トラッキング
用の溝の形状としては、溝の底が平坦部分を有している
方が好ましい。またトラッキング用の溝の底部の幅は
０．８μｍ、また溝幅と溝間の平坦部の幅との比は、１
対１とした。

【００５４】トラッキング用の溝の底部の幅は０．６〜
１．０μｍの範囲において良好であり、０．７〜０．９
μｍの範囲において特に良好であることが分かった。ま
た溝幅と溝間の平坦部の幅との比は、１対０．６〜１対
１．７の範囲において良好であり、１対０．８〜１対
１．３の範囲において特に良好であることが分かった。
また、本実施例ではＲＯＭ情報トラック及びＲＡＭ情報
トラックの両方とも溝上に設けたが、溝間に設けても差
し支えない。

【００５５】本実施例では、基板上にトラッキング用の
溝を形成したが、サンプルサーボ方式の場合には溝を形
成しなくてもよい。この場合も、ＲＯＭ情報トラックと
ＲＡＭ情報トラックを交互に設けることにより、情報の
やり取りがすばやくできる。また、ＲＯＭ情報トラック
やＲＡＭ情報トラックの少なくとも一方が数本づつ固ま
って設けらても差し支えない。

【００５６】実施例３本実施例は、情報を読み出すレーザスポット径を見かけ
上小さくして記録容量を増加させた例である。ここで
は、光磁気記録膜について説明する。図６は、本実施例
に用いたディスクの構造と再生原理を示す図である。磁
性層を２層構造としそのうちの１層を他の層を覆うマス
クとして使うことにより高密度化が達成される。まず、
２層の磁性膜のうち、基板側の記録層（図の下の層）２
７には、ＴｂＦｅＣｏ系の保磁力の大きな材料を用い
た。ここで、波長７８０ｎｍの半導体レーザ光を記録時
のパワーで照射したときには、キュリー温度を超えて磁
化を失い、温度が低下するに従って記録用外部磁界の方
向に磁化される。常温に戻ったあとには磁化の方向を維
持する。また再生層（図の上の層）２８にはＧｄＦｅＣ
ｏ系の材料を用いた。この層のキュリー温度は記録層に
比べて低く、保磁力も小さい。読み出し時のパワーで十
分な時間照射すれば記録層２７の磁化によって磁化反転
が起きるように設計した。初期化磁界によっても磁化方
向を反転させることができる。読み出しを行なう時に
は、初期化磁界を使ってすべての記録点をいったん覆
う。次に読み出し光による熱を利用して、ビームスポッ
ト径よりも小さい一つの記録点だけマスクを外し、信号
を読み出す。

【００５７】図６を用いてこの原理を説明する。まず、
上向きに磁化された記録点が初期化磁界（ａ）を通過す
ると、保磁力の小さい再生層２８だけが強制的に下向き
に磁化される（図６のＡの部分）。上向きに磁化された
記録点をマスクしてしまうことになる（図６のＢの部
分）。その領域が再生光スポット（ｃ）の位置にくると
光の照射部分の温度が上昇する。長時間再生光が当たっ
た領域は高温になり、再生層２８の保磁力が弱まる。図
６では、再生スポット（ｃ）の左側にある楕円領域
（ｄ）がその状態にある。この時、記録層２７が上向き
に磁化された記録点であれば、２層間の交換結合力によ
って磁化が再生層２８に転写される（図６のＣの部
分）。図６の再生磁界（ｅ）は、磁化の転写を補助す
る。これで、初期化磁界で作ったマスクをこの部分だけ
外したことになる。

【００５８】再生光スポットの部分に注目すると、長時
間再生光が照射され、保磁力が低下した左側の領域だけ
が磁化の転写によってマスクが外れた状態になってい
る。光スポットの中で、再生光が照射され始めた右側の
領域の記録点は覆われたままである。再生光スポットの
うち記録点読み出しに不要な部分を再生層２８で覆い、
見かけ上有効な光スポット径を小さくしたことになる。

【００５９】本実施例では、サンプルサーボ方式を用い
た場合について説明する。

【００６０】図７は、トラッキング用のマーク対２９と
ＲＯＭ情報トラック３０及びＲＡＭ情報トラック３１の
位置を模式的に示した図である。ここでは、トラッキン
グ用のマーク対２９があるトラックをＲＡＭ情報トラッ
ク３１とし、このＲＡＭ情報トラック間にＲＯＭ情報ト
ラック３０を設けた。ＲＯＭ情報トラック３０には、情
報に応じた凹部を形成してある。そして、トラッキング
の安定性を確保するために、ＲＡＭ情報トラック３１上
にサーボ信号を形成した。

