JPH0477461B2 - - Google Patents
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- JPH0477461B2 JPH0477461B2 JP19759386A JP19759386A JPH0477461B2 JP H0477461 B2 JPH0477461 B2 JP H0477461B2 JP 19759386 A JP19759386 A JP 19759386A JP 19759386 A JP19759386 A JP 19759386A JP H0477461 B2 JPH0477461 B2 JP H0477461B2
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- semiconductor element
- lead frame
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の自動ワイヤボンデイ
ング方法に関し、さらに詳しくは、半導体素子の
各電極とリードフレーム基板の各リード端子相互
間におけるボンデイングワイヤ接続でのボンデイ
ング位置座標データの入力あるいは登録手段を改
良した半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法
に係るものである。
ング方法に関し、さらに詳しくは、半導体素子の
各電極とリードフレーム基板の各リード端子相互
間におけるボンデイングワイヤ接続でのボンデイ
ング位置座標データの入力あるいは登録手段を改
良した半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法
に係るものである。
半導体装置の製造時にあつては、半導体回路を
構成する半導体素子の各電極と、外部引出し端子
であるリードフレーム基板の各リード端子とを、
ボンデイングワイヤにより相互に接続する、いわ
ゆるワイヤボンデイング工程が不可欠であり、こ
の工程での接続操作は、自動ワイヤボンデイング
装置により自動的に行なわれる。
構成する半導体素子の各電極と、外部引出し端子
であるリードフレーム基板の各リード端子とを、
ボンデイングワイヤにより相互に接続する、いわ
ゆるワイヤボンデイング工程が不可欠であり、こ
の工程での接続操作は、自動ワイヤボンデイング
装置により自動的に行なわれる。
従来における一般的なこの種の自動ワイヤボン
デイング装置の概要構成を第５図に示し、またセ
ルフテイーチングによる各電極と各外部リード端
子のボンデイング位置座標データの入力あるいは
登録の態様を第６図に示す。
デイング装置の概要構成を第５図に示し、またセ
ルフテイーチングによる各電極と各外部リード端
子のボンデイング位置座標データの入力あるいは
登録の態様を第６図に示す。
すなわち、まず、第５図の装置構成において、
一般的な自動ワイヤボンデイング装置は、ボンデ
イング操作部Ａとボンデイング制御部Ｂとに大別
される。
一般的な自動ワイヤボンデイング装置は、ボンデ
イング操作部Ａとボンデイング制御部Ｂとに大別
される。
こゝで、前記ボンデイング操作部Ａは、ヒート
ブロツク３上にあつて、被処理半導体素子（半導
体ペレツト）１、およびこの半導体素子１をダイ
ボンドしたリードフレーム基板２を載置支持する
ワーク載置台４と、Ｘ−Ｙテーブル５上にあつ
て、ボンデイングワイヤ８を繰り出すキヤピラリ
チツプ７を、ワーク載置台４の上方に延出させた
ボンデイングヘツド６とを有すると共に、前記ワ
ーク載置台１の上方には、同ワーク載置台１上に
搬入載置される前記半導体素子１およびリードフ
レーム基板２の態様を、電子光学的にパターン検
知するためのITVカメラ９を配置させてある。
ブロツク３上にあつて、被処理半導体素子（半導
体ペレツト）１、およびこの半導体素子１をダイ
ボンドしたリードフレーム基板２を載置支持する
ワーク載置台４と、Ｘ−Ｙテーブル５上にあつ
て、ボンデイングワイヤ８を繰り出すキヤピラリ
チツプ７を、ワーク載置台４の上方に延出させた
ボンデイングヘツド６とを有すると共に、前記ワ
ーク載置台１の上方には、同ワーク載置台１上に
搬入載置される前記半導体素子１およびリードフ
レーム基板２の態様を、電子光学的にパターン検
知するためのITVカメラ９を配置させてある。
そして、このボンデイング操作部Ａでは、後述
するようにボンデイング制御部Ｂからの制御信号
によつて、Ｘ−Ｙテーブル５による二次元平面で
の位置移動制御と、キヤピラリチツプ７の上下移
動制御とにより、所期のワイヤボンデイング相互
接続を自動的に行なうようにしている。
するようにボンデイング制御部Ｂからの制御信号
によつて、Ｘ−Ｙテーブル５による二次元平面で
の位置移動制御と、キヤピラリチツプ７の上下移
動制御とにより、所期のワイヤボンデイング相互
接続を自動的に行なうようにしている。
また、前記ボンデイング制御部Ｂは、前記
ITVカメラ９に接続された位置検出装置（パタ
ーン認識装置）１１、およびそのモニタTV１２
と、位置検出装置１１に接続されたコンピユータ
からなるボンデイング制御装置１３、およびその
電気チエスマン１４と、ボンデイング制御装置１
３に接続され、かつ前記Ｘ−Ｙテーブル５、およ
びキヤピラリチツプ７のそれぞれ移動制御をなす
ボンデイング駆動制御装置１５とによつて構成さ
れる。
ITVカメラ９に接続された位置検出装置（パタ
ーン認識装置）１１、およびそのモニタTV１２
と、位置検出装置１１に接続されたコンピユータ
からなるボンデイング制御装置１３、およびその
電気チエスマン１４と、ボンデイング制御装置１
３に接続され、かつ前記Ｘ−Ｙテーブル５、およ
びキヤピラリチツプ７のそれぞれ移動制御をなす
ボンデイング駆動制御装置１５とによつて構成さ
れる。
つまり、一層具体的には、最初にITVカメラ
９によつて、ワーク載置台１上に搬入載置され、
かつヒートブロツク３により加熱状態におかれた
相互接続前の半導体素子１およびリードフレーム
基板２のビデオ画像を撮像し、その二次元平面で
の撮像パターン信号を、次の位置検出装置１１に
出力する。
９によつて、ワーク載置台１上に搬入載置され、
かつヒートブロツク３により加熱状態におかれた
相互接続前の半導体素子１およびリードフレーム
基板２のビデオ画像を撮像し、その二次元平面で
の撮像パターン信号を、次の位置検出装置１１に
出力する。
ついで、この位置検出装置１１では、入力され
た撮像パターン信号により、リードフレーム基板
２に対する半導体素子１のパターン認識をなすと
共に、これを予め内部に設定されている基準パタ
ーンと比較して、その誤差データ信号をボンデイ
ング制御装置１３に出力する。
た撮像パターン信号により、リードフレーム基板
２に対する半導体素子１のパターン認識をなすと
共に、これを予め内部に設定されている基準パタ
ーンと比較して、その誤差データ信号をボンデイ
ング制御装置１３に出力する。
さらに、このボンデイング制御装置１３におい
ては、入力された誤差データ信号により、内部に
登録されている各ボンデイング位置座標データを
所定通りに補正した上で、次のボンデイング駆動
制御装置１５に、そのときの駆動制御データ信号
を出力し、このボンデイング駆動制御装置１５か
らの制御出力により、Ｘ−Ｙテーブル５、および
キヤピラリチツプ７を移動制御して、ワイヤボン
デイング相互接続を自動的に行なうのである。
ては、入力された誤差データ信号により、内部に
登録されている各ボンデイング位置座標データを
所定通りに補正した上で、次のボンデイング駆動
制御装置１５に、そのときの駆動制御データ信号
を出力し、このボンデイング駆動制御装置１５か
らの制御出力により、Ｘ−Ｙテーブル５、および
キヤピラリチツプ７を移動制御して、ワイヤボン
デイング相互接続を自動的に行なうのである。
しかして、前記ボンデイング位置座標データ、
換言すると、基準となる半導体素子１の各電極の
中心座標値と、これらの各電極に対応するリード
フレーム基板２の各外部リード端子のボンデイン
グ位置座標値とは、現時点でコンピユータにとつ
て簡単な機能である、人手による現物合せのテイ
ーチング方式、一般的にはセルフテイーチングと
呼ばれる手段によつて、入力あるいは登録するよ
うにしている。
換言すると、基準となる半導体素子１の各電極の
中心座標値と、これらの各電極に対応するリード
フレーム基板２の各外部リード端子のボンデイン
グ位置座標値とは、現時点でコンピユータにとつ
て簡単な機能である、人手による現物合せのテイ
ーチング方式、一般的にはセルフテイーチングと
呼ばれる手段によつて、入力あるいは登録するよ
うにしている。
こゝで、このセルフテイーチングによつて入力
される、各電極および各外部リード端子それぞれ
の位置座標値は、第６図ａ，ｂに示す通りであ
る。
される、各電極および各外部リード端子それぞれ