【００６１】本実施例では、予め、ＲＡＭ情報トラック
とＲＯＭ情報トラックの両方にアドレス信号を設けたた
め、ＲＡＭ情報トラックとＲＯＭ情報トラックとの間を
自由にレーザスポットを移動することができる。そして
ディスク内の必要な情報を呼び出したりあるいは半導体
メモリから呼び出すことにより、すぐＲＡＭ情報トラッ
クに記録することができる。また、サーボ信号をＲＡＭ
情報トラックに設けているため、トラッキングは安定で
あった。

【００６２】本実施例では、ＲＡＭ情報トラックに記録
あるいはＲＡＭ情報トラックから読み出し中に、隣のＲ
ＯＭ情報トラックにもビームスポットが照射されてお
り、ＲＯＭ情報トラックからのクロストークの影響が心
配される。しかし、光磁気ディスクではディスクからの
反射光全光量を読み出し情報として検出していないた
め、ＲＯＭ情報トラックからの反射光光量変化による問
題はない。

【００６３】このように見かけ上ビームスポットを小さ
くすることにより、次に読もうとしている同一トラック
上の記録情報及び隣のＲＯＭ情報トラックの情報は読み
出されない。このため、従来に比べて記録点密度が２
倍、線密度が２倍となり、トータルで容量が４倍とな
る。

【００６４】トラッキング用のマークがあるトラックを
ＲＯＭ情報トラックとし、このＲＯＭ情報トラック間に
ＲＡＭ情報トラックを設けても同様の効果が得られた。

【００６５】本実施例では、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザを用いたが、これよりも波長の短いレーザを用いた
りＳＨＧとの組合せによりさらに記録容量を増加するこ
とができる。

【００６６】本実施例では、サンプルサーボ方式につい
ての説明をしたが、トラッキング用の溝によりトラッキ
ングをかける方式にも本発明は適用できる。

【００６７】また、見かけ上ビームスポットを小さくし
なくても、ＲＡＭ情報とＲＯＭ情報との検出方法が異な
るために隣の情報トラックからのクロストークは無く、
従来のビームスポット径でも２倍の記録密度が得られ
た。

【００６８】実施例４本実施例は、情報を読み出すレーザスポット径を見かけ
上小さくして記録容量を増加させた例である。ここで
は、相変化型光記録膜について説明する。図８は、本実
施例のディスクの構造を示す断面図である。まず、直径
６．４ｃｍ、厚さ１．１ｍｍのトラッキング用の溝を有
するポリカーボネート基板３３上にナフタロシアニン色
素が含まれた有機物層３４を３００ｎｍ積層し、その上
にマグネトロンスパッタリング法により厚さ約１２５ｎ
ｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂下部保護層３５を形成した。この
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂保護層３５上にスパッタ法によりＧｅ
₂₂Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₀Ｃｏ₂の組成の記録膜３６を約２０ｎｍ
の膜厚に形成した。次にＺｎＳ−ＳｉＯ₂の中間層３７
を約２１０ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この上に同
一スパッタリング装置内でＮｉ−Ｃｒ反射層３８を５０
ｎｍつけた。さらに、この上に紫外線硬化樹脂保護層３
９を設けた。その後、この上に接着剤層４０を介して、
同じ構造のもう一枚のディスクとの貼りあわせを行っ
た。

【００６９】図９は、基板３３の断面を拡大して模式的
に示した斜視図である。トラッキング用の溝間にＲＯＭ
情報トラック４１を、溝にＲＡＭ情報トラック４２を設
けた場合について示したものである。トラックピッチを
１．６μｍ、ＲＡＭ情報トラック４２の幅を約０．８μ
ｍとした。ここでは、信号を大きくとるためＲＯＭ情報
トラック４１に情報に応じた凹部４３形成されている。

【００７０】本実施例では、予め、ＲＡＭ情報トラック
とＲＯＭ情報トラックの両方にアドレス信号を設けたた
め、ＲＡＭ情報トラックとＲＯＭ情報トラックとの間を
自由にレーザスポットを移動することができる。そして
ディスク内の必要な情報を呼び出したりあるいは半導体
メモリから呼び出すことにより、短時間でＲＡＭ情報ト
ラックに記録することができる。