の位置座標値は、第６図ａ，ｂに示す通りであ
る。
すなわち、この第６図ａにおいて、符号１は被
処理半導体素子の現物、P1，P2，……Poはこの
半導体素子１の各電極、２１は同半導体素子１を
ダイボンドする前記リードフレーム基板２のダイ
ボンド部、２２は半導体素子１の各電極に対応す
る同上リードフレーム基板２の各インナーリード
部の現物である。またP1，L1，P2，L2，……Po，
Loはそれぞれにワイヤに接続される各電極と各
インナーリード部のステツチを表わしており、そ
の位置座標データは、前記Ｘ−Ｙテーブル６上に
設定された原点Ｏをもとにして決定される。
処理半導体素子の現物、P1，P2，……Poはこの
半導体素子１の各電極、２１は同半導体素子１を
ダイボンドする前記リードフレーム基板２のダイ
ボンド部、２２は半導体素子１の各電極に対応す
る同上リードフレーム基板２の各インナーリード
部の現物である。またP1，L1，P2，L2，……Po，
Loはそれぞれにワイヤに接続される各電極と各
インナーリード部のステツチを表わしており、そ
の位置座標データは、前記Ｘ−Ｙテーブル６上に
設定された原点Ｏをもとにして決定される。
また、第６図ｂのモデルにおいて、位置座標デ
ータテーブルＴの〓*，〓*は、P1，L1からPo，
Loまでの位置座標データを入力して登録させた
前記ボンデイング制御装置１３のメモリ内部を示
し、その単位はＸ−Ｙテーブル５の移動量（クロ
ツクパルス数）である。
ータテーブルＴの〓*，〓*は、P1，L1からPo，
Loまでの位置座標データを入力して登録させた
前記ボンデイング制御装置１３のメモリ内部を示
し、その単位はＸ−Ｙテーブル５の移動量（クロ
ツクパルス数）である。
そして、これらのボンデイング位置座標データ
は、すべて半導体素子１とリードフレーム基板２
の現物を対象にして、人手により直接入力して登
録させるのである。
は、すべて半導体素子１とリードフレーム基板２
の現物を対象にして、人手により直接入力して登
録させるのである。
前記したように従来方法においては、ボンデイ
ング位置座標データを人手によつて直接入力させ
るようにしているため、必ずしも正確なボンデイ
ング位置座標データを入力させることができず、
入力する人の技能などに対応して、そのボンデイ
ングの位置精度が一方的に決定されてしまうもの
であり、このように位置精度を決定する要因に人
為的なものが加えられることから、ワイヤボンド
終了後の半製品が信頼性に欠けることゝなり、従
つて、この半製品を一々検査する必要を生じ、そ
の検査自体に人手がかゝるばかりか、結果的にみ
て半導体装置の信頼性向上を図り得ないと云う問
題点があつた。
ング位置座標データを人手によつて直接入力させ
るようにしているため、必ずしも正確なボンデイ
ング位置座標データを入力させることができず、
入力する人の技能などに対応して、そのボンデイ
ングの位置精度が一方的に決定されてしまうもの
であり、このように位置精度を決定する要因に人
為的なものが加えられることから、ワイヤボンド
終了後の半製品が信頼性に欠けることゝなり、従
つて、この半製品を一々検査する必要を生じ、そ
の検査自体に人手がかゝるばかりか、結果的にみ
て半導体装置の信頼性向上を図り得ないと云う問
題点があつた。
この発明方法は、従来のこのような問題点を解
消するためになされたもので、その目的とすると
ころは、人手による位置座標データの入力を廃止
すると共に、所定通りに定められた一定の位置座
標データ（固定データ）によつて、所期通りの正
確で位置精度の安定したボンデイング接続を行な
い得る、この種の半導体装置の自動ワイヤボンデ
イング方法を提供することである。
消するためになされたもので、その目的とすると
ころは、人手による位置座標データの入力を廃止
すると共に、所定通りに定められた一定の位置座
標データ（固定データ）によつて、所期通りの正
確で位置精度の安定したボンデイング接続を行な
い得る、この種の半導体装置の自動ワイヤボンデ
イング方法を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半
導体装置の自動ワイヤボンデイング方法は、半導
体素子の各電極と、リードフレーム基板の各外部
リード端子との相互を、ボンデイングワイヤによ
り自動的に接続する場合にあつて、各電極の中心
位置座標データを、半導体素子のパターン設計図
面により、また各外部リード端子のボンデイング
位置座標データを、リードフレーム基板のパター
ン設計図面により、それぞれに作成してボンデイ
ング制御系に入力させるようにし、これらの各相
互接続のボンデイング位置座標データを基準にし
て、ワイヤボンデイング接続を行なうようにした
ものである。
導体装置の自動ワイヤボンデイング方法は、半導
体素子の各電極と、リードフレーム基板の各外部
リード端子との相互を、ボンデイングワイヤによ
り自動的に接続する場合にあつて、各電極の中心
位置座標データを、半導体素子のパターン設計図
面により、また各外部リード端子のボンデイング
位置座標データを、リードフレーム基板のパター
ン設計図面により、それぞれに作成してボンデイ
ング制御系に入力させるようにし、これらの各相
互接続のボンデイング位置座標データを基準にし
て、ワイヤボンデイング接続を行なうようにした
ものである。
すなわち、この発明方法においては、半導体素
子とリードフレーム基板とのパターン設計図面に
よつて、最も位置精度の高い座標データを得て、
ボンデイング制御系に入力させるために、現実に
即した実ボンデイング位置座標データを基準にし
て、より一層信頼性に優れたボンデイング操作を
行ない得るのである。
子とリードフレーム基板とのパターン設計図面に
よつて、最も位置精度の高い座標データを得て、
ボンデイング制御系に入力させるために、現実に
即した実ボンデイング位置座標データを基準にし
て、より一層信頼性に優れたボンデイング操作を
行ない得るのである。
以下、この発明に係る半導体装置の自動ワイヤ
ボンデイング方法に実施例につき、第１図ないし
第４図を参照して詳細に説明する。
ボンデイング方法に実施例につき、第１図ないし
第４図を参照して詳細に説明する。
第１図ａは一実施例によるボンデイング位置座
標データの入力を説明するための、半導体素子お
よびこの半導体素子をダイボンドしたリードフレ
ーム基板のパターン設計図面を示している。
標データの入力を説明するための、半導体素子お
よびこの半導体素子をダイボンドしたリードフレ
ーム基板のパターン設計図面を示している。
すなわち、この第１図ａにおいて、符号１は被
処理半導体素子のパターン設計図面であり、２１
はこの半導体素子１をダイボンドしたリードフレ
ーム基板２のダイボンド部、２２は半導体素子１
の各電極に対応する同上リードフレーム基板２の
各インナーリード部のパターン設計図面である。
処理半導体素子のパターン設計図面であり、２１
はこの半導体素子１をダイボンドしたリードフレ
ーム基板２のダイボンド部、２２は半導体素子１
の各電極に対応する同上リードフレーム基板２の
各インナーリード部のパターン設計図面である。
また、P1，L1，P2，L2，……Po，Loはそれぞ
れにワイヤ接続される各電極と各ステツチを表わ
していて、その位置座標は、任意に設定された原
点OI，すなわちOI＝（０，０）をもとにして決定
されており、こゝでは、この原点OIをリードフ
レーム基板２のダイボンド部２１の中心にとるよ
うにしている。
れにワイヤ接続される各電極と各ステツチを表わ
していて、その位置座標は、任意に設定された原
点OI，すなわちOI＝（０，０）をもとにして決定
されており、こゝでは、この原点OIをリードフ
レーム基板２のダイボンド部２１の中心にとるよ
うにしている。
また、第１図ｂは同実施例によるボンデイング
位置座標データを記憶させた前記ボンデイング制
御器１３内のメモリ内部を示すモデルであり、位
置座標データテーブルTIの〓，〓は、P1，L1か
らPo、Loまでの同上位置座標データ、〓′はこの
場合、Ｐと半導体素子１の熱膨張率α、それにボ
ンデイング時の素子１の温度ｔによつて求めた実
ボンデイング時の位置座標データ、すなわち〓1
＝〓（１＋αt）である。そして、この位置座標デ
ータテーブツTIにおける単位は、μmなどの長さ
で表現され、これを前記Ｘ−Ｙテーブル５が所定
単位（１クロツクパルス）当り移動する分解能で
除したパルス表現に変換して用いる。
位置座標データを記憶させた前記ボンデイング制
御器１３内のメモリ内部を示すモデルであり、位
置座標データテーブルTIの〓，〓は、P1，L1か
らPo、Loまでの同上位置座標データ、〓′はこの
場合、Ｐと半導体素子１の熱膨張率α、それにボ
ンデイング時の素子１の温度ｔによつて求めた実
ボンデイング時の位置座標データ、すなわち〓1
＝〓（１＋αt）である。そして、この位置座標デ
ータテーブツTIにおける単位は、μmなどの長さ