【００７１】ここで、記録再生原理を説明する。本実施
例では、ナフタロシアニン色素のように、あるしきい値
を越える程度のレーザ光が照射されると基底状態にある
色素が変化し、それ以上は光を吸収しなくなる性質をも
っている色素を使用する。すなわち、読み出し光が照射
されていない場所では、色素の透過率が低いため相変化
型の記録膜３６に記録されている情報は読み出すことは
できない。そして読み出し光程度の弱い光の照射をポリ
カーボネート基板３３、３３′側から行なうことによ
り、レーザビームの中心部分の色素の透過率が高くなり
記録膜に記録した情報が読み出せることになる。この
時、ナフタロシアニン色素を含んだ層を用いた場合透過
率が高くなる領域は、約０．８μｍφ程度であり、次に
読もうとしている同一トラック上の記録情報及び隣のＲ
ＯＭ情報トラックの情報は読み出されない。このため、
従来に比べて記録点密度が２倍、線密度が２倍となり、
トータルで容量が４倍となる。ただし、隣のＲＯＭ情報
トラックにもレーザビームは照射されているため、ＲＯ
Ｍ情報トラックの凹凸による反射光量変化が生じクロス
トークとしてエラーを生じる可能性があるため、レーザ
ビームを照射しない始めの状態のとき、あるいはレーザ
ビームがしきい値より弱いときディスクの反射率（レー
ザビームの入射側）がほぼゼロになる様にディスク構造
を設計した。これにより隣の情報トラックからの影響は
なくなった。

【００７２】このように情報を読みだす場合、ビームス
ポットにおける読み出し可能領域の幅（本実施例では透
過率が高くなる約０．８μｍφにおける情報光強度がピ
ークの１／ｅ²以上となる幅）が読み出そうとしている
情報トラックの幅（本実施例では、ＲＡＭ情報トラック
の幅である約０．８μｍ）よりも小さくすることによ
り、記録容量を大幅に大きくすることができた。本実施
例では、ＲＡＭ情報トラックを溝上に設けたが、溝間に
設けても差し支えない。以上の各実施例はディスク状の
記録媒体について述べたが、テープ状、カード状等の他
の形態の記録媒体も使用できる。

【００７３】

【発明の効果】以上のように、ＲＯＭ情報トラック間に
ＲＡＭ情報トラックを設けたり、ＲＯＭ情報トラックと
ＲＡＭ情報トラックとを交互に設けたため、情報の呼び
出し及び記録が瞬時にかつ確実にできるようになった。
また、トラッキング用の溝及び溝間にも情報が入れられ
るため、記録容量も大幅に大きくなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で用いたディスク基板の作製方法を示
す工程図である。