で表現され、これを前記Ｘ−Ｙテーブル５が所定
単位（１クロツクパルス）当り移動する分解能で
除したパルス表現に変換して用いる。
つまり、第２図の位置座標データテーブルTR0
が、第１図ｂのデータテーブルTIによつて得た
パルス単位（無単位）の位置座標データである。
すなわち、 〓0（pulse）＝〓1（μm）／Ｘ−Ｙテーブル分解能（
um） 〓0（pulse）＝〓1（μm）／Ｘ−Ｙテーブル分解能（
μm） である。
が、第１図ｂのデータテーブルTIによつて得た
パルス単位（無単位）の位置座標データである。
すなわち、 〓0（pulse）＝〓1（μm）／Ｘ−Ｙテーブル分解能（
um） 〓0（pulse）＝〓1（μm）／Ｘ−Ｙテーブル分解能（
μm） である。
また、第３図ａは、現物としての半導体素子１
とリードフレーム基板２とのＸ−Ｙテーブル座標
系でのモデルを表わしており、実ボンデイングを
行なうためには、前記したパターン設計図面の原
点OIに対応する現物原点OR1のＸ−Ｙテーブル座
標系での位置座標を求めて、前記データテーブル
TIを同上原点OR1の分だけｘ方向とｙ方向とに平
行移動することで、ボンデイング位置座標の入力
あるいは登録をなして実行し得る。すなわち、 〓1＝〓0＋OR1 〓1＝〓0＋OR1 である。こゝでは、実際上、リードフレーム基板
２上でのダイボンド部２１における対角線の各コ
ーナーR1とR2とから、このダイボンド部２１の
中心座標OR1を求めて実行する。
とリードフレーム基板２とのＸ−Ｙテーブル座標
系でのモデルを表わしており、実ボンデイングを
行なうためには、前記したパターン設計図面の原
点OIに対応する現物原点OR1のＸ−Ｙテーブル座
標系での位置座標を求めて、前記データテーブル
TIを同上原点OR1の分だけｘ方向とｙ方向とに平
行移動することで、ボンデイング位置座標の入力
あるいは登録をなして実行し得る。すなわち、 〓1＝〓0＋OR1 〓1＝〓0＋OR1 である。こゝでは、実際上、リードフレーム基板
２上でのダイボンド部２１における対角線の各コ
ーナーR1とR2とから、このダイボンド部２１の
中心座標OR1を求めて実行する。
しかして、この実施例方法でのボンデイング時
の動作は、適宜、手動または自動により、位置合
せ用の電極P1およびP3の各中心位置と、同様に
位置合せ用のステツチL1およびL3の各中心位置
とをそれぞれに検出し、これらの各ボンデイング
位置座標データと、先に登録されているデータテ
ーブルTR1の登録データとによつて、半導体素子
１とリードフレーム基板２の位置補正演算を実行
した後、ボンデイング操作させればよく、これに
よつて所期通りの正確で位置精度の安定したボン
デイング接続を行ない得るのである。
の動作は、適宜、手動または自動により、位置合
せ用の電極P1およびP3の各中心位置と、同様に
位置合せ用のステツチL1およびL3の各中心位置
とをそれぞれに検出し、これらの各ボンデイング
位置座標データと、先に登録されているデータテ
ーブルTR1の登録データとによつて、半導体素子
１とリードフレーム基板２の位置補正演算を実行
した後、ボンデイング操作させればよく、これに
よつて所期通りの正確で位置精度の安定したボン
デイング接続を行ない得るのである。
なお、この場合、各インナーリード部２２での
位置座標データについては、相互接続後のボンデ
イングワイヤ８のループ状態を良くするために、
これを最適位置に補正して用いるようにすること
が望ましい。
位置座標データについては、相互接続後のボンデ
イングワイヤ８のループ状態を良くするために、
これを最適位置に補正して用いるようにすること
が望ましい。
次に、第４図は現物が複数である場合の一実施
例である。
例である。
この場合、複数の現物が、同一品種の２組の半
導体素子１とリードフレーム基板２であれば、そ
れぞれのパターン設計図面のボンデイング位置座
標データから、それぞれの原点OR1とOR2の位置
座標を、各ダイボンド部２１での各コーナーR1，
R2とR3，R4の座標により求めることで、それぞ
れの入力（登録）テーブルTR1とTR2を得て、前
記したようにボンデイング操作を実行できる。ま
た、同様にして、相互に異なる品種の２組の半導
体素子１とリードフレーム基板２であるときに
も、それぞれのパターン設計図面のボンデイング
位置座標データから、それぞれの入力（登録）テ
ーブルを得て、こゝでもボンデイング操作を実行
できるのである。
導体素子１とリードフレーム基板２であれば、そ
れぞれのパターン設計図面のボンデイング位置座
標データから、それぞれの原点OR1とOR2の位置
座標を、各ダイボンド部２１での各コーナーR1，
R2とR3，R4の座標により求めることで、それぞ
れの入力（登録）テーブルTR1とTR2を得て、前
記したようにボンデイング操作を実行できる。ま
た、同様にして、相互に異なる品種の２組の半導
体素子１とリードフレーム基板２であるときに
も、それぞれのパターン設計図面のボンデイング
位置座標データから、それぞれの入力（登録）テ
ーブルを得て、こゝでもボンデイング操作を実行
できるのである。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体
素子の各電極と、リードフレーム基板の各外部リ
ード端子との相互を、ボンデイングワイヤにより
自動的に接続する場合、各電極の中心位置座標デ
ータを、半導体素子のパターン設計図面により、
また各外部リード端子のボンデイング位置座標デ
ータを、リードフレーム基板のパターン設計図面
により、それぞれに作成してボンデイング制御系
に入力させるようにし、これらの各相互接続のボ
ンデイング位置座標データを基準にして、ワイヤ
ボンデイング接続を行なうようにしたから、パタ
ーン設計図面から得られたところの、最も正確で
位置精度の高いボンデイング位置座標データをも
とにし、併せて、各電極座標がボンデイング温度
で熱膨張する点をも考慮して、現実に即した実ボ
ンデイング位置座標データの入力（登録）をなす
ことができ、この実ボンデイング位置座標データ
を基準にしたボンデイング操作を行ない得て、常
時、安定した位置精度の信頼性に優れたボンデイ
ングが可能となり、従来必要とされていた人手に
よるボンデイング位置座標データの入力ないしは
登録を廃止でき、かつ、ボンデイング位置精度の
検査などの作業負担を格段に軽減できて、作業能
率、生産性および製造歩留りなどをより一層向上
し得るなどの優れた特長を有するものである。
素子の各電極と、リードフレーム基板の各外部リ
ード端子との相互を、ボンデイングワイヤにより
自動的に接続する場合、各電極の中心位置座標デ
ータを、半導体素子のパターン設計図面により、
また各外部リード端子のボンデイング位置座標デ
ータを、リードフレーム基板のパターン設計図面
により、それぞれに作成してボンデイング制御系
に入力させるようにし、これらの各相互接続のボ
ンデイング位置座標データを基準にして、ワイヤ
ボンデイング接続を行なうようにしたから、パタ
ーン設計図面から得られたところの、最も正確で
位置精度の高いボンデイング位置座標データをも
とにし、併せて、各電極座標がボンデイング温度
で熱膨張する点をも考慮して、現実に即した実ボ
ンデイング位置座標データの入力（登録）をなす
ことができ、この実ボンデイング位置座標データ
を基準にしたボンデイング操作を行ない得て、常
時、安定した位置精度の信頼性に優れたボンデイ
ングが可能となり、従来必要とされていた人手に
よるボンデイング位置座標データの入力ないしは
登録を廃止でき、かつ、ボンデイング位置精度の
検査などの作業負担を格段に軽減できて、作業能
率、生産性および製造歩留りなどをより一層向上
し得るなどの優れた特長を有するものである。
第１図ないし第４図はこの発明に係る半導体装
置の自動ワイヤボンデイング方法の一実施例を示
し、第１図ａ，ｂはこの一実施例による半導体素
子とリードフレーム基板のパターン設計図面、お
よび同ボンデイング位置座標データテーブルのそ
れぞれ説明図、第２図は第１図ｂのデータテーブ
ルによつて得た実ボンデイング位置座標データテ
ーブルの説明図、第３図ａ，ｂは同上半導体素子
とリードフレーム基板のＸ−Ｙテーブル座標系で
の現物モデル、および同ボンデイング位置座標デ
ータテーブルのそれぞれ説明図、第４図ａ，ｂは
同上複数の現物がある場合に一実施例による半導
体素子とリードフレーム基板のパターン設計図
面、および同ボンデイング位置座標データテーブ
ルのそれぞれ説明図であり、また第５図は一般的
な自動ワイヤボンデイング装置の概要を模式的に
示す構成説明図、第６図ａ，ｂは従来例による半
導体素子とリードフレーム基板のＸ−Ｙテーブル
座標系での現物モデル、および同ボンデイング位
置座標データテーブルのそれぞれ説明図である。 １，２……半導体素子，リードフレーム基板、
４……ワーク載置台、５……Ｘ−Ｙテーブル、６
……ボンデイングヘツド、７……キヤピラリチツ