【図２】実施例１で用いたディスク基板の部分断面斜視
図である。

【図３】実施例１のディスクの構造を示す断面図であ
る。

【図４】実施例２のディスクの構造を示す断面図であ
る。

【図５】実施例２で用いたディスク基板の部分断面斜視
図である。

【図６】実施例３のディスクの構造と再生原理説明図で
ある。

【図７】実施例３のディスクのトラッキング用マーク対
と情報トラックとの位置関係を示す模式図である。

【図８】実施例４のディスクの構造を示す断面図であ
る。

【図９】実施例４のディスク基板の部分断面斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ガラス基板２ポジ型ホトレジスト３露光部分４ニッケル層５金型（ニッケルスタンパ）６、１７、１７’ ディスク基板７、２４、３０、４１ＲＯＭ情報トラック８、２５、３１、４２ＲＡＭ情報トラック９、２６、４３凹部１１ＳｉＮエンハンス層１２磁気記録層１３ＳｉＮ層１４Ａｌ反射層１５、２２、２２’、３９、３９’ 紫外線硬化樹脂保
護層１６磁気ヘッド１８、１８’、３５、３５’ ＺｎＳ−ＳｉＯ₂保護層１９、１９’、２７、３６、３６’ 記録層２０、２０’、３７、３７’ ＺｎＳ−ＳｉＯ₂中間層２１、２１’ Ａｌ−Ｃｕ反射層２３、４０接着層２８再生層２９トラッキングのマーク対３３、３３’ ポリカーボネート基板３４、３４’ ナフタロシアニン色素入りの有機物層３８、３８’ Ｎｉ−Ｃｒ反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮本治一東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者岡峯成範東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エネルギービームの照射によって情報を記
録する書き込み可能領域と情報が記録された再生専用領
域とを有する情報の記録用部材において、上記再生専用
領域は、上記情報の記録用部材の読み出し光との相対的
な移動方向に直角な方向に対して複数設けられ、上記再
生専用領域と再生専用領域との間の少なくとも一部分に
書き込み可能領域が設けられたことを特徴とする情報の
記録用部材。
【請求項２】請求項１記載の情報の記録用部材におい
て、上記再生専用領域の少なくとも一部分は、情報信号
に応じた凹部又は凸部を有することを特徴とする情報の
記録用部材。
【請求項３】請求項１又は２記載の情報の記録用部材に
おいて、上記情報の記録用部材の少なくとも一部に、上
記再生専用領域を構成する情報トラックと上記書き込み
可能領域を構成する情報トラックとが交互に配置された
ことを特徴とする情報の記録用部材。
【請求項４】請求項１から３のいずれか一に記載の情報
の記録用部材において、上記再生専用領域を構成する情
報トラックと上記書き込み可能領域を構成する情報トラ
ックは、それぞれアドレス信号を有することを特徴とす
る情報の記録用部材。
【請求項５】請求項３記載の情報の記録用部材におい
て、サンプルサーボ方式におけるサーボ信号が少なくと
も書き込み可能領域を構成する情報トラックに設けられ
たことを特徴とする情報の記録用部材。
【請求項６】請求項３記載の情報の記録用部材におい
て、上記再生専用領域を構成する情報トラックと上記書
き込み可能領域を構成する情報トラックとのトラッキン
グのために溝が設けられ、該溝は隣接する２本を１対と
してスパイラル状に形成されたことを特徴とする情報の
記録用部材。
【請求項７】請求項１から４のいずれか一又は６に記載
の情報の記録用部材において、上記再生専用領域を構成
する情報トラックと上記書き込み可能領域を構成する情
報トラックとのトラッキングのために溝が設けられ、該
情報トラックの一方は該溝に、他方は該溝と溝の間にそ
れぞれ設けられたことを特徴とする情報の記録用部材。
【請求項８】請求項７記載の情報の記録用部材におい
て、上記情報トラックは、いずれも少なくともその一部
分にアドレス信号を有することを特徴とする情報の記録
用部材。
【請求項９】請求項８記載の情報の記録用部材におい
て、上記情報トラックの一方に設けられたアドレス信号
の領域と、該情報トラックと隣接する他方の情報トラッ
クに設けられたアドレス信号の領域とは、互いに接しな
い位置に設けられたことを特徴とする情報の記録用部
材。
【請求項１０】請求項１から９のいずれか一に記載の情
報の記録用部材において、上記再生専用領域を構成する
情報トラックと上記書き込み可能領域を構成する情報ト
ラックの幅は、いずれも情報の読み出し光のビームスポ
ットの読み出し可能領域の直径より大きいことを特徴と
する情報の記録用部材。
【請求項１１】請求項１から１０のいずれか一に記載の
情報の記録用部材において、上記書き込み可能領域が形
成されるための記録膜の、上記エネルギービームの入射
する側に、エネルギービームの照射によってエネルギー
ビームの透過率が高くなる色素を含んだ層が配置された
ことを特徴とする情報の記録用部材。
【請求項１２】請求項１から１１のいずれか一に記載の
情報の記録用部材において、上記書き込み可能領域が形
成されるための記録膜がＴｂ−Ｔｅ−Ｃｏを主成分とす
る光磁気記録膜であることを特徴とする情報の記録用部
材。
【請求項１３】エネルギービームの照射によって情報を
記録する書き込み可能領域と情報が記録された再生専用
領域とを有する情報の記録用部材に、情報の書き込み、
読み出しを行う記録装置において、再生専用領域の所望
の情報と該情報が書き始められている位置を収納するメ
モリ、記録する情報を該メモリの内容と比較する手段及
び該比較に基づいて記録する情報の書き始めの位置を決
定する手段を有することを特徴とする記録装置。
【請求項１４】請求項１３記載の記録装置において、上
記記録する情報の書き始めの位置を決定する手段は、上
記メモリに収納された情報の内の該記録する情報と関連
する情報が書き始められている位置から、エネルギービ
ームの走査方向に対して直角方向の書き込み可能領域と
再生専用領域との幅の合計の１／５以内の範囲に、上記
書き始めの位置を決定する手段であることを特徴とする
情報の記録装置。
【請求項１５】エネルギービームの照射によって情報を
記録する書き込み可能領域と情報が記録された再生専用
領域とを有する情報の記録用部材に、情報の書き込み、
読み出しを行う記録装置において、再生専用領域の所望
の情報と該情報が書き始められている位置を収納するメ
モリ、記録する情報を該メモリの内容と比較する手段、
該比較に基づいて、該メモリに書き込むための再生専用
領域の情報を決定する手段、該再生専用領域の情報の該
メモリへの書き込みを制御する手段よりなることを特徴
とする記録装置。