プ、８……ボンデイングワイヤ、９……ITVカ
メラ、１１……位置検出装置、１３……ボンデイ
ング制御装置、１５……ボンデイング駆動制御装
置。
置の自動ワイヤボンデイング方法の一実施例を示
し、第１図ａ，ｂはこの一実施例による半導体素
子とリードフレーム基板のパターン設計図面、お
よび同ボンデイング位置座標データテーブルのそ
れぞれ説明図、第２図は第１図ｂのデータテーブ
ルによつて得た実ボンデイング位置座標データテ
ーブルの説明図、第３図ａ，ｂは同上半導体素子
とリードフレーム基板のＸ−Ｙテーブル座標系で
の現物モデル、および同ボンデイング位置座標デ
ータテーブルのそれぞれ説明図、第４図ａ，ｂは
同上複数の現物がある場合に一実施例による半導
体素子とリードフレーム基板のパターン設計図
面、および同ボンデイング位置座標データテーブ
ルのそれぞれ説明図であり、また第５図は一般的
な自動ワイヤボンデイング装置の概要を模式的に
示す構成説明図、第６図ａ，ｂは従来例による半
導体素子とリードフレーム基板のＸ−Ｙテーブル
座標系での現物モデル、および同ボンデイング位
置座標データテーブルのそれぞれ説明図である。 １，２……半導体素子，リードフレーム基板、
４……ワーク載置台、５……Ｘ−Ｙテーブル、６
……ボンデイングヘツド、７……キヤピラリチツ
プ、８……ボンデイングワイヤ、９……ITVカ
メラ、１１……位置検出装置、１３……ボンデイ
ング制御装置、１５……ボンデイング駆動制御装
置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子の各電極と、リードフレーム基板
の各外部リード端子との相互を、ボンデイングワ
イヤにより自動的に接続するワイヤボンデイング
方法において、前記各電極の中心位置座標データ
を、半導体素子のパターン設計図面により、また
前記各外部リード端子のボンデイング位置座標デ
ータを、リードフレーム基板のパターン設計図面
によりそれぞれに作成してボンデイング制御系に
入力させるようにし、これらの各相互接続の位置
座標データを基準にして、ワイヤボンデイング接
続を行なうことを特徴とする半導体装置の自動ワ
イヤボンデイング方法。 ２ 半導体素子での各電極の中心位置座標データ
を、加熱状態にあるワーク載置台上に載置された
半導体素子の熱膨張後の値に補正して用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導
体装置の自動ワイヤボンデイング方法。 ３ リードフレーム基板の各外部リード端子のボ
ンデイング位置座標データを、各相互接続後のボ
ンデイングワイヤのワイヤループ形状が最適とな
る位置に補正して用いることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の半導体装置の自動ワイヤ
ボンデイング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19759386A JPS6353940A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19759386A JPS6353940A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353940A JPS6353940A (ja) | 1988-03-08 |
| JPH0477461B2 true JPH0477461B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=16377065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19759386A Granted JPS6353940A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353940A (ja) |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19759386A patent/JPS6353940A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6353940A (ja) | 1988-03-08 |
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